智慧財產及商業法院民事判決
112年度民專上更一字第4號
上 訴 人 冠榮科技股份有限公司
法定代理人 王冠宇
訴訟代理人 吳尚昆律師
葉思慧律師
李家賢專利師
被 上訴 人 翁榮財
蔡政達
方敏郎
陳金川
上四人共同
訴訟代理人 呂光律師
湯舒涵律師
張聰耀律師
曾鈺珺律師
上列當事人間確認專利權等（勞動）等事件，上訴人對於中華民
國108年5月27日本院107年度民專訴字第98號第一審判決提起上
訴，並追加備位之訴，經本院前審判決（案號：108年度民專上
字第27 號）後，最高法院第一次發回更審，本院於113年5月9日
言詞辯論終結，判決如下：
主 文
一、原判決關於駁回上訴人後開第二、三項之訴部分，暨訴訟費 用之裁判廢棄。
二、確認中華民國第I595110號「以真空離子蒸鍍法製備多元合 金反應性鍍膜製程」發明專利及第M530826號「真空離子蒸 鍍材料結構」新型專利之專利申請權為上訴人所有。三、被上訴人應移轉中華民國第I595110號「以真空離子蒸鍍法 製備多元合金反應性鍍膜製程」發明專利及第M530826號「 真空離子蒸鍍材料結構」新型專利之專利權予上訴人。四、第一審、第二審（含追加之訴）及發回前第三審訴訟費用， 由被上訴人負擔。
事實及理由
壹、程序事項：
一、依現行智慧財產案件審理法(民國112年1月12日修正、同年8 月30日施行)第75條第1項前段規定：「本法中華民國112年1 月12日修正之條文施行前，已繫屬於法院之智慧財產民事事 件，適用本法修正施行前之規定。」本件係智慧財產案件審 理法修正施行前繫屬於本院，應適用修正前之規定，合先敘 明。
二、上訴人於原審依侵權行為及不當得利之法律關係，起訴請求 確認中華民國發明第I595110號「以真空離子蒸鍍法製備多 元合金反應性鍍膜製程」專利（下稱系爭專利1），及新型 第M530826 號「真空離子蒸鍍材料結構」專利（下稱系爭專 利2）之專利申請權及專利權為上訴人所有；被上訴人應移 轉系爭專利1、2之專利權予上訴人。上訴人就原審駁回其「 確認專利申請權」與「請求移轉專利權」部分提起上訴，並 於前審主張若本院認為兩造對系爭專利1、2 均有實質貢獻 ，則追加備位之訴請求確認系爭專利1、2 之專利申請權為 兩造「共有」；被上訴人應將系爭專利1、2 之專利權登記 為兩造「共有」。前審因其前開追加備位之訴與原訴請求之 基礎事實同一而准許上訴人所為之追加，本院亦同此認定。貳、實體事項：
一、上訴人主張：
㈠被上訴人翁榮財、方敏郎、蔡政達（下稱翁榮財3人）原為上 訴人之員工，於民國105年3月至6月間陸續離職後，與被上 訴人陳金川於同年6月30日、7月4日共同擅自將上訴人已有 之真空離子蒸鍍生產流程與機器設備相關技術，向經濟部智 慧財產局（下稱智慧局）申請取得系爭專利1，及系爭專利2 （系爭專利1、2合稱為系爭專利）。系爭專利技術內容來自 於上訴人已有之生產流程與機器設備，被上訴人並無實質貢 獻，上訴人始為系爭專利之專利申請權人，應由上訴人取得 系爭專利之專利權等情，依民法第179條、第184條第1項前 段、第185條規定，擇一求為確認系爭專利之專利申請權為 上訴人所有，並應將系爭專利移轉予上讓人；如認兩造對於 系爭專利均有實質貢獻，亦應由兩造共有該專利申請權及專 利權等情，求為確認系爭專利之專利申請權為兩造共有，並 應將系爭專利登記為兩造共有。
㈡上訴人所主張之「型號CIP-801之HCD真空離子蒸鍍設備」(下 稱CIP-801設備)及其製程與「型號DASH-800設備」（下稱DA SH-800設備)及其製程均為上訴人公司固有技術。CIP-801設 備及製程與被上訴人所辯稱之日本NACHI官網、相關論文與 公開資料等並不相同。又CIP-801設備已揭示系爭專利1請求 項1之技術特徵。系爭專利1請求項2至7、9、10依附於請求 項1，系爭專利1請求項8依附於請求項7，均與上訴人已有之 技術内容構成實質相同。CIP-801設備已揭示系爭專利2請求 項1之技術特徵。系爭專利2請求項2、3、4均依附於請求項1 與被上訴人已有之技術内容構成實質相同。另上訴人提出之 「CIP-801操作手冊」、「TiCrAIN初步測試結果報告」、93 年、97年、98年工作日誌及研發部工作紀綠等，係被上訴人
