智慧財產及商業法院行政判決
113年度行專訴字第30號
民國114年1月2日辯論終結
原 告 日商TDK股份有限公司
代 表 人 齋藤昇
訴訟代理人 翁林瑋律師
何婉菁律師
王大緯專利師
被 告 經濟部智慧財產局
代 表 人 廖承威
訴訟代理人 陳俊宏
上列當事人間因發明專利申請事件，原告不服經濟部中華民國11
3年4月1日經法字第11317300770號訴願決定，提起行政訴訟，本
院判決如下：
主 文
一、原處分及訴願決定均撤銷。
二、被告應就第109141322號「磁化旋轉元件、磁阻效應元件、 半導體元件、磁記錄陣列及磁阻效應元件的製造方法」發明 專利申請案做成准予專利之審定。
三、訴訟費用由被告負擔。
事實及理由
一、爭訟概要：
原告前於民國109年11月25日以「磁化旋轉元件、磁阻效應 元件、半導體元件、磁記錄陣列及磁阻效應元件的製造方法 」向被告申請發明專利，並聲明以西元2019年11月26日申請 之日本第2019-212835號及西元2020年10月14日申請之日本 第2020-173445號專利案主張優先權，經被告編為第1091413 22號審查（下稱系爭申請案），不予專利；民國111年5月17 日原告申請再審查並修正申請專利範圍，復於被告112年4月 18日發給審查意見通知函後之同年7月18日提出申請專利範 圍修正本。嗣被告依專利法第43條第4項規定，以112年8月4 日(112)智專三㈡04457字第11220757890號審查意見最後通知 函，通知原告112年7月18日修正本之部分請求項未克服前揭 審查意見通知函之不准專利事由，且有違專利法第22條第2 項規定；原告乃於112年11月2日提出申請專利範圍修正本及 申復理由。案經被告審查，核認系爭申請案修正後仍有違前 揭專利法規定，而以112年11月8日(112)智專議㈡04457字第1 1221127320號專利再審查核駁審定書為「不予專利」之處分 （下稱原處分）。原告提起訴願後，經經濟部以113年4月1 日經法字第11317300770號為訴願駁回之決定（下稱訴願決
定），原告仍未甘服，遂依法提起本件行政訴訟。二、原告主張及聲明：
(一)原告於110年3月19日、111年1月28日、111年5月17日、112 年7月18日、112年11月2日提出系爭案申請專利範圍修正本 ，上開修正內容未超出申請時原說明書或圖式所揭露之範圍 ，修正後請求項共16項，其中第1、9、10、11、13、14、15 、16項為獨立項，其餘為附屬項。又請求項2至8是直接或間 接依附至請求項1之附屬項，請求項10、11、13是以附屬形 式包括請求項9全部特徵在內之獨立項，請求項12是直接依 附至請求項11之附屬項，而請求項15、16並未發現不予專利 之理由。是以系爭申請案專利範圍係指112年11月2日修正後 之內容，先予敘明。
(二)系爭申請案相對附表之引證1（甲證3）、引證2（甲證4）之 組合，或引證1、引證2、引證3（甲證5）之組合，具有進步 性要件：
⒈引證1、2均未揭露請求項1之「上述插入層有複數層，上述插 入層的層數，在6層以下」技術特徵，且該技術特徵相對於 插入層只有1層之情況及超過6層之情況，可明確降低系爭申 請案磁阻效應元件的寫入功率，此由圖17、18關於實施例1 的磁阻效應元件的寫入電流圖、寫入電壓圖及對應實驗數據 可得知，而為該發明所屬技術領域中具有通常知識者依系爭 專利申請案說明書及圖式的記載可直接且無歧異得知，且相 對於插入層只有1層及7層的邊界值，所產生功效的顯著提升 （量的變化），並非為插入層數量之簡單變更，而是產生無 法預期之功效。況所屬領域具通常知識者並無動機結合引證 1、2，無法藉由引證2補足引證1所未揭露請求項1之「沿著 上述第1方向以及上述自旋軌道轉矩配線的長度方向切斷的 剖面中，夾住上述插入層離上述第1強磁性層遠的自旋產生 層之剖面積，比夾住上述插入層離上述第1強磁性層近的自 旋產生層之剖面積大」以及「上述插入層的厚度，為構成上 述插入層的材料之自旋擴散長度以下」之技術特徵，故無否 定進步性之因素。