智慧財產及商業法院行政判決
111年度行專訴字第61號
民國112年7月20日辯論終結
原 告 邱雅婷
訴訟代理人 彭國洋律師
徐念懷律師
黃立虹律師
輔 佐 人 張力鑫
被 告 經濟部智慧財產局
代 表 人 廖承威
訴訟代理人 陳俊宏
參 加 人 美商唯亞威方案公司
代 表 人 Kevin Siebert
訴訟代理人 謝祥揚律師
潘皇維律師
李佶穎律師
上列當事人間因發明專利舉發事件，原告不服中華民國110年8月
19日被告經濟部智慧財產局(111)智專三㈡04457字第11120820350
號行政處分關於舉發不成立部分，提起行政訴訟，並經本院命參
加人獨立參加訴訟，本院判決如下：
主 文
一、原告之訴駁回。
二、訴訟費用由原告負擔。
事實及理由
壹、程序事項：
一、被告原代表人洪淑敏已於民國112年3月13日退休，由廖承威 接任局長並於同年4月18日具狀聲明承受訴訟，此有經濟部 函文、行政院令及聲明承受訴訟狀在卷可稽(本院卷二第169 至173頁)，核無不合，予以准許。
二、原告於本件舉發時係提出如附表1之證據，並以附表2之「原 處分欄」所示證據組合主張本件專利不具進步性，嗣於本院 行政訴訟階段變更為如附表2之「訴訟階段欄」所示引證組 合，核係就同一撤銷理由所提出之新證據組合，依智慧財產 案件審理法第33條第1項規定，仍應予審究。貳、實體事項：
一、事實概要：
(一)參加人前於民國102年7月15日向被告申請「光學濾波器及感 測器系統」發明專利，申請專利範圍共29項，並以101年7月 16日申請之美國第61/672,164號專利案主張優先權，經被告 准予專利（專利公告第I576617號，下稱系爭專利）。嗣原
告以系爭專利違反核准時專利法第22條第2項、第26條第2項 、第4項及專利法施行細則第18條第2項等規定，提起舉發； 參加人乃於110年5月14日提出系爭專利申請專利範圍更正本 (更正獨立請求項1、20、28，並刪除附屬請求項12)。被告 於111年7月22日辦理聽證並依系爭專利更正本進行審查，以 同年8月19日(111)智專三㈡04457字第11120820350號專利舉 發審定書為「110年5月14日之更正事項，准予更正」、「請 求項1至11、13至29舉發不成立」及「請求項12舉發駁回」 之處分(下稱原處分)。
(二)原告就原處分關於舉發不成立之部分不服，而原處分係經聽 證作成之行政處分，依行政程序法第109條規定，其行政救 濟程序免除訴願程序，故原告逕予提起本件行政訴訟。因本 件訴訟結果，如認應撤銷原處分，參加人之權利或法律上利 益將受損害，故依職權裁定命其獨立參加本件訴訟。二、原告主張及聲明：
(一)系爭專利更正後請求項1、20、28(以下逕以請求項1、20、2 8稱之)，違反核准時專利法第26條第2項關於支持記載之要 件規定，原處分漏未審酌顯有違誤：
⒈原告已於109年9月25日專利舉發申請書及同年12月18日專利 舉發補充理由敘明請求項1、20、28有違反核准時專利法第2 6條第2項之規定，原處分就該部分並未列為爭點，遑論作實 體審查，自有漏未審酌之違法。
⒉請求項1所載技術特徵為：「一種光學濾波器…該複數個氫化 矽層具有在800nm至1lOOnm之一波長範圍内大於3之一折射率 及在800nm至llOOnm之波長範圍内小於0.0005之消光係數…」 即系爭專利請求項1所載之該複數個氫化矽層之整體或每一 層具有在800nm至llOOnm之一波長範圍内大於3之一折射率及 在800nm至llOOnm之波長範圍内小於0.000516之消光係數。 然觀系爭專利說明書第3至4頁[發明內容]第1至2段僅揭露： 複數個氫化矽層「各自」具有在800nm至llOOnm之波長範圍 内大於3之折射率及在800nm至llOOnm之波長範圍内小於0.00 05之消光係數。亦即系爭專利說明書所載該複數個氫化矽層 之每一層皆具有在800nm至llOOnm之一波長範圍内大於3之一 折射率及在800nm至llOOnm之波長範圍内小於0.0005之消光 係數。據此，請求項1表明所載之該複數個氫化矽層之整體 或每一層具有在800nm至llOOnm之一波長範圍内大於3之一折 射率及在800nm至llOOnm之波長範圍内小於0.0005之消光係 數，其中當該複數個氫化矽層之整體具有上述參數時，其中 有些層可以不滿足上述參數，則其内容顯已超出系爭專利說 明書揭露之範圍，違反核准時專利法第26條第2項及相關專
