智慧財產及商業法院行政判決
112年度行專訴字第11號
民國112年9月21日辯論終結
原 告 美商唯亞威方案公司(VIAVI Solutions Inc.)
代 表 人 Kevin Siebert
訴訟代理人 謝祥揚律師（兼送達代收人）
潘皇維律師
李佶穎律師
被 告 經濟部智慧財產局
代 表 人 廖承威
訴訟代理人 陳俊宏
參 加 人 邱雅婷
訴訟代理人 張耀暉專利師（兼送達代收人）
輔 佐 人 李易儕
訴訟代理人 呂昆餘專利師
上列當事人間因發明專利舉發事件，原告不服經濟部中華民國11
2年2月1日經訴字第11106309780號訴願決定，提起行政訴訟，並
經本院命參加人獨立參加本件訴訟，本院判決如下：
主 文
原告之訴駁回。
訴訟費用由原告負擔。
事實及理由
壹、程序事項：
依現行智慧財產案件審理法（民國112年1月12日修正、同年 8月30日施行）第75條第3項前段規定：本法112年1月12日修 正之條文施行前，已繫屬於法院之智慧財產行政事件，適用 本法修正施行前之規定。本件係智慧財產案件審理法修正施 行前繫屬於本院，應適用修正前之規定。
貳、實體事項：
一、事實概要：
原告前於102年7月15日以「光學濾波器及感測器系統」向被 告申請發明專利，並聲明以西元2012年7月16日申請之美國 第61/672,164號專利案主張優先權，經編為第102125288號 審查。嗣原告於106年1月20日申請分割出第106102014號「 光學濾波器及感測器系統」發明專利申請案，並經被告審 查後，准予專利（下稱系爭專利，申請專利範圍共27項）， 發給發明第I648561號專利證書。其後，參加人以系爭專利 違反核准時（即106年1月18日修正公布、同年5月1日施行) 專利法第22條第1項、第2項、第26條第2項、第4項等規定， 對之提起舉發。案經被告審查，以111年8月18日（111）智
專三（二）04457字第11120817520號專利舉發審定書為「請 求項1至26舉發成立，應予撤銷」及「請求項27舉發不成立 」之處分。原告不服前揭舉發成立部分之處分，提起訴願， 復遭經濟部為訴願駁回之決定，原告仍未甘服，遂依法提起 本件行政訴訟。本院因認本件判決結果，倘認為訴願決定及 原處分應予撤銷，參加人之權利或法律上利益恐將受有損害 ，爰依職權裁定命參加人獨立參加本件訴訟。 二、原告聲明請求訴願決定及原處分關於「請求項1至26舉發成 立，應予撤銷」部分均撤銷，並主張：
㈠原處分理由「請求項3、15、25、26所載『中心波長位移數值』 未為說明書所支持」，超出舉發理由「請求項2-4、15、16 、25、26未限定高折射率層的『消光係數』及『折射率』數值範 圍」範疇，屬專利法第75條所稱「舉發人未提出之理由及證 據」，被告之行為已構成職權審查。姑不論被告發動此職權 審查是否合法，被告未依法通知原告就此職權審查內容進行 答辯，對於原告構成突襲，違反行政程序法第102條、專利 法第75條及2021年版審查基準等相關規定，程序有重大瑕疵 。
㈡請求項所載事項如可由所屬技術領域具通常知識者參酌說明 書內容及申請時通常知識後獲取請求項所載發明內容，即應 認受說明書支持，並未要求說明書應一字不差記載請求項內 容，被告及參加人稱說明書應一字不差地重述請求項之發明 內容，顯誤解請求項應受說明書支持之規範原意。系爭專利 說明書已詳細揭示各該請求項之發明內容。
㈢「氫化矽層，其具有在800nm至1100nm波長範圍內大於3之折 射率及小於0.0005之消光係數」，僅係達成系爭專利目的較 佳（可選擇式）手段，並非解決「中心波長移位較大」所不 可或缺之技術特徵。系爭專利請求項2~4、15~16、25~26未 記載此等技術特徵，並未違反核准時專利法第26條第4項暨 專利法施行細則第18條第2項規定。
