臺北高等行政法院判決 九十二年度訴字第三七二一號
原 告 日月光半導體製造股份
有限公司
代 表 人 甲○○董事長
訴訟代理人 陳森豐律師
被 告 經濟部智慧財產局
代 表 人 蔡練生（局長）
訴訟代理人 丁○○
參 加 人 乙○○
訴訟代理人 鍾亦琳律師
丙○○專利代
右當事人間因發明專利舉發事件，原告不服經濟部中華民國九十二年六月十六日經訴
字第○九二○六二一二八七○號訴願決定，提起行政訴訟，並經本院裁定允許參加人
獨立參加訴訟。本院判決如左：
主 文
原告之訴駁回。
訴訟費用由原告負擔。
事 實
壹、事實概要：
緣原告前於民國（以下同）八十八年十二月六日以「可增進封膠效率之覆晶封裝 結構及製程」向被告申請發明專利，經被告編為第00000000號審查，准 予專利，並於公告期滿後，發給發明第一三二四一四號專利證書（以下簡稱系爭 案）。嗣參加人以系爭案違反其核准時專利法（以下簡稱專利法）第二十條第一 項第一款及第二項規定，對之提起舉發，並提出舉發附件二為西元一九九八年一 月二十日公告之美國第0000000號專利案（以下簡稱引證一），附件三為 西元一九九九年四月二十三日公開之日本特開平一一–一一一七六八號專利案（ 以下簡稱引證二），附件四為引證一、二之部分中譯為證據。案經被告審查，於 九十二年一月二十八日以（九二）智專三（二）○四○二四字第○九二二○○八 五六一○號專利舉發審定書為「舉發成立，應撤銷專利權」之處分。原告不服， 提起訴願，遭駁回後，遂向本院提起行政訴訟，本院因認本件撤銷訴訟之結果， 參加人之權利或法律上利益將受損害，乃依行政訴訟法第四十二條第一項規定， 依聲請裁定允許參加人獨立參加本件被告之訴訟。貳、兩造聲明：
一、原告聲明：求為判決
１、訴願決定及原處分均撤銷。
２、命被告為舉發不成立之處分。
３、訴訟費用由被告負擔。
二、被告聲明：求為判決如主文所示。
叁、兩造爭點：
參加人提出之舉發證據（即引證一、引證二）是否足以證明系爭案不具進步性， 而不符發明專利要件？
一、原告陳述：
１、按專利法第十九條規定：「稱發明者，謂利用自然法則之技術思想之高度創作。 」又同法第二十條第二項復規定：「發明係運用申請前既有之技術或知識，而為 熟習該項技術者所能輕易完成時，雖無前項所列情事，仍不得依本法申請取得發 明專利。」惟若參加人所提證據未能具體揭露系爭案於申請專利範圍請求項中所 界定之特徵及技術手段，不得證明系爭案有違前揭法條之規定。２、系爭案係八十八年十二月六日提出申請，經審定公告於九十年五月一日，並取得 發明第一三二四一四號專利權，其發明特徵依申請專利範圍所述係包括二獨立項 ，其中：第一獨立項（申請專利範圍第一項）所界定之特徵為：一種覆晶封裝結 構，包括：一基板，其表面具有複數個焊墊；基板中間區域內形成有一通孔，複 數個以點矩陣方式，附著於基板表面焊墊內側區域的黏膠；一覆置於該基板上之 晶片，其底面具有複數個突塊電極以導電膠連接至該基板之該複數個焊墊；及澆 注於該晶片與該基板間之充填材料；其中，該基板表面之中間區域為一對應覆蓋 晶片之區域，且該複數個焊墊係位於對應覆蓋晶片之區域內，又於該對應覆蓋晶 片之區域內形成有一通孔，藉此，該充填材料可由該晶片之全部周圍同時澆注， 使其經由對應覆蓋晶片之區域以極佳之流動性向內流動，可有效將基板與晶片間 之空氣自該通孔處驅離而不會產生空隙。