智慧財產及商業法院行政判決
112年度行專訴字第45號
民國113年11月28日辯論終結
原 告 康素鳳
訴訟代理人 賴安國律師
複 代理 人 楊啓元律師
被 告 經濟部智慧財產局
代 表 人 廖承威
訴訟代理人 何立瑋
劉聖尉
參 加 人 恩特葛瑞斯股份有限公司(ENTEGRIS,INC.)
代 表 人 Erika R Singleton
訴訟代理人 張哲倫律師
羅秀培律師
許文亭專利師
上列當事人間因發明專利舉發事件，原告不服經濟部中華民國11
2年8月30日經訴字第11217305250號訴願決定，提起行政訴訟，
並經本院命參加人獨立參加訴訟，本院判決如下：
主 文
一、原處分關於「請求項1、8、21、22、24、25舉發不成立」部 分及訴願決定，均撤銷。
二、被告應為「第I582836號發明專利更正後請求項1、8、21、2 2、24、25舉發成立，應予撤銷」之處分。三、訴訟費用由原告負擔。
事實及理由
壹、程序事項：
一、本件原告提起行政訴訟時聲明請求：㈠原處分關於「請求項1 、3、8、21至25舉發不成立」部分及訴願決定均撤銷。㈡被 告應為「第I582836號發明專利請求項1、3、8、21至25舉發 成立，應予撤銷」之處分。嗣於本院訴訟期間，參加人於民 國113年2月15日申請專利更正（更正請求項1，並刪除請求 項3、23，見本院卷一第307至314頁），並經被告於同年3月 21日准予更正（同上卷第459至460頁，如無特別註明則更正 後專利即指113年2月15日更正本）。原告乃於113年4月29日 變更聲明為：㈠原處分關於「更正後請求項1、8、21、22 、24、25舉發不成立」部分及訴願決定均撤銷。㈡被告應為 「第I582836號發明專利更正後請求項1、8、21、22、24、2 5舉發成立，應予撤銷」之處分，業經被告及參加人同意（ 本院卷一第498頁），依行政訴訟法第111條第1項規定，核 無不合，應予准許。
二、原告於舉發或訴願中係以附表所示證據2、3、4及其證據組 合主張專利不具進步性，嗣於起訴後迄本院言詞辯論終結前 ，另提出如附表所示甲證3至5為新證據及後述本件爭點所示 之證據組合，核係就同一撤銷理由所提出之新證據，依智慧 財產案件審理法第70條第1項規定，本院就上開新證據及其 證據組合應予審究。至於原告於本院協議兩造及參加人為爭 點整理後之113年8月12日始提出如附表所示甲證6為新證據 ，並追加主張該證據與證據2、5之組合（含習知技術）足以 證明更正後專利請求項1、8、21、22不具進步性；及該證據 與證據2、4、5之組合足以證明更正後專利請求項24、25不 具進步性（本院卷二第347至357頁）。因甲證6之公開日為 西元2010年2月1日，原告並未釋明其有不可歸責之事由，不 能於本院113年3月4日行爭點整理時提出，且參加人表示亦 有延滯訴訟之情形，故依行政訴訟法第132條準用民事訴訟 法第276條規定即不得主張，本院不予納入新證據審酌，併 予敘明。
貳、實體事項：
一、爭訟概要：
(一)訴外人美商尖端科技材料股份有限公司前於100年2月25日以 「用以增進離子植入系統中之離子源的壽命及性能之方法與 設備」向被告申請發明專利，並以西元2010年2月26日及10 月7日申請之美國第61/308,428及61/390,715號專利案主張 優先權，經被告編為第100106476號審查，嗣訴外人陸續於 102年1月18日、103年11月19日提出同名之發明專利分割申 請書，經被告另編為第102101998、103133042、103140114 號等申請案；其中申請第103140114號專利案之申請權讓予 參加人，並經被告於106年5月11日准予專利，發給發明第I5 82836號專利證書（申請專利範圍共25項，下稱系爭專利） 。參加人另於106年7月5日提出系爭專利更正本（更正說明 書及請求項1、6至8、21至23，並刪除請求項2、4、5、9、1 0、13至20），經被告准予更正並公告。