利審查基準之規定。
⒊再者，請求項28既與請求項1同樣記載「…該複數個氫化矽層 具有在800nm至llOOnm之一波長範圍内大於3之一折射率及在 800nm至llOOnm之波長範圍内小於0.0005之消光係數；…」之 技術特徵，是請求項28所載發明之内容亦同樣超出說明書揭 露之範圍，而未受到說明書與圖式所支持，違反核准時專利 法第26條第2項規定。
(二)請求項1、20、28違反核准時專利法第26條第4項及專利法施 行細則第18條第2項關於獨立項之必要技術特徵之規定： 原處分於第15頁第6行固稱「…濾波器結構及各層之厚度非系 爭專利不可或缺之必要技術特徵，且系爭專利圖7C、8B、9A 實施例已記載濾波器各層厚度有所不同，並無特定厚度是必 需的」。惟觀原處分第21頁第19行至第22頁第2行及第22頁 第17至25行內容，再以證據13(或證據13-1)圖5a與5b說明證 據13之五層帶通濾波器在每層減少4%光學厚度後，波長偏移 約150nm，並藉此主張實際膜厚之變化確實影響波長偏移之 模擬結果。然若原處分肯認證據13圖5a與5b所揭示之技術特 徵，即波長偏移確實會受到每層膜層之厚度變化而改變，則 請求項1、20、28必然需要具備特定之膜層厚度，或滿足特 定之膜層厚度關係始能達到小於20nm之波長移位。然原處分 於第15頁卻稱：濾波器結構及各層之厚度非系爭專利不可或 缺之必要技術特徵云云，與原處分於第21至22頁基於證據13 圖5a與5b之教示(實際膜厚之變化確實影響波長偏移之模擬 結果)，所持理由前後矛盾，顯有違誤。是請求項1、20、28 既未界定濾波器結構之各層厚度，即無從確定該等請求項所 載光學濾波器之帶通的中心波長之移位必小於20nm，即欠缺 申請專利之發明為解決問題所不可或缺之技術特徵，違反核 准時專利法第26條第4項及專利法施行細則第18條第2項之規 定。
(三)附表2「訴訟階段欄」所示證據組合足以證明請求項1至11、 13至29皆不具進步性：
⒈請求項1、28：
⑴請求項1與證據13之差異特徵在於「A.複數個氫化矽層具有 在800nm至llOOnm之一波長範圍内小於0.0005之消光係數 」以及「B.該通帶具有一中心波長，且該中心波長在入射 角自0°至30°間之一改變之情況下在量值(magnitude)上移 位(shifts)小於20nm。」，而證據17為系爭專利說明書先 前技術所提及「Development and Implementation of a Hydrogenated a-Si Reactive Sputter Deposition Process」技術文獻，其已揭露差異特徵「A.在800nm至ll
OOnm波長範圍内，消光係數小於0.0005的氫化矽層」以及 其製造方法。又證據13雖未明確記載其帶通濾波器之中心 波長移位量，惟依據光學濾光器技術領域之通常知識(例 如補強證據7)，即可教示證據13所揭露之帶通濾波器確實 具有其中心波長在入射角自0°至30°間之一改變之情況下 在量值上移位小於20nm之技術特徵，是證據13亦隱含差異 特徵「B.該通帶具有一中心波長，且該中心波長在入射角 自0°至30°間之一改變之情況下在量值(magnitude)上移位 (shifts)小於20nm。」。而本發明所屬技術領域中具有通 常知識者為進一步達成降低消光係數的需求，自有動機採 用證據17之低消光係數之氫化矽層來製作證據13之光學濾 波器，而得到請求項1所揭示「A.在800nm至llOOnm之波長 範圍内，具有折射率大於3及消光係數小於0.0005的複數 個氫化矽層以及折射率小於3的複數個較低折射率層」技 術特徵。