又引證1、2對於系爭申請案之專利發明具 有反向教示（teach away），將引證2揭露的技術應用於引 證1，而將引證2使電流有效集中或有效率流動的第二非磁性 層14應用於引證1的金屬插入層2C，反而會使電流高度集中 ，無法達成引證1所欲避免電流集中於金屬插入層2C，目的 完全相反且將會被勸阻而不會將引證2之技術應用於引證1 ，故有肯定進步性之因素。因此，綜合考量後並無法建立不 具進步性之論理，得判斷系爭申請案請求項1所載之發明具 有進步性。準此，引證1、2並不足以揭露或教示系爭申請案
請求項1所載發明的所有限制條件，符合專利法第22條第2項 之進步性規定。
⒉系爭申請案請求項2至6、8係直接或間接依附於請求項1之附 屬項，故請求項2至6、8具備請求項1的全部限制條件，因此 ，根據前述請求項1的相同理由，引證1、2之組合並不足以 揭露或教示請求項2至6、8各自所有限制條件，故請求項2至 6、8的確符合專利法第22條第2項之規定。又系爭申請案請 求項7係直接依附於請求項1之附屬項，故請求項7具備請求 項1的限制條件，根據前述請求項1的相同理由，引證1、2之 組合並不足以揭露或教示請求項7之限制條件。另引證3並未 揭露系爭申請案請求項7之技術特徵，且非簡單變更，而是 產生無法預期之功效，所屬技術領域具通常知識者亦無動機 結合引證1、2及引證3，是引證1至3之組合並不足以揭露或 教示請求項7之技術特徵。
⒊系爭申請案請求項9之「上述第2層有複數層，上述第2層的層 數，在6層以下」，並未揭露於引證1、2，且非為第2層數量 之簡單變更，而是產生無法預期之功效，所屬技術領域具通 常知識者無動機結合引證1與引證2，無法藉由引證2補足引 證1未揭露請求項9之「沿著上述第1方向以及上述配線的長 度方向切斷的剖面中，夾住上述插入層離上述第1強磁性層 遠的自旋產生層之剖面積，比夾住上述插入層離上述第1強 磁性層近的自旋產生層之剖面積大，上述第2層的厚度，為 構成上述第2層的材料之自旋擴散長度以下」之技術特徵 ，故無否定進步性之因素。又請求項9之「上述第2層有複數 層，上述第2層的層數，在6層以下」具有無法預期之功效， 且引證1及2對於系爭申請案之專利發明具有反向教示，故有 肯定進步性之因素。因此，系爭申請案請求項9所載之發明 具有進步性。
⒋系爭申請案請求項10、11、13係包括請求項9的全部技術特徵 在內之獨立項，請求項12為請求項11的附屬項，故請求項10 至13具備請求項9之全部限制條件，根據前述請求項9之相同 理由，引證1、2並不足以揭露或教示請求項10至13各自所有 限制條件，故請求項10至13符合專利法第22條第2項之進步 性規定。
⒌請求項14之「上述插入層有複數層，上述插入層的層數，在6 層以下」未揭露於引證1或2，且非為插入層數量之簡單變更 ，而是產生無法預期之功效，所屬技術領域具通常知識者無 動機結合引證1與引證2，而無法藉由引證1補足引證2未揭露 請求項14之「且上述第1自旋產生層的厚度，比上述自旋產 生層更厚…上述插入層，包含從Mg(鎂)、Al(鋁)、Si(矽
)、Ti(鈦)、Cr(鉻)、Fe(鐵)、Co(鈷)、Cu(銅)、Ga(鎵)、 Ge(鍺)、Ag(銀)構成的群中選擇之任何元素」、「依序積層 第2強磁性層、非磁性層、第1強磁性層以及第1自旋產生層 的積層體…複數個插入層與複數個自旋產生層」之技術特徵 ，故無否定進步性之因素。又請求項14之「上述插入層有複 數層，上述插入層的層數，在6層以下」具有無法預期之功 效，且引證1及引證2對於系爭申請案之專利發明具有反向教 示，故有肯定進步性之因素。因此，系爭申請案請求項14所 載之發明具有進步性。此外，請求項15、16具進步性，此為 原處分所是認。