㈣證據2、4、5、6均未揭露系爭專利請求項2「中心波長在入射 角自0°至30°間之一改變之情況下在量值上位移小於20 nm」 之技術特徵，無法證明請求項2不具進步性。茲因請求項3-4 、15-16、25-26具有相同於請求項2之可專利性技術特徵， 因此基於請求項2具備進步性之理由，請求項3-4、15-16、2 5-26同樣具有進步性。此外，原處分雖另以證據2或證據2與 其他前案證據之組合得以證明系爭專利請求項1、6-10、11- 14、17-19、20-24不具新穎性或進步性。然被告就本件舉發 案逕依職權審查，未合法通知原告應就其職權審查部分提出 答辯，則原舉發程序即非適法，應全案發回被告另為適法之
處分。從而，前開系爭專利請求項1、6-10、11-14、17-19 、20-24有無新穎性或進步性之爭點，即應由被告於發回後 另為適法之處理。
三、被告聲明求為判決原告之訴駁回，並抗辯： ㈠系爭專利以氫化矽特定之折射率及消光係數獲得光學帶通濾 波器中心波長「移位小於20nm」、「移位約-12.2nm」、「 移位約-7.8nm」，系爭專利說明書並未記載氫化矽特定之折 射率及消光係數獲得「中心波長移位小於13nm」、「移位少 於12.5nm」等數值之技術特徵，系爭專利請求項之記載，形 式上即無法為說明書所支持。
㈡系爭專利說明書未記載請求項3、15、25之「移位小於13nm」 、請求項26之「移位少於12.5nm」等數值，上開數值端點未 記載於說明書。又系爭專利為第102125288號分割案，原申 請案申請時說明書、申請專利範圍或圖式所揭露之範圍未揭 露系爭專利請求項3、15、25、26之「移位小於13nm」、「 移位少於12.5nm」，其本質即有分割超出之情形，該部分位 移數值亦未揭露於說明書，當然不為說明書所支持。 ㈢原處分之理由㈤-1-⑵點已指出系爭專利係為解決習知光學濾波 器中心波長隨著入射角改變產生較大移位，其氫化矽層，具 有800nm至1100nm波長範圍內大於3之折射率及小於0.0005之 消光係數，以達成減少光學濾波器之層數目、總塗層厚度以 及中心波長隨著入射角改變而移位之功效，上開技術特徵為 系爭專利必要技術特徵。又原告於訴願階段自承「系爭專利 已說明可調整、選擇氫化矽材料之折射率與吸收係數(消光 係數)最佳化光學濾波器進而解決光學濾波器中心波長位移 之問題」，益證原告亦認為上開技術特徵為系爭專利之必要 技術特徵。原告稱系爭專利「氫化矽層，其具有在800nm~11 00nm波長範圍內大於3之折射率及小於0.0005之消光係數」 僅係達成系爭專利目的較佳之手段，並非系爭專利解決問題 所不可或缺之技術特徵等云云，並不足採。 ㈣原處分所判斷請求項3、15、25~26描述之技術手段未記載於 說明書，無法為說明書所支持，未逾參加人所提證據與理由 範疇，非屬職權審查；又被告已將舉發理由書交付原告答辯 ，並於110年3月24日送達，惟原告逾期未答辯，被告依法逕 予審查，原處分程序並無不法，況且系爭專利請求項3、15 、25至26違反核准審定時之專利法第26條第2項規定外，另 有系爭專利請求項2至4、15至16、25至26違反核准審定時之 專利法第26條第4項暨施行細則第18條第2項規定，系爭專利 請求項9至11、18至20、22至23違反核准審定時之專利法第2 2條第1項第1款之規定；系爭專利請求項1、5至14、17至24
違反核准審定時之專利法第22條第2項之規定。 四、參加人聲明求為判決原告之訴駁回，並主張： ㈠被告對於系爭專利請求項3、15、25、26違反專利法第26條第 2項之處分係屬「依職權所進行的證據調查」，非為「職權 審查」，與專利法第75條規定無涉。又專利法第26條第2項 ，已經明確規定各請求項要符合「明確」、「簡潔之方式記 載」、「必須為說明書所支持」之三個要件。參加人於舉發 理由書中，已經主張請求項2、3、4、15、16、25、26違反 專利法第26條第2項，原告於原處分作成之前，必須針對系 爭專利請求項3、15、25、26是否違反專利法第26條第2項規 定中關於請求項所需要符合「明確」、「簡潔之方式記載」 、「必須為說明書所支持」的三個要件進行答辯，被告所作 成的原處分，不存在突襲之問題，也不存在依職權審查的情 況。