翁榮財、方敏郎於任職期間所製作，其内容均僅單純對於上 訴人已有之機器、製程為紀錄，並無實質貢獻。上訴人所提 相關生產製造流程、機器介面與系爭專利各請求項相比對， 其整體技術特徵差異甚微，不論元件之排列、構造、功能或 造型等均極其相似，二者應屬實質相同之創作，且上訴人之 相關技術並未對外公開，則被上訴人在接觸並知悉上訴人既 有的生產流程與機器設備之技術內容後，如謂被上訴人係依 據其巧思而獨立創作，而全未參考上訴人之技術成果，卻能 創作出與上訴人既有的生產流程與機器設備之發明構思，實 難諉為巧合。
㈢承前，因被上訴人未得上訴人同意擅將上訴人之鍍膜相關技 術以系爭專利公開，上訴人為避免被上訴人等再將上訴人公 司其他技術如「以送料、電子束掃瞄來達成多層合金膜」之 部分，造成上訴人公司損害繼續擴大，上訴人公司將其於西 元2017年送件申請發明專利（即被上證28所示「用以形成金 屬/陶瓷鍍膜的蒸鍍方法」方法專利），該項技術特徵與系 爭專利不同，屬實用方法。嗣因智慧局要求於進入實體審查 時上訴人必須提出上開技術更為詳細之方法及參數，上訴人 考量此部分內容仍屬於上訴人公司之營業秘密或工商秘密不 願公開，始放棄實審，絕非被上訴人所辯稱因無喪失新穎性 故無法取得專利云云。反而因上訴人曾提出該項技術申請發 明專利，被上訴人等即不能再以相同之技術內容申請並取得 專利權，上訴人藉此方法得以保護公司固有技術，不致再有 因被上訴人另申請專利導致上訴人固有其他鍍膜相關技術與 製程再度被公開。
二、被上訴人之答辯：
㈠CIP-801設備及製程之生產步驟與被上證6清大論文、被上證7 成大論文等公開資料所述常見鍍膜流程無異，被上證1「NAC HI官網列印本」、被上證2「NACHIPDF列印本」（前審卷二 第289頁以下）與被上證20「NACHI設備蒸鍍流程」（前審卷 五第163頁）揭露之NACHI鍍膜流程，亦包括「排気（即抽氣 ）-加熱-Bombardment（轟擊，即離子清潔）-Coating（即 蒸鍍）-冷卻」等步驟，而與上訴人主張CIP-801設備及製程 之鍍膜流程相同。又上證9「日本Nanotec公司DASH-800設備 說明書」、9-1「上訴人向日本Nanotec公司購入DASH-800設 備的收據」、上證36「DASH-800設備生產記錄」，均為DASH -800設備相關文件，自可相互勾稽為上訴人DASH-800設備及 其製程，並證明上訴人DASH-800設備及其製程確係來自於日 本Nanotec公司，而非上訴人之研發或創作，上訴人充其量 僅係向研發DASH-800設備及其製程之國外公司購入設備，並
使用他人研發之設備與製程。是以，上訴人自起訴迄今就CI P-801與DASH-800設備及其製程均未能提出任何研發或創作 資料、其提出的資料僅有自國外購入設備的單據以及其使用 該等國外購入設備的數據。實則，CIP-801與DASH-800設備 涉及的製程，係習知鍍膜設備製程，NACHI、Nanotec或其它 鍍膜公司官網與論文等資料均已公開，屬大眾得以知悉與學 習者，任何人均得以閱覽知悉其內容，被上訴人等縱使於任 職上訴人公司期間有接觸國外購入之鍍膜設備與製程，然不 得遽認CIP-801與DASH-800設備及其製程等公開技術即為上 訴人所獨有之技術。
㈡系爭專利1包含「將HCD、ARC、SPUTTER三種同時啟動進行鍍 膜」之技術特徵，CIP-801設備只單獨以HCD鍍金屬膜、DASH -800設備的離子鎗僅用來鍍類鑽膜而非金屬膜、DASH-800設 備的HCD鎗非供鍍膜之用、DASH-800設備的SPUTTER無金屬靶 材，因此上訴人公司使用CIP-801設備與DASH-800設備的多 年期間，均未能以HCD結合ARC、SPUTTER共同鍍金屬膜，上 訴人所提CIP-801之生產紀錄亦只有單獨用HCD製備合金鍍膜 的紀錄，則被上訴人等以HCD結合ARC、SPUTTER共同鍍金屬 膜之系爭專利技術特徵，即係被上訴人等於離職後所獨立發 想，與上訴人公司無關。