(二)原告於111年3月18日以系爭專利有違核准時專利法第22條第 2項規定，提起舉發。參加人於111年7月5日提出系爭專利申 請專利範圍更正本（更正請求項1，並刪除請求項6、7、11 、12）。案經被告審查後，以112年4月20日（112）智專三㈡ 04201字第11220365390號專利舉發審定書為「111年7月5日 之更正事項，准予更正」、「請求項1、3、8、21至25舉發 不成立」、「請求項6至7、11至12舉發駁回」之處分（下稱 原處分）。原告對前揭舉發不成立之部分不服，提起訴願 ，經經濟部於112年8月30日以經訴字第11217305250號訴願
決定書（下稱訴願決定）予以駁回後，原告乃提起本件訴訟 。又本院認本件判決結果將影響參加人權利或法律上利益， 依職權命參加人獨立參加本件訴訟。而參加人復於113年2月 15日申請系爭專利更正（更正請求項1，並刪除請求項3、23 ），並經被告於同年3月21日核准在案。二、原告主張及聲明：
(一)甲證3、證據2及甲證5之組合、證據2及甲證3、5之組合，均 足以證明系爭專利更正後請求項1、8、21、22不具進步性： ⒈甲證3揭露系爭專利更正後請求項1之「一種用於離子植入之 封裝式（packaged）氣體混合物，包含一氣體儲存與分配容 器，含有一氣體混合物」、「該氣體混合物由摻質氣體及稀 釋氣體所組成」、「其中該摻質氣體為三氟化硼，且該稀釋 氣體包含氫氣」、「及其中該摻質氣體經同位素濃化（ isotopically enriched）至超過至少一種同位素的天然含 量（natural abundance level）」、「其中該氣體儲存與 分配容器構成單一氣體供應容器」等全部技術特徵，且更正 後請求項1並無足以區隔甲證3之技術特徵，更無足以區隔甲 證3之作用功效，故甲證3已揭露更正後請求項1之全部技術 特徵及作用功效，足以證明更正後請求項1不具進步性。又 系爭專利請求項8、21、22均依附於更正後請求項1，其分別 進一步增加之技術特徵，亦為甲證3之請求項24、請求項21 所揭露，故甲證3亦足以證明系爭專利請求項8、21、22均不 具進步性。
⒉證據2揭露系爭專利更正後請求項1中除「摻質氣體經同位素 濃化至超過至少一種同位素的天然含量」以外之全部技術特 徵。又甲證5除揭露「摻質氣體經同位素濃化至超過至少一 種同位素的天然含量」之技術特徵外，更提供將甲證5所揭 市售「經同位素濃化之三氟化硼」用於離子植入製程，作為 摻質氣體之教示及動機，並明示系爭專利所稱可達成之「增 進離子植入系統中之離子源的壽命及性能」等作用功效。因 此，所屬技術領域中具有通常知識者可輕易將甲證5市售「 經同位素濃化之三氟化硼」摻質氣體，作為摻質氣體用於證 據2所載傳統離子植入製程，而達成證據2及甲證5所載及系 爭專利所稱「增進離子植入系統中之離子源的壽命及性能」 之作用功效。此外，甲證5所揭ATMI公司「VAC」容器，即系 爭專利所建議使用之容器，故已揭露「藉由採用ATMI公司『V AC』容器而解決『穩定性及安全性』等技術問題」（甲證6亦可 佐證此技術問題在系爭專利最早優先權日前早已不存在）， 故甲證5所揭露解決技術問題之技術手段及其作用功效，皆 與系爭專利完全相同。因此，證據2與甲證5之組合足證系爭
專利更正後請求項1不具進步性。另請求項8、21、22均依附 於更正後請求項1，其分別進一步增加之技術特徵亦為證據2 所揭露，而證據2及甲證5之組合足證更正後請求項1不具進 步性，故證據2及甲證5之組合亦足以證明請求項8 、21、22均不具進步性。
