⒏綜上，引證1、2均未揭露系爭申請案請求項1要件1C「且沿著 上述第1方向以及上述自旋軌道轉矩配線的長度方向切斷的 剖面中，夾住上述插入層離上述第1強磁性層遠的自旋產生 層之剖面積，比夾住上述插入層離上述第1強磁性層近的自 旋產生層之剖面積大，」，以及1F之「上述插入層有複數層 ，上述插入層的層數，在6層以下」部分技術特徵，且該特 徵為系爭申請案請求項1為達成「藉由以位於離第1強磁性層 1遠的自旋產生層20A產生很多自旋，至第1強磁性層1的自旋 量增加，可以降低使第1強磁性層1的磁化反轉所需的反轉電 流密度」（參說明書第[0070]段）以及「降低資料寫入電壓 」（參說明書第[0120]、[0121]段）、「降低使第1強磁性 層1的磁化Ml反轉所需的反轉電流密度」（參說明書第[0098 ]段）之發明目的所不可或缺的必要技術特徵。是以，引證1 、2之組合並未揭露系爭申請案請求項1之全部技術特徵 ，不足以證明請求項1不具進步性。
⒐被告之抗辯並不足採：
⑴按系爭申請案說明書是否已充分揭露使該發明所屬技術領 域中具有通常知識者可據以實現核屬專利法第26條第1項 所規定之範疇，不應與專利法第22條第2項所規定進步性 之概念混淆並一概而論，即被告於審查過程中若認為系爭 申請案說明書僅揭露「定性」特性，未揭露「定量」特性 致說明書揭露不充分而無法據以實現，應依發明專利審查 基準相關規定提供明確且充足的理由，具體指出說明書中 缺陷，或以公開文獻支持其理由通知申請人申復或修正。 經查，原告於最後一次申復理由中已主張「…上述插入層 有複數層，上述插入層的層數，在6層以下」之技術特徵 ，並未揭示或建議於引證文件，也非先前技術之簡單變更 或單純拼湊…此外，根據本案說明書【0033】段，本發明 的磁阻效應元件可以進一步降低資料的寫入電壓」（參原 告112年11月2日申復理由書第4至5頁），並非如被告所述 原告在審查階段未爭執插入層在6層以下具有利功效，或 不爭執引證1（甲證3）已揭露爭執技術特徵。 ⑵又被告雖以系爭申請案之圖17、18僅於寫入電流、寫入電 壓在定性方面之功效，無法判斷寫入功率產生「量」之功 效（本院卷第264頁），即圖17、18僅揭露「定性」特性 ，並未揭露「定量」特性，而認此有利功效揭露不充分， 相對於先前技術已揭露而不可採云云；惟觀諸系爭申請案 申請歷程，被告均未曾引用專利法第26條第1項敘明系爭 申請案說明書有揭露不充分之理由，即逕以系爭申請案違 反專利法第22條第2項不具進步性為由作成核駁處分，亦
未在原處分作成前通知原告申復、修正。是原處分已違背 發明專利審查基準審理原則，即未提供明確且充足的理由 ，具體指出說明書中缺陷或以公開文獻支持其理由，通知 申請人申復或修正之缺失。況系爭申請案圖式17、18係用 以說明插入層的數量對寫入電流、電壓有實質影響，且有 一使電流或電壓達到最小值的最佳值，對所屬技術領域具 通常知識者，記憶體之寫入與讀取通常均以直流電源驅動 ，在直流電場下，其耗用功率係電流與電壓之乘積屬習知 之通常知識，故圖式17、18本身已可表達系爭申請案請求 項1「插入層的層數，在6層以下」之技術特徵具有「降低 資料之寫入電壓、電流或功率」之有利功效。再者，原告 於本院審理中亦提出西元2019年11月25日針對系爭申請案 之日本先申請案相關電子郵件所含實驗數據等資料（參甲 證6，本院卷第396頁），以說明圖式17、18係基於真實的 實驗數值製成，經核該實驗數據與系爭申請案圖式17、18 所載點狀圖均能合理對應，益徵原告之主張為真。而無論 專利法、專利法施行細則及發明專利審查基準通篇均未規 定發明專利申請案之說明書需以揭露相關技術之實驗數值 為必要，實驗數據僅作為參考性質，原告亦無將該實驗數 值補充入說明書內之義務。是以，被告逕以系爭申請案有 前揭未充分揭露有利功效而不應准予專利之情形，難謂可 採。