第二獨立項（申請專利範圍第四項）所 界定之特徵為：一種覆晶封裝製程，其係將一底面具有複數個突塊電極之晶片覆 置連接至一基板，其中該基板表面之中間區域為一對應覆蓋晶片之區域，該對應 覆蓋晶片之區域內具有複數個焊墊以分別對應於該複數個突塊電極，又於該對應 覆蓋晶片之區域之中央則形成有一通孔，該封裝製程包括下列之步驟：將黏膠予 以塗佈在基板上焊墊內側之區域；將該晶片之複數個突塊電極浸入導電膠中後取 出，以使每一突塊電極之端部沾有導電膠；將該晶片覆置於該基板，使複數個突 塊電極分別對準該基板之複數個焊墊，而藉由導電膠將對應之突塊電極與焊墊黏 著在一起；加熱固化，使得晶片與基板之間因為導電膠與黏膠之關係而可穩固地 結合在一起；及將充填材料由該晶片之全部周圍或單側同時澆注，使其經由對應 覆蓋晶片之區域以極佳之流動性向內流動而至佈滿整個區域，可有效將該基板與 該晶片間之空氣由該通孔驅離而不會產生空隙。至於系爭案之附屬項特徵係包括 ：⑴、依附於第一獨立項（申請專利範圍第一項）的附屬項為：①、申請專利範 圍第二項：晶片之突塊電極係分佈於其底面邊緣，且該基板之焊墊係位於該對應 覆蓋晶片之區域內之邊緣。②、申請專利範圍第三項：該複數個黏膠為不導電。 ⑵、依附於第二獨立項（申請專利範圍第四項）的附屬項為：①、申請專利範圍 第五項：該黏膠係以點矩陣方式塗佈整個該對應覆蓋晶片之區域內。②、申請專 利範圍第六項：該複數個黏膠為不導電。簡言之，依系爭案之申請專利範圍，系 爭案至少具有以下三點技術特徵：
⑴、基板對應覆蓋晶片之區域內形成有一通孔，使澆注填充材料時，可有效將基 板與晶片中之空氣由該通孔處驅離而不會產生空隙。⑵、基板表面焊墊內側布置 黏膠。⑶、基板表面焊墊上之黏膠布置係採點矩陣之方式為之。引證一及引證二
所揭示之技術內容至多僅揭示系爭案前述之技術特徵⑴、⑵，至系爭案之技術特 徵⑶則完全未有論及。
２、被告對系爭案作成「舉發成立」處分之主要理由略為：⑴、引證一、二與系爭案比較，系爭案與引證一、二均為相關於覆晶封裝技術，系爭 案於基板中間形成一通孔，基板表面具複數焊墊，晶片底面具複數突塊電極及澆 注於晶片與基板間之充填材料，已為引證一所揭露，系爭案具複數個以點矩陣方 式附著於基板表面焊墊內側區域的黏膠，在引證二中亦設黏膠隔塊分佈於基板之 晶片，安置區內無焊墊位置，二者技術內容實為相同，故系爭案之構造特徵已揭 示於引證一、二中。
⑵、系爭案由黏膠先塗佈基板中，使晶片與基板因黏膠而加強黏著性，以及在基板中 央形成一通孔，當澆注充填材料時，基板與晶片間的空氣被推送至通孔散出至外 界，在引證一、二亦可達成相同功效。
⑶、系爭案申請專利範圍第一項所界定之覆晶封裝結構為引證一、二之單純組合，而 第四項之覆晶封裝製程，係熟習引證一、二之技術者所能輕易完成，另第二、三 、五、六項附屬項亦為習知技術之運用。訴願決定機關作成「訴願駁回」之訴願 決定理由，概與原告所執之理由相同。此外，訴願決定機關另提及系爭案申請專 利範圍附屬項所載之突塊電極、黏膠等分布位置，亦僅是設置區域之變更，為熟 悉該項技術者可輕易完成者，不具進步性等。
３、綜觀前述被告之舉發審定理由及訴願決定機關於訴願決定書所執之理由，顯在認 事用法上有誤，令原告難甘折服，以下即將被告與訴願決定機關違法及不當行政 作為之事實陳述於后：
