臺北高等行政法院判決 八十九年度訴字第二五○○號
原 告 華邦電子股份有限公司
代 表 人 甲○○
訴訟代理人 乙○○技師）
被 告 經濟部智慧財產局
代 表 人 陳明邦（局長）
訴訟代理人 丙○○
右當事人間因發明專利申請事件，原告不服經濟部中華民國八十九年九月二十一日經
（八九）訴字第八九○八八五九二號訴願決定，提起行政訴訟。本院判決如左：
主 文
原告之訴駁回。
訴訟費用由原告負擔。
事 實
一、事實概要：
緣原告前於八十七年四月九日以「可準確地將矽晶圓切割成複數個晶片的半導體 製程方法」向被告機關申請發明專利，經該局編為第000000000號審查 （下稱系爭案），被告機關以⑴一九九四年五月二十四日美國專利第五、三一四 、八四四號「Method for dicing a semiconductor wafer」專利案 （下稱引證 一）中揭示化合物半導體沿特定方向形成溝槽而後切割的方法，熟習半導體者能 運用該項技術於矽晶圓；⑵利用蝕刻溶液在矽晶圓形成Ｖ型溝槽在如一九九三年 七月二十二日「ELECTRONICS LETTERS」公開之「INCREASED BREAKDOWN VOLTAGE OF SILICON－ON－INSULATOR SCHO TTKY DIODES」（下稱引證二），及一九九七 年「IEMT／IMC Proceedings」公開之「Si V－groove Substrate for Optical Modules」（下稱引證三）之資料，均已公開此一技術，係屬習知技術，經以先 行通知書通知不予專利。原告不服，申請再審查，案經被告機關於八十九年四月 二十一日以（八九）智專三（二）○四○二四字第○八九八七○○○六五一號專 利再審查核駁審定書為仍應不予專利之處分。原告不服，提起訴願，經遭駁回， 遂向本院提起行政訴訟。
二、兩造聲明：
㈠原告未於言詞辯論期日到場，其起訴狀聲明求為判決： 訴願決定及原處分均撤銷。
㈡被告聲明求為判決：
如主文所示。
三、兩造之爭點：
原告申請專利之系爭案與被告機關所提引證一、二、三案相較，是否為熟習此技 藝之人士所輕易能完成。
㈠原告主張之理由：
⒈首先說明矽晶圓製程之一般流程如下：
⑴在矽晶圓沉積必要材料層。⑵定義電路圖案光罩。⑶依據電路圖案光罩蝕刻
該些材料層以形成所需圖案蝕刻之目的係作為形成特定圖案之工具，以轉移光 罩上之電路圖案至材料層，蝕刻之作用必須強調不同材料層間之蝕刻選擇化， 以及確保利用化學作用來吃掉不同材料時所需之圖案精確度。此外形成Ｖ型溝 槽大多用在微機械元件，傳統ＩＣ製程並不常見。⑷覆蓋所需之保護層。⑸對 晶圓進行切割。傳統技術遇到晶圓切割問題，皆以機械力及外力破壞為出發點 ，未曾考量先以機械利以外之作用，如化學作用產生應力破壞，再施以機械力 分割矽晶圓。更未曾考慮以半導體製程中之濕蝕刻方式來產生化學作用，也未 曾揭露以濕蝕刻切割矽晶圓時，即必須考慮依晶體取向為一○○或一一○採用 不同之配方進行切割的技術Know How。綜上所述，長久以來，傳統切割晶圓技 術即以機械力出發，被告機關未找到教導以濕蝕刻進行切割矽晶圓之習知技術 在先，又僅利用與系爭案在技術特徵，發明目的均不相同之引證案，以後見之 明的方式透過單純而不實之推理，及論斷系爭案為熟習此技藝之人士輕易知悉 ，甚且忽略實現本發明之濕蝕刻切割才會想到Know How亦未曾揭露於其他文獻 。因此，系爭案實非熟習此技藝之人士輕易知悉。 ⒉在再審查核駁理由先行通知書中，被告機關以⑴引證一之美國專利案中揭示化 合物半導體沿特定方向形成溝槽而後切割的方法，為熟習半導體者能運用該項 技術於矽晶圓；⑵引證二及三已公開利用蝕刻溶液在矽晶圓形成Ｖ型溝槽乃屬 習知技術⑶在習用溝槽切割達到無龜裂，結合已知蝕刻溶液在矽晶圓上可形成 Ｖ型溝槽，對熟習此技藝者可輕易思及並預期達到系爭案之功效等理由核駁系 爭案。