智慧財產及商業法院行政判決
113年度行專訴字第61號
民國114年6月11日辯論終結
原 告 林璟棠
訴訟代理人 陳豫宛專利師
被 告 經濟部智慧財產局
代 表 人 廖承威
訴訟代理人 林麗芬
參 加 人 李忱堅
訴訟代理人 陳軍宇律師
黃郁孟律師
輔 佐 人 李昇叡
上列當事人間新型專利舉發事件，原告不服經濟部中華民國113
年10月14日經法字第11317305340號訴願決定，提起行政訴訟，
並經本院命參加人參加訴訟，判決如下：
主 文
一、原告之訴駁回。
二、訴訟費用由原告負擔。
事實及理由
甲、程序方面：
原告起訴聲明原為：「原處分及訴願決定關於『請求項1至7 舉發成立』全部撤銷」；「被告就公告第M606835號新型專利 （下稱系爭專利）舉發事件（109212330N01），應作成『 請 求項1至7舉發不成立』 之處分」，嗣變更為「原處分及訴願 決定均撤銷」（本院卷第13頁、第212頁），核其所為係使 其聲明更明確，並非訴之變更追加，自應准許，合先敘明。乙、實體方面：
壹、爭訟概要：
原告於民國109年9月18日以「晶圓載片清洗治具」向被告申 請新型專利，經編為第109212330號進行形式審查後准予專 利，並發給新型第M606835號專利證書（申請專利範圍共7項 ）。嗣參加人以系爭專利有違核准時專利法第120條準用第2 2條第1項第1款及第2項規定提起舉發。案經被告審認系爭專 利有違前揭專利法第120條準用第22條第2項規定，於113年5 月10日以（113）智專議㈢05078字第11320481100號專利舉發 審定書為「請求項1至7舉發成立，應予撤銷」之處分（下稱 原處分）。原告不服提起訴願，經濟部於113年10月14日以 經法字第11317305340號訴願決定書（下稱訴願決定）予以
駁回，原告不服提起本訴。本院認為本件判決結果將影響參 加人之權利或法律上之利益，依職權命參加人獨立參加本件 訴訟（本院卷第163至164頁）。
貳、原告主張及聲明：
一、證據2與證據3兩者裝置的用途及功能性上均不相同，因此證 據2及證據3之間欠缺技術領域上的關連性，無結合動機。證 據2用於晶圓載片(IC載板，或稱IC基板)於電路蝕刻、切割 後進行清洗之放置架，證據3晶片承載裝置，係裝載已封裝 完成之晶片，兩者在功能性不相同，技術領域無關。如果證 據2通過證據3設置傾斜面以增加的縱深，這只會增加承載件 122以周壁121為中心的槓桿距離，導致承載件122的結構更 容易破損，證據2及證據3在功能或作用上實欠缺共通性。證 據2的實用新型涉及一種晶圓清洗裝置，與證據3的晶片承載 裝置單純收納晶片的功能並不相同，證據3基本無法用於清 洗晶片亦或是證據2的晶圓載片，本領域通常知識者難以想 到將其與證據2的晶圓載片清洗治具相互結合。證據3在未分 離狀態時，空腔(如標號510處)係呈壓力平衡的狀態，晶片 仍然會因為震動而損壞。證據3晶片的上側空間顯然過於寬 裕，這使得證據3的晶片承載裝置在清洗過程中容易因為震 動而損壞晶片。依照證據2圖2承載件的設置位置，結合證據 3設置傾斜面520增加縱深的技術特徵，只會造成相鄰的承載 件122之間產生干涉，證據2、證據3並無結合動機。二、系爭專利第[0021]段揭露「將晶圓載片20放入其中一放置架 10放置單元12的容置空間122中」，但依證據3第[0009]、[0 011]段揭露內容，證據3實際上容置晶片C的是承載空間521 ，將證據3的凹槽510比對至系爭專利之容置空間122不合理 。系爭專利以線接觸的形式支撐晶圓載片20，在清洗的過程 中晶圓載片20可以在受壓而產生震動擺盪的狀況下，其碰撞 可有效降低晶圓載片20表面的刮痕及殘水，相較於證據2及 證據3的組合具有無法預期的效果。