㈡系爭專利說明書的發明內容，係已記載原告所自認的可以用 來解決問題的技術手段所需「複數個氫化矽層，其各自具有 在800nm至1100nm之波長範圍內大於3之一折射率及在800nm 至1100nm之波長範圍內小於0.0005之一消光係數」之必要技 術特徵，由於請求項2、3、4、15、16、25、26，都沒有記 載該必要技術特徵，原處分所作「系爭專利請求項2、3、4 、15、16、25、26，因缺乏『氫化矽層，其具有在800nm至11 00nm波長範圍內大於3之折射率及小於0.0005之消光係數』之 必要技術特徵，違反專利法第26條第4條暨專利法施行細則 第18條第2項規定」並無違法。
五、本件法官依行政訴訟法第132條準用民事訴訟法第270條之1 第1項第3款、第3項規定，整理兩造及參加人不爭執事項並 協議簡化爭點如下：
㈠不爭執事項：
如事實及理由欄貳、一、事實概要所示。
㈡本件爭點：
⒈原處分是否有違反行政程序法第102條、專利法第75條規定? ⒉系爭專利請求項2~4、15~16、25~26是否違反專利法第26條 第4項暨施行細則第18條第2項？
⒊系爭專利請求項3、15、25、26是否違反專利法第26條第2項 ？
⒋證據2或證據2、3之組合，是否足以證明系爭專利請求項1、 6~8、13~14不具進步性？
⒌證據2；證據2、4之組合;證據2、4、5之組合;證據2、6之組 合;證據2、3之組合;證據2、3、4之組合;證據2、3、4、5之 組合;證據2、3、6之組合，是否足以證明系爭專利請求項2~
4不具進步性？
⒍證據2、3之組合；證據2、7之組合；證據2、3、7之組合是 否足以證明系爭專利請求項5、17、24不具進步性？ ⒎證據2是否足以證明系爭專利請求項9~11、18~20、22、23不 具新穎性？
⒏證據2是否足以證明系爭專利請求項9~11、18~20、22、23不 具進步性？
⒐證據2、3之組合；證據2、7之組合；證據2、8之組合；證據 2、9之組合，是否足以證明系爭專利請求項12不具進步性？ ⒑證據2；證據2、4之組合;證據2、4、5之組合;證據2、6之組 合，是否足以證明系爭專利請求項15、16、25、26不具進步 性？
⒒證據2或證據2、10之組合，是否足以證明系爭專利請求項21 不具進步性？
六、得心證之理由：
㈠查被告於107年11月13日審定核准系爭專利，故系爭專利是 否有應撤銷專利權之情事，自應以核准審定時所適用之106 年1月18日修正公布，同年5月1日施行之專利法規定為斷， 合先敘明。
㈡系爭專利技術分析:
⒈在一典型示意動作辨識系統中，一光源朝向一使用者發射近 紅外線光。一個三維(3D)影像感測器偵測由該使用者反射之 所發射光以提供該使用者之一3D影像。接著，一處理系統分 析該3D影像以辨識由該使用者做出之一示意動作。一光學濾 波器(更具體而言，一帶通濾波器)用以將所發射光透射至3D 影像感測器，同時實質上阻擋周圍光。換言之，光學濾波器 用於篩選出周圍光。因此，需要具有在近紅外線波長範圍( 亦即，800 nm至1100 nm)中之一窄通帶之一光學濾波器。參 考圖1至圖3，第一、第二及第三習用光學濾波器通常具有在 通帶內之一高透射率位準及在通帶外側之一高阻擋位準。然 而，通帶之中心波長隨著入射角之改變經受一相對大移位。 因此，通帶必須相對寬以接受在所需入射角範圍內之光，從 而增加經透射之周圍光之量且減小併入有此等習用光學濾波 器之系統之信雜比。此外，濾波器堆疊及阻擋堆疊中之大數 目之層增加製作此等習用光學濾波器中所涉及之費用及塗佈 時間。大總塗層厚度亦使得難以(例如)藉由光微影來圖案化 此等習用光學濾波器。為增強示意動作辨識系統中之光學濾 波器之效能，將期望減少層之數目、總塗層厚度及隨著入射 角改變之中心波長移位。一種方法係針對高折射率層使用在 800 nm至1100 nm之波長範圍內具有比習用氧化物高之一折