㈢被上訴人之系爭專利相繼公開後，上訴人方於2017年8月25日 就其使用之CIP-801設備與DASH-800設備製程提出專利申請 ，由於上訴人長年使用的CIP-801設備與DASH-800設備製程 係NACHI與Nanotec公司之習知製程而早已公開，上訴人根本 不可能就他人已公開之習知製程取得專利申請，故上訴人之 專利申請嗣後亦因未申請實體審查而結案。除此以外，上訴 人並無任何關於鍍膜製程之相關發明，上訴人之日常業務僅 係向第三人公司購入機台而為客戶進行鍍膜工作，並無任何 研發或創作之量能。
三、原審為上訴人全部敗訴之判決，上訴人不服，提起上訴，並 聲明：㈠原判決關於駁回上訴人後開第二、三之訴部分，暨 訴訟費用之裁判均廢棄。㈡確認系爭專利1、系爭專利2之專 利申請權為上訴人所有。㈢被上訴人應移轉系爭專利1、系爭 專利2之專利權予上訴人。另追加備位聲明：㈠確認系爭專利 1、系爭專利2之專利申請權為上訴人與被上訴人共有。㈡被 上訴人應將系爭專利1及系爭專利2之專利權登記為上訴人與 被上訴人共有。被上訴人答辯聲明：上訴及追加之訴均駁回 。經本院前審判決改判如其先位聲明，被上訴人不服本院前 審判決，提起上訴，經最高法院廢棄發回本院更審，於本件 第二審更審，上訴人上訴聲明為：㈠先位聲明：⒈原判決關於
駁回後開第二、三項之訴部分，暨訴訟費用之裁判均廢棄。 ⒉確認系爭專利1及系爭專利2之專利申請權為上訴人所有。⒊ 被上訴人等應移轉系爭專利1及系爭專利2之專利權予上訴人 。⒋第一、二審訴訟費用由被上訴人負擔。㈡備位聲明：⒈原 判決關於駁回後開第二、三項之訴部分，暨訴訟費用之裁判 均廢棄。⒉確認系爭專專利1及系爭專利2之專利申請權為上 訴人與被上訴人共有（上訴人誤載為上訴人即被上訴人共有 ，見本院卷第178、188頁）。⒊被上訴人應將系爭專利1及系 爭專利2之專利權登記為上訴人與被上訴人共有。⒋第一、二 審訴訟費用由被上訴人負擔。 被上訴人等答辯聲明：㈠上訴 及追加變更之訴均駁回。㈡訴訟費用由上訴人負擔。 四、本件法官依民事訴訟法第463條準用同法第270條之1第1項第 3款、第3項規定，整理兩造不爭執事項並協議簡化爭點如下 ：
㈠不爭執事項：
⒈被上訴人翁榮財、方敏郎、蔡政達原為上訴人公司員工，於 105年3月至6月間陸續離職，其三人與被上訴人陳金川於105 年6月30日、同年7月4日向智慧局申請系爭專利1、2，分別 於106年8月11日及105年10月21日公告。 ⒉CIP-801設備及其製程、多元合金靶材、DASH-800設備及其製 程均為系爭專利申請前已有之技術。被上訴人蔡政達於93年 1月起擔任設備部經理，被上訴人翁榮財於99年9月起擔任上 訴人公司薄一廠廠長，被上訴人方敏郎於98年12月起擔任上 訴人公司研發部經理，渠等3人受僱上訴人公司期間，知悉 且接觸上開多元合金靶材、CIP-801設備、DASH-800設備及 相關製程技術。
㈡本件爭點:
⒈被上訴人提出日本NACHI官網列印資料、相關論文為證據(見 前審卷二第285頁、第289頁以下，前審卷四第171頁以下、 第509頁以下、第555頁以下，前審卷五第155頁、第163頁以 下、第221頁、第245頁、257頁、第293頁）是否能證明「上 證6、上證20、上證33可相互勾稽為上訴人型號CIP-801之HC D真空離子蒸鍍設備及其製程」與「上證9、9-1、36可相互 勾稽為上訴人DASH-800設備及其製程」非為上訴人所有？ ⒉系爭專利1發明專利之專利申請權是否為上訴人所有、被上 訴人所有或兩造共有？
⒊系爭專利2新型專利之專利申請權是否為上訴人所有、被上訴 人所有或兩造共有？
⒋被上訴人是否應移轉系爭專利1發明專利及系爭專利2新型專 利之專利權登記為上訴人所有或兩造共有?