⒊又甲證5提供在證據2所揭露「摻質氣體（三氟化硼）與稀釋 氣體（氫氣）」及甲證3所揭露「摻質氣體（同位素濃化之 三氟化硼）與稀釋氣體（氫氣）」混合氣體中，使用「硼11 經同位素濃化至99.7%之三氟化硼（11BF3）作為摻質氣體」 ，以及結合「系爭專利自認且甲證4已揭露之習知技術」的 教示及動機，故所屬技術領域中具有通常知識者，有足夠的 教示與動機去結合證據2與甲證3及甲證5，而完成系爭專利 更正後請求項1、8、21、22各項發明之整體。(二)甲證3、甲證3、4之組合、證據2及甲證5之組合、證據2及甲 證5、4之組合、證據2及甲證3、5之組合、證據2及甲證3、5 、4之組合，均足以證明系爭專利更正後請求項24、25不具 進步性：
⒈系爭專利更正後請求項24為「一種用於增進離子植入系統之 操作的方法，包含提供如請求項1所述之封裝式氣體混合物 以用於該離子植入系統中。」、請求項25為「一種離子植入 製程，包含：使來自如請求項1所述之封裝式氣體混合物的 一氣體混合物流入一離子源；從該離子源的該氣體混合物產 生多個離子摻質物種；以及將該等離子摻質物種植入一基板 中。」
⒉甲證3足以證明更正後請求項1不具進步性，已如前述，而甲 證3所揭示「摻雜」即「離子植入」，甲證3之混合物可用於 離子植入製程，故甲證3具有結合系爭專利自認且為甲證4所 揭露習知技術之教示與動機，將不具進步性的更正後請求項 1所述氣體混合物，使用於系爭專利自認且為甲證4所揭露之 習知技術「用於增進離子植入系統之操作的方法」，自難有 進步性可言。因此，甲證3，或甲證3與甲證4之組合，皆足 以證明系爭專利更正後請求項24、25不具進步性。 ⒊承前所述，證據2與甲證5足以證明更正後請求項1不具進步性 ，而將不具進步性的更正後請求項1所述氣體混合物，使用 於系爭專利自認且甲證4亦已揭露之習知技術「用於增進離 子植入系統之操作的方法」、「使來自封裝式氣體混合物的 一氣體混合物流入一離子源；從該離子源的該氣體混合物產 生多個離子摻質物種；以及將該等離子摻質物種植入一基板 中」，自無進步性可言。因此，證據2與甲證5之組合，或證 據2與甲證5及甲證4之組合，皆足以證明系爭專利更正後請
求項24、25不具進步性。此外，以市售之甲證3經同位素濃 化之三氟化硼作為摻質氣體，並依證據2之教示選擇氫氣作 為稀釋氣體，而實施證據2，使用於習知技術「用於增進離 子植入系統之操作的方法」、「離子植入製程」，即已落入 系爭專利更正後請求項24、25之文義範圍。自不應將「先前 技術（證據2與甲證5及習知技術）之單純組合」劃入專利權 範圍的角度考量，亦應認證據2與甲證5之組合，或證據2與 甲證5及甲證4之組合，皆足以證明系爭專利更正後請求項24 、25不具進步性。
⒋承前所述，所屬技術領域中具有通常知識者有足夠的教示與 動機，去結合證據2與甲證3及甲證5，亦有足夠的教示與動 機，去結合證據2與甲證3、甲證5及系爭專利自認且甲證4亦 已揭露之習知技術，從而完成系爭專利更正後請求項24、25 發明之整體。因此，證據2與甲證3、甲證5之組合，或證據2 與甲證3、甲證5及甲證4之組合，分別皆足以證明更正後請 求項24、25不具進步性。
(三)聲明：
⒈原處分關於「更正後請求項1、8、21、22、24、25舉發不成 立」部分及訴願決定均撤銷。
⒉被告應為「系爭專利更正後請求項1、8、21、22、24、25舉 發成立，應予撤銷」之處分。
三、被告答辯及聲明：
(一)依原告起訴理由對舉發審定時之證據組合所為原處分未有任 何爭執，足見原處分並無明顯瑕疵，原告係依智慧財產案件 審理法第70條第1項規定，另行提出新證據（即甲證3、甲證 4、甲證5），先予說明。