射率之一材料。除一較高折射率以外，材料亦必須在800 nm 至1100 nm之波長範圍內具有一低消光係數以便在通帶內提 供一高透射率位準。Lairson等人在標題為「Reduced Angle -Shift Infrared Bandpass Filter Coatings」之一文章(S PIE之會議記錄，2007年，6545卷，65451C-1至65451C-5頁) 中及Gibbons等人在標題為「Development and Implementat ion of a Hydrogenateda-Si Reactive Sputter Depositio n Process」之一文章(真空塗佈機協會之年度技術會議之會 議記錄，2007年，50卷，327至330頁)中皆揭示了在光學濾 波器中將氫化矽(Si：H)用於高折射率層。Lairson等人揭示 了在1500 nm之一波長下具有3.2之一折射率且在大於1000 n m之波長下具有小於0.001之一消光係數之一氫化矽材料。Gi bbons等人揭示了藉由交流電(AC)濺鍍生產之在830 nm之一 波長下具有3.2之一折射率且在830 nm之一波長下具有0.000 5之一消光係數之一氫化矽材料。遺憾地，此等氫化矽材料 在800 nm至1100 nm之波長範圍內並不具有一合適低消光係 數(摘系爭專利說明書第1頁[先前技術]第1、2、5、6、7段) 。
⒉系爭專利主要圖式如本判決附圖一所示。
⒊申請專利範圍分析:
系爭專利核准公告時申請專利範圍之請求項總計27 項，其 中請求項1、9、20、25為獨立項，其餘為附屬項，本件相關 之請求項1至26內容如下：
請求項1：一種光學濾波器，其包括：複數個氫化矽(hydrog enated silicon)層；及複數個較低折射率層，其 中該複數個較低折射率層包括至少一氧化物，其 中該複數個氫化矽層之至少一者比該複數個較低 折射率層之至少一者更厚；且其中該光學濾波器 具有與800nm至1100nm之一波長範圍至少部分重疊 之一通帶(passband)。
請求項2：如請求項1之光學濾波器，其中該通帶具有一中心 波長，且該中心波長在入射角自0°至30°間之一改 變之情況下在量值(magnitude)上移位(shifts)小 於20nm。
請求項3：如請求項1之光學濾波器，其中該通帶具有一中心 波長，且該中心波長在入射角自0°至30°間之一改 變之情況下在量值上移位小於13nm。
請求項4：如請求項1之光學濾波器，其中該通帶具有一中心 波長且該中心波長在入射角自0°至30°間之一改變 之情況下在量值上移位大約12.2nm。
請求項5：如請求項1之光學濾波器，其中該複數個氫化矽層 在830nm之一波長具有大於3.6之一折射率。 請求項6：如請求項1之光學濾波器，其中該複數個較低折射 率層包括二氧化矽(SiO2)、氧化鋁(Al2O3)、二氧 化鈦(TiO2)、五氧化二鈮(Nb2O5)、五氧化二鉭(T a2O5)及其一混合物中之至少一者。 請求項7：如請求項1之光學濾波器，其進一步包含：一第一 濾波器堆疊，其中該複數個較低折射率層之至少 一者係位於該複數個氫化矽層之兩個氫化矽層之 間。
請求項8：如請求項7之光學濾波器，其進一步包含：一第二 濾波器堆疊。
請求項9：一種光學濾波器，其包含：複數個氫化矽層，及 複數個較低折射率層，其中該複數個氫化矽層中 之至少一者比該等較低折射率層中之至少一者更 厚。
請求項10:如請求項9之光學濾波器，其中該光學濾波器具有 與一特定(particular)波長範圍至少部分重疊之 一通帶。
請求項11:如請求項9之光學濾波器，其中在一特定波長範圍 內該複數個氫化矽層具有大於3之一折射率。
請求項12:如請求項9之光學濾波器，其中在一特定波長範圍 內該複數個氫化矽層具有小於0.0005之一消光係 數(extinctioncefficient)。 請求項13:如請求項9之光學濾波器，其中該複數個較低折射 率層包括至少一氧化物。