⒍綜上，引證1、2之組合不足以證明系爭申請案請求項1至6、8 至14不具進步性；引證1至3之組合不足以證明系爭申請案請 求項7不具進步性，系爭申請案符合專利法第22條第2項之進 步性要件，原處分與訴願決定駁回本件專利申請，顯然違法 且有錯誤，爰請求撤銷原處分及訴願決定，並命被告應作成 准予專利之審定等語。
(三)並聲明：
⒈訴願決定及原處分均撤銷。
⒉被告應就系爭申請案做成准予專利之審定。三、被告答辯及聲明：
(一)系爭申請案請求項並未限定「間隔開」的複數插入層20B， 比對引證1（甲證3）圖2所對應第[0051]段内容揭示「根據 金屬插入層2C的位置，可能存在原子堆疊為兩層或三層的部 分」，已揭示請求項1上開技術特徵。又系爭申請案藉由插 入層20B插入自旋產生層20A中，以達成利用界面Rashba效應 ，降低反轉電流密度，依引證1第[0005]段揭示「SOT是由自 旋軌道相互作用或異質材料界面處的Rashba效應產生的純自 旋電流引起的，在磁阻元件中感應出SOT的電流沿與磁阻元 件的層疊方向交叉的方向上流動，換句話說，不需要在磁阻 元件的堆疊方向上流動電流，這有望延長磁阻元件的壽命」 ，已揭示上開技術特徵及降低反轉電流密度相同之功效。退 步言，引證1圖2、3揭示藉由自旋軌道轉矩配線2插入金屬插 入層2C中，據以產生與系爭申請案相同之功效，故請求項1 之「上述插入層有複數層，上述插入層的層數，在6層以下 」技術特徵僅係插入層數量之簡單變更，原告主張並不足採 。
(二)系爭申請案明確指出在自旋軌道轉矩配線中設置插入層之效 果，亦即比較插入層層數為0與層數為1至6之效果，而非比 較插入層層數為1與層數為2至6之效果，且說明書及圖17、1 8並未記載當插入層為7層後之寫入電流、電壓，亦非所屬技
術領域中具有通常知識者能直接且無歧異得知（例如圖17中 寫入電流在插入層為3層時最低，但無法預測7層後為最高、 最低或持平；圖18中寫入電壓在插入層為4層後持平，但無 法預測7層後會開始變高、變低或持續持平）。原告以不存 在内容推定插入層層數超過7層時之寫入功率高於僅有1層之 寫入功率乃主觀臆測，並不可採。又關於原告所提寫入功率 -寫入層數量關係圖（本院卷第22頁），未曾揭示於系爭申 請案之說明書、申請專利範圍或圖式中，無法由系爭申請案 圖17、18得到相同之結果，以銀(Ag)為例，原告主張依關係 圖顯示功率（P）約為0.39mW，惟圖17、18中，Ag電流約 570μA、電壓約0.62V，P=I*V=0.3534mW，兩者顯有落差，並 不可採。
(三)原告主張將引證2之第一非磁性層12應用於引證1之自旋軌道 轉矩配線2將不產生自旋流，係原告主觀臆測，引證2之 first nonmagnetic layer12、third nonmagnetic layer16 a對應本案自旋產生層20A，引證2之second nonmagnetic layer14對應本案插入層20B，且依引證2第〔0025~0029〕段揭 示内容清楚說明圖1之first nonmagnetic layer12實施方式 有其背景與目的，且引證1未教示不可使用相反扭矩之材料 ，以組成本案之自旋產生層20A與插入層20B，並未構成反向 教示。又引證1、2同屬「STT-MRAM」相同技術領域，均同樣 藉由「插入層的電阻率（導電率的倒數）比自旋產生層的電 阻率更低」，進而改善自旋軌道轉矩配線之電流流動，兩者 在「磁阻效應元件」作用或功能、解決「自旋執道轉矩配線 之導電率」之問題皆具共通性，該發明所屬技術領域中具有 通常知識者有動機結合引證1、2之技術内容，原告上開主張 並不足採。