⑴、如人們所知悉，半導體元件是一種將切割成極小顆粒狀的半導體晶片透過封裝製 程手段製成輕薄短小的小型電子元件，而覆晶封裝技術更是一種可讓封裝後的元 件型體接近於半導體晶片尺寸之頂尖封裝技術，其所要求的精密度極高，其所使 用之技術手段難度相對的提高，因此，對專利案技術特徵是否符合專利要件之審 查尺度上，不應以對一般日常用品之技術平等視之。⑵、次分析系爭案之專利特徵，如引證一所示，其主要包括有：基板中間設通孔 ，基板於其表面焊墊內側區域設複數點矩陣排列的黏膠，晶片覆置於基 板，且以底面複數突塊電極以導電膠連接基板對應之焊墊，於晶片 與基板間之空隙中注入充填材料等。前述系爭案主要技術特徵中，令複數黏 膠以點矩陣方式環形排列於基板表面焊墊內側的區域中，且每一黏膠正 對於相鄰焊墊間之缺空處之特徵，是有其決定性之重要意義的。因為：當其應 用於晶片覆晶接合於基板時，藉由該特殊的黏膠排列方式所構成的空間型態，係 用以提供液態充填材料以毛細作用攀爬時更多的媒介，以期達到提升充填材料充 填於晶片與基板間（尤其是基板與晶片中間未設焊墊之缺空區間處）的流 動速度，並進一步縮短其灌注充填材料的流動時間，提高封裝產能。對於半導體 封裝技術領域而言，該複數黏膠的排列方式以及設置的位置具有重大的影響性 ，是一項具有可專利性之技術特點。詳觀引證一、二所示之技術內容，其中引證 一僅揭示類似系爭案於基板上設通孔（如引證二所示），使其充填材料可 由該晶片周圍澆注時，可將基板與晶片間之空氣經由該通孔處驅離而不
會產生空隙之技術手段，引證二中則揭示類似於系爭案設黏膠隔塊６分佈於基板 2b與晶片1b間無焊墊3b區之位置技術手段，但引證二揭示之黏膠隔塊６係塗佈於 基板2b對應覆蓋晶片1b區的中心位置（如證物三圖二所示），或相對於基板２焊 墊3b兩側（如證物三圖七，圖九所示）等。綜觀引證一、二所揭示之技術特徵集 合中，雖其揭露有對應系爭案於基板中間設中孔、充填材料自晶片周圍注入填滿 於晶片與基板間之空隙，該空隙係由晶片底面數銲塊與基板上相對應之銲墊所形 成，以及黏膠隔塊設於基板與晶片之間等特徵。但是，對於系爭案以點矩陣方式 環形排列於基板表面焊墊內側的區域中，且每一黏膠正對於相鄰焊墊間之缺 空處特徵，完全未揭露任何與此相關之內容，顯然引證一、二之技術集合未完全 揭露系爭案申請專利範圍界定之所有技術內容，而且引證二以點膠方式形成排列 之多數黏膠隔塊，係用以隔開基板與晶片，並提供其間強固之黏接性用途，不同 於系爭案以該特定的黏膠排列方式增進充填材料於基板與晶片間細小空隙中流動 速度之功效及目的。今既然系爭案中尚有引證一、二或先前技術未揭露之技術特 徵，且引證案未揭露對應於系爭案所能達成之功效及目的的情形下，被告不應主 觀地認定系爭案完全運用申請前之既有技術或知識。再者，依半導體封裝製程之 研發作業方式，因該黏膠的排列方式會改變充填材料灌注於基板與晶片間細小空 隙中流動的方向，且會影響該細小空隙中空氣是否為充填材料予以取代之逃氣性 ，因此，針對每一變更設計之內容，研發者必需進行複數次的模流分析實驗以及 多次修正，方能確認該項設計是否可行，是否能達到預期的產業利用價值。否則 ，若該設計不可行，硬是將該設計應用於實際的半導體自動化量產封裝製程時， 則該半導體元件一旦灌注充填材料後內部會殘留氣泡或外表有缺陷時，該整批的 半導體元件即為廢品，將造成業者莫大損失，因此，本發明絕非應用申請前既有 之技術或知識作簡單的變更，且非為熟習該技術者易於完成者，是故，被告對系 爭案是否符合進步性之審定，在認事用法上顯然過於主觀，有失公平原則。⑶、由前述分析說明中可以了解，系爭案申請專利範圍二獨立項（第一項、第四項） 所界定之技術特徵相較於引證一、二集合確具進步性。今系爭案附屬項係依附於 其所指定的獨立項，進一步界定其特徵，故此，系爭案獨立項特徵具有進步性， 其附屬項當然符合進步性之規定，而且，系爭案各附屬項所界定之特徵中如：黏 膠為不導電膠；該黏膠係以點矩陣方式塗佈整個該對應覆蓋晶片之區域內等特徵 ，在引證一、二所揭示之覆晶封裝結構中未見及有類似之設計，故此，系爭案不 僅其二獨立項特徵具進步性，其各附屬項特徵同樣具有進步性。⑷、由引證一及引證二無法藉由組合而輕易推知系爭案之完整技術特徵，引證一及引 證二不足論究系爭案不具發明進步性：