請求項14:如請求項13之光學濾波器，其中該複數個較低折 射率層包括二氧化矽(SiO2)、氧化鋁(Al2O3)、二 氧化鈦(TiO2)、五氧化二鈮(Nb2O5)、五氧化二鉭 (Ta2O5)及其一混合物中之至少一者。
請求項15:如請求項9之光學濾波器，其中該光學濾波器具有 一通帶，該通帶具有一中心波長，且該中心波長 在一入射角自0°至30°間之一改變之情況下在量值 上移位小於13nm。
請求項16:如請求項9之光學濾波器，其中該光學濾波器具有 一通帶，該通帶具有一中心波長且該中心波長在 一入射角自0°至30°間之一改變之情況下在量值上 移位大約12.2nm。
請求項17:如請求項9之光學濾波器，其中在830nm之一波長 該複數個氫化矽層具有大於3.6之一折射率 。
請求項18:如請求項9之光學濾波器，其進一步包含：一第一 濾波器堆疊，其中該複數個較低折射率層之至少 一者係位於該複數個氫化矽層之兩個氫化矽層之 間。
請求項19:如請求項18之光學濾波器，其進一步包含：一第 二濾波器堆疊。
請求項20:一種光學濾波器，其包含：一第一濾波器堆疊， 其在一基板之一第一側，該第一濾波器堆疊包括 若干氫化矽層及一較低折射率材料之若干層之若 干交替層；及一第二濾波器堆疊，其在該基板之 一第二側，其中該等氫化矽層之至少一者比該較 低折射率材料之該等層之至少一者更厚。
請求項21:如請求項20之光學濾波器，其中該第二濾波器堆 疊包括二氧化矽(SiO2)及五氧化二鉭(Ta2O5)中之 至少一者。
請求項22:如請求項20之光學濾波器，其中該第二濾波器堆 疊具有0.1μm至1μm之一厚度。
請求項23:如請求項20之光學濾波器，其中該光學濾波器具 有小於10μm之一總塗層厚度。
請求項24:如請求項20之光學濾波器，其中在830nm之一波長 該等氫化矽層具有大於3.6之一折射率。
請求項25:一種光學濾波器，其包含：複數個層，其中該複 數個層包括若干氫化矽層及若干較低折射率層， 其中該等氫化矽層中之至少一者比該等較低折射 率層中之至少一者更厚，且其中該光學濾波器具 有一通帶且該通帶具有一中心波長，且該中心波 長在一入射角自0°至30°間之一改變之情況下在量 值上移位小於13nm。
請求項26:如請求項25之光學濾波器，其中該通帶在該入射 角之一改變之情況下在量值上移位少於12.5nm。 ㈢舉發證據技術分析:
⒈證據2係西元1995年3月14日公告之美國第5,398,133號「HIGH ENDURANGE NEAR-INFRARED OPTICAL WINDOW」專利案，其 公告日期早於系爭專利優先權日(2012年7月16日)可為系爭 專利相關之先前技術。證據2第5欄第28至60行揭露「除了近 紅外光流線式濾光器外，還可以使用疊加原理實現其他類型 的光學濾光器。當圖4中所示的近紅外光流線式濾光器的基 板背面用低通濾光器28塗佈時，得到窄帶通濾光器。窄通帶 的位置係藉由近紅外光高通濾光器26和低通濾光器28的層的 數量和厚度而確定。圖10顯示基於本發明的窄帶通濾光器的
結構的截面圖。近紅外光高通濾光器有14層，低通濾光器28 有13層。表3描述了13層低通濾光器的結構參數，其中a-SiN x:H作為離基板最遠的最後一層圖11顯示基於本發明的低通 濾光器28的透射率。在800-980nm波長範圍內，透射率超過9 5%並且與圖5中所示的近紅外光流線式濾光器的透射帶重疊 。在1040-1500nm波長範圍內，透射率幾乎等於零。因此， 一部分近紅外光被阻擋。圖12顯示基於本發明的窄帶通濾光 器的透射率。800-1000nm範圍內的透射率峰值為99.23%，帶 寬為185nm，具有近似矩形的形狀」，證據2主要圖式如本判 決附圖二所示。