針對第⑴點所述，引證一之專利係以研磨削除法（grinding－cutting method）形成，與系爭案之濕蝕刻方式顯然不同。針對第⑵及⑶點，引證二 中濕蝕刻的配方係適用於肖特基二極體（Schotty diode）之電極，且溝槽底 部為平坦式（mesa），與系爭案應用領域及溝槽形狀皆不同。引證三中亦未揭 示可將形成之溝槽應用於切割晶圓。另外根據被告機關印行之專利審查基準第 一─二─二十頁判斷方式之第一點所述：「應假設熟習該項技術者，如遭遇申 請專利發明所欲解決的問題時，是否能輕易組合之文獻之技術內容，以解決該 問題。」以此理論言之，上述引證案均未能作為核駁系爭案之理由。因此，稱 系爭案為對熟習此技藝可輕易思及並預期達到系爭案之功效之言論實不恰當。 ⒊在再審查核駁審定書中，被告機關一再以⑴引證一揭示一種晶圓切割方法，即 在晶圓上先行成一溝槽再完成晶圓切割。因此熟悉該項技藝者，亦必瞭解在矽 晶圓上若能形成Ｖ型溝槽者亦可順利完成晶圓切割，並達到引證一及系爭案所 揭功效。執此，雖然引證一所揭形成溝槽的方式不是濕蝕刻，但習知技藝（如 引證二及引證三）已揭示如何在矽晶圓上利用濕蝕刻形成Ｖ型溝槽（引證二揭 示了形成Ｖ型邊緣圖案，並非如申復說明書所述無法達到Ｖ型溝槽，熟習半導 體技藝者皆知，若引證二之定義窗口夠小，自可形成Ｖ型溝槽，如引證三）； ⑵既知利用蝕刻形成Ｖ型溝槽（引證二及三），又知在晶圓上形成溝槽可利晶 片切割（引證一），自可輕易瞭解系爭案手段並獲得預期功效，如專利審查基 準第一─二─二十頁所述，組合前引證一、二及三資料可使熟習該項技藝者輕 易完成系爭案所揭之技術內容等相同理由核駁系爭案。 ⒋針對引證一而言，其揭示的方法係為研磨削除法，且在第一獨立項中所指稱該
方法需在Ⅲ－Ⅴ族化合物半導體上實行，並未揭露形成Ｖ型溝槽以利切割晶圓 的方法亦同樣適用於矽晶圓，蓋Ⅲ－Ⅴ族化合物半導體之材質較系爭案所提之 矽晶圓脆，故此方法若應用於化合物半導體晶圓時，所產生的應力有可能造成 晶圓本身的損害，產生效果不彰的情況。而系爭案使用濕蝕刻法來形成Ｖ型溝 槽，不但其溝槽的角度易控制且配方（NaOH、DI water、正丙醇）更可因晶向 之不同而具有選擇性，故該種形成Ｖ型溝槽的方法實優於引證一許多。然被告 機關以「．．．熟習該項技藝者，亦必瞭解在矽晶圓上若能形成Ｖ型溝槽亦可 順利完成晶圓切割，並達到引證一及系爭案所揭功效」為由，顯然忽略了引證 一所實施方法的缺點以及引證一並未必能達到系爭案之功效。 ⒌針對引證二而言，雖提及濕蝕刻方式形成Ｖ型溝槽的方法，然其目的在於形成 平坦式（mesa）電極，值得注意的是其溝槽底部為平坦式，若以聯想之概念言 之，尚有許多形狀的溝槽可以形成，如凹槽、鋸齒狀．．．等，但系爭案之特 徵在於形成Ｖ型構槽且目前以Ｖ形為切割晶圓為最佳形狀。而審查委員會指稱 縮小引證案中溝槽的尺寸即可聯想出Ｖ型溝槽，實忽略了系爭案技術內容之精 神所在，因各種形狀之溝槽中，以Ｖ型溝槽最利於施力以切割晶圓。引證一所 揭於晶圓上形成溝槽可利晶片切割，及引證二、三利用蝕刻溶液在矽晶圓上形 成Ｖ型槽之濕蝕刻方式，可達到晶片切割無磨損龜裂之預期功效。組合引證一 、二及三可使熟習該項技藝者輕易完成系爭案所揭之技術內容，系爭案自不具 進步性，被告機關之訴願答辯書辨明在案，經核並無不合。 ⒍針對訴願決定書而言，再審查核駁審定書之核駁意見已於訴願理由書加以解釋 說明，然而訴願機關顯然並未明顯針對訴願理由書之意見提出核駁，僅單方面 認定被告機關之先前說法，實為不公允、欠缺妥當之做法。