①、按，引證一雖揭示基板中央可設置通氣孔，而引證二雖揭示基板中央或其側邊可 設置黏膠以提供基板與晶片之附著力，初略觀之，二者似易加以技術性組合；惟 查，引證二所揭露之主要態樣係於基板中央設置黏膠塊，與引證一之於基板中央 設置通孔，二者實有相互矛盾之處，蓋對同一空間位置而言，基板中央如何同時 放置黏膠塊與通孔？由此可知，被告認定引證一及引證二即可輕易組合推知系爭 案之技術內容，顯係後見之明的事後諸葛，而有違專利審查基準1-2-28頁明文： 「專利審查時應依熟習該項技術者之觀點，根據申請當時之技術水準，作客觀之
判斷。」之規定。
②、引證一僅揭露基板中央提供灌注充填材料時排除空氣用之通孔，而引證二則僅揭 示透過基板中央或側邊設黏膠塊以提供基板與晶片之附著力，二者不僅未論及系 爭案在基板上形成之矩陣式黏膠布置，更無法藉由黏膠配置得以同時促進充填材 料流速之均勻，以降低基板與晶片間之氣泡形成，則對此等引證一及引證二所未 揭露之具科學根據的矩陣式黏膠布置，其既非先前技藝所揭露，如何藉由引證一 及引證二等先前技藝可加以推知？被告頒布之專利審查基準1-2-20頁更明文：「 檢索申請當日之前之既有技術及＼或知識作為引證資料，以研判發明之技術手段 之選擇與結合，如其選擇與結合具有困難度，並非為熟習該項技術者所能輕易完 成者，即具有進步性。」而所謂選擇或結合，必於不同習知技藝中有所揭示，始 足當之。然查，系爭案之矩陣式黏膠布置，於先前技藝中完全未有揭露，斷然無 法藉由習知技藝之選擇或結合，以推知系爭案之發明。前揭基準規定「如其選擇 與結合具有困難度，並非為熟習該項技術者所能輕易完成者，即具有進步性。」 則對此等完全無法藉由選擇、結合之系爭案發明，依舉輕以明重之法理，其亦符 發明進步性之要件，誠為明矣。
⑸、系爭案於基板表面焊墊採取點矩陣之方式以布置黏膠，具有「突出的技術特徵」 與「顯然的進步」，自屬非能輕易完成之發明：①、系爭案於基板焊墊上以點矩陣之方式布置黏膠，此技術特點不僅完全未為先前技 藝所揭露，且為具有科學理論上依據的高度設計，而具有促進IC封裝時充填材料 流速均勻，進而增進IC封膠效率的技術優點。②、按，引證二雖亦揭示在基板上設置黏膠塊之技術，惟其如一般之習知技藝般，在 填充封膠材料時，由於周邊與中央氣壓的不同，所導致的流速差異，致使基板中 央充填材料流動之速度低於基板兩側之充填材料流速，因此容易在靠近基板中央 形成氣泡，而影響IC製品的穩定性。
③、反觀，系爭案其黏膠係設置於焊墊內側，正對於「相鄰焊墊間之缺空處」，由於 此種在基板上採矩陣式排列的黏膠設置，使對流入之充填材料而言，基板形同被 切割成多個區域，基板中央與兩側之壓力差大幅減小；因此，整體而言，基板上 充填材料之流速即可變得均勻，從而減小空氣於基板與晶片間產生之機率。④、系爭案在基板之焊墊上所採之矩陣式黏膠布置設置，係有流體力學之原理與依據 ，若以先前技術為基礎，斷無法僅憑邏輯分析、推理或試驗可以得知採取此矩陣 式黏膠設計，誠可謂具有「突出之技術特徵」；而此等系爭案之特徵，基於流體 力學上之依據，卻可改善IC封膠時，容易在基板中央形成氣泡的問題點，更可謂 具有「顯然的進步」，依被告頒布之專利審查基準第1-2-21頁，自當認為符合發 明之進步性要件。