五、本院得心證之理由：
㈠本件確認之訴部分上訴人有即受確認判決之法律上利益： 按 確認法律關係之訴，非原告有即受確認判決之法律上利益者 ，不得提起之，為民事訴訟法第247條第1項前段所明定。而 所謂即受確認判決之法律上利益，係指因法律關係之存否不 明確，致原告在私法上之地位有受侵害之危險，而此項危險 得以對於被告之確認判決予以除去者而言（最高法院42年台 上字第1031號判例參照）。本件被上訴人雖向智慧局申請取 得系爭專利1、2之專利權，然上訴人主張其才是專利申請權 人，惟為被上訴人否認，顯然兩造就系爭專利1、2之權利歸 屬有所爭執，上訴人認其在法律上之地位有不安狀態存在， 而此種不安之狀態，能以本件確認判決將之除去，則上訴人 所提本件確認專利申請權之訴，堪認有確認利益。 ㈡專利申請權歸屬之判斷：
⒈按專利申請權指得依專利法申請專利之權利。專利申請權人 ，除本法另有規定或契約另有約定外，指發明人、新型創作 人、設計人或其受讓人或繼承人，專利法第5條定有明文。 由上開規定可知，專利申請權人係指發明人或創作人，所謂 「發明人」係指實際進行研究發明之人，「創作人」係指實 際進行研究創作新型之人，發明人或創作人均須係對申請專 利範圍所記載之技術特徵具有實質貢獻之人，其須就發明或 新型所欲解決之問題或達成之功效產生構想，並進而提出具 體而可達成該構想之技術手段。
⒉僱傭關係中職務上之創作或非職務上之創作的歸屬判斷，主 要是就受雇人之職務是否與其創作有關、該創作完成之時間 點是否於僱傭之期間内、受雇人之創作與系爭專利是否實質 相同、雙方當事人間有無契約約定專利申請權及專利權之權 利歸屬等予以探究。至於「實質相同」之判斷，於理解技術 内容時，不應侷限於系爭專利權和主張者所提之技術内容間 形式上的文字記載或表達上是否相同為斷，若發明/新型所 屬技術領域中具有通常知識者能判斷為二者均是敘述同一事 項，或者差異未逸脫主張者已擁有之針對解決技術問題或達 成功效所提出技術手段的内容，仍應認定為「實質相同」， 例如二者差異之技術內容不具新穎性或擬制喪失新穎性或基 於普遍使用或眾所周知的技術或基於普通技能的選擇，而對 於所欲解決之問題或達成功效之技術手段沒有造成實質影響 的情況。又是否構成實質相同，於判斷時必須仔細探求、逐 項認定主張者所擁有之技術内容與系爭專利申請專利範圍所 載之技術之異同，以資認定。
㈢上訴人所提供證據為系爭專利1、2申請前已有之技術：
⒈上證33為被上訴人方敏郎自CIP-801設備電腦操作畫面下載圖 片後編輯製作之「CIP-801操作手冊」；上證6為被上訴人翁 榮財任職於上訴人期間所完成之「TiCrAlN初步測試結果報 告」，該測試結果報告記載使用之鍍膜設備為CIP801；上證 20為爐號8-4401的生產操作紀錄表，測試日期為103年1月1 日，上訴人主張上證20係使用上證33操作手冊之CIP-801設 備，被上訴人對此並未爭執。因此上證6、上證20、上證33 可相互勾稽為上訴人型號CIP- 801之HCD真空離子蒸鍍設備 及其製程。
⒉上證1、2、3為被上訴人翁榮財在2004、2008、2009年任職 時之工作日誌、上證5為被上訴人翁榮財任職時之研發部工 作紀錄，上證1至3、5描述之多元合金靶材。 ⒊上證9為上訴人「多鎗物理氣相沉積DASH-800D2SH」（即DAS H-800設備）說明書英文版，上證9-1為上訴人於1999年11月 30日向日本Nanotec公司購買上證9設備之收據（前審卷一第 411頁），上證35為DASH-800設備之操作介面，上證36為使 用上證9之DASH-800設備進行離子鍍膜之生產操作紀錄，故 上證9、9-1、36可相互勾稽為上訴人DASH-800設備及其製程 。
⒋綜上，上訴人所提供上開證據足以證明為系爭專利1、2申請 前上訴人已有之技術。