此外，在此需重申 結合三引證案對於系爭案並非輕易思及，因為該三案應用領域皆不同，是依各 自需求所設計出之想法，且引證二及三並無揭示可應用於切割晶圓，所以兩案 與引證一結合並無意義，故此聯想並非能輕易思及而達成系爭案之技術。再者 ，依「專利審查基準」第一─二─二十一頁述及：以先前技術之片斷部分相互 組合，而判斷發明是否能輕易完成時，應考慮發明是否具有「突出的技術特徵 」或「顯然的進步性」。系爭案利用濕蝕刻以形成Ｖ型溝槽的技術明顯優於引 證一許多。並且系爭案已於民國八十九年六月十三日獲得美國專利第六、○七 五、二八○號，亦即表示美國專利局認可系爭案符合專利要件。然而，訴願決 定機關及被告機關，皆未能詳查系爭案與引證案之技術特徵的明顯差異，便率 爾以主觀的認定駁回系爭案，顯不合理且不當。請判決如原告訴之聲明云云。 ㈡被告主張之理由：
⒈原告起訴理由稱系爭案所請技術標的如說明書申請範圍第一項獨立項所述：「 利用光阻在劃線處定義開口、蝕刻完成Ｖ型溝槽，再施一機械應力而分割晶片 」。就該項技術與引證一美國專利第五、三一四、八四四號所述：「在劃線處 以研磨削除法形成溝槽，再施以一機械應力如滾輪法而分割晶片」比較而言， 在功效上兩案均以形成溝槽並施以機械應力分割晶片俾防止晶片受損、龜裂等 ；所不同者，一是化合物半導體、另一是矽半導體，一是研磨削除法形成溝槽 ，另一是以濕蝕刻法形成溝槽。而系爭案為何是熟知該些技術者所能輕易完成
而不具進步性，說明如下：從引證一上明顯知悉，亦清楚揭示只要能先在半導 體劃線處形成溝槽，再施以機械應力就能避免晶片受損、龜裂等。至於形成溝 槽的方式，是否易思及利用濕蝕刻的方式，答案是肯定，此乃因利用濕蝕刻形 成各種不同的溝槽係習知之技術，亦被半導體製程者應用在各種環境中，如各 式教科書、文獻中的內容，因此利用濕蝕刻形成溝槽在化合物半導體以分割晶 片目的為熟悉該些技術者能輕易思及。能同時知悉化合物半導體可以濕蝕刻形 成溝槽，也了解形成溝槽在半導體而分割晶片的技藝者，勢必輕易思及先利用 濕蝕刻形成溝槽再分割晶片。至於形成溝槽在矽半導體以分割晶片是否為熟悉 該技藝者能輕易思及？從以下論點中亦不難瞭解，答案是肯定的。首先必須說 明的：矽半導體與化合物半導體在電子製程應用中皆屬於晶圓品，以之製作電 子電路於晶圓上後，再分割晶片。習知分割的方式如引證案與系爭案中皆有述 及相同技術以分割該等矽半導體、化合物半導體。顯然兩者在習用分割技術皆 無差異，亦即半導體製程者可以如習知分割技術分割化合物半導體，亦可瞭解 其可分割的矽半導體，反之亦然。如是在了解引證案一處理化合物半導體分割 方法（即如上論點：利用濕蝕刻形成溝槽再分割化合物半導體晶片為熟悉該技 藝者能輕易思及），即可使熟悉半導體分割晶片者輕易了解其應用在矽半導體 晶片的分割，此外更需強調的是在矽晶片以濕蝕刻形成各種溝槽及在多處的應 用是習知技術。引證案二、三的舉證不在其應用範圍或領域，而在說明濕蝕刻 形成溝槽是眾所皆知。如此，引證案一揭示了形成溝槽的功效，因此熟悉濕蝕 刻可以形成溝槽與引證案一的技藝者豈不輕易思及系爭案功效。針對原告述引 證案二中濕蝕刻的配方係適用於蕭特基二極體之電極，且溝槽底部為平坦式， 與系爭案應用領域及溝槽形狀皆不同。引證案三中亦未揭示可將形成之溝槽結 構應用於切割晶圓。而證據以聲稱熟悉半導體晶片切割技術者未能輕易系爭案 技術乙節，實為本末倒置。蓋因熟悉半導體製程者乃先了解濕蝕刻能形成各種 形式的溝槽，如製程教科書內容，是方有蕭特基二極體製程者因需Ｖ型溝槽斜 邊接合焊墊（底部平坦式電極）與閘金屬而利用該濕蝕刻（引證二），光纖製 程者因需定位而使用濕蝕刻形成Ｖ型槽（引證三），FET 製程者因需Ｖ型閘極 而使用濕蝕刻形成Ｖ型溝槽於閘極區，HBT 製程者因需自行對準而在射極形成 Ｕ型槽蝕刻。