４、綜上論陳，系爭案相較於引證一、二之集合，不僅其應用之技術手段及組成構造 未為引證一、二所完全揭露，且系爭案創新的設計確具顯著之功效增進，故系爭 案未違反前揭專利法第二十條第二項規定，應維持其應得之發明專利權，為此， 請判決如原告訴之聲明。
二、被告陳述：
１、原告訴稱系爭案與引證一、二之封裝結構存在有明顯差異，且引證一、二之結構
互不相同，組合二案之構造特徵自有其難度，實不足以證明系爭案為引證一、二 之組合技術應用，而為熟習該項技術者易於完成，系爭案仍具進步性云云。惟查 系爭案於基板中間形成一通孔，基板表面具複數焊墊，晶片底面具複數突塊電極 及澆注於晶片與基板之充填材料，已為引證一所揭露，另系爭案具複數個以點矩 陣方式附著於基板表面焊墊內側區域的黏膠，與引證二設黏膠隔塊分布於基板之 晶片安置區內無焊墊位置實為相同，系爭案之構造特徵已揭示於引證一、二中， 而引證一、二與系爭案均為相關於覆晶封裝技術內容，對於熟悉該項技術者，在 參酌引證一、二之技術內容後，自可輕易完成系爭案之構造特徵，故系爭案不具 進步性。
２、原告又稱系爭案之覆晶封裝製程之技術內容，以及申請專利範圍附屬項所載之技 術特徵與引證一、二並不相同，非為習知技術之運用，仍具進步性云云。惟查系 爭案之覆晶封裝技術相較於引證一、二所揭示之覆晶封裝技術並不具進步性，系 爭案之突塊電極之端部沾有導電膠，黏著於基板焊墊、以加熱手段使導電膠、黏 膠固結於晶片與基板之間等技術，仍是習知技術之運用，在系爭案之說明書先前 技藝及引證二即有相關技術之揭露，而附屬項所載之突塊電極、黏膠等分布位置 ，亦只是設置區域之變更，對於熟悉該項技藝者自可輕易完成，故系爭案於其申 請專利範圍所載之技術特徵，只是將引證一、二單純組合與運用申請前既有之技 術或知識，而為熟習該項技術者所能輕易完成，不具進步性，起訴理由不足採信 。
３、綜上所述，被告之原處分並無違法，爰請判決駁回原告之訴。三、參加人陳述：
１、原告訴稱系爭案「可增進封膠效率之覆晶封裝結構及製程」之技術特徵，係在「 基板上晶片覆蓋區內預先塗佈數個以上不導電黏膠於中央區域，以增加晶片覆置 連接於基板的黏著強度；以及在基板中央區域形成有一通孔，以在晶片與基板間 充填材料流動時，使其間之空氣得以由中央形成的通孔逃逸出基板外」。而該技 術特徵係早於系爭案提出專利申請前，已為舉發證據所揭示，為助本院瞭解系爭 案不具專利進步性之事實，茲謹一一詳述如後：⑴、根據專利法第二十條第二項規定：「發明係運用申請前既有之技術或知識，而為 熟習該項技術者所能輕易完成時，雖無前項所列情事，仍不得依本法申請取得發 明專利」。再者，依被告所頒行之專利審查基準第1-2-19頁，關於發明專利進步 性之概念已敘明：「『輕易完成』係指不能超越熟習該項技術者所可預期的技術 上的一般發展，且單單可由先行技術推論而完成者。亦即，申請專利之發明具有 突出的技術特徵或顯然的進步時，即認為超越熟習該項技術者所可預期之技術上 一般發展，而非所能輕易完成者」。又，於審查基準第1-2-21頁中關於進步性之 判斷方式亦指出：「『顯然的進步』係指申請專利之發明克服先前技術中存在的 問題點或困難性而言，通常係表現於功效上」。換言之，一申請專利之發明若未 能克服先前技術中之問題點而具有增進之功效，或該發明之技術手段係熟習該項 技術者可由引證案所揭示之內容而能輕易完成，則該發明應視為不具有專利要件 之進步性，而不得依法取得發明專利，先予陳明。⑵、系爭案專利說明書中所揭示有關系爭案之技術特徵及其所欲達成之功效係在於「