⒉證據3為2004年6月10日公開之「a-Si:H/SiO2 multilayer fi lms fabricated by radio-frequency magnetronsputterin g for optical filters」技術文獻，其公開日期早於系爭 專利優先權日(2012年7月16日)，可為系爭專利相關之先前 技術。證據3選擇一對具有高折射率對比度的材料可減少多 層膜的總層數（高折射率對比度等於一種材料的高折射率除 以另一種材料的低折射率）。此類材料搭配有兩對，它們是 氫化非晶矽(α-Si:H)和二氧化矽(SiO2)，以及α-Si:H和氮化 矽(Si3N4)，它們的折射率對比度分別為2.5和2.0，而Ta2O5 /SiO2的折射率對比度為1.45因此，α-Si:H/SiO2多層膜的主 要優點是多層膜的總層數幾乎是Ta2O5/SiO2多層膜的一半( 參證據3第3548頁「1.Introduction」第17行)。圖4示出了α -Si:H折射率(n)和消光係數(k)，以及作為波長函數的誤差 欄。根據圖4，λ=1550 nm時的α-Si:H折射率估算為n = 3.59 ±0.015。λ=1550 nm時的α-Si:H消光係數估算約為k＜1×10-4 。α-Si:H膜的係數比非氫化α-Si膜（k = 5×10-3）的係數小 1個數量級。這樣小的值(k＜1×10-4 )足以用於多腔體BPF製 造（相當於損耗小於0.5 dB）(參證據3第3550頁左欄第2段) 。證據3主要圖式如本判決附圖三所示。
⒊證據4為2001年1月26日出版之「H Angus Macleod THIN-FI LM OPTICAL FILTERS Third Edition｣教科書第283至292頁 ，其公開日期早於系爭專利優先權日(2012年7月16日)，可 為系爭專利相關之先前技術。證據4如果在空氣中的人射角 為Θi， ，以及Δg以Θi和n*之形式
求出。傾斜之效應，接著，此理想的濾光片可以從入射角與 隔離層折射率的知識中被簡單的估計出來。對於小入射角， 可得到相移為：
這裡隔離層折射率n*決定它如何靈活的傾斜：較高的折射率 影響濾光片較少。對於真實的濾光片而言，反射器也受到傾
斜的影響，因此計算峰值波長的變化就更投入。然而，Pidg eon和Smith表明，這種相移類似於從具有隔離層折射率n*的 理想濾光片中所得到，濾光片層的高折射率和低折射率之間 的中間的n*稱為有效折射率。有效折射率的概念適用於相當 高的入射角度，高達20度或30度，甚至更高，具體取決於組 成濾光片的多層的折射率(證據7第284頁第1至15行)。對於 第一階濾光片
這是Pidgeon和Smith獲得的結果。當m→∞，則n*→nH，如 同我們所預期(證據7第286頁第5至8行)。證據4主要圖式如 本判決附圖四所示。
⒋證據5為2007年5月4日公開之「Reduced angle-shift infrar edbandpass filter coatings」技術文獻，其公開日期早於 系爭專利優先權日(2012年7月16日)，可為系爭專利相關之 先前技術。證據5在整個堆疊設計中使用高折射率材料可以 大大提高給定塗層厚度下的性能，或者大大降低實現設計所 需的總厚度。證據5討論了通過多層氫化矽實現的幾種設計 ，這些設計展示了在傾斜入射角下的改進性能(參證據5摘要 )。
⒌證據6為2009年3月18日公開之中國第CN101389982A號「分色 镜」專利案，其公開日期早於系爭專利優先權日(2012年7月 16日)，可為系爭專利相關之先前技術。證據6提供一種即使 雜散光的入射角變大，亦能使雜散光難以透射的分色鏡。玻 璃等透明基板(1)的一面形成有第1多層膜濾波器(2)，在另 一面形成有第2多層膜濾波器(3)。將多層膜濾波器(2)作為 低通濾波器，將多層膜濾波器(3)作為高通濾波器。並將多 層膜設計成因入射角的變化導致的分光透射特性的偏移，在 多層膜濾波器(3)大於在多層膜濾波器(2)。從而，即使在多 層膜濾波器(2)產生因分光透射特性的偏移而應被遮光的波 長透射的情形，亦能借助多層膜濾波器(3)的分光透射特性 的偏移來遮断該波長的透射。因此，可大幅降低以較大入射 角入射的雜散光透射過分色镜的比率。