(四)原告所提寫入功率-寫入層數量關係圖並非系爭申請案圖17 、18所能直接無歧異得知，原告稱插入層的數量為1時，其 實驗數據電壓Cu=0.915、Ag=0.658，惟圖18中並無任何數據 ，由圖18僅能得知Cu的電壓介於0.8~1之間，Ag的電壓介於0 .6~0.8之間，且原告所稱數值精確到小數點第3位似有臨訟 製作之嫌。又系爭申請案說明書第[0120]段揭示設置插入層 之效果（亦即比較插入層層數為0與層數為1至6之效果） ，僅於寫入電流、寫入電壓在定性方面之功效，說明書從未 揭示在寫入功率上產生「量」的功效（定量方面之功效）。 另原告在審查階段既不爭執引證1揭示請求項1之「上述插入 層有複數層，上述插入層的層數，在6層以下」、請求項9之 「上述第2層有複數層，上述第2層的層數，在6層以下」、 請求項14之「上述插入層有複數層，上述插入層的層數，在
6層以下」技術特徵，於訴訟階段卻又以從未揭露之實驗數 據主張具有有利功效，其臨訟製作之數據應不可採。再者， 有利功效必須是對照先前技術之差異技術特徵所直接產生的 技術效果，因前開爭執技術特徵在2層插入層均為Cu或2層插 入層均為Ag之情形已揭露於引證1第[0051]段，可知該爭執 技術特徵非是對照先前技術之差異特徵，而是先前技術已揭 露。縱考量原告補充之實驗數據，該數據顯示之功效亦非是 對照先前技術之功效，而是先前技術已揭露的功效，是以， 原告對該爭執技術特徵所補充說明有利功效之理由，並不足 採。
(五)系爭申請案界定「插入層有複數層，上述插入層的層數，在 6層以下」不是厚度，也不是「不同材料界面」的數量，因 插入層係界定「包含從Mg(鎂）…構成的群中選擇之『任何元 素』」，不排除各插入層均選擇為相同元素之情形，例如2層 插入層均為Cu或2層插入層均為Ag之情形，亦不限制厚度 。而引證1第[0051]段内容揭示「金屬插入層2C有些部分是 原子積層2~3層份量的部分」，已揭露2至3層插入層均為Ag 、Cu、Co、Fe、A1、Cr之文義内容。縱認是界定「間隔開的 插入層」，引證2亦揭示上開技術特徵，亦即引證2具有間隔 開的第二非磁性層14（相當於「上述插入層有複數層，上述 插入層的層數，在6層以下」）。又依引證2第0027、0031段 內容、圖2揭示，可知其藉由第一非磁性層12（相當於系爭 申請案自旋產生層）、第二非磁性層14（相當於系爭申請案 插入層）之堆疊，改善較低的寫入電流，與系爭申請案第[0 120]段所述藉由自旋產生層、插入層之堆疊，改善較低的寫 入電流，具有利用相同之方法，改善相同之功效。 (六)並聲明：原告之訴駁回。
四、本件爭點：
(一)引證1、2（甲證3、4）之組合，是否足以證明系爭申請案請 求項1至6、8至14不具進步性？
(二)引證1至3（甲證3至5）之組合，是否足以證明系爭申請案請 求項7不具進步性？
五、本院判斷：
(一)應適用之法令：
⒈按系爭申請案申請日為109年11月25日，主張優先權日為西元 2019年11月26日、2020年10月14日，再審查核駁審定日為11 2年11月8日，本件於114年1月2日言詞辯論終結，故系爭專 利申請案是否符合專利要件，應以111年5月4日修正公布 、同年7月1日施行之專利法（下逕稱專利法）為斷。又原處 分及訴願決定均係依系爭申請案112年11月2日申請專利範圍
修正本進行審查，且於訴訟中原告亦未再申請更正，是本件 系爭申請案專利申請範圍即依該次修正內容進行審理。 ⒉按「申請專利之發明經審查認無不予專利之情事者，應予專 利，並應將申請專利範圍及圖式公告之。」專利法第47條第 1項定有明文。
(二)系爭申請案之申請專利範圍（主要圖式如附圖）： 系爭申請案請求項共16項，其中第1、9、10、11、13、14、 15、16項為獨立項，其餘為附屬項。而兩造並未爭執請求項 15、16具有進步性，故僅列請求項1至14如下： 請求項1：一種磁化旋轉元件，包括：自旋軌道轉矩配線； 以及第1強磁性層，相對於上述自旋軌道轉矩配線 在第1方向，從上述自旋軌道轉矩配線注入自旋； （1A）