三、系爭專利請求項1相較於證據2及證據3的組合應具進步性， 系爭專利請求項2至7係直接或間接附屬於請求項1，在請求 項1相較於證據2、證據3具進步性的前提下，請求項2至7亦 具進步性。系爭專利請求項3至7相對於系爭專利與證據2、 證據3之組合，當也具進步性。
四、聲明如甲之變更後聲明所示。
參、被告答辯及聲明：
一、證據2雖未揭露系爭專利請求項1之「各該承載件具有一抵頂 面，該抵頂面為一斜面，且自位於該內框的上方位置朝向該 容置空間的方向向下傾斜，其中，向下傾斜角度為以該抵頂
面的最高點與最低點之間連接之假想線與經過該抵頂面最高 點的假想水平線之間的夾角角度」技術特徵，然證據3說明 書第[0009]段、第[0011]段揭示內容可知，證據3之「傾斜 面520」、「第一凹槽510」，對應系爭專利請求項1之「抵 頂面」、「容置空間」，已揭露系爭專利請求項1前揭技術 特徵。證據2、3具有承載晶圓載片的治具，具有技術領域關 連性；具有放置晶圓載片，使在製程中運送之晶圓載片不會 發生碰撞、散亂而損壞晶片，具有功能或作用之共通性；依 證據2說明書第[0052]段、證據3說明書第[0009]段及圖4、6 內容，證據2已揭露以承載件接觸晶圓載片，證據3則教示並 建議承載件係以傾斜面的方式與晶圓載片接觸，故證據3已 教示或建議可與證據2結合，系爭專利所屬技術領域中具有 通常知識者有動機結合證據2、3而完成系爭專利請求項1之 前揭技術特徵。
二、證據2承載件122相當於系爭專利之承載件技術特徵，證據3 說明書第[0011]段揭示晶片C的外周緣會靠抵於該晶片承載 裝置3a之該等傾斜面520上，圖6揭示傾斜面520下緣對應凹 槽510之表面朝向承載空間521的方向向上傾斜，已揭露系爭 專利請求項2之技術特徵，證據2、3之組合可證明系爭專利 請求項2不具進步性。且系爭專利所屬技術領域中具有通常 知識者依證據2、3技術內容可預期於清洗過程中防止碰撞而 損壞晶片之功效。
三、證據2承載件122相當於系爭專利請求項2之承載件技術特徵 ，依證據3說明書第[0009]段、第[0011]段及圖6揭示內容， 證據3限位單元5傾斜面520即相當系爭專利請求項2承載件之 抵頂面、底面技術特徵。系爭專利之放置架相互疊合，晶圓 載片片體表面與周緣接觸承載件抵頂面及底面斜面，與證據 3晶片承載裝置3，晶片C外周緣接觸傾斜面520、嵌合單元6 斜接面亦為向上傾斜。又依證據2說明書第[0045]段揭示限 位件13的外徑是由其上端向下逐漸遞增，第[0052]段揭示各 限位件13是外徑由上端向下逐漸遞增的柱體，已揭露系爭專 利請求項3附屬技術特徵。而依系爭專利說明書第[0017]段 記載「上限位件126及下限位件127的形狀可依使用者需求作 改變」，證據2已揭露系爭專利請求項3之附屬技術特徵前提 下，更可證明系爭專利請求項3之附屬技術特徵為系爭專利 所屬技術領域中具有通常知識者之簡單變更，可證明系爭專 利請求項3不具進步性。
四、聲明：駁回原告之訴。
肆、參加人陳述及聲明：
一、證據2說明書第[0045]段與圖8記載該承載件122包含一頂面
，該頂面朝上方且為凸面，證據2的承載件122(比對為系爭 專利的「承載件」)是平面、斜面，皆無損其承載之用途。 縱使認為證據2的承載件122為平面，但若調整為斜面，依據 證據2第[0057]段的記載，顯為利用證據2揭示的技術內容所 作出的些許更動或修飾，而為簡單修改，等同變化與修飾的 簡單變更，證據2已揭露系爭專利請求項1技術特徵，足以證 明系爭專利請求項1不具新穎性、進步性。