⑵請求項1與證據2之差異特徵在於「A.複數個氫化矽層具有 在800nm至llOOnm之一波長範圍内小於0.0005之消光係數 」以及「B.該通帶具有一中心波長，且該中心波長在入射 角自0°至30°間之一改變之情況下在量值(magnitude)上移 位(shifts)小於20nm。」而證據17已揭露上開差異特徵A ，已如前述。另證據2雖無明確記載請求項1所揭示之光學 濾波器的通帶所具有的中心波長在入射角自0°至30°間的 改變之情況下在量值上移位小於20nm。惟根據光學濾光器 技術領域之通常知識(例如補強證據7)，可教示證據2所揭 露之帶通濾波器確實具有「B.中心波長在入射角自0°至30 °間之一改變之情況下在量值上移位小於20nm」之技術特 徵，且依證據2圖10所揭示之膜層結構、材料及其折射率 、消光係數等設計參數所做出之模擬結果，亦可證明證據 2確實隱含而間接揭露上開差異特徵。
⑶另關於請求項1與證據2之差異特徵，已如前述。而證據3圖 7揭示氫化矽（特別係i-type的氫化矽）具有在波長範圍 在800nm至1100nm之間，低於0.0005的消光係數，因此上 開差異特徵A確已被證據3所揭露。而中心波長隨著入射角 在0°至30°間變化之移位量值(即上開差異特徵B)，屬於所 請光學濾波器中光學濾波器堆疊所載該複數個較低折射率 層與該複數個氫化矽層交替堆疊之物理結構的必然效果， 是於判斷專利是否具有進步性時，毋庸將不具任何實質重 要意義之功能性用語列入判斷。因此當證據2已揭露請求 項1所載光學濾波器的堆疊結構特徵時，當然亦已揭露上 開差異特徵B。而基於甲證3、4技術文獻所揭露內容，可
知多層膜系的光學鍍膜所應用的光學領域涵蓋太陽能與太 陽光電領域，因此本領域人士具有濾波器堆疊的材料之消 光係數越小可帶來越高的透射率位準之通常知識，有接觸 或近用光學濾波器、太陽能與太陽能光電等技術領域的文 獻(例如證據3)之可能性，以尋找適合的氫化矽材料，為 改善證據2所揭示的帶通濾波器，在得知證據3所揭示的i- type氫化矽的消光係數(k值)會影響特定入射角範圍內的 太陽光譜之表現的教示，有合理動機採用此具有高折射率 與低消光係數的i-type氫化矽材料取代證據2的氫化矽材 料，且證據2、3所揭示均為氫化矽材料，此材料取代是有 合理成功預期，故請求項1所載為發明所屬技術領域中具 有通常知識者依證據2和證據3之組合可輕易完成，不具進 步性。
⑷請求項28係請求保護一種系統，並僅記載該系統包括一相 同於請求項1所載之光學濾波器，基於上述理由，請求項2 8亦可透過證據2、17或證據2、3之簡單結合而輕易實施， 亦不具進步性。
⒉請求項2至4：
請求項2至4為直接依附於請求項1之附屬項，進一步限定複 數個氫化矽層各自具有在830nm之波長下大於3.6之折射率、 複數個氫化矽層各自具有在800-1100nm之波長範圍內大於3. 5的折射率，以及複數個氫化矽層各自具有在800-1100nm之 波長範圍內大於3.6的折射率。既然證據13、17、或證據2、 17、或證據2、3之組合足以證明請求項1不具進步性，自已 揭露其進一步限定之技術特徵。此外，依證據16圖4(揭露氫 化矽層在入射光的波長越小時折射率越大，尤其在入射光的 波長為800-900nm時，其折射率為3.85-3.8，可見氫化矽層 在入射光的波長為830nm時，其折射率大於3.66)亦分別揭露 請求項2至4進一步限定之技術特徵。
⒊請求項5、6：