⒍證據7為2007年11年4日公開之「Development and Implement ation of a Hydrogenated a-Si ReactiveSputter Deposit ion Process」技術文獻，其公開日期早於系爭專利優先權 日(2012年7月16日)，可為系爭專利相關之先前技術。當前 的目標應用需要一種能供多層干涉濾光片使用並具有足夠光 學色散的材料。材料須在大約800 nm至2500 nm之間發揮作 用；因此，膜在該波長範圍內的消光係數必須小於1×10-3。 證據7圖2和圖3分別示出了多個評估過程的折射率和消光係
數資料。除非另有說明，否則這些資料與使用中頻交流磁控 管陰極產生的樣品有關。值得注意的是，脈衝直流濺射工藝 產生的光學損耗並未符合預期應用的要求，但與直流濺射工 藝的其他文獻結果一致。交流濺射工藝資料的一般趨勢表明 ，通過增加工作氣體的壓力和氫成分，可將光學吸收降低至 可接受的水準。證據7主要圖式主要圖式如本判決附圖五所 示。
⒎證據8為2008年9月18日公開之美國第2008/0223436A1號「BAC K REFLECTOR FOR USE IN PHOTOVOTAIC DEVICE」專利案， 其公開日期早於系爭專利優先權日(2012年7月16日)，可為 系爭專利相關之先前技術。證據8技係關於一種含有背反射 層的光伏裝置。在本發明的某些示例性具體實施例中，背反 射層包含設置在光伏裝置背玻璃基板內表面上的金屬類反射 層。在某些示例性具體實施例中，背玻璃基板的內表面被紋 理化，使得沉積在其上的反射層也被紋理化，以便提供期望 的反射特性。在某些示例性具體實施例中，背玻璃基板和其 上的反射層被層壓至光伏裝置的前玻璃基板內表面，其間具 有主動半導體膜和（複數個）電極。圖6是示出根據本發明 示例性具體實施例的示例性a-Si太陽能電池中示例材料折射 率的折射率（n）對波長（nm）之曲線圖；而圖7是示出示例 性a-Si太陽能電池中示例材料吸光係數的吸光係數（k）對 波長（nm）之曲線圖。圖6至圖7示出了a-Si太陽能電池中作 為示例材料波長函數的折射率和吸光係數。在本發明的某些 示例性具體實施例中，對於相關的入射角範圍，在最佳化太 陽光譜的相關部分中考慮了這些n值和k值。一種非侵入性、 媒體鏈接及嵌入式資訊傳遞的方法和系統(參說明書第4段揭 示)，在提供登入憑證(即單一使用者的帳號及密碼)之後， 以進行驗證與後續登錄程序。證據8主要圖式如本判決附圖 六所示。
⒏證據9為1993年10月1日公開之「Amorphous silicon and amo rphous silicon nitride films prepared bya plasma-enh anced chemical vapor deposition process as optical c oating materials」技術文獻，其公開日期早於系爭專利優 先權日(2012年7月16日)，可為系爭專利相關之先前技術。 證據9透過電漿增強化學氣相沉積(PECVD)沉積在玻璃基板上 的實測a-Si:H與a-SiNx:H薄膜的光譜透射率與反射率曲線分 別如圖2及3所示。所有這些膜的折射率及厚度係透過參考文 獻11及12中先前報導的方法來確定。在固定沉積條件下，a- Si:H薄膜的折射率變化比a-SiNx：H薄膜大。這兩張膜的折 射率色散以及消光係數列於表2。為了說明監測沉積時間可