二、證據3說明書第[0011]段內容亦揭露系爭專利請求項1前述技 術特徵，證據2、證據3之國際專利分類號均為「H01L21」， 技術領域相同，可認屬同一技術領域，證據2之承載件122的 頂面與證據3之傾斜面520，皆為將對應物置入後，所靠抵之 處，證據2、證據3結合後，因晶圓載片將與所抵頂之元件呈 現「線接觸」，將具有「降低震盪造成晶圓載片表面刮痕」 之功效，具有結合動機，原告僅以貫孔具備與否之差異，而 認證據2、證據3無結合動機，刻意忽略兩者功能及作用之共 通性，應無可採。將證據2之「頂面」變更為證據3之「斜面 」，屬於本領域具有通常知識者依證據2、證據3所揭示之技 術，簡單組合變更而能輕易完成，足以證明系爭專利請求項 1不具進步性。
三、聲明：駁回原告之訴。
伍、爭點（本院卷第215頁）：
一、證據2是否足以證明系爭專利請求項1不具新穎性?二、證據2、3之組合是否足以證明系爭專利請求項1至7不具進步 性？
三、證據1系爭專利說明書所載通常知識及證據2、3之組合是否 足以證明系爭專利請求項3至7不具進步性？ 陸、本院判斷：
一、系爭專利之申請日為109年9月18日，於同年11月9日經形式 審查准予專利。參加人主張系爭專利違反核准時專利法第12 0條準用第22條第2項規定提起舉發，是以系爭專利有無撤銷 原因，應以核准時有效之108年7月31日修正公布，同年11月 1日施行之專利法為斷（下稱核准時專利法）。而依同法第1 20條準用第22條第2項規定，新型為其所屬技術領域中具有 通常知識者依申請前之先前技術所能輕易完成時，不得取得 新型專利。
二、系爭專利技術分析：
㈠系爭專利技術內容：
⒈系爭專利所欲解決問題：
現有技術的晶圓載片其厚度最大為3mm，因此位於下方承載 件的頂面至位於上方承載件的底面之間所預留的高度為3mm
，當厚度小於3mm的晶圓載片放置於放置單元的容置空間時 ，其上方即會產生一閒置空間，當利用超音波或高壓空氣對 晶圓載片進行清潔動作時，容易導致晶圓載片產生上下方向 的震動，而又因為清洗治具的承載件其頂面為一平面，與晶 圓載片為面接觸，當晶圓載片震動時，其貼靠於承載件的部 分則會因為連續的敲擊摩擦而產生大面積的刮痕，導致成品 的良率下降（系爭專利說明書第[0003]段，本院卷第221頁 ）。
⒉系爭專利之技術手段：
有鑒於現有技術的缺點及不足，系爭專利提供一種晶圓載片 清洗治具，其藉由將承載件的抵頂面設置為斜面，且自位於 該內框的上方位置朝向該容置空間的方向向下傾斜，達到在 清洗的過程中降低晶圓載片與抵頂面因為碰撞而產生表面刮 痕之目的（系爭專利說明書第[0004]、[0005]段，本院卷第 222頁）。
⒊系爭專利之功效：
藉由將承載件的抵頂面及底面皆設置為斜面，因此即便當清 洗晶圓載片的過程中因為晶圓載片受壓而產生震動擺盪持續 碰觸敲擊到承載件的抵頂面或斜面，相較於現有技術承載件 以面接觸形式支撐晶圓載片，系爭專利以線接觸的形式支撐 晶圓載片其碰撞可有效降低晶圓載片表面的刮痕，進而提升 產品的品質，降低產品的不良率（系爭專利說明書第[0012] 段，本院卷第223頁）。
㈡系爭專利申請專利範圍（主要圖式如附件圖1、圖2所示）：
系爭專利申請專利範圍共7項，其中第1項為獨立項，其餘為 附屬項，內容如下（以下「請求項」如未註明，均指系爭專 利請求項內容）：
⒈請求項1：一種晶圓載片清洗治具，其包含：二放置架，其結 構相同且能分離地相互疊合，各該放置架包含一外框及複數 放置單元，該外框為一環狀框體，該複數放置單元排列設置 在該外框內，各該放置單元包含一內框、複數承載件及複數 上限位件，該內框圍繞形成一容置空間，該複數承載件環繞 間隔凸設於該內框上且朝向該容置空間突伸，各該承載件具 有一抵頂面，該抵頂面為一斜面，且自位於該內框的上方位 置朝向該容置空間的方向向下傾斜，其中，向下傾斜角度為 以該抵頂面的最高點與最低點之間連接之假想線與經過該抵 頂面最高點的假想水平線之間的夾角角度，該複數上限位件 環繞間隔凸設於該內框的頂側面。