其中，上述自旋軌道轉矩配線，在上述第1方向上 具有複數自旋產生層、以及在上述複數自旋產生 層之間的插入層；上述插入層的電阻率比上述自 旋產生層的電阻率更低；上述插入層的厚度，比 上述自旋產生層的分別厚度薄；（1B）
沿著上述第1方向以及上述自旋軌道轉矩配線的長 度方向切斷的剖面中，夾住上述插入層離上述第1 強磁性層遠的自旋產生層之剖面積，比夾住上述 插入層離上述第1強磁性層近的自旋產生層之剖面 積大；（1C）
上述插入層，包含從Mg(鎂)、Al(鋁)、Si(矽)、 Ti(鈦)、Cr(鉻)、Fe(鐵)、Co(鈷)、Cu(銅)、Ga( 鎵)、Ge(鍺)、Ag(銀)構成的群中選擇之任何元素 ；（1D）
上述自旋產生層，包含從Mo(鉬)、Ru(釕)、Rh(銠 )、Pd(鈀)、Ta(鉭)、W(鎢)、Ir(銥)、Pt(鉑)、A u(金)、Bi(鉍)構成的群中選擇之任何元素；（1E ）
上述插入層的厚度，為構成上述插入層的材料之 自旋擴散長度以下；上述插入層有複數層；上述 插入層的層數，在6層以下。（1F）
請求項2：如請求項1所述之磁化旋轉元件，其中，上述自旋 軌道轉矩配線，從上述第1方向的平面視中，具有 與上述第1強磁性層重疊的重疊區域以及不重疊的 非重疊區域；上述插入層，夾住上述重疊區域並 涵蓋延伸至上述非重疊區域。
請求項3：如請求項1所述之磁化旋轉元件，其中，上述插入
層的厚度，為構成上述插入層的元素之鍵半徑的5 倍以下。
請求項4：如請求項1所述之磁化旋轉元件，其中，上述插入 層的厚度，為10Å以下。
請求項5：如請求項1所述之磁化旋轉元件，其中，上述自旋 產生層的厚度，分別在8Å以上20Å以下。
請求項6：如請求項1所述之磁化旋轉元件，其中，上述插入 層，包含構成上述自旋產生層的元素。
請求項7：如請求項1所述之磁化旋轉元件，其中，上述自旋 軌道轉矩配線的厚度，在20nm(毫微米)以下。 請求項8：如請求項1所述之磁化旋轉元件，其中，上述複數 自旋產生層中離上述第1強磁性層最近的第1自旋 產生層之膜厚，比其它自旋產生層之膜厚更厚。 請求項9：一種磁化旋轉元件，包括：配線；以及第1強磁性 層，相對於上述配線在第1方向；其中，上述配線 ，包括：第1層，包含從Mo(鉬)、Ru(釘)、Rh(銠) 、Pd(鈀)、Ta(鉭)、W(鎢)、Ir(銥)、Pt(鉑)、Au (金)、Bi(鉍)構成的群中選擇之任何元素；以及 第2層，包含從Mg(鎂)、Al(鋁)、Si(矽)、Ti(鈦) 、Cr(鉻)、Fe(鐵)、Co(鈷)、Cu(銅)、Ga(鎵)、G e(鍺)、Ag(銀)構成的群中選擇之任何元素；上述 第1層，在上述第1方向上夾住上述第2層；上述第 2層的厚度，比上述第1層的分別厚度薄；沿著上 述第1方向以及上述配線的長度方向切斷的剖面中 ，夾住上述插入層離上述第1強磁性層遠的自旋產 生層之剖面積，比夾住上述插入層離上述第1強磁 性層近的自旋產生層之剖面積大；上述第2層的厚 度，為構成上述第2層的材料之自旋擴散長度以下 ；上述第2層有複數層；上述第2層的層數，在6層 以下。
請求項10：一種磁阻效應元件，包括：如請求項1~9中任一 項所述之磁化旋轉元件；第2強磁性層，相對於 上述磁化旋轉元件的上述第1強磁性層，在上述 第1方向；以及非磁性層，夾在上述第1強磁性層 與上述第2強磁性層之間。
請求項11：一種半導體元件，包括：如請求項10所述之磁阻 效應元件；以及開關元件，與上述磁阻效應元件 電氣連接。
請求項12：如請求項11所述之半導體元件，其中，上述開關 元件是場效型電晶體；上述場效型電晶體的源極
與汲極之間的距離在30nm以下。
請求項13：一種磁記錄陣列，具有：複數如請求項10所述之 磁阻效應元件。