⑶觀諸系爭申請案請求項1之要件1B記載內容「…在上述第1方 向上具有複數自旋產生層、以及在上述複數自旋產生層之 間的插入層…」，可得知在第一方向有複數自旋產生層， 而插入層位於該複數自旋產生層之間，故將插入層與自旋 產生層之排列關係，解釋為「插入層為複數層且在第一方 向上被包夾於該複數自旋產生層之間」係為最合理之解釋 ；併考量系爭申請案圖式5（如下圖所示）
其中20A為自旋產生層，20B為插入層，兩者在Z方向上呈2 0A/20B/20A/20B之順序交互堆疊，益徵前開解釋為最合理 之解釋，是被告主張系爭申請案之爭執技術特徵界定「插 入層有複數層，上述插入層的層數，在6層以下」，不是 厚度，也不是不同材料界面的數量（即不是「不同材料間 隔開的插入層」）」，即不可採。又依引證1說明書揭露 「例如，金屬插入層2C有些部分是原子積層2~3層份量的 部分」（參甲證3中譯本第[0051]段，本院卷第290頁）， 所指「金屬插入層2C有些部分是原子積層2~3層份量的部 分」係指單一插入層2C之厚度為2至3層原子厚度，參照上
開說明書內容，實難謂引證1已揭露複數自旋產生層與複 數插入層2C相互交疊之技術特徵，且依引證1說明書所揭 露之實施例亦均無自旋產生層與複數插入層2C相互交疊之 樣態，故被告辯稱引證1第〔0051〕段內容已揭露上開爭執 技術特徵云云，顯然有誤。再者，引證2並未實質揭露系 爭申請案請求項1要件1C、1F之「插入層」之理由，已如 前述，故被告稱引證2與系爭申請案第〔0120〕段所述藉由 自旋產生層、插入層之堆疊，改善較低的寫入電流，具有 利用相同之方法，改善相同之功效云云，核屬無據，並不 可採。
(五)系爭申請案請求項2至6、8為請求項1之附屬項，包含請求項 1之全部技術特徵，由於引證1、2之組合並不足以證明系爭 申請案請求項1不具進步性之理由，已如前述，故其組合自 當不足以證明系爭申請案請求項2至6、8不具進步性。(六)引證1、2之組合，不足以證明系爭申請案請求項9不具進步 性：
⒈引證1說明書第[0048]段及圖2揭露「…在自旋軌道轉矩配線2 內亦可設有金屬插入層2C。就算是金屬氧化物具有導電性， 但導電性劣於金屬。金屬插入層2C能夠調整自旋軌道轉矩配 線2的電阻值並抑制自旋軌道轉矩磁化旋轉元件11的耗電的 增加、焦耳熱的增加」。說明書第[0049]段揭露「金屬插入 層2C，在自旋軌道轉矩配線2的厚度方向的任意位置皆可。 圖3是本實施形態相關之自旋軌道轉矩磁化旋轉元件的其他 例的剖面示意圖。示於圖3的自旋軌道轉矩磁化旋轉元件12 ，是以在比自旋軌道轉矩配線2的基準線C離第1強磁性層1還 遠的位置具有金屬插入層2C為佳。金屬插入層2C有時會成為 阻礙自旋往z方向的移動的散亂起因。在金屬插入層2C在遠 離第1強磁性層1的位置之下，使第1強磁性層1近處產生的自 旋的移動順暢，能夠提高往第1強磁性層1的自旋的注入效率 」。