⒉請求項2：如請求項1所述之晶圓載片清洗治具，其中各該承
載件進一步包含一底面，該底面為一斜面且朝向該容置空間 的方向向上傾斜。
⒊請求項3：如請求項1或2所述之晶圓載片清洗治具，其中各該 上限位件為一錐狀體，其外徑朝向上方方向延伸逐漸減少。 ⒋請求項4：如請求項3所述之晶圓載片清洗治具，其中各該放 置單元進一步包含複數下限位件，各該下限位件環繞間隔凸 設於該內框的底側面。
⒌請求項5：如請求項4所述之晶圓載片清洗治具，其中該複數 下限位件為錐狀體，其外徑朝向下方方向延伸逐漸減少。 ⒍請求項6：如請求項5所述之晶圓載片清洗治具，其中該抵頂 面的向下傾斜角度為20度。
⒎請求項7：如請求項6所述之晶圓載片清洗治具，其中該底面 的向上傾斜角度為20度。
三、舉發證據說明：
㈠證據1為系爭專利說明書公告本。
㈡證據2為109年4月7日中國大陸公告第210272284號「具有防呆 裝置的晶圓載片清洗治具」實用新型專利案，其公告日早於 系爭專利申請日(109年9月18日)，可為系爭專利之先前技術 （主要圖式如附件圖3所示）。
㈢證據3為107年6月11日我國公告第M561912號「晶片承載裝置 」新型專利案，其公告日早於系爭專利申請日，可為系爭專 利之先前技術（主要圖式如附件圖4所示）。 四、爭點分析：
㈠證據2不足以證明系爭專利請求項1不具新穎性： ⒈證據2實用新型名稱為「具有防呆裝置的晶圓載片清洗治具」 ，可對應系爭專利請求項1「一種晶圓載片清洗治具」技術 特徵（下以1A代稱）；證據2請求項1記載「包含：兩放置架 ，該兩放置架係能分離地疊合，各放置架其包含一外環壁及 多個放置單元，該多個放置單元排列設在該外環壁內而受該 外環壁圍繞」，由證據2圖1可看出證據2之「外環壁」為環 狀框體，可對應請求項1之「外框」，故證據2請求項1、圖1 可對應系爭專利請求項1「其包含：二放置架，其結構相同 且能分離地相互疊合，各該放置架包含一外框及複數放置單 元，該外框為一環狀框體，該複數放置單元排列設置在該外 框內」技術特徵（下以1B代稱）；證據2請求項1記載「各放 置單元包含一周壁及該周壁圍成的一容置空間」、證據2請 求項9記載「各放置單元包含多個承載件，該多個承載件不 相連，各承載件設在該周壁、突入該容置空間且包含一頂面 」、證據2說明書第[0052]段記載「各放置單元12會被該多 個限位件13導入容置空間並受該多個承載件122支撐」，比
較證據2圖3(如附件圖5)與系爭專利圖3，可看出證據2之「 周壁121」對應系爭專利之「內框」，證據2之「承載件122 」對應系爭專利之「承載件」，證據2之「限位件13」對應 系爭專利之「上限位件」，故證據2請求項1、9、說明書第[ 0052]段、圖3可對應系爭專利請求項1「各該放置單元包含 一內框、複數承載件及複數上限位件，該內框圍繞形成一容 置空間，該複數承載件環繞間隔凸設於該內框上且朝向該容 置空間突伸」技術特徵（下以1C代稱）；證據2請求項10記 載「各限位件設在該周壁的頂面」，由證據2圖3可看出複數 限位件13環繞間隔凸設於周壁121上，故證據2請求項10、圖 3可對應系爭專利請求項1「該複數上限位件環繞間隔凸設於 該內框的頂側面」技術特徵（下以1E代稱）。 ⒉證據2說明書第[0045]段與圖1至3、8揭示承載件122包含一頂 面，該頂面朝向上方且為凸面，揭示系爭專利請求項1「各 該承載件具有一抵頂面」技術特徵〔下以1D⑴代稱〕，由證據2 圖9(如附件圖6)可知承載件122頂面雖為一凸面，但不具有 自位於該內框的上方位置朝向該容置空間的方向向下傾斜斜 面之特徵，證據2並未揭示系爭專利請求項1「該抵頂面為一 斜面，且自位於該內框的上方位置朝向該容置空間的方向向 下傾斜，其中，向下傾斜角度為以該抵頂面的最高點與最低 點之間連接之假想線與經過該抵頂面最高點的假想水平線之 間的夾角角度」技術特徵〔下以1D⑵代稱〕，證據2不足以證明 系爭專利請求項1不具新穎性。