請求項5、6分別為直接依附於請求項1之附屬項，係請求項1 之進一步限縮，進一步限定複數個較低折射率層各自具有在 800-1100nm之波長範圍内小於2.5的折射率，及複數個較低 折射率層各自具有在800-1100nm之波長範圍内小於2的折射 率。既然證據13、17、或證據2、17、或證據2、3之組合足 以證明請求項1不具進步性，自已揭露進一步限定之技術特 徵。又證據13揭示氫氮化矽層(a-SiNx:H)具有在800-llOOnm 波長範圍内小於2.5的折射率，或氫氮化矽層(a-SiNx:H)具 有在800〜1100nm波長範圍内小於2的折射率(參證據13第3頁 表2)。因此，證據13、17、或證據13、17、2、或證據2、17
、或證據2、3之組合，均足以證明請求項5、6不具進步性。 ⒋請求項7、8：
請求項7、8為直接依附於請求項1之附屬項，係請求項1之進 一步限縮，進一步限定通帶具有一中心波長且該中心波長在 入射角自0°至30°間之改變情況下在量值上移位小於15nm和 小於12.2nm，即為中心波長移位的進一步限縮。既然證據 13、17、或證據2、17、或證據2、3之組合足以證明系爭專 利請求項1不具進步性，自已揭露進一步限定之技術特徵。 又本領域具有通常知識者可運用系爭專利之【先前技術】與 通常知識(例如補強證據7或補強證據8)，簡單修改證據2或 13所揭示之濾波器膜層組成，因此，證據2、17、13、或證 據2、17、或證據13、17、或證據2、3之組合，足以證明請 求項7、8不具進步性。
⒌請求項9、14：
⑴請求項9為直接依附於請求項1之附屬項，係請求項1之進一 步限縮，進一步限定複數較低折射率層之每一者皆由二 氧化矽（SiO2)、氧化鋁（A12O3)、二氧化鈦（TiO2)、 五氧化二鈮（Nb2O5)、五氧化二钽（Ta2O5)或其一混合 物構成。此外，因證據16亦揭露如以氫化矽作為高折射 率層材料時，得以搭配二氧化矽作為低折射率層材料使 用。又根據證據16之啟示，所屬技術領域具有通常知識 者有動機以證據16揭示之a-Si:H/Si02取代證據2之a-Si :H/a-SiNx:H，以減少膜層堆疊的數量。因此，證據2、 17、16、或證據2、17、或證據13、17、16、或證據13 、17、或證據2、3、16、或證據2、3之組合，足以證明 請求項9不具進步性。
⑵請求項14為直接依附於請求項1之附屬項，係請求項1之進 一步限縮，進一步限定光學濾波器之通帶具有小於50nm之 半峰全幅值（FWHM)。因證據16圖8亦已揭露一種通帶半峰 全幅值小於25nm的帶通濾波器。據此，在所欲應用之光學 領域中具有使用窄帶帶通濾波器之需求時，所屬技術領域 具有通常知識者有動機參酌證據16所揭示之帶通濾波器結 構及技術内容，並利用通常知識(例如證據2或13)，輕易 製備出一種通帶半峰全幅值小於25nm的窄帶帶通濾波器。 因此，證據2、17、16、或證據2、17、或證據13、17、 16、或證據13、17、或證據2、3、16、或證據2、3之組合 ，足以證明請求項9不具進步性。
⒍請求項10、11、13、15至17：
請求項10、11、13、15、17為直接依附於請求項1之附屬項 ，係請求項1之進一步限縮；請求項16係依附於請求項15
，進一步限定該塗層係一抗反射(AR)塗層。既然證據13、17 、或證據2、17、或證據2、3之組合足以證明請求項1不具進 步性，又請求項10、11、13、15至17所附加之技術特徵皆已 被證據2所揭露。因此，證據13、17、2、或證據2、17、或 證據2、3之組合，足以證明請求項10、11、13、15至17不具 進步性。
⒎請求項18：
請求項18為直接依附於請求項1之附屬項，係請求項1之進一 步限定，其包括所依附請求項1之全部技術内容，並進一步 限定光學濾波器形成感測器系統的一部分，且感測器系統包 括用於發射在光學濾波器之通帶中之發射波長下之光的光源 ，以及用於偵測經此光的感測器，光學濾波器接收來自光源 出射的光，並將光傳送至感測器。由於證據2已明確教示光 學濾波器可應用於感測器中；證據9更具體揭露感測系統除 光學濾波器外，更包含光源及感測器，其中光學濾波器可接 收光源發出的不可見光(例如紅外光)，並濾除其他光線後， 使不可見光傳送至感測器，所屬技術領域具有通常知識者自 有動機將滿足特定設計需求之光學濾波器應用於證據9所載 之感測系統中。因此，證據2、17、9、或證據13、17、2、9 、或證據2、3、9之組合，足以證明系爭專利請求項18不具 進步性。