請求項14：一種磁阻效應元件的製造方法，包括：成膜步驟 ，形成依序積層第2強磁性層、非磁性層、第1強 磁性層以及第1自旋產生層的積層體；加工步驟 ，蝕刻上述積層體形成柱狀體；配線形成步驟， 在上述柱狀體的第1面上依序成膜複數個插入層 與複數個自旋產生層，形成自旋軌道轉矩配線； 其中，上述插入層的電阻率比上述第1自旋產生 層以及上述自旋產生層的電阻率更低，且上述第 1自旋產生層的厚度，比上述自旋產生層更厚， 沿著上述第1方向以及上述自旋軌道轉矩配線的 長度方向切斷的剖面中，夾住上述插入層離上述 第1強磁性層遠的自旋產生層之剖面積，比夾住 上述插入層離上述第1強磁性層近的自旋產生層 之剖面積大；上述插入層，包含從Mg(鎂)、Al( 鋁)、Si(矽)、Ti(鈦)、Cr(鉻)、Fe(鐵)、Co(鈷 )、Cu(銅)、Ga(鎵)、Ge(鍺)、Ag(銀)構成的群 中選擇之任何元素；上述自旋產生層，包含從Mo (鉬)、Ru(釘)、Rh(銠)、Pd(鈀)、Ta(鉭)、W(鎢 )、Ir(銥)、Pt(鉑)、Au(金)、Bi(鉍)構成的群 中選擇之任何元素；上述插入層的厚度，為構成 上述插入層的材料之自旋擴散長度以下；上述插 入層有複數層；上述插入層的層數，在6層以下 。
(三)被告核駁系爭申請案之引證：
附表所示引證1至3（即甲證3至5）之公開或公告日，皆早於 系爭申請案主張最早優先權日（西元2019年11月26日），故 皆可作為認定系爭申請案是否不具進步性之適格證據。(四)引證1、2之組合，不足以證明系爭申請案請求項1不具進步 性：
⒈引證1說明書第[0048]段及圖2揭露「…在自旋軌道轉矩配線2 內亦可設有金屬插入層2C。就算是金屬氧化物具有導電性 ，但導電性劣於金屬。金屬插入層2C能夠調整自旋軌道轉矩 配線2的電阻值並抑制自旋軌道轉矩磁化旋轉元件11的耗電 的增加、焦耳熱的增加」。第[0049]段揭露「金屬插入層2C ，在自旋軌道轉矩配線2的厚度方向的任意位置皆可。圖3是 本實施形態相關之自旋軌道轉矩磁化旋轉元件的其他例的剖 面示意圖。示於圖3的自旋軌道轉矩磁化旋轉元件12，是以
在比自旋軌道轉矩配線2的基準線C離第1強磁性層1還遠的位 置具有金屬插入層2C為佳。金屬插入層2C有時會成為阻礙自 旋往z方向的移動的散亂起因。在金屬插入層2C在遠離第1強 磁性層1的位置之下，使第1強磁性層1近處產生的自旋的移 動順暢，能夠提高往第1強磁性層1的自旋的注入效率」。說 明書第[0031]段揭露「一旦在自旋軌道轉矩配線2的x方向的 兩端賦予電位差則電流I沿著x方向流動。一旦電流I流動， 則配向於y方向的第1自旋S1與配向於-y方向的第2自旋S2分 別往與電流直交的方向彎曲」。其中「自旋軌道轉矩磁化旋 轉元件11」可對應系爭申請案請求項1要件編號1A「一種磁 化旋轉元件」，其中「自旋軌道轉矩配線2」可對應系爭申 請案請求項1要件編號1A「自旋軌道轉矩配線」，其中「第1 強磁性層1」可對應系爭申請案請求項1要件編號1A「第1強 磁性層」，其中圖2之電流垂直的方向（即Z軸方向）可對應 系爭申請案請求項1要件編號1A「相對於上述自旋軌道轉矩 配線在第1方向」，其中「電流I沿著X方向流動」可對應系 爭申請案請求項1要件編號1A「從上述自旋軌道轉矩配線注 入自旋」。綜上，引證1已揭露系爭申請案請求項1要件編號 1A「一種磁化旋轉元件，包括:自旋軌道轉矩配線;以及第1 強磁性層，相對於上述自旋軌道轉矩配線在第1方向，從上 述自旋軌道轉矩配線注入自旋；」之技術特徵。 ⒉引證1說明書第[0048]段及圖2揭露「…在自旋軌道轉矩配線2 內亦可設有金屬插入層2C。說明書第[0052]段揭露：金屬插 入層2C的電阻值，如上述低於自旋軌道轉矩配線2的電阻值… 」。說明書第[0051]段揭露「…金屬插入層2C的厚度，是以 不到構成金屬插入層的金屬原子的離子半徑的2倍為佳 。金屬插入層2C的厚度為平均厚度。金屬原子的離子半徑的 2倍，是指原子一層份量的厚度」。