⒊參加人稱證據2已揭露系爭專利請求項1技術特徵，足以證明 系爭專利請求項1不具新穎性（理由如前肆之一所述，本院 卷第109至110頁、第265頁、第313頁）。惟系爭專利說明書 第[0016]段記載「承載件123為一自內框121朝向容置空間12 2突伸之塊體，其具有一抵頂面124及一底面125，抵頂面124 為一斜面，抵頂面124自位於內框121上方位置朝向容置空間 122的方向向下傾斜」；第[0021]段記載「各晶圓載片20會 被上限位件126導入容置空間122直至晶圓載片20的下緣貼靠 於承載件123的抵頂面124而停止，此時承載件123與晶圓載 片20之間是以線接觸的方式貼靠達到承載之目的」，再參諸 系爭專利圖3、4(如附件圖7、圖2)，可知系爭專利承載件之 頂面雖為凸面，但自頂面向下傾斜之抵頂面為直線的斜面( 如附件圖2所示)，且承載件與晶圓載片下緣接觸的部位為抵 頂面而非承載件頂面或其他非抵頂面的部位(如附件圖7橘線 所示)。然證據2說明書第[0045]段記載「各承載件122突入 該容置空間，且該承載件122包含一頂面，該頂面朝向上方 且為凸面」；第[0052]段記載「請參看圖8及圖9……各放置單
元12會被該多個限位件13導入容置空間並受該多個承載件12 2支撐」，再參諸證據2圖8、9，可看出承載件122頂面為凸 面，晶圓載片下緣係與承載件頂面接觸(如附件圖6所示)， 故參加人所提附表2-1第1頁（本院卷第109頁）所繪之承載 件頂面之圓弧側邊(紅圈)(如附件圖8所示)並無法比對至系 爭專利請求項1之抵頂面；參加人認為承載件由平面調整為 斜面，為簡單變更，惟證據2與系爭專利之載片與承載件接 觸面不同，兩者降低碰撞刮痕的效果也不相同，證據2無具 體教示或建議如何變更載片與承載件之接觸面，無法由證據 2晶圓載片底面與承載件抵頂面之面接觸方式，改變為晶圓 載片底面、側面之轉角與承載件抵頂面之線接觸方式，其差 異並非所屬技術領域中具有通常知識者經由簡單變更所能輕 易完成，參加人所述並不足採。
⒋就此爭點，原處分於舉發階段認證據2不足以證明系爭專利請 求項1不具新穎性，原告提起訴願及本件行政訴訟，並未表 示不服，應非本件審理範圍，惟本院經當事人同意列入此爭 點，當事人就此爭點已為言詞辯論，故仍予審酌如上，併此 敘明。
㈡證據2、3之組合足以證明系爭專利請求項1至7不具進步性： ⒈系爭專利請求項1部分：
⑴證據2揭露系爭專利請求項1技術特徵1A至1C、1E已如前述， 證據3說明書第[0009]段記載「四個環狀相間隔地凸設於該 第一圍繞壁51上且各自形成一傾斜面520的限位壁52……。該 等傾斜面520相配合界定出一連通該第一凹槽510的承載空間 521」；第[0011]段記載「該晶片C的外周緣會靠抵於該晶片 承載裝置3a之該等傾斜面520上」，再參諸證據3圖4、6，可 看出證據3揭露之限位壁52具有一傾斜面520，由第一圍繞壁 51的上方位置向第一凹槽510的方向向下傾斜，其中傾斜面5 20高點與最低點之間連接之假想線與傾斜面最高點的假想水 平線之間具有一傾斜角度(如附件圖9所示)，當晶片C置放於 第一凹槽510時，晶片C的外周緣會靠抵於傾斜面520上形成 線接觸(如附件圖10所示)。因此證據3之「傾斜面520」對應 系爭專利之「抵頂面」，證據3之「承載空間521」對應系爭 專利之「容置空間」，故證據3說明書第[0009]、[0011]段 、圖4、6可對應系爭專利請求項1之1D⑴、1D⑵（即1D）技術 特徵。