⒏請求項19：
請求項19為直接依附於請求項1之附屬項，係請求項1之進一 步限縮，進一步限定複數個氫化矽層之每一者皆藉由脈衝式 直流(DC)濺鍍而被沈積。既然證據13、17、或證據2、17、 或證據2、3之組合足以證明請求項1不具進步性，又證據17 既揭露及教示所屬技術領域具有通常知識者採用脈衝式直流 濺鍍方式製備氫化矽層，因此，證據2、17、或證據13、17 、或證據2、3、17之組合，足以證明請求項19不具進步性。 ⒐請求項20：
請求項20請求保護一種感測器系統，其包括一光學濾波器。 光學濾波器被安置以接收經發射之光，並發送經發射之光， 其中經發射的光係以在800-1100nm波長範圍中之發射波長從 一光源發射。此外，所載光學濾波器包括有如請求項1所載 光學濾波器之結構與光學特性及功效。由於證據9或證據10 已分別揭露請求項20所載感測器系統的各組成元件，即感測 器、光源及濾波器，且證據9或10也分別揭露光源可發出波 長約在800-1100nm的近紅外光，而濾波器可接收近紅外光， 並濾除其他光線，即揭示濾波器具有和光源發出的光波長重 疊之通帶。此外，請求項20所載之光學濾波器與請求項1所
載光學濾波器相同，據此，請求項20所載之光學濾波器，不 具進步性之理由，已如前述。因此，本技術領域具有通常知 識者確有動機將證據2或證據13之光學濾波器簡單修改，而 應用於證據9或證據10所載之感測系統或感測器中，故證據2 、9(或10)、17、或證據13、9(或10)、17、或證據2、9(或1 0)、3之組合，足以證明請求項20不具進步性。 ⒑請求項21：
請求項21為直接依附於請求項20之附屬項，係請求項20之進 一步限縮，限定光學濾波器係直接地安置於該感測器上。既 然證據2、9(或10)、17、或證據13、9(或10)、17、或證據2 、9(或10)、3之組合足以證明請求項20不具進步性。而證據 9揭露一種具有濾波器之影像感測器，且濾波器係直接安置 於感測器上（參證據9圖10)；證據12亦揭露一種晶片尺寸影 像感測模組，其包括玻璃晶圓及影像感測器，其中玻璃晶圓 設有光學濾波器，相當於請求項21所述光學濾波器，而上述 玻璃晶圓直接與影像感測器結合設置，是證據9或證據12已 分別揭露此附加之技術特徵。因此，證據2、9、17、證據2 、9、17、12、證據2、10、17、9、證據2、10、17、12、證 據9、13、17、證據9、13、17、12、證據10、13、17、9、 證據10、13、17、12、或證據2、9、3、或證據2、9、3、12 、證據2、10、3、9、證據2、10、3、12之組合，足以證明 請求項21不具進步性。
⒒請求項22：
請求項22為直接依附於請求項20之附屬項，係請求項20之進 一步限縮，限定感測器系統是接近感測器系統，且經發射的 光被導引朝向一標的。感測器用於偵測光，並感測標的的接 近。既然證據2、9(或10)、17、或證據13、9(或10)、17、 或證據2、9(或10)、3之組合足以證明請求項20不具進步性 。又此附加之技術特徵已被證據9所揭露。因此，證據2、9 、17、證據2、10、17、9、證據9、13、17、證據10、13、1 7、9、證據2、9、3、或證據2、10、3、9之組合，足以證明 系爭專利請求項22不具進步性。
⒓請求項23、24：
⑴請求項23為直接依附於請求項20之附屬項，進一步限定光 學濾波器係直接地安置於該感測器上，進一步限定感測器 系統為三維成像系統，且經發射的光被導引朝向一標的， 光學濾波器經安置以接收由該標的反射之後的經發射的光 ，感測器係用於偵測經發射的光以及提供該標的之3D影像 的3D影像感測器。