㈣系爭專利1請求項1至10之發明與上訴人已有之技術為實質相 同發明，系爭專利1發明專利之專利申請權為上訴人所有： ⒈系爭專利1請求項1部分：
⑴按所謂的實質相同，係指系爭專利申請專利範圍中所載之技 術與「上訴人已有之技術」所揭露之技術無實質差異，只要 系爭專利申請專利範圍中所載之技術未逸脫「上訴人已有之 技術」之創作構思、技術手段及功效即足，兩者之文字及圖 式形式不必相同。
⑵系爭專利1請求項1是一種以真空離子蒸鍍法製備多元合金反 應性鍍膜製程，係於一真空蒸鍍爐所進行的製程，該製程的 步驟主要包含有：製備合金靶材，係備一筒狀坩鍋，該坩鍋 位於該真空蒸鍍爐中心，該坩鍋內置放了所需之固態的合金 靶材，該坩鍋內並配有環繞於合金靶材外圍的冷卻水路，而 所述合金靶材可為二元、三元、或多元合金靶材；加熱至材 料融化，對該坩鍋內材料進行加熱，以控制材料融化的階段 性，進而讓坩鍋內原料均勻地蒸發，蒸發上來的原子再被電 子束解離成離子；導以偏壓電源，於待鍍工件導以偏壓的同 時，配合電場磁場使離子加速，而該偏壓為5~1000V帶負電 之偏壓電源，電子束電流20~300A；導入反應氣體，係可選
擇性的在導以偏壓電源步驟之前或之後進行，在原子受該電 子束解離成離子的同時導入反應氣體，該反應氣體也受到該 電子束解離成離子，所述之反應氣體係依照靶材所形成之薄 膜而選擇；薄膜形成，被解離的正離子受帶負電之偏壓電源 吸引而撞上位於該坩鍋周圍的待鍍工件，而於待鍍工件表面 排列形成合金薄膜；冷卻出爐，待於該待鍍工件表面形成0. 1~10μm之薄膜層後進行冷卻，冷卻後便可出爐。 ⑶依系爭專利1說明書先前技術第[0002]段「現有之技術中，尤 其以真空離子蒸鍍法…但多個靶材之間的熔點並不同，無法 克服在同一坩堝上同時置放二元、三元或多元靶材，僅可分 開在多個坩堝上分別置放不同的靶材，再依序的將各靶材鍍 上工件表面，但此方式所鍍上的表面薄膜是每層各別存在不 同材料特性，故各材料所可發揮的特性有限，實施蒸鍍的加 工製程效益也不佳」、第[0005]段「為達到前揭之目的，本 發明以真空離子蒸鍍法製備多元合金反應性鍍膜製程，係於 一真空蒸鍍爐所進行的製程，該製程係預先備一筒狀坩鍋， 該坩鍋位於該真空蒸鍍爐中心或外側，該坩鍋內置放了所需 之固態的合金靶材，該坩鍋內並配有環繞於合金靶材外圍的 冷卻水路，而所述合金靶材可為二元、三元、或多元合金靶 材，接著對該坩鍋內材料進行加熱，以控制材料融化的階段 性，進而讓坩鍋內原料均勻地蒸發，蒸發上來的原子再被電 子束解離成離子，於待鍍工件導以偏壓的同時(所述之偏壓 為5~1000V帶負電之偏壓電源，電子束電流20~300A)，配合 電場磁場使離子加速，選擇性的在導以偏壓電源步驟之前或 之後進行導入反應氣體，該反應氣體也受到該電子束解離成 離子，在被解離的正離子受帶負電之偏壓電源吸引而撞上位 於該坩鍋周圍的待鍍工件，而於待鍍工件表面排列形成合金 薄膜，待於該待鍍工件表面形成0.1~10μm之薄膜層後進行冷 卻，冷卻後便可出爐」、第[0006]段「藉此，該製程實現了 於單一坩堝上置放多元靶材並有效實施將該多元靶材鍍於工 件上，進而可發揮最佳的材料特性以及提昇加工製程的效益 者」，可知系爭專利1說明書第[0005]段所載製程對應系爭 專利1請求項1所界定之步驟技術特徵，以達成系爭專利1說 明書第[0006]段「藉此，該製程實現了於單一坩堝上置放多 元靶材並有效實施將該多元靶材鍍於工件上，進而可發揮最 佳的材料特性以及提昇加工製程的效益者」之功效。換言之 ，系爭專利係利用真空離子蒸鍍設備中使用單一坩堝上置放 多元合金靶材，依加熱至材料融化；導以偏壓電源；導入反 應氣體；薄膜形成之技術手段以達成單一坩堝上置放多元靶 材，並且鍍於工件上，以發揮最佳的材料特性以及提昇加工
製程的效益之功效。