(二)證據2及甲證3、證據2及甲證3、5之組合，均足以證明系爭 專利更正後請求項1、8、21、22不具進步性： ⒈系爭專利發明目的係為增加離子植入製程之離子源的壽命與 性能，以避免先前離子植入製程技術引發之沉積物或摻質氣 體進行有害反應的發生，因此將「摻質氣體」加入「補充氣 體」，補充氣體的加入所形成之氣體混合物，可增進離子源 的性能與壽命而達成所請發明。又補充氣體包括「稀釋氣體 」與「共種氣體（視情況存在）」，而摻質氣體與補充氣體 之裝置容器，可以是裝置於各自分離之容器，亦可是裝置於 單一容器。
⒉證據2記載「具氣體混合之離子源的效能改良與生命期延長的 技術」，為了改善離子植入製程中常見的物質積聚、電極因 轟擊而被移除等造成離子源失效之原因，將摻雜氣體（對應 系爭專利之摻質氣體）加入了稀釋氣體（對應系爭專利之稀
釋氣體）所形成氣體混合物作為離子源，可延長離子源之效 能與生命期。證據2所載之摻質氣體為BF3，稀釋氣體為氫氣 ，與系爭專利有所對應。又證據2與系爭專利更正後請求項1 相較，未揭示者為「摻質氣體經同位素濃化至超過至少一種 同位素的天然含量」、「氣體儲存與分配容器構成單一氣體 供應容器」技術特徵。
⒊甲證3記載用於半導體工業所用之氣體源儲藏容器（參先前技 術)，該容器用於儲存與分配之容器，含有一氣體混合物（ 參發明内容，「提供一種用於儲存和輸送氣體的混合物」 ），該氣體混合物包含：摻質氣體（含硼氣體、三氟化硼） 、稀釋氣體（未反應氣體、氫氣）；該摻質氣體經同位素濃 化至超過至少一種同位素的天然含量（同位素富集之同型物 及其混合物；同位素富集與系爭專利之同位素濃化相當，亦 即高於天然含量），其中該氣體儲存與分配容器構成單一氣 體供應容器（用封閉的儲存容器儲存…帶有壓力調節器的氣 瓶）。因甲證3記載以單一容器容置證據2所需之氣體混合物 ，以便於儲存與輸送，則所屬技術領域中具有通常知識者為 便於儲存與輸送，當有動機將證據2與甲證3加以結合，而達 成系爭專利更正後請求項1所請，再對照先前技術，更正後 請求項1所請摻質氣體與稀釋氣體之混合物以增加離子源之 壽命與性能，並未有無法預期之功效。
⒋甲證5記載一種氣體儲存與分配容器構成之單一氣體供應容器 （ATMI公司之VAC容器產品），其作為三氟化硼（BF3）氣體 源之容器，容置經同位素濃化（Isotopically enriched ）之三氟化硼氣體混合物，該氣體供應容器能提供增加20% 之傳統離子束電流以及有更快的離子植入製程的產出。再者 ，甲證5之產品亦是作為用以容置系爭專利氣體混合物之氣 體供應容器，此可見於系爭專利說明書[0099]段內容。 ⒌綜上，證據2及甲證3之結合，足以證明系爭專利更正後請求 項1不具進步性，證據2及甲證3、5之結合亦當然足以證明系 爭專利更正後請求項1不具進步性。又請求項8、21、22為請 求項1之附屬項，因其進一步附屬之技術特徵均為證據2所揭 露，故證據2及甲證3、證據2及甲證3、5之結合，自足以證 明系爭專利更正後請求項8、21、22不具進步性。(三)甲證3，或甲證3、4之組合，或證據2及甲證5之組合，或證 據2及甲證5、4之組合，或證據2及甲證3、5，或證據2及甲 證3、5、4之組合，均足以證明系爭專利更正後請求項24、2 5不具進步性：
⒈請求項24所請為將請求項1之封裝式氣體混合物用於增進離子 植入系統之操作方法，請求項25所請為將請求項1之封裝式
氣體混合物用於離子植入製程中。而甲證3足以證明系爭專 利更正後請求項1不具進步性理由，已如前述，且將甲證3之 混合氣體用於離子植入系統，係為該所屬技術領域中具有通 常知識者能輕易完成，此由系爭專利說明書之先前技術亦有 關於摻雜氣體源作為離子植入操作所用之內容，亦能佐證其 為該技術領域中具有通常知識者能輕易完成者。執此，甲證 3與系爭專利自陳先前技術之結合，足以證明系爭專利更正 後請求項24、25均不具進步性。