⑵請求項24係依附於請求項23，進一步限定所述三維成像系
統為示意動作辨識系統，其標的為示意動作辨識系統之使 用者，感測器系統進一步包括有用於處理使用者之3D影像 的處理系統，以辨識使用者之示意動作。
⑶證據10圖4揭露一種三維照相機，係相當於所述三維成像系 統，該三維照相機包括前端區塊，該前端區塊包括NIR投 影機及組合式影像感測器，其中該NIR投影機可產生並投 射結構光線至景象、物件等目標，該組合式影像感測器包 括色彩濾波器陣列(CFA)，該CFA包括用以擷取色彩資訊之 不同的濾波器型式，及用以擷取近紅外線(NIR)輻射光的 帶通濾波器。該影像感測器可擷取由NIR投影機所產生於 被投影物件的結構光線，並藉由此結構光線來建構感測目 標的3D影像，係相當於所述3D影像感測器。是證據10已揭 露請求項23所附加之技術特徵。且依系爭專利說明書之記 載，請求項24所附加之技術特徵為系爭專利申請前即有之 習知技術。因此，證據2、9、17、10、或證據2、10、17 、或證據9、13、17、10、或證據10、13、17、或證據2、 9、3、10、或證據2、10、3之組合，足以證明請求項23、 24不具進步性。
⒔請求項25、26：
⑴請求項25為直接依附於請求項20之附屬項，進一步限定感 測器為電荷耦合裝置(CCD)晶片或互補金屬氧化物半導體( CMOS)晶片。由於證據9或10分別已揭露請求項20所載感測 器系統的各組成元件，雖未具體揭露所使用之影像感測器 為電荷耦合裝置晶片或互補金屬氧化物半導體晶片，然選 用這二者作為感測元件已是系爭專利申請前常見之習知技 術手段，且證據12亦證實此技術特徵已係習知技術。因此 ，證據2、9、17、12、或證據2、10、17、12、或證據9、 13、17、12、或證據10、13、17、12、或證據2、9、3、1 2、或證據2、10、3、12之組合，足以證明請求項25不具 進步性。
⑵請求項26為直接依附於請求項20之附屬項，進一步限定光 學濾波器係藉由使用晶圓層級處理而直接地形成於感測器 。如前所述，證據2、9(或10)、17、或證據13、9(或10) 、17、或證據2、9(或10)、3之組合足以證明請求項20不 具進步性，又此附加之技術特徵亦已被證據12揭露，因此 ，證據2、9、17、12、或證據2、10、17、12、或證據9、 13、17、12、或證據10、13、17、12、或證據2、9、3、1 2、或證據2、10、3、12之組合，足以證明請求項26不具 進步性。
⒕請求項27：
請求項27為直接依附於請求項20之附屬項，進一步限定光學 濾波器包含基板，且濾波器堆疊係安置於基板之第一表面。 抗反射塗層安置於基板與第一表面相對的第二表面。如前所 述，既然證據2、9(或10)、17、或證據13、9(或10)、17、 或證據2、9(或10)、3之組合，足以證明請求項20不具進步 性，又此附加之技術特徵已被證據12揭露，因此，證據2、9 、17、或證據2、10、17、或證據9、13、17、2、或證據10 、13、17、2、或證據2、9、3、或證據2、10、3之組合，足 以證明請求項27不具進步性。
⒖請求項29：
請求項29為直接依附於請求項28之附屬項，進一步限定光學 濾波器之通帶具有小於50nm之半峰全幅值（FWHM)。依據系 爭專利說明書第1頁先前技術之内容可知此附加之技術特徵 實為習知技術。此外，證據16圖8亦已揭露一種通帶半峰全 幅值小於25nm的帶通濾波器。據此，在所欲應用之光學領域 中具有使用窄帶帶通濾波器之需求時，所屬技術領域具有通 常知識者有動機參酌證據16所揭示之帶通濾波器結構及技術 内容，並利用通常知識(例如證據2)，輕易製備出一種通帶 半峰全幅值小於25nm的窄帶帶通濾波器。因此，證據2、17 、16、或證據2、17、或證據13、17、16、或證據13、17、 或證據2、3、16、或證據2、3之組合，足以證明請求項29不 具進步性。