其中「自旋軌道轉矩磁化旋轉元件11」可對應系爭申請 案請求項9「一種磁化旋轉元件」；其中「自旋軌道轉矩配 線2」整體可對應系爭申請案請求項9之「配線」；其中「第 1強磁性層1」可對應系爭申請案請求項9之「第1強磁性層」 ；其中圖2之電流垂直的方向（即Z軸方向）可對應系爭申請 案請求項9之「相對於上述配線在第1方向」；其中圖3所顯 示被夾在「第1強磁性層1」與「插入層2C」之間的「 自旋軌道轉矩配線2」之一部，可對應為系爭申請案請求項9 之「第1層」；其中「插入層2C」可對應為系爭申請案請求 項9之「第2層」；其中「插入層2C」厚度較被夾在「第1強 磁性層1」與「插入層2C」之間的「自旋軌道轉矩配線2」之
一部還薄，可對應為系爭申請案請求項9「上述第2層的厚度 ，比上述第1層的分別厚度薄」。準此，引證1已揭露系爭申 請案請求項9「一種磁化旋轉元件，包括：配線；以及第1強 磁性層，相對於上述配線在第1方向；」、「第1層」、「第 2層」及「上述第1層，在上述第1方向上夾住上述第2層；上 述第2層的厚度，比上述第1層的分別厚度薄」之技術特徵。 ⒉引證1說明書第[0069]段揭露「設置於自旋軌道轉矩配線2與 第1強磁性層1之間的層，是以不將從自旋軌道轉矩配線2傳 播的自旋散逸為佳。例如，銀、銅、鎂及鋁等，自旋擴散長 度達100nm以上，已知自旋不容易散逸。又，此層的厚度， 是以構成層的物質的自旋擴散長以下為佳。層的厚度若為自 旋擴散長以下，則可以將從自旋軌道轉矩配線2傳播的自旋 充分傳遞至第1強磁性層1」，對所屬技術領域具通常知識者 而言，其中「金屬插入層2C的厚度，是以不到構成金屬插入 層的金屬原子的離子半徑的2倍為佳」相當於構成金屬插入 層之原子單層的厚度（銀大約為0.28nm），實質隱含較自旋 擴散長度（銀大約為10nm）為短，此為銀金屬之固有特性， 且說明書第[0069]段亦揭露「如果該層的厚度小於自旋擴散 長度，則可以將從自旋軌道轉矩配線2傳播的自旋充分地傳 遞至第1強磁性層1」，是以前開揭露內容可對應系爭申請案 請求項9「上述第2層的厚度，為構成上述第2層的材料之自 旋擴散長度以下」之技術特徵。
⒊引證1與系爭申請案請求項9之差異，在於其並未揭露以下技 術特徵：(1)第1層，包含從Mo(鉬)、Ru(釘)、Rh(銠)、Pd( 鈀)、Ta(鉭)、W(鎢)、Ir(銥)、Pt(鉑)、Au(金)、Bi(鉍)構 成的群中選擇之任何元素；以及第2層，包含從Mg(鎂)、 Al(鋁)、Si(矽)、Ti(鈦)、Cr(鉻)、Fe(鐵)、Co(鈷)、Cu( 銅)、Ga(鎵)、Ge(鍺)、Ag(銀)構成的群中選擇之任何元素 ；(2)沿著上述第1方向以及上述配線的長度方向切斷的剖面 中，夾住上述插入層離上述第1強磁性層遠的自旋產生層之 剖面積，比夾住上述插入層離上述第1強磁性層近的自旋產 生層之剖面積大；及(3)上述第2層有複數層；上述第2層的 層數，在6層以下。
⒋又引證2未實質揭露系爭申請案之「插入層(即第2層)」之理 由，已如前述，故引證2並未揭露系爭申請案請求項9之(2) 「沿著上述第1方向以及上述配線的長度方向切斷的剖面中 ，夾住上述插入層離上述第1強磁性層遠的自旋產生層之剖 面積，比夾住上述插入層離上述第1強磁性層近的自旋產生 層之剖面積大」以及(3)「上述第2層有複數層；上述第2層 的層數，在6層以下」之差異技術特徵。