⒉甲證3足以證明請求項24、25不具進步性，已如前述。而依甲 證4之先前技術記載關於離子植入系統之操作方法，說明了 離子植入系統係藉由將摻質氣體解離成離子源後再進行離子 植入而達成摻雜之目的，甲證4亦能佐證將甲證3之混合氣體 用於離子植入系統。執此，甲證3與甲證4之結合，足以證明 系爭專利更正後請求項24、25均不具進步性。 ⒊證據2及甲證5之結合足以證明系爭專利更正後請求項1不具進 步性理由，已如前述。而將證據2及甲證5結合後之混合氣體 用於離子植入系統，係為該所屬技術領域中具有通常知識者 能輕易完成，此由系爭專利說明書之先前技術亦有關於摻雜 氣體源作為離子植入操作所用，亦能佐證其為該技術領域中 具有通常知識者能輕易完成者。執此，證據2、甲證5及系爭 專利自陳先前技術之結合，足以證明系爭專利更正後請求項 24、25不具進步性。另甲證4之先前技術記載關於離子植入 系統之操作方法，說明了離子植入系統係藉由將摻質氣體解 離成離子源後再進行離子植入而達成摻雜之目的，甲證4亦 能佐證將甲證3之混合氣體用於離子植入系統。執此，證據2 、甲證5及甲證4之結合，足以證明系爭專利更正後請求項24 、 25均不具進步性。
⒋承上，甲證3與系爭專利自陳先前技術之結合；證據2、甲證5 及系爭專利自陳先前技術或證據2、甲證5及甲證4之結合； 甲證3與甲證4之結合，均足以證明系爭專利請求項24、25不 具進步性，則證據2及甲證3、5或證據2、甲證3、4、5之結 合，當然足以證明系爭專利更正後請求項24、25均不具進步 性。
(四)聲明：原告之訴駁回。
四、參加人答辯及聲明：
(一)甲證3不足以證明系爭專利更正後請求項1、8、21、22不具 進步性：
⒈系爭專利更正後請求項1之摻質氣體及稀釋氣體係以氣體混合 物形式，共同地裝在單一氣體容器中，藉由該氣體容器儲存 、分配及供應該氣體混合物，且該氣體容器所儲存之氣體混
合物僅含「經同位素濃化的三氟化硼」及「稀釋氣體（氫氣 ）」，而不含其他成分。
⒉甲證3容器儲存的是離子性液體混合物，系爭專利容器儲存的 是氣體混合物，兩者並不相同，甲證3之離子性液體混合物 必須含有離子性液體，系爭專利氣體混合物則不含此成分 ，是以甲證3並未提供任何以單一容器儲存如系爭專利之「 由摻質氣體及稀釋氣體所組成」之氣體混合物之技術指引 。另甲證3係使用離子性液體與氣體發生可逆的化學反應， 該「化學反應氣體」已不同於作為反應物之「氣體」本身， 且甲證3之「未反應氣體」無法對應於系爭專利之「摻質氣 體」、「稀釋氣體」或「（用於離子植入之）氣體混合物」 ，遑論對應於包含氫氣的稀釋氣體。故甲證3無法提供否定 進步性之因素，因此系爭專利之「封裝式氣體混合物」相較 於甲證3已非屬顯而易知，確具有進步性無誤。 ⒊況系爭專利具有有利功效或無法預期之功效，克服三氟化硼 與氫氣應分開儲存之技術偏見，以及系爭專利產品已獲得商 業上成功等肯定進步性之因素存在，足以認定系爭專利之「 封裝式氣體混合物」相較於甲證3確具有進步性。基上，甲 證3不足以證明系爭專利更正後請求項1不具進步性，當然亦 不能證明依附於請求項1之附屬項8、21、22不具進步性。(二)系爭專利更正後請求項24及25，係引用請求項1之引用記載 形式之獨立請求項。原告以系爭專利先前技術段落及甲證4 為據，宣稱請求項24及25所載技術特徵係屬習知，惟如前述 ，甲證3不足以證明更正後請求項1不具進步性，甲證3佐以 系爭專利先前技術段落或甲證4，當然亦不足以證明請求項2 4及25不具進步性。