(四)聲明：
⒈原處分關於「請求項1至11、13至29舉發不成立」部分撤銷。 ⒉被告就系爭專利舉發事件應作成「請求項1至11、13至29舉發 成立」之審定。
三、被告答辯及聲明：
(一)原處分並無漏未審酌請求項1、20、28有無違反核准時專利 法第26條第2項規定之違法：
⒈原告前於舉發理由書、舉發補充理由書內以「複數個氫化矽 層，其各自具有在800nm至llOOnm之波長範圍内大於3之一折 射率及在800nm至llOOnm之波長範圍内小於0.0005之一消光 係數…」理由，指摘系爭專利不符專利法第26條第2項之規定 ，嗣經參加人於110年5月14日提出更正申請專利範圍，該更 正係就原告指摘事項提出更正，之後被告即於110年5月26日 將該更正本函請原告表示意見，原告其後於同年7月16日舉 發補充理由書即未就上開爭點爭執，且於111年7月22日辦理 聽證時，被告亦請兩造確認爭點無誤，原告今再為爭執原處 分漏未審酌，並無理由。
⒉請求項1、28明確記載「該複數個氫化矽層具有在800nm至llO
Onm之波長範圍内大於3之一折射率及在800nm至llOOnm之波 長範圍内小於0.0005之一消光係數」，原告以「氫化矽層之 整體具有上述參數時，有些層就不滿足上述參數」，即原告 主張有些氫化矽層會小於3的折射率以及大於0.0005之消光 係數，惟按解釋請求項時其文義尚不足以涵蓋與文義完全相 反之解釋，再參酌說明書、圖式及申請時之通常知識亦不足 以解釋成完全相反之文義。又原告並未指明請求項20有何違 反核准時專利法第26條第2項之具體理由。是以請求項1、20 、28均未違反核准時專利法第26條第2項規定。(二)原告肯認濾波器結構中每層膜層之「厚度變化」確實會影響 濾波器之帶通的中心波長位移，然每層之「厚度變化」並非 每層厚度。又原處分理由㈤之1(第13頁第6行至第15頁第19行 )已指出系爭專利圖7C、8B、9A實施例已記載濾波器結構及 各層厚度有所不同，並無特定厚度是必需的，且系爭專利解 決問題之手段不以濾波器各層厚度為限，請求項1、20、28 已記載申請人所認定發明之必要技術特徵，並未違反專利法 第26條第4項暨施行細則第18條第2項規定。(三)原告主張附表2所示證據組合不足以證明請求項1至11、13至 29不具進步性：
⒈證據13、17之組合不足以證明請求項1、28不具進步性： ⑴原告主張參酌證據7之教科書內容，可知證據13已實質隱含 而間接揭露「該通帶具有一中心波長且該中心波長在入 射角自0°至30°間之一改變之情況下在量值上移位小於2 0nm」技術特徵。惟該證據7未明確定義λ0所指為何？計 算結果存在本質參數定義問題尚待釐清。再者，證據7 討論「all-dielectric Fabry-Perot filter」(全介電 型法布里-伯羅濾波器)結構產生之偏移，該型濾波器以 兩個反射層中間隔著間隔層，其入射光須滿足特定波長 ，才能產生干涉。原告亦自承「中間間隔層(HH)以外之 反射層(
reflectors)的膜厚等於1/4波長的前提」，「膜厚等於1/ 4波長」已經指出波長λ0不是任意波長。且據證據7第28 4頁亦揭示「第一階濾光片(m=l之情形)」特定條件下才 可將公式7.33簡化成公式7.34。復對照證據13第5563頁 右欄第13-15行明確揭示"air│(HLHHLH)│glass"濾波器 結構具有參考波長λ0為1400nm，與請求項界定之波長80 0nm或900nm數值即有不同，且波長800nm或900nm不適用 公式7.34，據以得出中心波長為800nm、入射角在0〜30 度間移位0〜17.4nm，中心波長為900nm、入射角在0〜30 度間移位0〜19.97nm，似嫌率斷。綜上，證據13、17均