⒌綜上，引證1、2均未揭露系爭申請案請求項9之(2)「沿著上 述第1方向以及上述配線的長度方向切斷的剖面中，夾住上 述插入層離上述第1強磁性層遠的自旋產生層之剖面積，比 夾住上述插入層離上述第1強磁性層近的自旋產生層之剖面 積大」及(3)「上述第2層有複數層；上述第2層的層數，在6 層以下」之差異技術特徵，且該特徵為系爭申請案請求項9 為達成「藉由以位於離第1強磁性層1遠的自旋產生層20A產 生很多自旋，至第1強磁性層1的自旋量增加，可以降低使第 1強磁性層1的磁化反轉所需的反轉電流密度」(參說明書第[ 0070]段）以及「降低資料寫入電壓」(參說明書第[0120] 、[0121]段)、「降低使第1強磁性層1的磁化Ml反轉所需的 反轉電流密度」(參說明書第[0098]段及本院卷第21頁）之 發明目的所不可或缺的必要技術特徵。是以，引證1、2之組 合並未揭露系爭申請案請求項9之全部技術特徵，不足以證 明系爭申請案請求項9不具進步性。
(七)系爭申請案請求項10至13係直接或間接引用請求項1、9之內 容，包含請求項1、9之全部技術特徵，由於引證1、2之組合 不足以證明系爭申請案請求項1、9不具進步性，已如前述， 故其組合自當不足以證明系爭申請案請求項10至13不具進步 性。
(八)引證1、2組合，不足以證明系爭申請案請求項14不具進步性 ：
系爭申請案請求項14與請求項1所請之磁阻效應元件均具相 同自旋產生層及插入層之堆疊結構，由於引證1、2之組合均 未揭露系爭申請案請求項1要件1C「且沿著上述第1方向以及 上述自旋軌道轉矩配線的長度方向切斷的剖面中，夾住上述 插入層離上述第1強磁性層遠的自旋產生層之剖面積，比夾 住上述插入層離上述第1強磁性層近的自旋產生層之剖面積 大，」，以及1F「上述插入層有複數層，上述插入層的層數 ，在6層以下」之部分技術特徵，已如前述，故引證1、2之 組合亦未揭露系爭申請案請求項14之前開技術特徵。又該特 徵為系爭申請案請求項14為達成「藉由以位於離第1強磁性 層1遠的自旋產生層20A產生很多自旋，至第1強磁性層1的自 旋量增加，可以降低使第1強磁性層1的磁化反轉所需的反轉 電流密度」（參說明書第[0070]段）以及「降低資料寫入電 壓」（參說明書第[0120]、[0121]段）、「降低使第1強磁 性層1的磁化Ml反轉所需的反轉電流密度」（參說明書第[00 98]段及本院卷第21頁）之發明目的所不可或缺的必要技術 特徵。是以，引證1、2之組合並未揭露系爭申請案請求項14 之全部技術特徵，不足以證明系爭申請案請求項14不具進步
性。
(九)引證1至3之組合，不足以證明系爭申請案請求項7不具進步 性：
⒈系爭申請案請求項7依附於請求項1，包含請求項1全部技術特 徵，而引證1、2之組合無法證明系爭申請案請求項1不具進 步性之理由，已如前述。
⒉引證3說明書第[0077]段揭露「優選以作為這些層的疊層體的自旋軌道轉矩配線2的厚度成為20nm以下的方式設定」，其中「自旋軌道轉矩配線2的厚度成為20nm以下」雖可對應系爭申請案請求項7「其中，上述自旋軌道轉矩配線的厚度 ，在20nm（毫微米）以下」，惟對於請求項7中有關組成自 旋軌道轉矩配線之自旋產生層及插入層堆疊結構之處（即請 求項1所請範圍），因引證1、2之組合既無法證明系爭申請 案請求項1不具進步性，故引證1至3之組合，並不足以證明 系爭申請案請求項7不具進步性。