(三)證據2及甲證5之組合、證據2及甲證3、5之組合，均不足以 證明系爭專利更正後請求項1、8、21、22不具進步性： ⒈證據2並未教示或建議任何「封裝式氣體混合物」，且證據2 揭示將「摻雜氣體源」與「稀釋氣體源」分開儲存，「預混 物」僅在使用當下短暫存在，亦即證據2所揭示内容無法給 出摻雜氣體（如三氟化硼）與稀釋氣體（如氫氣）可安全且 穩定地儲存於單一氣體容器之指引。而甲證5及甲證3亦均未 提供三氟化硼與氫氣可安全、穩定地儲存於單一氣體容器中 之技術指引，遑論進而促使通常知識者產生將證據2之分開 設置，且在使用當下才混合的「摻雜氣體」與「稀釋氣體」 儲存於單一氣體供應容器中之動機。
⒉甲證5之公開日期為西元2006年2月14日，則顯然經同位素濃 化之三氟化硼早在證據2申請前（申請日為西元2008年3月26 日、優先權日為西元2007年3月29日）即為已知，但證據2並
未提及任何經同位素濃化之摻質氣體，而是使用「互補性的 稀釋氣體」（即系爭專利之共種氣體）解決「氫」抑制離子 化所造成離子束電流降低之問題。依證據2所為教示，技術 手段是摻雜氣體與互補性的稀釋氣體之組合，以互補性的稀 釋氣體來稀釋摻雜氣體，用以在防止離子束電流減小之功效 下，同時延長離子源生命期；至原告援引證據2第19頁第14 行內容宣稱證據2具體教示以氫氣作為稀釋氣體云云，惟觀 其內容乃係基於所揭互補性組合/混合物之前提下「額外」 使用氫氣而言，亦即證據2從未教示或建議單獨使用氫氣作 為稀釋氣體可解決離子束電流減小之問題。然而，系爭專利 更正後請求項1則係以封閉式連接詞界定之「由摻質氣體以 及包含氫氣之稀釋氣體所組成」之氣體混合物，故證據2所 為教示內容顯然已為系爭專利所排除範圍。
⒊承前所述，經同位素濃化之三氟化硼及其功效與作用，早在 證據2申請前為此技術領域具有通常知識者所熟知，然證據2 卻未提及任何經同位素濃化之摻質氣體，遑論經同位素濃化 之三氟化硼。而系爭專利申請前，在此技術領域之通常知識 者不會以稀釋氣體來稀釋經同位素濃化之摻質氣體，這是因 為「濃化」的目的係提高特定摻質物種（例如11B）的濃度 以獲致所稱之功效（例如增強離子束電流），通常知識者在 已知加入稀釋氣體（氫）會導致離子束電流降低之下，實無 動機再將同位素濃化之摻質氣體與稀釋氣體（氫）組合；亦 即通常知識者並無動機將甲證5之同位素濃化之摻質氣體與 證據2結合，且系爭專利所請發明實屬非顯而易見，具有進 步性及無法預期之功效。退言之，縱認通常知識者有動機將 甲證5與證據2結合，亦無法輕易完成系爭專利所請發明。 ⒋原告另稱甲證3已提供在證據2之混合氣體中使用「經同位素 濃化之三氟化硼」作為「摻質氣體」的教示與動機。然甲證 3係教示離子性液體混合物，並非如原告所稱之氣體混合物 ，故通常知識者實無動機參考甲證3。縱使有將甲證5之同位 素濃化之三氟化硼與證據2結合，惟通常知識者理當以甲證5 之經同位素濃化之三氟化硼置換證據2的摻雜氣體源，而在 導入離子源腔室之前才「預混合」經同位素濃化之三氟化硼 以及證據2的稀釋氣體源；況甲證3、5及證據2均未提供三氟 化硼與氫氣可安全、穩定地儲存於單一氣體容器中之技術指 引，已如前述，即甲證3無法使通常知識者認知到經同位素 濃化之三氟化硼與氫可安全、穩定地儲存於單一氣體供應容 器中。故縱認通常知識者有動機參考甲證3，將甲證5與證據 2結合，其顯然仍無法輕易完成系爭專利所請發明。又為了 防止降低離子束電流，證據2實際上教示用以達成其改良離
子源效能及延長離子源生命期的技術手段是「摻雜氣體」與 「互補性稀釋氣體」之組合。因此，縱使以甲證5所揭示之 同位素濃化的摻質氣體與證據2結合，獲得「同位素濃化之 摻質氣體」與「互補性稀釋氣體」之組合，此顯為系爭專利 「由摻質氣體以及包含氫氣之稀釋氣體所組成」所排除之範 圍。