⑷茲比較系爭專利1請求項1與上訴人已有之技術： ①上證33之CIP-801操作手冊第1頁自動製程畫面記載自動製 程依序執行抽氣、夾具旋轉、點鎗、加熱、離子清潔、蒸 鍍、打底鍍膜、單/多層鍍膜、冷卻及出爐之全自動離子 蒸鍍製程；第9-14頁記載第1頁自動製程操作流程（見前 審卷三第23、39至49頁），上證6之TiCrAlN鍍膜測試報告 記載使用上證33之鍍膜設備CIP-801，並且鍍材為外徑23m m的圓柱狀Ti-Al合金靶植入外徑40mm之鈦錠中，且在前述 結構上方中央位置放置一個ψ19mmx3mm的鉻錠，用以對螺 絲工件進行TiCrAlN鍍膜測試（見前審卷一第177頁），前 述內容可知，上證6之「鍍材由TiAlCr組成三元合金靶， 使用上證33之CIP-801設備之一空心陰極放電HCD真空離子 蒸鍍系統，依離子蒸鍍製程，用以對螺絲工件進行TiCrAl N鍍膜」，其中上證6之「鍍材由TiAlCr組成三元合金靶， 用以對螺絲工件進行TiCrAlN鍍膜」對應於系爭專利1請求 項1「製備多元合金反應性鍍膜製程」技術特徵，上證33 之CIP-801設備對應於系爭專利1請求項1「真空蒸鍍爐」 技術特徵，是以，前述內容已揭示系爭專利1請求項1之「 一種以真空離子蒸鍍法製備多元合金反應性鍍膜製程，係 於一真空蒸鍍爐所進行的製程」技術特徵。 ②上證33之CIP-801操作手冊第1頁記載CIP-801設備具有一 坩堝位於真空蒸鍍爐中心，且鍍材為TiAlCr三元合金靶已 如前述，又上證3之被上訴人翁榮財2009年工作日誌第43 頁記載鍍材為AlCr二元合金靶（見前審卷一第129頁）， 已對應系爭專利1請求項1之「製備合金靶材，係備一坩堝 ，該坩堝位於該真空蒸鍍爐中心，該坩堝內置放了所需之 固態的合金靶材，而所述合金靶材可為二元、三元、或多 元合金靶材」技術特徵。前述上訴人已有之技術內容雖未 揭示系爭專利1請求項1之「該坩堝內並配有環繞於合金靶 材外圍的冷卻水路」技術特徵，惟真空離子蒸鍍系統為控 制坩堝中的靶材成熔融狀並在鍍膜的過程維持穩定量的蒸 發，當會設置冷卻裝置在過熱時進行降溫控制，前述差異 技術特徵係使用於真空離子蒸鍍設備的坩堝之申請時的通 常知識，次查系爭專利之說明書之【發明內容】與【實施 方式】所載，並未以「該坩堝內並配有環繞於合金靶材外 圍的冷卻水路」為其改良特徵，亦未提及任何關於「該坩 堝內並配有環繞於合金靶材外圍的冷卻水路」對系爭專利 發明之目的「最佳的材料特性以及提昇加工製程的效益」 之影響，益證「該坩堝內並配有環繞於合金靶材外圍的冷
卻水路」為申請時的通常知識，是難認系爭專利1請求項1 所請「該坩堝內並配有環繞於合金靶材外圍的冷卻水路」 有明顯不同於前述上訴人已有之技術及功效。
③上證20為爐號8-4401的生產操作紀錄表使用上證33之鍍膜 設備CIP-801已如前述，上證20生產操作紀錄從加熱階段 到蒸鍍階段持續，蒸鍍時間第8分時，空心陰極鎗會形成 電子束射向坩堝，將金屬靶溶解並蒸發，此即「階段特殊 狀況記錄」記載「Cr完全共融合金靶」；隨後，氣態原子 解離，HCD蒸鍍形成該紀錄單「階段特殊狀況記錄」記載 最終層33多層鍍膜，已揭示系爭專利1請求項1之「加熱至 材料融化，對該坩堝內材料進行加熱，以控制材料融化的 階段性，進而讓坩堝內原料均勻地蒸發，蒸發上來的原子 再被電子束解離成離子」技術特徵。