⑵證據2、3皆為製造過程中用於元件承載裝置之技術領域，參 以國際專利分類號IPC同屬H01L21，證據2揭露以限位件導入 容置空間並以承載件接觸晶圓載片，證據3則教示並建議承 載件係以傾斜面的方式與晶片接觸，故證據2、3具有相同導
入與承載電子元件之功能共通性，綜合考量證據2、3具有技 術領域關連性和功能共通性，該所屬技術領域中具有通常知 識者自有動機結合證據2、3揭露之技術內容，將證據3之傾 斜面結構應用於證據2之承載件上，完成系爭專利請求項1之 1D⑴、1D⑵（即1D）技術特徵。證據2已揭示系爭專利請求項1 技術特徵1A至1C、1E，證據2、3之組合已揭示系爭專利請求 項1技術特徵1D，且證據2、3具有結合動機，證據2及證據3 之組合已揭示系爭專利請求項1技術特徵1A至1E，證據2及證 據3之組合足以證明系爭專利請求項1不具進步性。 ⒉系爭專利請求項2部分：
系爭專利請求項2依附於請求項1，其所界定之附屬技術特徵 如前所述，又證據2及證據3之組合足以證明系爭專利請求項 1不具進步性之理由已如前述。經查，證據3圖6已揭露由晶 片承載裝置3a、3b相疊，中間形成容置晶片之空間，該晶片 承載裝置3b下方內側輪廓具有一由外側往中心之向上傾斜角 度，由上可知，晶片上下晃動時，與證據3說明書第[0011] 段原理相同，晶片上方與晶片承載裝置3b下方內側之傾斜面 仍為線接觸，證據3已揭露系爭專利請求項2之附屬技術特徵 ，故證據2及證據3之組合足以證明系爭專利請求項2不具進 步性。
⒊系爭專利請求項3部分：
系爭專利請求項3依附於請求項1或2，其所界定之附屬技術 特徵如前所述，又證據2及證據3之組合足以證明系爭專利請 求項1、2不具進步性之理由已如前述。查證據2說明書第[00 45]段記載「該限位件13的外徑是由其上端向下逐漸遞增」 ；第[0052]段記載「各限位件13是外徑由上端向下逐漸遞增 的柱體」，再參諸證據2圖3、8（如附件圖5、8），可看出 證據2之限位件13為一錐狀體，其外徑朝向上方方向延伸而 逐漸減少，證據2已揭露系爭專利請求項3之附屬技術特徵， 故證據2及證據3之組合足以證明系爭專利請求項3不具進步 性。
⒋系爭專利請求項4、請求項5部分：
系爭專利請求項4依附於請求項3，請求項5依附於請求項4， 所界定之附屬技術特徵均如前述，又證據2及證據3之組合足 以證明系爭專利請求項3不具進步性之理由已如前述。查證 據2圖6係清洗治具放置架的背面仰視圖，由證據2圖6、9可 看出其揭露之清洗治具具有複數下限位件，且下限位件環繞 間隔凸設於該內框的底側面(如附件圖11、圖6所示)，其中 ，下限位件為錐狀體，其外徑朝向下方方向延伸逐漸減少， 證據2已揭露系爭專利請求項4及請求項5之附屬技術特徵，
故證據2及證據3之組合足以證明系爭專利請求項4、5不具進 步性。
⒌系爭專利請求項6、7部分：
系爭專利請求項6依附於請求項5，系爭專利請求項7依附於 請求項6，所界定之附屬技術特徵均如前述，又證據2及證據 3之組合足以證明系爭專利請求項5不具進步性之理由已如前 述。查證據3說明書第[0009]、[0011]段及圖4、6已揭露與 晶圓載片接觸之傾斜面高點與最低點之間連接之假想線與傾 斜面最高點的假想水平線之間具有一傾斜角度。證據3圖6已 揭露由晶片承載裝置3a、3b相疊，中間形成容置晶片之空間 ，該晶片承載裝置3b下方內側輪廓具有一由外側往中心之向 上傾斜角度，因證據3已揭示晶片C外周緣會抵靠晶片承載裝 置3a之該等傾斜面520上，通常知識者由證據3教示可得知當 承載裝置3a、3b上下顛倒或傾倒時，晶片C外周緣仍以面接 觸方式接觸晶片承載裝置3a下方內側之傾斜面520。因系爭 專利說明書中並無說明傾斜角度設定為20度有產生任何特殊 功效或與其他角度相比有何特殊之處，故證據3雖未揭露該 傾斜角度數值，然該技術領域中具有通常知識者經由模擬設 計調整傾斜規格而無須過度實驗，即可輕易得知傾斜角度可 設為20度，證據2及證據3之組合足以證明系爭專利請求項6 、7不具進步性。