該對應覆蓋晶片之區域內與焊墊間先行以點矩陣的方式塗佈黏膠．．．故當 晶片覆置黏著於基板時，晶片與基板間在相互黏合時即有部分可藉由所塗佈 之黏膠而接合在一起，進而提高導電膠對晶片突塊電極與基板焊墊之間 黏著可靠度」（詳系爭案專利說明書第七頁最終行至第八頁第六行所述），以及 在於「藉由基板之通孔，可在將晶片黏著至基板之該對應覆蓋晶片之區 域後，令充填材料由晶片之四邊同時澆注，並同時向內佈滿整個對應覆蓋晶 片之區域，而介於基板、晶片以及黏膠之間的空氣，則可由該通孔向外 排擠出去」。亦即，依據系爭案專利說明書所揭示之內容可明顯得知：系爭案之 技術特徵僅係在於「對應覆蓋晶片之基板上以點矩陣的方式塗佈黏膠，並在基板 中形成有通孔」，藉以達到「提高晶片與基板間黏著可靠度，以及提供介於基板 、晶片以及黏膠之間的空氣可由該通孔向外排擠出去」。然而，無論該基板上之 黏膠佈設以及基板中通孔之形成俱早已為舉發證據所揭示，而使系爭案不具專利 性之事實至為明確。即如引證二第十五欄第二十二行中指出「半導體晶片1b正面 具有複數個銲墊3a得與該基板2b上多數銲墊3b對應佈局，且該等銲墊3a及3b係仰 賴該等銲塊11導電連結。該晶片1b與基板2b間可藉由黏膠隔塊６隔開並藉之提供 晶片1b與基板2b間強固黏接」，因此，系爭案於基板表面銲墊內側區域點膠形成 複數個黏膠之發明特點已完全為引證二所預先揭露；尤有甚者，系爭案之主要功 效「欲在晶片覆晶前先點膠至基板中間區域，藉以增強晶片與基板兩者間黏著性 」均能由引證二揭露之封裝裝置提供之，系爭案實難謂其具備任何技術上之創新 。再者，於引證一之第四圖、第七圖及其說明書第七欄第五十二行指出「本發明 方法係於該晶片全部周圍填入該底部填膠材料．．．於晶片各側部同時澆注填膠 材料後，周邊之填膠材料會向晶片中心流動．．．晶片下流動之填膠材料會推擠 空氣．．．」以及第八欄第二十五行「由於基板上設有通孔，遂晶片周圍注 入填膠材料後，膠材會自由流動並填滿該晶片與基板間空隙，業者無須顧慮空氣 受壓後有氣洞產生．．．」，亦即引證一之圖式及技術內容已清楚揭露系爭案在 基板中形成有通孔之技術特徵。因此，系爭案之特徵已完全為引證一、二所揭示 ，其未具進步性之事實至臻明確。
⑶、況且原告於其行政訴訟起訴狀第九頁第四行亦自承：「綜觀引證一、二所揭示之 技術特徵集合中，其揭露有對應系爭案於基板中間設中孔、充填材料自晶片周圍 注入填滿於晶片與基板間之空隙，該空隙係由晶片底面數銲塊與基板上相對應之 銲墊所形成，以及黏膠隔塊設於基板與晶片之間等特徵」。亦即，引證一、二確 已明確揭示出系爭案之特徵所在，此亦為被告所自承，並無疑異。⑷、復查原告於行政訴訟起訴狀第八頁第二行所持以爭論系爭案與舉發證據之差異係 在於「令複數黏膠以點矩陣方式環形排列於基板表面焊墊內側的區域中，且 每一黏膠正對於相鄰焊墊間之缺空處之特徵．．．藉由該特殊黏膠排列方式所 構成的空間型態，係用以提供液態充填材料以毛細作用攀爬時更多的媒介．．． 」。然而，首先係應強調者係在原告於其行政訴訟起訴狀中所提及系爭案前述特 殊之黏膠排列方式（每一黏膠正對於相鄰焊墊間之缺空處之特徵），係完全未 於其專利說明書中提及，更遑論其所謂可提供毛細作用攀爬時更多的媒介之效果 ，而今卻於行政訴訟起訴狀中指稱系爭案之特徵乃在於「複數黏膠以點矩陣方式