其中圖2揭露之「金屬插 入層2C」插入後造成自旋軌道轉矩配線2在Z方向上分為間隔 之兩層，可對應系爭申請案請求項1要件編號1B「其中，上 述自旋軌道轉矩配線，在上述第1方向上具有複數自旋產生 層」、「以及在上述複數自旋產生層之間的插入層」；其中 「金屬插入層2C的電阻值，如上述低於自旋軌道轉矩配線2 的電阻值」，可對應系爭申請案請求項1要件編號1B「上述 插入層的電阻率比上述自旋產生層的電阻率更低」；其中「 金屬插入層2C的厚度，是以不到構成金屬插入層的金屬原子 的離子半徑的2倍為佳」，對所屬技術領域具通常知識者而 言，金屬插入層的金屬原子的離子半徑的兩倍（即直徑）相 當於金屬插入層的原子單層的厚度，該厚度極薄(為0.1nm尺 度)，而自旋產生層需要足夠的厚度才能產生足夠的霍爾自
旋電子，故可輕易得知前開段落已實質隱含系爭申請案請求 項1要件編號1B「上述插入層的厚度，比上述自旋產生層的 分別厚度薄」之技術特徵。綜上，引證1已揭露系爭申請案 請求項1要件編號1B「其中，上述自旋軌道轉矩配線，在上 述第1方向上具有複數自旋產生層、以及在上述複數自旋產 生層之間的插入層;上述插入層的電阻率比上述自旋產生層 的電阻率更低，上述插入層的厚度，比上述自旋產生層的分 別厚度薄」之技術特徵。
⒊引證1說明書第[0051]段揭露「…金屬插入層2C的厚度，是以 不到構成金屬插入層的金屬原子的離子半徑的2倍為佳。金 屬插入層2C的厚度為平均厚度。金屬原子的離子半徑的2倍 ，是指原子一層份量的厚度」。說明書第[0069]段揭露「 設置於自旋軌道轉矩配線2與第1強磁性層1之間的層，是以 不將從自旋軌道轉矩配線2傳播的自旋散逸為佳。例如，銀 、銅、鎂及鋁等，自旋擴散長度達100nm以上，已知自旋不 容易散逸。又，此層的厚度，是以構成層的物質的自旋擴散 長以下為佳。層的厚度若為自旋擴散長以下，則可以將從自 旋軌道轉矩配線2傳播的自旋充分傳遞至第1強磁性層1」， 對所屬技術領域具通常知識者而言，其中「金屬插入層2C的 厚度，是以不到構成金屬插入層的金屬原子的離子半徑的2 倍為佳」，相當於構成金屬插入層2C之原子單層的厚度（銀 大約為0.28nm），實質隱含較自旋擴散長度（銀大約為10nm ）為短，此為銀金屬之固有特性，且說明書第[0069]段亦已 揭露「如果該層的厚度小於自旋擴散長度，則可以將從自旋 軌道轉矩配線2傳播的自旋充分地傳遞至第1強磁性層1」， 是以，前開揭露內容可對應系爭申請案請求項1要件編號1F 「上述插入層的厚度，為構成上述插入層的材料之自旋擴散 長度以下，」之部分技術特徵。
⒋引證1說明書第[0050]段揭露「構成金屬插入層2C的金屬，是 以使用與構成自旋軌道轉矩配線2的金屬氧化物的金屬元素 不同的元素為佳。根據氧的擴散係數依插入不同元素的金屬 而不同，可以較能賦予濃度梯度，可以高效率使自旋流產生 。構成金屬插入層2C的金屬，例如為選自由金、銀、銅、鎳 、鈷、鐵、釕、鋁、鎢、鉻、鉭所組成之族群的金屬或其合 金」。其中「金、銀、銅、鎳、鈷、鐵、釕、鋁、鎢、鉻 、鉭所組成之族群的金屬或其合金」，可對應系爭申請案請 求項1要件編號1D「上述插入層，包含從Mg(鎂)、Al(鋁)、 Si(矽)、Ti(鈦)、Cr(鉻)、Fe(鐵)、Co(鈷)、Cu(銅)、Ga( 鎵)、Ge(鍺)、Ag(銀)構成的群中選擇之任何元素」之技術 特徵。
⒌依此，引證1與系爭申請案請求項1之差異在於其並未揭露以 下技術特徵：(1)要件1C「且沿著上述第1方向以及上述自旋 軌道轉矩配線的長度方向切斷的剖面中，夾住上述插入層離 上述第1強磁性層遠的自旋產生層之剖面積，比夾住上述插 入層離上述第1強磁性層近的自旋產生層之剖面積大，」；( 2)要件1E「上述自旋產生層，包含從Mo(鉬)、Ru(釕)、Rh( 銠)、Pd(鈀)、Ta(鉭)、W(鎢)、Ir(銥)、Pt(鉑)、Au(金)、 Bi(鉍)構成的群中選擇之任何元素，」；以及(3)要件1F之 「上述插入層有複數層，上述插入層的層數，在6層以下」 之部分技術特徵。