㈢證據1系爭專利說明書所載通常知識及證據2、3之組合足以證明系爭專利請求項3至7不具進步性： 證據2、3之組合足以證明系爭專利請求項3至7不具進步性已如前述，是以，證據1系爭專利說明書所載通常知識及證據2、3之組合亦足以證明系爭專利請求項3至7不具進步性。 ㈣原告主張不可採之理由：
⒈原告稱證據2與證據3並無結合動機（理由如前貳之一所述， 本院卷第14至17頁、第247至250頁、第295至298頁）。經查 ，證據2、證據3皆為製造過程中用於承載電子元件裝置，參 以國際專利分類號均為H01L21(2006.01)主目下，堪認證據2 、證據3具有技術領域之關連性；證據2、3皆具有放置電子 元件使得在製程中運送時使電子元件不會碰撞、散亂而損壞 ，具有功能或作用之共通性；證據2說明書第[0052]段記載 「將初步加工後的多個該晶圓載片80放入該放置單元12的容 置空間時，……，各放置單元12會被該多個限位件13導入容置 空間並受該多個承載件122支撐」、證據3說明書第[0011]段 記載「將該晶片C置於該晶片承載裝置3a之承載空間521內， 前述的置入過程中，該晶片C的外周緣會靠抵於該晶片承載 裝置3a之該等傾斜面520上」，證據2已揭露以承載件接觸晶 圓載片，證據3則教示並建議承載件係以傾斜面的方式與晶 圓接觸，故證據3已教示或建議可與證據2結合。綜合考量證 據2、3間技術內容的關連性和共通性，該技術領域中具有通
常知識者自有動機以結合證據2、3揭露之技術內容，將證據 3之傾斜面結構應用於證據2之承載件上，只會改變證據2承 載件頂面向容置空間的方向向下傾斜，並不會改變證據2承 載件122以周壁121為中心的槓桿距離，從而能完成系爭專利 請求項1技術特徵1D。另外，原告稱證據3晶片承載裝置上下 疊置時呈壓力平衡狀態，且晶片上下空間過於寬裕，容易因 震動而損壞晶片，惟證據3揭示晶片外周緣靠抵於晶片承載 裝置之該等傾斜面上，將證據3接觸方式用於證據2承載件上 ，在證據2、3之結合下並無容置空間過於寬裕之問題，也不 會產生相鄰承載件有互相干涉的情況，原告主張不可採。 ⒉原告稱強行結合證據2與證據3也無法完成系爭專利請求項1所 請之創作，證據3承載空間過大只會導致晶片C碰撞，傾斜面 520的導正定位僅是為了將晶片C導正至正確位置，證據3顯 然並不能實現抗碰撞之目的，也未公開通過傾斜面520達到 在清洗過程中防止碰撞，而降低產生表面刮痕之效果，系爭 專利在清洗過程中，有效降低晶圓載片20表面的刮痕及殘水 ，系爭專利請求項1相較於證據2及證據3之組合具有無法預 期的效果等情（本院卷第17至18頁）。經查，由原處分關於 系爭專利請求項1與證據組合比對，證據2為主要證據，而證 據3主要對應技術特徵1D部分，原處分用於比對系爭專利容 置空間之證據3第一凹槽510對應證據2放置單元之容置空間 ，在結合證據2、3的情況下，係以證據3傾斜面與接觸晶片 外周緣之線接觸，取代證據2承載件接觸晶片底部之面接觸 ，達成在清洗過程中避免承載件刮傷晶圓載片之功效，系爭 專利相較於證據2及證據3之組合並不具有無法預期之功效， 原告所訴不可採。
⒊原告稱證據3的傾斜面520及傾斜面520下緣之表面朝向凹槽51 0方向的傾斜方向都是向下傾斜，並不會得到「該底面為一 斜面且朝向該容置空間的方向向上傾斜」的結果等情（本院 卷第19至22頁）。查原處分針對系爭專利請求項2比對理由 雖不明確，惟被告已說明請求項2之附屬技術特徵與證據3晶 片C外周緣接觸嵌合單元6斜接面之比對，兩者結構之作用或 功能結構相同，證據3嵌合單元6斜接面亦為向上傾斜，是以 原告主張不足採。