④上證20生產操作紀錄，鈦底及蒸鍍階段的空心陰極鎗電子 束從68.8A逐漸增加至186.3A，並對待鍍工件上施加bias 電壓(偏壓)逐漸從154.3V降至88V，且控制電子束對焦之 下磁圈電流逐漸從5.84A降至0.71A再增至13.04A，以電場 磁場使離子加速，前述內容已揭示系爭專利1請求項1之「 導以偏壓電源，於待鍍工件導以偏壓的同時，配合電場磁 場使離子加速，而該偏壓為5~1000V帶負電之偏壓電源， 電子束電流20~300A」技術特徵。 ⑤上證20生產操作紀錄，氣體N2在蒸鍍階段由流量100逐漸 增加至156再降至128，氣體CH4則僅在蒸鍍後期加入，流 量由0逐漸增加至9，且於蒸鍍階段，在合金靶開始融熔， 導入反應氣體，用來生成內含N元素之多元合金薄膜，鈦 底及蒸鍍階段的工件之bias電壓逐漸從154.3V降至88V， 可知上訴人已有之技術內容為導入N2反應氣體，選擇導以 bias電壓之後進行，用來生成內含N元素之多元合金薄膜 ，前述內容已揭示系爭專利1請求項1之「導入反應氣體， 係可選擇性的在導以偏壓電源步驟……或之後進行，在原 子受該電子束解離成離子的同時導入反應氣體，該反應氣 體也受到該電子束解離成離子，所述之反應氣體係依照靶 材所形成之薄膜而選擇」技術特徵，其雖未揭示選擇式中 的「之前」，惟查系爭專利之說明書之【發明內容】與【 實施方式】所載，並未以「可選擇性的在導以偏壓電源步 驟之前進行」為其改良特徵，亦未提及任何關於選擇式中 的「之前」對系爭專利發明之目的「最佳的材料特性以及 提昇加工製程的效益」之有何影響，是難認系爭專利1請 求項1所請選擇式中的「之前」有明顯不同於前述上訴人 已有之技術及功效。
⑥上證20生產操作紀錄於蒸鍍期間對待鍍工件施加bias偏壓 ，使得被解離的正離子受偏壓電源而加速撞上待鍍工件， 「階段特殊狀況記錄」記載「多層第5層」、「第8層」… 「第30層」、「最終層33層」，顯示多層鍍膜厚度隨時間 變化逐漸成長(第2分鐘鍍膜厚度0.08μm、第8分鐘鍍膜厚 度0.32μm…第72分鐘鍍膜厚度4.15μm)，最終形成約4.3 9μm之薄膜，且上證33之CIP801操作手冊第1頁圖2記載形 成單層或多層鍍膜後，會經冷卻動作再出爐，已分別揭示 系爭專利1請求項1之「薄膜形成，被解離的正離子受帶負 電之偏壓電源吸引而撞上位於該坩堝周圍的待鍍工件，而 於待鍍工件表面排列形成合金薄膜」、「冷卻出爐，待於 該待鍍工件表面形成0.1~10μm之薄膜層後進行冷卻，冷 卻後便可出爐」技術特徵。
⑦綜上，系爭專利1請求項1所載之技術與上訴人已有之技術 所揭露之技術並無實質差異；申言之，系爭專利1請求項1 之發明與上訴人已有之技術為實質相同發明。 ⒉系爭專利1請求項2至10部分：
⑴系爭專利1請求項2至4所載之技術與上訴人已有之技術為實質 相同發明：
①系爭專利1請求項2係依附於請求項1，並界定「該製備合 金靶材之步驟中，預先位於該坩堝內之合金靶材上方置放 一過渡層之材料，該過渡層之材料係可在薄膜層的合金靶 材之前預先披覆於該待鍍工件表面上，進而形成所述之過 渡層」之附屬技術特徵。請求項3和請求項2均係界定合金 靶材具有過渡層材料及該材料披覆於待鍍工件位置，進而 形成所述之過渡層，差別在於請求項3將請求項2「合金靶 材上方置放一過渡層之材料」、「披覆於該待鍍工件表面 上，進而形成所述之過渡層」分別置換為「合金靶材內鑲 埋一過渡層之材料」、「披覆於該待鍍工件表面上或薄膜 層之間，進而形成具有過渡層的漸層式薄膜層」技術特徵 。請求項4和請求項3均係界定合金靶材具有過渡層材料及 該材料披覆於待鍍工件位置，進而形成所述之過渡層，差 別在於請求項4將請求項3「合金靶材內鑲埋一過渡層之材 料」、「披覆於該待鍍工件表面上或薄膜層之間，進而形 成具有過渡層的漸層式薄膜層」分別置換為「合金靶材上 方置放一過渡層之材料以及同時於合金靶材中鑲埋該過渡 層之材料」、「披覆於該待鍍工件表面上與薄膜層之間， 進而形成具有過渡層的漸層式薄膜層」技術特徵。 ②系爭專利1請求項1與上訴人所有之技術內容之比對，已如 前述。上證6之TiCrAlN鍍膜測試報告記載使用之鍍膜設備