⒍引證2說明書第[0053]至[0057]、[0099]至[0102]段及圖式4 、11揭露「一種磁化旋轉元件1A、1G包含磁阻元件20，該磁 阻元件20係由第一磁層22、第二磁層26包夾一間隔層24形成 ，用以儲存磁化資訊。磁化旋轉元件1A及1G又包含一非磁層 10A(圖式4)或10F(圖式11)係由第一非磁層12、第三非磁層1 6(圖式4)或16a(圖式11)包夾一第二非磁層14所形成，用以 寫入或抹除儲存於磁阻元件20之磁資訊」。說明書第[0028] 段揭露「第一非磁層12的作用是防止第二非磁層14斷裂和抑 制第二非磁層14中的電遷移。通過確保σ1<σ2，電流主要流 入第二非磁層14，而不是第一非磁層12，因此可以使用低電 流有效地將自旋扭矩施加到磁阻元件20的第一磁層22」，第 [0053]段揭露「非磁性層10A是透過在圖1所示的非磁性層10 的第二非磁性層14上設置第三非磁性層16而獲得，第三非磁 性層的導電率低於第二非磁性層14的導電率」，且第[0054] 段揭露第三非磁性層16或16a之功效為「第三非磁層16的作 用是保護第二非磁層14，當磁阻元件20被蝕刻時，可以防止 自旋霍爾角因第二非磁層14的損壞而劣化。還可以抑制電遷 移的發生」，第[0028]段揭露「第二非磁層14具有高自旋霍 爾角，以有效地將自旋扭矩施加到磁阻元件20的第一磁層22 」。其中說明書第[0028]段揭露「第二非磁性層14」之功效 在於「具有高自旋霍爾角，以有效地將自旋扭矩施加到磁阻 元件20的第一磁層22」，對照系爭申請案說明書揭露「插入 層20B的自旋霍爾角，比自旋產生層20A的自旋霍爾角更小 ，相較於自旋產生層20A，難以產生自旋軌道交互作用」(參 系爭申請案說明書第14頁第[0073]段，原處分卷第46頁)， 可知引證2揭露之「第二非磁性層14」與系爭申請案說明書 所載「自旋產生層20A」之功效相符，而與「插入層20B」之 功效不符，故原處分將引證2之「第二非磁性層14」對應為 系爭申請案所載「插入層20B」即有違誤。
⒎又引證2說明書第[0028]段揭露「第一非磁層12的作用是防止
第二非磁層14斷裂和抑制第二非磁層14中的電遷移。通過確 保σ1<σ2，電流主要流入第二非磁層14，而不是第一非磁層1 2」，表示其揭露「第一非磁性層12」之電阻率必然高於「 第二非磁性層14」（註：導電率與電阻率互為倒數，導電率 越高則電阻率越低），對照系爭申請案說明書第[0071]段記 載「插入層20B的電阻率比自旋產生層20A更低」，可得知引 證2所示「第一非磁性層12」與「第二非磁性層14」電阻率 之關係，與系爭申請案所載「插入層20B」與「自旋產生層2 0A」之關係顯不相同，故原處分將引證2揭露之「第一非磁 性層12」對應為系爭申請案所載「自旋產生層20A」亦有違 誤。再者，引證2說明書第[0053]段揭露「第三非磁性層16 的導電率低於第二非磁性層14的導電率」，表示「第三非磁 性層16」之電阻率大於「第二非磁性層14」，是以承其電阻 率關係，亦難將其揭露之「第三非磁性層16」對應為系爭申 請案所載「插入層20B」(參下列對照表)。準此，引證2所揭 露「第二非磁性層14」、「第一非磁性層12」、「第三非磁 性16或16a」之功效及其電阻率之關係，均與系爭申請案所 載「插入層20B」不符，故未實質揭露系爭申請案請求項1要 件1C及1F之「插入層」。
引證2（甲證4） 第一非磁層12 第二非磁層14 第三非磁層16 自旋霍爾角 低 高(用以寫入) - 電阻率 高 低 高 系爭申請案 插入層20B 自旋產生層20A 自旋霍爾角 低 高(用以寫入) 電阻率 低 高