⒋原告稱被告對系爭專利說明書內容超譯。系爭專利說明書第[ 0017]段為系爭專利說明書的實施方式，並非先前技術，且 該等說明旨在於解釋並擴充系爭專利的保護範圍，並未述及 該等技術特徵為通常知識等情（本院卷第22至23頁）。經查 ，系爭專利說明書第[0017]段為系爭專利說明書關於上限位 件與下限位件之說明，並非說明書第[0002]、[0003]段先前
技術，被告以系爭專利說明書第[0017]段為先前技術，應有 誤解，惟原處分此部分判斷不影響系爭專利請求項1至7舉發 成立，應予撤銷之結果。
⒌原告稱系爭專利請求項1至3未有違反核准時專利法第120條準 用第22條第2項規定的情事，由於請求項4至7為請求項3的附 屬項，在請求項1至3未違反核准時專利法第120條準用第22 條第2項有關進步性規定的情況下，系爭專利請求項4至7應 具有進步性等情（本院卷第23至24頁）。惟證據2、3之組合 足以證明系爭專利請求項1至3不具進步性，請求項4至7係直 接或間接依附於請求項1至3，證據2已揭露系爭專利請求項4 、請求項5之附屬技術特徵，證據3已揭露晶片外周緣靠抵晶 片承載裝置之該等傾斜面，該技術領域中具有通常知識者自 能由實際生產需求而無須過度實驗即可輕易得知傾斜角度可 設為20度，而完成請求項6、7之附屬技術特徵，證據2、3具 有結合動機，證據2、3之組合足以證明系爭專利請求項4至7 不具進步性，原告主張不足採。
柒、綜上所述，系爭專利請求項1至7違反核准時專利法第120條 準用第22條第2項規定，原處分所為「請求項1至7舉發成立 ，應予撤銷」之處分，並無違誤，訴願決定予以維持，亦無 不合。從而，原告訴請撤銷原處分及訴願決定，為無理由， 應予駁回。
捌、本件判決基礎已經明確，當事人其餘攻擊防禦方法及訴訟資 料經本院斟酌後，核與判決結果不生影響，並無逐一論述必 要。
玖、結論：原告之訴為無理由，依智慧財產案件審理法第2條， 行政訴訟法第98條第1項前段，判決如主文。 中 華 民 國 114 年 7 月 23 日 智慧財產第一庭
審判長法 官 汪漢卿
法 官 蔡惠如
法 官 陳端宜
以上正本係照原本作成。
一、如不服本判決，應於送達後20日內，向本院提出上訴狀並表 明上訴理由，其未表明上訴理由者，應於提起上訴後20日內 向本院補提上訴理由書；如於本判決宣示或公告後送達前提 起上訴者，應於判決送達後20日內補提上訴理由書（均須按 他造人數附繕本）。
二、上訴未表明上訴理由且未於前述20日內補提上訴理由書者， 逕以裁定駁回。
三、上訴時應委任律師為訴訟代理人，並提出委任書（行政訴訟
法第49條之1第1項第3款）。但符合下列情形者，得例外不 委任律師為訴訟代理人（同條第3項、第4項）。得不委任律師為訴訟代理人之情形 所 需 要 件 ㈠符合右列情形之一者，得不委任律師為訴訟代理人 1.上訴人或其代表人、管理人、法定代理人具備法官、檢察官、律師資格或為教育部審定合格之大學或獨立學院公法學教授、副教授者。 2.稅務行政事件，上訴人或其代表人、管理人、法定代理人具備會計師資格者。 3.專利行政事件，上訴人或其代表人、管理人、法定代理人具備專利師資格或依法得為專利代理人者。 ㈡非律師具有右列情形之一，經最高行政法院認為適當者，亦得為上訴審訴訟代理人 1.上訴人之配偶、三親等內之血親、二親等內之姻親具備律師資格者。 2.稅務行政事件，具備會計師資格者。 3.專利行政事件，具備專利師資格或依法得為專利代理人者。 4.上訴人為公法人、中央或地方機關、公法上之非法人團體時，其所屬專任人員辦理法制、法務、訴願業務或與訴訟事件相關業務者。 是否符合㈠、㈡之情形，而得為強制律師代理之例外，上訴人應於提起上訴或委任時釋明之，並提出㈡所示關係之釋明文書影本及委任書。 中 華 民 國 114 年 7 月 23 日 書記官 吳祉瑩