以控制電漿增強化學氣相沉積(PECVD)製程中的薄膜厚度， 僅透過監測沉積時間就設計並製造了二個五層帶通濾波器。 五層帶通濾波器的設計為空氣|(HLHHLH)|玻璃，其中H與L分 別對應於參考波長λ0=1400nm處的a-Si:H與a-SiNx:H的四分 之一波層。圖5(a)所示為一個峰值為1400nm的五層帶通濾波 器之一的測量光譜透射率，圖5(b)所示為另一每層減小4%的 光學厚度的光譜透射率。實線及實心圓分別表示濾波器的實 驗測量值及計算出的光譜透射率。這二種薄膜材料的電漿增 強化學氣相沉積(PECVD)製程的重現性透過二條曲線的疊加 得到證實。發現在5cm的直徑上約1.4%的厚度變化。證據9主 要圖式如本判決附圖七所示。
⒐證據10為1993年3年4日公開之「Coating design contest: a ntireflection coating for lenses to be used with nor mal and infrared photographic film」技術文獻，其公開 日期早於系爭專利優先權日(2012年7月16日)，可為系爭專 利相關之先前技術。證據10第553頁表格揭示得以二氧化矽 （SiO2）、五氧化二鉭（Ta2O5）等習知常見的氧化物作為 抗反射塗層之材料。
㈣系爭專利請求項2~4、15~16、25~26違反專利法第26條第4項 暨施行細則第18條第2項:
原告主張系爭專利說明書第11頁第14至16行所記「光學濾波 器600具有一寬入射角接受範圍。……針對一特定通帶藉由選 擇濾波器堆疊610之適合層數目、材料及/或厚度來最佳化光 學濾波器600之光學設計」可知，系爭專利已說明可調整、 選擇氫化矽材料之折射率與吸收係數（消光係數）最佳化光 學濾波器進而解決光學濾波器中心波長移位之問題，故系爭 專利「改良氫化矽材料在800nm至1100nm之波長範圍內，具 有一合適低消光係數(即小於0.0005之一消光係數)及高折射 率(即折射率大於3)」非必要技術特徵云云(參行政訴訟起訴 狀理由第六、七點，見本院卷一第40頁)。惟查： ⒈參照系爭專利說明書第2頁第14行記載「參考圖1至圖3，第 一、第二及第三習用光學濾波器……。然而，通帶之中心波長 隨著入射角之改變經受一相對大移位。因此，通帶必須相對 寬以接受在所需入射角範圍內之光，從而增加經透射之周圍 光之量且減小併入有此等習用光學濾波器之系統之信雜比」 、說明書第2頁倒數第2行記載「一種方法係針對高折射率層 使用在800nm至1100nm之波長範圍內具有比習用氧化物高之 一折射率之一材料。除一較高折射率以外，材料亦必須在80 0nm至1100nm之波長範圍內具有一低消光係數以便在通帶內 提供一高透射率位準」、說明書第3頁第8行記載「Lairson
等人揭示了在1500nm之一波長下具有3.2之一折射率且在大 於1000nm之波長下具有小於0.001之一消光係數之一氫化矽 材料。Gibbons等人揭示了藉由交流電(AC)濺鍍生產之在830 nm之一波長下具有3.2之一折射率且在830nm之一波長下具有 0.0005之一消光係數之一氫化矽材料。遺憾地，此等氫化矽 材料在800nm至1100nm之波長範圍內並不具有一合適低消光 係數」、說明書第3頁倒數第6行記載「複數個氫化矽層，其 各自具有在800nm至1100nm之波長範圍內大於3之一折射率及 在800nm至1100nm之波長範圍內小於0.0005之一消光係數」 與說明書第11頁第11行記載「光學濾波器600具有隨著入射 角之改變之一低中心波長移位。較佳地，隨著入射角自0°至 30°之一改變，通帶之中心波長在量值上移位小於20nm。因 此，光學濾波器600具有一寬入射角接受範圍」，可知系爭 專利之目的係在於改善「習用光學濾波器之系統之信雜比」 ，故藉由「改良氫化矽材料在800nm至1100nm之波長範圍內 ，具有一合適低消光係數(即小於0.0005之一消光係數) 及高折射率(即折射率大於3)」與「隨著入射角之角度改變 ，該中心波長之移位係滿足一上限值之關係」，方能達成改 善「習用光學濾波器之系統之信雜比」之功效。 ⒉然查，系爭專利請求項2~4、15~16、25~26並未界定「改良氫