為CIP-801，該設備使用之鍍材為外徑23mm的圓柱狀Ti-Al 合金靶植入外徑40mm之鈦錠中，且在前述結構上方中央位 置放置一個ψ19mmx3mm的鉻錠，對應於系爭專利1請求項2 「該製備合金靶材之步驟中，預先位於該坩堝內之合金靶 材上方置放一過渡層之材料」技術特徵，又上證20生產操 作紀錄之「鈦底」階段，記載調整上、下磁圈電流為7.83 A及5.84A，對焦於靶材上，首先會使Ti錠植入Ti-Al圓柱 的合金靶上放置的3mm厚之Cr錠開始融化，此即為「階段 特殊狀況記錄」提到「0.22μ合金靶才開始融開」、「Cr 完全共融合金靶」，使得於蒸鍍初期的鍍膜主成分為Cr過 渡層，對應於系爭專利1請求項2「該過渡層之材料係可在 薄膜層的合金靶材之前預先披覆於該待鍍工件表面上，進 而形成所述之過渡層」技術特徵，因此，前述內容已揭示 系爭專利1請求項2之附屬技術特徵。
③系爭專利1請求項3和請求項2差別，在於請求項2是界定將 過渡層材料放置於合金靶材上、請求項3是界定將其鑲埋 於合金靶材內已如前述，上證2第111頁記載「TiAlCrN測 試(邦杰Ti-Al50/50真空融煉，中入ψ19mmCr)」(前審卷 一第113頁)、上證2第145頁繪製圖式記載合金靶內鑲埋ψ X直徑的Cr棒(前審卷一第125頁)，上證5第49、95頁記載 「TiAlCrN(邦杰Ti-Al 50/50真空融煉，ψ19mm Cr)」(前 審卷一第153、169頁)對應於系爭專利1請求項3「合金靶 材內鑲埋一過渡層之材料」。又上證20揭示使得於蒸鍍初 期的鍍膜主成分為Cr過渡層已如前述，對應於系爭專利1 請求項3「披覆於該待鍍工件表面上或薄膜層之間，進而 形成具有過渡層的漸層式薄膜層」技術特徵，因此，前述 內容已揭示系爭專利1請求項3之附屬技術特徵。 ④系爭專利1請求項4和請求項3差別，在於請求項4是界定將 過渡層材料放置於合金靶材上及鑲埋於合金靶材內、請求 項3是界定將其鑲埋於合金靶材內等內容，已如前述。系 爭專利1請求項4係請求項2、3過渡層材料分別放置在「合 金靶材上方置放一過渡層之材料」、「合金靶材內鑲埋一 過渡層之材料」合併，系爭專利1請求項4與請求項2、3相 同技術特徵已對應於上訴人已有之技術，詳如請求項2、3 之比對說明。又上證20揭示使得於蒸鍍初期的鍍膜主成分 為Cr過渡層，亦已如前述，對應於系爭專利1請求項4「披 覆於該待鍍工件表面上與薄膜層之間，進而形成具有過渡 層的漸層式薄膜層」技術特徵，因此，前述內容已揭示系 爭專利1請求項4之附屬技術特徵。
⑤綜上，系爭專利1請求項2至4所載之技術與上訴人已有之
技術為實質相同發明。
⑵系爭專利1請求項5之發明與上訴人已有之技術為實質相同發 明：
①系爭專利1請求項5係依附於請求項1，並界定「在該真空 蒸鍍爐內設單一或多個傳統的SPUTTER濺射裝置或者ARC電 弧式放電濺射裝置，而該SPUTTER濺射裝置或者ARC電弧式 放電濺射裝置配置至少一種靶材物質，繼於蒸鍍初期、中 期或末段啟動該濺射裝置將靶材物質激發出來，藉此配合 坩堝之薄膜層的合金靶材而可形成漸層式或多段式的薄膜 層」之附屬技術特徵。系爭專利1請求項1與上訴人所有之 技術內容之比對，已如前述。
②換言之，系爭專利1請求項5界定「真空蒸鍍爐內進行蒸鍍 過程中，該蒸鍍爐內更有設有單一或多個傳統的SPUTTER 濺射鎗或者ARC電弧鎗，以使得在蒸鍍初期、中期或末段 ，啟動SPUTTER濺射鎗或者ARC電弧鎗可配合HCD鎗一併將 合金靶材物質激發，形成漸層式薄膜層」之附屬技術特徵 ，惟查系爭專利1請求項5「真空蒸鍍爐內進行蒸鍍過程中 ，該蒸鍍爐內更有設有單一或多個傳統的SPUTTER濺射鎗 或者ARC電弧鎗…啟動SPUTTER濺射鎗或者ARC電弧鎗可配 合HCD鎗一併將合金靶材物質激發…」技術特徵，前述技
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