⒌又系爭專利更正後請求項1之「封裝式氣體混合物」與證據2 所揭示内容之明顯差異（例如證據2未教示任何封裝式氣體 混合物，未揭示「預混物」可長期安全、穩定的儲存於單一 氣體容器中，使用系爭專利已排除之「互補性的稀釋氣體」 ），以及證據2結合甲證5或進一步結合甲證3，並未就前揭 差異提供通常知識者完成系爭專利發明之具體指引之事實， 可知並無否定進步性之因素，即系爭專利之「封裝式氣體混 合物」相較於證據2與甲證5之組合或其進一步與甲證3之組 合，已非屬顯而易知，確具進步性甚明。再者，系爭專利更 正後請求項1相較於證據2與甲證5之組合或其進一步與甲證3 之組合，已展現有利且無法預期之功效、克服三氟化硼與氫 氣應分開儲存之技術偏見、更獲得商業上之成功，是以證據 2及甲證5、或證據2及甲證3、5之組合，自不足以證明系爭 專利更正後請求項1不具進步性，當然亦不能證明依附於請 求項1之附屬項8、21、22不具進步性。
(四)系爭專利更正後請求項24及25，係引用請求項1之引用記載 形式之獨立請求項。原告以系爭專利先前技術段落及甲證4 為據，宣稱請求項24及請求項25所載技術特徵係屬習知云云 。惟如前述，證據2及甲證5、或證據2及甲證3、5之組合， 不足以證明系爭專利更正後請求項1不具進步性，前述組合 佐以系爭專利先前技術段落或甲證4，當然亦不足以證明請 求項24及25不具進步性。
(五)聲明：原告之訴駁回。
五、本件爭點：
(一)甲證3、證據2及甲證5之組合、證據2及甲證3、5之組合，是 否足以證明系爭專利更正後請求項1、8、21、22不具進步性 ？
(二)甲證3、甲證3、4之組合、證據2及甲證5之組合、證據2及甲 證5、4之組合、證據2及甲證3、5之組合、證據2及甲證3、5 、4之組合，是否足以證明系爭專利更正後請求項24、25不 具進步性？
六、本院判斷：
(一)應適用之法律：系爭專利申請日為100年（西元2011年）2月 25日，於106年1月20日經審定准予專利並於同年5月11日公
告，參加人於111年3月18日提起舉發，依專利法第71條第3 項規定，系爭專利有無撤銷原因，應依當時核准審定之106 年1月18日修正公布、同年5月1日施行之專利法為斷（下稱 專利法）。又依專利法第22條第2項規定：「發明雖無前項 各款所列情事，但為其所屬技術領域中具有通常知識者依申 請前之先前技術所能輕易完成時，不得取得發明專利。」。(二)系爭專利之申請專利範圍：
⒈系爭專利主要圖式：如附圖所示。
⒉申請專利範圍：
系爭專利經113年3月21日更正後專利範圍計6個請求項（即 請求項1、8、21、22、24、25），其中請求項1、24及25為 獨立項，其餘請求項為附屬項，分別如下：
請求項1：一種用於離子植入之封裝式（packaged）氣體混 合物，包含一氣體儲存與分配容器，含有一氣體 混合物【1A】，該氣體混合物由摻質氣體及稀釋 氣體所組成【1B】，其中該摻質氣體為三氟化硼( BF3)，且該稀釋氣體包含氫氣(H2)【1C】，及其 中該摻質氣體經同位素濃化（isotopically enriched）至超過至少一種同位素的天然含量（ natural abundance level）【1D】，其中該氣體 儲存與分配容器構成單一氣體供應容器。【1E】 請求項8：如請求項1所述之封裝式氣體混合物，其中該稀釋 氣體尚包含至少一種選自由氬、氟、氮、氦、氨 和氙所組成群組之氣體。
請求項21：如請求項1所述之封裝式氣體混合物，其中該氣 體混合物包含三氟化硼(BF3)、氫氣(H2)和氙氣 。
請求項22：如請求項1所述之封裝式氣體混合物，其中該氣 體混合物係由三氟化硼(BF3)和氫氣(H2)所組成 。
請求項24：一種用於增進離子植入系統之操作的方法，包含 提供如請求項1所述之封裝式氣體混合物以用於 該離子植入系統中。
請求項25：一種離子植入製程，包含：使來自如請求項1所 述之封裝式氣體混合物的一氣體混合物流入一離 子源；從該離子源的該氣體混合物產生多個離子 摻質物種；以及將該等離子摻質物種植入一基板 中。