同理從引證一知悉要先形成溝槽以利分割，自然思及濕蝕刻，蓋 濕蝕刻形成各種形式溝槽是半導體製程者已經知悉之技術，並非原告所稱「只 有夠了解二極體製程或光纖製程者才知悉，而半導體晶片切割則未必熟知」。 ⒉系爭案不予專利之依據乃著眼於專利審查基準第一─二─二十頁為發明者，若 所請（如第一項獨立項）為運用習知技術而可使熟悉該項技藝者輕易思及而從 以實施並了解功效，則不具進步性。基於上述規定依專利法第二十條第二項規 定不予專利並無不妥，雖然系爭案在美國已獲頒專利，惟各國專利制度不同， 並不能相提並論，更不得據以聲稱其已符合本國專利法之規定。故起訴理由不 足採信，原處分並無違法，請駁回原告之訴等語。 理 由
一、本件原告經合法通知，未於言詞辯論期日到庭，依被告之聲請，由其以一造辯論 判決。
二、按凡利用自然法則之技術思想之高度創作，而可供產業上利用之發明者，固得依 專利法第十九條、第二十條第一項前段規定取得發明專利，惟發明如「係運用申 請前既有之技術或知識，而為熟習該項技術者所能輕易完成時」仍不得依本法申 請取得發明專利，同法第二十條第二項復定有明文。三、本件系爭案係提供一種晶圓切割成晶片的製程方法，其主要特徵係於劃線區域上 形成光阻窗口，再形成Ｖ型溝槽，進而於該Ｖ型溝槽底部尖端處產生裂縫，達到 切割目的者。被告機關以依引證一、引證二及引證三所揭示資料，即可使熟習該 項技術者輕易完成系爭案所揭之技術內容，系爭案不具進步性，乃為不予專利之 處分。原告雖訴稱，引證一形成溝槽以切割晶圓的方法係適用於化合物半導體晶 圓，且所使用之方法係為研磨削除法，與系爭案之濕蝕刻方式完全不同；引證二 係適用於形成肖特基二極體之平坦式電極，引證三則提出以濕蝕刻之方式形成Ｖ 型溝槽，但未揭露此種方式可應用於切割晶圓，原處分所引用之引證一、二及三 皆未能指出系爭案之特徵，系爭案並非使用申請前之習知技術，且非熟習該項技 藝者所能輕易達成，系爭案確符專利要件云云。四、惟查本件經將系爭案之技術手段與引證案習知技術相較，以在半導體晶圓形成溝 槽而言，引證一已明顯揭示在化合物半導體沿特定方向形成溝槽而後切割晶圓的 方法，雖然其所揭示者係化合物半導體，然熟習半導體者自能運用該項技術於Si 晶圓，且其所揭形成溝槽之方式雖非濕蝕刻，然因引證二及三已明顯揭示利用蝕 刻溶液在Si晶圓形成Ｖ型溝槽，故熟習該項技術者結合引證一所揭於晶圓上形成 溝槽可利晶片切割，及引證二、三利用蝕刻溶液在Si晶圓上形成Ｖ型槽之濕蝕刻 方式，可達到晶片切割無磨損龜裂之預期功效，亦即組合引證一、二及三可使熟 習該項技藝者輕易完成系爭案所揭之技術內容，難認系爭案具有進步性。從而被 告機關所為不予專利之處分，揆諸首揭法條之規定，應無違誤，訴願決定予以維 持，亦稱妥適，原告徒執前詞，訴請撤銷，為無理由，應予駁回。據上論結，本件原告之訴為無理由，爰依行政訴訟法第九十八條第三項前段、第二百十八條，民事訴訟法第三百八十五條，判決如主文。中 華 民 國 九十 年 八 月 八 日 臺 北 高 等 行 政 法 院 第 一 庭
審 判 長 法 官 鄭忠仁
法 官 楊莉莉 法 官 林金本右為正本係照原本作成。
如不服本判決，應於送達後二十日內，向本院提出上訴狀並表明上訴理由，如於本判決宣示後送達前提起上訴者，應於判決送達後二十日內補提上訴理由書（須按他造人數附繕本）。
中 華 民 國 九十 年 八 月 十 日 書記官 簡信滇
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