環形排列於基板表面焊墊內側的區域中，且每一黏膠正對於相鄰焊墊間之缺空處 之特徵」，顯然有實質變更其技術內容，因此其辯稱理由係不足採信。再者，依 據被告所頒行之專利審查基準第1-3-1 頁指出：「對於新技術之發明，在『一定 期間、一定條件』下，提出專利之申請而獲准者，賦予專有排他之『專利權』， 以保護其發明；另一方面，在賦予專利權之同時，公開該發明之技術內容，使第 三者可藉由此項公開而得知該發明之技術內容，而有利用該發明之機會，並可進 而利用該發明以從事新的發明。因此關於發明之保護及利用，係透過公開記載有 發明技術內容的說明書（技術文獻），及具有正確明示申請專利範圍之專利證書 以達成者」。是以，系爭案於其說明書及申請專利範圍內具未提及其所謂「每一 黏膠正對於相鄰焊墊間之缺空處之特徵」，因此其並未明確公開系爭案之技術內 容，使第三者可藉由此項公開而得知該發明之技術內容，而有利用該發明之機會 ，故而，系爭案並不具備賦予專有排他之專利權資格。此外，於引證二第十九欄 第三行指出「該黏膠隔塊６逐點塗佈於基板對應覆蓋晶片區域之中心位置上」， 以及於第二圖及第七圖已明顯圖式出該黏膠隔塊得分布於基板之晶片安置區內任 何無銲墊存在位置，亦包括基板表面銲墊內側區域，是以，系爭案於基板表面形 成複數個黏膠之特點已完全為舉發證據所預先揭露，系爭案實難謂其具備任何技 術上之創新，且其功效亦屬可預期者。
２、綜上所陳，被告所為舉發成立之處分及訴願機關所為之決定均無違法之處，為此 ，請判決駁回原告之訴。
理 由
一、按凡利用自然法則之技術思想之高度創作，而可供產業上利用者，固得依專利法 第十九條暨第二十條第一項之規定申請取得發明專利。惟發明如「係運用申請前 既有之技術或知識，而為熟習該項技術者所能輕易完成時」，仍不得依法申請取 得發明專利，復為同法第二十條第二項所明定。二、本件系爭第00000000號「可增進封膠效率之覆晶封裝結構及製程」發明 專利案，（第一項）一種覆晶封裝結構，包括：一基板，其表面具有複數個焊墊 ；基板中間區域內形成有一通孔，複數個以點矩陣方式，附著於基板表面焊墊內 側區域的黏膠；一覆置於該基板上之晶片，其底面具有複數個突塊電極以導電膠 連接至該基板之該複數個焊墊；及澆注於該晶片與該基板間之充填材料；其中， 該基板表面之中間區域為一對應覆蓋晶片之區域，且該複數個焊墊係位於該對應 覆蓋晶片之區域內，又於該對應覆蓋晶片之區域內形成有一通孔，藉此，該充填 材料可由該晶片之全部周圍同時澆注，使其經由該對應覆蓋晶片之區域以極佳之 流動性向內流動，可有效將該基板與該晶片間之空氣自該通孔處驅離而不會產生 空隙。．．．（第四項）一種覆晶封裝製程，其係將一底面具有複數個突塊電極 之晶片覆置連接至一基板，其中該基板表面之中間區域為一對應覆蓋晶片之區域 ，該對應覆蓋晶片之區域內具有複數個焊墊以分別對應於該複數個突塊電極，又 於該對應覆蓋晶片之區域之中央則形成有一通孔，該封裝製程包括下列之步驟： 將黏膠予以塗佈在基板上焊墊內側之區域；將該晶片之複數個突塊電極浸入導電 膠中後取出，以使每一突塊電極之端部沾有導電膠；將該晶片覆置於該基板，使 其複數個突塊電極分別對準該基板之複數個焊墊，而藉由導電膠將對應之突塊電
極與焊墊黏著在一起；加熱固化，使得晶片和基板之間因為導電膠與黏膠之關係 而可穩固地結合在一起；及將充填材料由該晶片之全部周圍或單側同時澆注，使 其經由該對應覆蓋晶片之區域以極佳之流動性向內流動而至佈滿整個區域，可有 效將該基板與該晶片間之空氣由該通孔驅離而不會產生空隙。參加人所提舉發附 件二為西元一九九八年一月二十日公告之美國第0000000號專利案（即引 證一），附件三為西元一九九九年四月二十三日公開之日本特開平一一–一一一 七六八號專利案（即引證二），附件四為引證一、二之部分中譯。被告略以，引 證一為一種覆晶型半導體裝置底部填膠製程，其基板中間區域亦設有一通孔，使 得填膠由晶片周圍注入而流通該中間通孔，可填滿晶片與基板間之空隙，該空隙 係由晶片底面之複數銲塊與基板上對應設置之多數銲墊所形成者。