未揭示請求項1、28之「在入射角自0°至30°間之一改變 之情況下在量值上移位小於20nm」技術特徵，且證據13 未隱含上開技術特徵，上開技術特徵無法由證據13依據 證據7公式7.28、7.34得出結果，故證據13、17之組合 不足以證明請求項1、28不具進步性。
⑵原告又主張系爭專利說明書圖8A揭露第二習用光學濾波器 在入射角0°至20°(乃在0°至30°的範圍內)具有12.7nm之 位移云云。惟系爭專利說明書第1頁倒數1至3行「習用 光學濾波器…高折射率層分別由Ti02或Ta205構成，且低 折射率層由Si02構成」，與請求項1界定「該複數個較 低折射率層與該複數個氫化矽層交替堆疊…氫化矽層具 有…大於3之折射率」(氫化矽層為高折射率層)，兩者使 用之材料不同，且系爭專利之氫化矽層具有比Ti02、Ta 205較高之折射率，產生「期望減少層之數目、總塗層 厚度及隨著入射角改變之中心波長移位」之有利功效， TiO2、Ta205高折射率層與系爭專利氫化矽層高折射率 層所分別構成之不同濾波器，其光隨入射角所發生之位 移，兩者不能相互混淆。是以，證據13、17之組合不足 以證明請求項1不具進步性。
⒉證據2、17之組合不足以證明請求項1、28不具進步性： ⑴原告主張證據2揭露一種帶通濾波器，包括低通濾波器( low-passfilter)28、高通濾波器(high-passfilter)26， 分別位於基板6的相對兩側(參圖10)…證據2依據證據7公式 7.28、7.34得出中心波長為800nm、入射角在0-30度間移 位0-17.4nm，中心波長為900nm、入射角在0-30度間移位0 -19.97nm等。惟證據2圖10之帶通濾波器由低通濾波層28 、高通濾波層26、中間介隔玻璃基板6組成，其結構應不 適用證據7之「全介電型法」布里-伯羅濾波器al1-dielec tric Fabry-Perofilter，證據2圖10之帶通濾波器結構與 證據13「空氣|(HLHHLH)|玻璃」之濾波器結構完全不同， 且證據13上開濾波器並非800〜1100nm之帶通濾波器，原告 據以推論相同結果似嫌率斷。故證據2、17均未揭示請求 項1、28之「在入射角自0°至30°間之一改變之情況下在量 值上移位小於20nm」技術特徵，且證據2未隱含上開技術 特徵，上開技術特徵無法由證據2依據證據7公式7.28、7. 34得出結果，證據2、17之組合不足以證明系爭專利請求 項1、28不具進步性。
⑵原告雖主張111年7月16日專利舉發補充理由書附件5之模擬 結果，可證實證據2已揭露「在入射角自0°至30°間之一 改變之情況下在量值上移位小於20nm」技術特徵。惟原
處分理由㈤之2-(10)~(13)點已指出模擬針對特定膜層厚 度、特定波長(λ0=500nm下)之折射率、以及a-Si:H之消 光係數為0.3，得出在0度與30度入射角下偏移量為19.6 5nm，濾波器各層於不同波長時，其折射率、消光係數 等參數即有不同，則模擬波長以500nm時各層的折射率 、消光係數等參數條件所得之中心波長移位，能否證明 波長「800nm至llOOnm」時各層參數條件所得之中心波 長移位，並非無疑。再者，模擬與證據2揭露之濾波器 僅十分相近，並非相同。觀原處分舉例證據13圖5a、5b 揭示濾波器膜層厚度變化，其中心波長就已經偏移約15 0nm，模擬所得光學特性確實與實際製造之光學濾波器 之光學特性，並不相同。縱原告主張系爭專利沒有記載 各膜層厚度或未限定厚度變化，不能強加於模擬，原告 仍應證明模擬濾波器與實際濾波器其結果會相同。再者 ，使用數學模型或模擬軟體均需驗證與實際元件是否相 符，該數學模型或模擬軟體才足以使人產生確信，例如 證據7第287頁圖7.12所示，數學模型預測結果與實際量 測相較後在2%以内，該數學模型才具證明力。原告既自 承模擬與證據2揭露之内容僅十分相近(並非相同)，自 無從以該模擬結果證明「在入射角自0°至30°間之一改