六、綜上所述，本件引證1、2之組合不足以證明系爭申請案請求 項1至6、8至14不具進步性；引證1至3之組合不足以證明系 爭申請案請求項7不具進步性，是以系爭申請案請求項1至14 並未違反核駁時專利法第22條第2項之規定，且無其他不准 核予專利之事由，此經被告陳明在卷（本院卷第362頁）， 兩造復不爭執請求項15、16具有進步性（同上卷第234頁） ，故本案事證明確，依同法第47條第1項規定即應核予專利 。從而，被告以系爭申請案違反同法第22條第2項之規定， 為不予專利審定之原處分，於法未合，訴願決定予以維持， 亦有違誤，原告訴請如主文所示，為有理由，應予准許。七、本件判決基礎已經明確，兩造其餘主張或答辯及訴訟資料經 本院斟酌後，核與判決結果不生影響，並無一一論述的必要 。
八、結論：本件原告之訴為有理由，爰依智慧財產案件審理法第 2條、行政訴訟法第98條第1項前段、第200條第3款，判決如 主文。
中 華 民 國 114 年 2 月 13 日 智慧財產第一庭
審判長法 官 汪漢卿
法 官 曾啓謀
法 官 吳俊龍
以上正本係照原本作成。
一、如不服本判決，應於送達後20日內，向本院提出上訴狀並表 明上訴理由，其未表明上訴理由者，應於提起上訴後20日內 向本院補提上訴理由書；如於本判決宣示或公告後送達前提 起上訴者，應於判決送達後20日內補提上訴理由書（均須按 他造人數附繕本）。
二、上訴未表明上訴理由且未於前述20日內補提上訴理由書者，
逕以裁定駁回。
三、上訴時應委任律師為訴訟代理人，並提出委任書（行政訴訟 法第49條之1第1項第3款）。但符合下列情形者，得例外不 委任律師為訴訟代理人（同條第3項、第4項）。得不委任律師為訴訟代理人之情形 所 需 要 件 ㈠符合右列情形之一者，得不委任律師為訴訟代理人 1.上訴人或其代表人、管理人、法定代理人具備法官、檢察官、律師資格或為教育部審定合格之大學或獨立學院公法學教授、副教授者。 2.稅務行政事件，上訴人或其代表人、管理人、法定代理人具備會計師資格者。 3.專利行政事件，上訴人或其代表人、管理人、法定代理人具備專利師資格或依法得為專利代理人者。 ㈡非律師具有右列情形之一，經最高行政法院認為適當者，亦得為上訴審訴訟代理人 1.上訴人之配偶、三親等內之血親、二親等內之姻親具備律師資格者。 2.稅務行政事件，具備會計師資格者。 3.專利行政事件，具備專利師資格或依法得為專利代理人者。 4.上訴人為公法人、中央或地方機關、公法上之非法人團體時，其所屬專任人員辦理法制、法務、訴願業務或與訴訟事件相關業務者。 是否符合㈠、㈡之情形，而得為強制律師代理之例外，上訴人應於提起上訴或委任時釋明之，並提出㈡所示關係之釋明文書影本及委任書。 中 華 民 國 114 年 2 月 21 日 書記官 蔣淑君
附表
證據 系爭專利與引證 所在頁碼 備註 引證1 (甲證3) 2019年9月6日世界智慧財產組織公開案第WO 2019/167575A1號專利說明書 乙證2第250至264頁/本院卷第277至303頁（中譯本） (1) 技術摘要： 甲證3揭露一種自旋軌道轉矩型磁化反轉元件，具備朝向第一方向延伸的自旋軌道轉矩配線，以及層疊於上述自旋軌道轉矩配線上的第一鐵磁層，上述自旋軌道轉矩配線包含電導特性對溫度呈現金屬性行為的金屬氧化物，以上述自旋軌道轉矩配線的厚度方向中央為基準，第一鐵磁層側的氧濃度與和第一鐵磁層相反側的氧濃度呈現不對稱(參甲證3之摘要，本院卷第82頁)。 (2) 先前技術： 強磁性層與非磁性層的多層膜構成的巨大磁阻 (GMR) 元件以及非磁性層中使用的絕緣層（隧道阻障層、阻障層）的隧道磁阻 (TMR) 元件，眾所周知為磁阻效應元件。磁阻效應元件，可以應用至磁感應器、高頻元件、磁頭及非揮發性隨機存取記憶體 (MRAM)。