引證二為一種 半導體裝置之製造方法，其在基板2b或晶片1b上以點膠方式形成排列之多數粘膠 隔塊，藉由該等粘膠隔塊可用以隔開該基板與晶片，並提供其間之強固粘接者。 系爭案與引證一、二比較，二者均為相關於覆晶封裝技術，且系爭案之構造特徵 已揭示於引證一及二中；此外，系爭案申請專利範圍第一項所界定之覆晶封裝結 構為引證一、二之單純組合，而第四項之覆晶封裝製程，係熟習引證一、二之技 術者所能輕易完成，另第二、三、五、六項附屬項亦為習知技術之運用。故系爭 案僅係將引證一、二單純組合，為運用申請前既有之技術或知識，而為熟習該項 技術者所能輕易完成者，自不具進步性，乃為舉發成立，應撤銷系爭案專利權之 處分。原告不服，循序提起訴願及本件行政訴訟。三、原告於本件行政訴訟中訴稱，系爭案與引證一、二之封裝結構存在有明顯差異， 且引證一、二之結構互不相同，組合二案之構造特徵自有其難度，實不足以證明 系爭案為引證一、二之組合技術應用，而為熟習該項技術者易於完成；又系爭案 之覆晶封裝製程之技術內容，以及其申請專利範圍附屬項所載之技術特徵與引證 一、二亦不相同，非為習知技術之運用，仍具進步性。故引證一、二相較於系爭 案，二者不僅構造及製程不同，而且引證一、二亦不足以證明系爭案為熟習該項 技術者所能輕易完成者，並未違反專利法第二十條第二項規定云云。惟查：１、系爭案於基板中間形成一通孔，基板表面具複數個焊墊，晶片底面具複數個突塊 電極及澆注於晶片與基板之充填材料，已揭露於引證一之中，另系爭案具複數個 以點矩陣方式附著於基板表面焊墊內側區域的黏膠，亦與引證二設黏膠隔塊分布 於基板之晶片安置區內無焊墊位置實為相同，可見系爭案之構造特徵已揭露於引 證一、二之中；再者，引證一、二與系爭案均為相關於覆晶封裝技術內容，對於 熟習該項技術者，於參酌引證一、二之技術內容後，自可輕易完成系爭案之構造 特徵，即難謂系爭案具進步性。
２、系爭案之覆晶封裝技術相較於引證一、二所揭示之覆晶封裝技術並不具進步性， 已如前所述，而系爭案之突塊電極之端部沾有導電膠，黏著於基板焊墊、以加熱 手段使導電膠、黏膠固結於晶片與基板之間等技術，仍屬習知技術之運用，並已 揭露於系爭案之申請專利說明書先前技藝及引證二之相關技術；又系爭案附屬項 所載之突塊電極、黏膠等分布位置，亦僅是設置區域之變更，對於熟習該項技術 者自可輕易完成。是系爭案於申請專利範圍所載之技術特徵，僅係將引證一、二 單純組合與運用申請前既有之技術或知識，而為熟習該項技術者所能輕易完成，
並不具進步性。
四、綜上所述，原告之陳詞均不可採，而被告認系爭案違反專利法第二十條第二項之 規定，所為「舉發成立，應撤銷專利權」之處分，揆諸首揭規定，並無違誤，訴 願決定予以維持，亦無不合。原告徒執前詞，訴請撤銷訴願決定及原處分，並命 被告為舉發不成立之處分，均無理由，應予駁回。五、本件事證已臻明確，兩造其餘攻擊防禦方法與本件判決結果不生影響，故不逐一 論述，併此敘明。
據上論結，本件原告之訴為無理由，爰依行政訴訟法第九十八條第三項前段判決如主文。
中 華 民 國 九十三 年 十 月 二十七 日
臺 北 高 等 行 政 法 院 第 一 庭
審 判 長 法 官 徐瑞晃
法 官 李得灶
法 官 吳慧娟
右為正本係照原本作成。
如不服本判決，應於送達後二十日內，向本院提出上訴狀並表明上訴理由，如於本判決宣示後送達前提起上訴者，應於判決送達後二十日內補提上訴理由書（須按他造人數附繕本）。
中 華 民 國 九十三 年 十 月 二十七 日
書 記 官 劉道文