(三)附表所示證據2、甲證3、甲證4之公開或公告日均早於系爭 專利之最早優先權日（西元2010年2月26日），又依甲證5之
產品型錄（本院卷一第172頁），其發佈日則可推定為西元 2005年12月31日，亦早於系爭專利之最早優先權日，均可作 為系爭專利申請前之先前技術。
(四)甲證3不足以證明系爭專利更正後請求項1、8、21、22不具 進步性：
⒈甲證3不足以證明系爭專利更正後請求項1不具進步性： ⑴甲證3揭露一種用於儲存及輸送氣體的離子性液體混合物 ，該混合物包含離子性液體、與該離子性液體發生化學反 應之氣體，以及未反應氣體（參甲證3之請求項21、24， 本院卷一第108頁），且所得混合物可以是液體、晶狀固 體、玻璃狀固體或其混合物（參甲證3說明書第14頁第15 至16行，同上卷第74頁），依甲證3說明書第25頁末段至 第26頁首段另記載「在某些實施方案中，本文中描述的混 合物可以用封閉的儲存容器儲存，該儲存容器為，例如但 不限於帶有壓力調節器的氣瓶。」（同上卷第85、86頁） 。是以，甲證3已揭露將包含有離子性液體、化學反應氣 體與未反應氣體所組成之混合物，一同封裝於氣瓶（氣體 儲存與分配容器）等相關技術內容。
⑵系爭專利更正後請求項1之標的名稱為「封裝式氣體混合物 」，且以封閉式寫法將氣體混合物限定為由「摻質氣體 」（經同位素濃化之三氟化硼(BF3)）和「稀釋氣體」（ 包含氫氣）所組成，不含有氣體以外之成分。然因甲證3 所揭露者係離子性液體基礎混合物，除化學反應氣體、未 反應氣體之外，尚包含有離子性液體，與更正後請求項1 之整體僅包含氣體混合物（摻質氣體及稀釋氣體），並不 相同，即未揭露系爭專利更正後請求項1之要件【1A】及 【1B】（即一種用於離子植入之封裝式氣體混合物，…， 含有一氣體混合物，該氣體混合物由摻質氣體及稀釋氣體 所組成」之技術特徵。
⑶又系爭專利更正後請求項1之要件【1C】（即該摻質氣體為 三氟化硼(BF3)，且該稀釋氣體包含氫氣(H2)」，原告 雖主張已揭露於甲證3之請求項21「該化學反應氣體…並 選自…三氟化硼、…、四氟化鍺、…、同位素富集的同型 物及其混合物」（本院卷一第108頁），及其請求項24 記載「該未反應氣體包含惰性氣體，其選自…、氫、…、 氡及其混合物」（同上頁）。惟甲證3之請求項21、24 所記載之三氟化硼、氫氣，分係化學反應氣體群組、未 反應氣體群組中各別其中一種氣體，亦即甲證3未明確 揭露請求項1要件【1C】有關「三氟化硼與氫氣」的特 定氣體混合物。再者，甲證3說明書揭露共16個實施例
，僅實施例16提及氫氣，其記載「…至少部分PH3與BMIM +Cu2Cl3發生化學反應產生了一種混合物。使用氣相色 譜對容器頂部空間中含有的約1升氣體進行分析。除了P H3，頂部空間還包含
…大約1%體積的氫氣。將容器在抽空的500mL平衡器中曝露 10次，從而使大約1升體積的氣體從頂部空間和混合物中 除去。」（參甲證3說明書第42頁，本院卷一第102頁） ，可知氫氣係化學反應過程之副產物，並非刻意添加之氣 體，並需加以移除或盡量降低占整體混合物之比例，足見 甲證3之實施例16記載之氫氣並非作為稀釋氣體，難謂有 揭露系爭專利更正後請求項1要件【1C】之「該稀釋氣體 包含氫氣(H2)」技術特徵。
⑷基上，甲證3之混合物包含有離子性液體，不同於系爭專利 更正後請求項1之氣體混合物，且未明確揭露請求項1之 摻質氣體為經同位素濃化的三氟化硼(BF3)，與包含氫 氣之稀釋氣體的特定混合氣體等技術特徵；又系爭專利 藉由前述技術特徵，相較於未使用同位素濃化摻質及/ 或補充材料的離子植入系統和製程，具有增進離子源壽 命與性能（參系爭專利說明書第【0026】段）之有利功 效，並非由甲證3之技術內容所能預期，故甲證3不足以