MRAM，係集積磁阻效應元件的記憶元件。MRAM，當磁阻效應元件中夾住非磁性層之兩個強磁性層互相磁化的方向改變時，利用磁阻效應元件的電阻改變的特性，讀寫資料。強磁性層的磁化方向，例如，利用並控制電流產生的磁場。還有例如，強磁性層的磁化方向，利用並控制往磁阻效應元件的積層方向流入電流產生的自旋轉移轉矩 (Spin Transfer Torque(STT))。近年來，集中注目於寫入時不往磁阻效應元件的積層方向流入電流也可以的方法。其中之一的方法，係利用自旋軌道轉矩 (SOT) 的寫入方法。SOT，由根據自旋軌道交互作用產生的自旋流或異種材料的界面的Rashba效應所誘發。磁阻效應元件內用以誘發SOT的電流，流往與磁阻效應元件的積層方向垂直的方向(參甲證3說明書第[0002]至[0005]段，本院卷第83至84頁) (3) 實施方式： 甲證3之發明為了解決上述問題，提供以下方案：第一種實施方案的旋轉磁化元件包含：沿著第一方向延展的旋轉磁化配線；以及一層沉積在旋轉磁化配線上的第一強磁性層。旋轉磁化配線的電氣傳導特性對於溫度變化具有金屬般的行為，並且包含金屬氧化物。旋轉磁化配線的厚度方向中央作為基準，第一強磁性層側的氧氣濃度與第一強磁性層對側的氧氣濃度呈現非對稱。上述實施方案的旋轉磁化元件中，旋轉磁化配線的厚度方向可以有氧氣濃度單調上升或單調下降的區域。上述實施方案的旋轉磁化元件中，旋轉磁化配線可以包含選自以下元素氧化物的至少一種：Cr、Fe、Ir、W、Mo 、Re、Ti、V、Nb、Pd、Ru、及Sn。上述實施方案的旋轉磁化元件中，旋轉磁化配線可以包含選自以下元素氧化物的至少一種：Ir、W、Pd、Mo、Nb、及Re。上述實施方案的旋轉磁化元件中，旋轉磁化配線可以具有金屬插入層，且金屬插入層可以位於旋轉磁化配線厚度方向的任何位置。上述實施方案的旋轉磁化元件中，金屬插入層可以位於旋轉磁化配線厚度方向中央與第一強磁性層之間的更遠側位置。上述實施方案的旋轉磁化元件中，金屬插入層的構成元素可以與旋轉磁化配線中金屬氧化物的構成元素不同。上述實施方案的旋轉磁化元件中，金屬插入層的厚度可以小於構成金屬插入層的元素的離子半徑的兩倍。上述實施方案的旋轉磁化元件中，從厚度方向觀察，旋轉磁化配線與第一強磁性層重疊的區域的氧氣濃度可以比旋轉磁化配線與第一強磁性層不重疊的區域的氧氣濃度更低。第三種實施方案的磁性記憶體包含上述實施方案的旋轉磁化元件(參甲證3說明書第[0010]至[0021]頁，本院卷第85至86頁)。 (4) 主要圖式： a.甲證3圖式2係第一實施例中的旋轉磁化配線型磁化旋轉元件另一例的截面示意圖 (甲證3圖式2) b.甲證3圖式5係第二實施例中的旋轉磁化配線型磁阻效應元件的截面示意圖。 (甲證3圖式5) 引證2 (甲證4) 2017年3月16日美國公開案第US 2017/0076769A1號專利說明書 乙證2第249至241頁/本院卷第305至343頁（中譯本） (1) 技術摘要： 甲證4揭露一種磁性記憶體包含：第一至第三端子；一個磁阻元件，包括第一磁性層、第二磁性層以及第一非磁性層；第二非磁性層，包括第一至第三部分，第一部分位於第二部分和第三部分之間，第二部分和第三部分分別與第二端子和第三端子連接，第一磁性層設置於第一部分和第一非磁性層之間；以及第三非磁性層，包括第四至第六部分，第四部分位於第五部分和第六部分之間，第四部分位於第一部分和第一磁性層之間，第五部分包括從磁阻元件延伸至第二端子的第一區域，第六部分包括從磁阻元件延伸至第三端子的第二區域，且第三非磁性層的電導率比第二非磁性層的電導率高(參甲證4摘要，本院卷第111頁)。 (2) 先前技術： 對於磁性隨機存取記憶體（MRAM），人們非常感興趣於其優勢，例如快速讀取速度、快速寫入速度、優異的耐用性、非揮發性以及低功耗。磁性隨機存取記憶體（MRAM）是一種非揮發性記憶體，其包括作為記憶元件的巨磁阻抗（GMR）元件或隧道磁阻抗（TMR）元件，將資訊儲存在記憶元件中。自旋傳輸扭矩磁性隨機存取記憶體（STT-MRAM）是一種MRAM，其中透過使電流流入磁性材料來切換磁性材料的磁化。當使用自旋傳輸扭矩方法時，奈米尺寸的磁性材料的磁化很容易在局部磁場中進行控制。由於磁性材料縮減，用於切換磁化的電流預期也會很低。在STT-MRAM中，透過使用大的寫入電流和小的讀取電流來控制由讀取電流引起的磁化切換，並且使用相同的端子。磁性材料的熱穩定性由指數A(=KV/kBT)給出，其中K₁₁代表磁性材料的磁各向異性，V代表磁性材料的體積，k代表波茲曼常數，T代表絕對溫度。為了在縮小磁性材料的同時維持指數A，必須增加磁各向異性K₁₁。磁各向異性K₁₁的增加需要更大的寫入電流。因此，維持磁各向異性K₁₁是縮小尺寸（高密度）與降低寫入電流之間的權衡。此外，磁性材料的寫入錯誤率會因讀取電流引起的磁性材料的磁化切換而增加。因此，提出了一種使用自旋霍爾效應或自旋軌道交互作用的方法，其中寫入電流端子和讀取電流端子彼此分離，以降低寫入錯誤率。該方法改進了寫入錯誤率。然而，眾所周知，自旋霍爾角 OSH會隨具有自旋軌道交互作用（以下也稱為SOL（自旋軌道層））的層的膜厚而變化。自旋霍爾角代表自旋傳輸與電傳導率的比率。當SOL中的電流密度恆定時，電流值會隨著SOL的厚度而增加。因此，抑制SOL的厚度很重要。然而，當SOL很薄時，在製造磁阻元件的過程中會發生損壞，由於過度蝕刻而導致線路斷裂，並且在施加電流時會發生電遷移。當抑制損壞或過度蝕刻時，磁阻元件部分的蝕刻不足，並且磁阻元件的側壁呈現錐形。結果，元件尺寸增加或尺寸變異增加。因此，在低寫入電流（由於較薄的SOL）與SOL的低特性之間存在權衡。(參甲證4說明書第[0003]至[0007]段，本院卷第118頁)。 (3) 實施方式： 甲證4揭露一種磁性記憶體包括：第一至第三端子；第一磁阻元件，包括第一磁層、第二磁層以及電氣連接至第一端子的第二磁層，以及位於第一磁層和第二磁層之間的第一非磁層；第二非磁層，包括第一至第三部分，第一部分位於第二部分和第三部分之間，第二部分電氣連接至第二端子，第三部分電氣連接至第三端子，第一磁層位於第一部分和第一非磁層之間；以及第三非磁層，包括第四至第六部分，第四部分位於第五部分和第六部分之間，第四部分位於第一部分和第一磁層之間，第五部分包括從第一磁阻元件延伸至第二端子的第一區域，第六部分包括從第一磁阻元件延伸至第三端子的第二區域，並且第三非磁層具有比第二非磁層更高的電導率(參甲證4說明書第[0021]段，本院卷第118到119頁)。 (4) 甲證4之主要圖式：甲證4圖式11一個橫截面圖，顯示了根據第七實施例的第二修改的磁性記憶體的記憶元件 (甲證4圖式11) 引證3 (甲證5) 2018年11月23日中國公開案第CN 108886061A號專利說明書 乙證2第240至230頁 (1) 技術摘要： 甲證5揭露一種自旋流磁化旋轉元件，其具有第一鐵磁性金屬層和自旋軌道轉矩配線，該自旋軌道轉矩配線為自旋傳導層和界面自旋生成層交替疊層的結構，該界面自旋生成層的層數為兩層以上，該自旋軌道轉矩配線中，該界面自旋生成層中的一層最接近於該第一鐵磁性金屬層(參甲證5摘要，本院卷第129頁)。 (2) 先前技術： 已知有由鐵磁性層和非磁性層的多層膜構成的巨磁阻 (GMR) 元件，以及將絕緣層（隧道勢壘層、勢壘層）用作非磁性層的隧道磁阻 (TMR) 元件。一般而言，與 GMR 元件相比，TMR 元件的元件電阻較高，但磁阻 (MR) 比比 GMR 元件的 MR 比大。因此，作為磁感測器、高頻元件、磁頭以及非易失性隨機存取記憶體 (MRAM) 用的元件，TMR 元件備受關注。在 MRAM 中，當夾持絕緣層的兩個鐵磁性層彼此的磁化方向變化時，利用 TMR 元件的元件電阻變化的特性，讀寫數據。作為 MRAM 的寫入方式，已知有利用電流製作的磁場進行寫入（磁化反轉）的方式，以及利用沿磁阻效應元件的層疊方向流通電流而產生的自旋傳移轉矩（STT）進行寫入（磁化反轉）的方式。從能量效率的角度考慮時，使用 STT 的 TMR 元件的磁化反轉是有效率的，但用於進行磁化反轉的反轉電流密度較高。這點對於GMR 元件也一樣。因此，近年來，作為通過與 STT 不同的機制降低反轉電流的手段，利用通過自旋霍爾效應生成的純自旋流的磁化反轉方式備受關注（例如，非專利文獻 1）。通過自旋霍爾效應產生的純自旋流感應自旋軌道轉矩（SOT），通過 SOT 引發磁化反轉。純自旋流通過向上自旋的電子和向下自旋電子以相同數目相互逆向地流通而產生，電荷的流通相抵。因此，流通於磁阻效應元件的電流為零，期待反轉電流密度較小的磁阻效應元件的實現。根據非專利文獻 2，報告了通過 SOT 方式的反轉電流密度與通過 STT 方式的反轉電流密度為相同程度。但是，目前以 SOT 方式報告的反轉電流密度為了實現高集成化以及低能耗化是不充分的，存在改善的餘地。另外，作為SOT 方式的磁阻效應元件的自旋軌道轉矩配線（感應 SOT 產生純自旋流的配線）所使用的材料，可舉出如非專利文獻 2 中所使用的以 Ta 為代表的重金屬材料。這樣的重金屬材料的電阻率較高，因此，在做成薄膜或細線的情況下，耗電量高也成為問題。 (3) 實施方式： 甲證5揭露一種自旋流磁化旋轉元件，其具備：第一鐵磁性金屬層，其磁化方向變化；自旋軌道轉矩配線，其沿著相對於作為該第一鐵磁性金屬層的法線方向的第一方向交叉的第二方向延伸，且該第一鐵磁性金屬層位於其一個面上，該自旋軌道轉矩配線為自旋傳導層和界面自旋生成層沿該第一方向交替疊層的結構，該界面自旋生成層的層數為兩層以上，該自旋軌道轉矩配線中，該界面自旋生成層中的一層最接近於該第一鐵磁性金屬層。本發明的一個方式還可以提供一種自旋流磁化旋轉元件，其具備：第一鐵磁性金屬層，其磁化方向變化；自旋軌道轉矩配線，其沿著相對於第一鐵磁性金屬層的法線方向的第一方向交叉的第二方向延伸，且與第一鐵磁性金屬層接合，自旋軌道轉矩配線為自旋傳導層和界面自旋生成層沿第一方向交替疊層的結構，界面自旋生成層的層數為兩層以上，界面自旋生成層中的一層與第一鐵磁性金屬層接合(參甲證5第2頁創作說明)。 (4) 甲證5之主要圖式： a.圖式4B一種實施方式的自旋流磁化旋轉元件的示意圖，是圖4A 的自旋流磁化旋轉元件的截面圖。 (甲證5圖式4B) b.圖式5係示意性地表示一個實施方式所涉及的磁阻效應元件的立體圖。 (甲證5圖式5)