排除侵害專利權等
智慧財產法院(民事),民專上字,111年度,7號
IPCV,111,民專上,7,20220729,2

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智慧財產及商業法院民事判決
111年度民專上字第7號
上 訴 人 美商杜邦電子股份有限公司(DUPONT Electronic s, Inc.



法定代理人 Jessica Sinnott

訴訟代理人 呂紹凡律師
吳雅貞律師
翁啟達
被 上訴 人 達邁科技股份有限公司

兼 法 定
代 理 人 吳聲昌
共 同
訴訟代理人 王仁君律師
蘇銳
徐瑞毅律師
上列當事人間請求排除侵害專利權等事件,上訴人對於中華民國
110年11月30日本院109年度民專訴字第106號第一審判決提起上
訴,本院於111年7月21日言詞辯論終結,判決如下:
主 文
上訴駁回。
第二審訴訟費用由上訴人負擔。
事實及理由
一、按民事事件涉及外國人或原因事實牽涉外國地者,即為涉外 民事事件,應依涉外民事法律適用法定法律之適用(最高法 院98年度台上字第1695號判決意旨參照)。涉外事件之國際 管轄權誰屬,涉外民事法律適用法固未明文規定,惟受訴法 院尚非不得就具體情事,類推適用國內法之相關規定,以定 其訴訟之管轄(最高法院104年度台抗字第1004號裁定意旨 參照)。本件上訴人美商杜邦電子股份有限公司(下稱杜邦 公司)為外國法人,本件屬涉外民事事件,而被上訴人之公 司所在地、住所地均在我國,上訴人所主張之侵權行為地亦 在我國,經類推適用民事訴訟法第1條第1項、第2條第2項、 第15條第1項規定,原法院及本院就本件有國際管轄權;又 兩造就本件專利侵權之相關主張均援引我國法,依涉外民事 法律適用法第25條、第42條規定,自應以我國法為準據法。二、上訴人主張:伊為中華民國第I519576號「消光表面處理之



聚醯亞胺膜與關於此膜之方法」發明專利(下稱系爭專利) 之專利權人,專利期間自民國105年2月1日起至119年8月2日 止。被上訴人達邁科技股份有限公司(下稱達邁公司)未經 伊同意,擅自製造販售型號「BK-012(Low Gloss)」聚醯 亞胺薄膜產品(下稱系爭產品),落入系爭專利請求項1至4 之文義或均等範圍,侵害系爭專利權,伊得請求排除侵害及 損害賠償,被上訴人吳聲昌為達邁公司之法定代理人,應與 該公司連帶負損害賠償責任。爰依專利法第96條第1至3項、 民法第179條、公司法第23條第2項規定,擇一求為命被上訴 人連帶給付上訴人新臺幣(下同)500萬元本息,及命達邁 公司排除、防止侵害之判決。原審為上訴人敗訴之判決,上 訴人不服提起上訴。上訴聲明:㈠原判決廢棄。㈡上開廢棄部 分,達邁公司不得自行或使第三人直接或間接製造、為販賣 之要約、販賣、使用或為上述目的而進口系爭產品,及不得 為任何侵害系爭專利之行為。㈢達邁公司應自行並使其所有 代理商及經銷商將系爭產品,及其他任何侵害系爭專利之物 及其製造原料與器具,全數回收並交由上訴人銷毀。㈣被上 訴人應連帶給付上訴人500萬元,及自起訴狀繕本送達被上 訴人翌日起至清償日止按週年利率5%計算之利息。㈤上訴人 願供擔保,請准宣告假執行。
三、被上訴人則以:系爭專利請求項1「聚醯亞胺顆粒消光劑」 應解釋為「漿體聚醯亞胺顆粒消光劑且衍生自PMDA/4,4’ODA 預聚合物溶液(而非另外先行製備且不可融熔加工的聚醯亞 胺顆粒)」,而系爭產品之消光劑為另外先行製備且為不可 融熔加工的聚醯亞胺顆粒,自未落入系爭專利請求項1至4之 文義或均等範圍。系爭專利違反專利法第26條第1、2項規定 ,且系爭專利請求項1至4不具新穎性、進步性等語,資為抗 辯。並聲明:㈠上訴駁回。㈡如受不利判決,被上訴人願供擔 保,請准宣告免為假執行。
四、上訴人為系爭專利專利權人,達邁公司有製造、販賣系爭 產品等情,為兩造所不爭執,並有系爭專利證書、說明書、 系爭產品照片附卷可參(見原審卷一第49至98頁、第117至11 8頁),及本院保全證據所得之系爭產品在卷可佐,堪信為真 實。上訴人主張系爭產品落入系爭專利請求項1至4之文義或 均等範圍,惟為被上訴人所否認,並以前詞置辯。經查: ㈠申請專利範圍解釋:
 ⒈按發明專利權範圍,以申請專利範圍為準,於解釋申請專利 範圍時,並得審酌說明書及圖式,專利法第58條第4 項定有 明文。用於解釋申請專利範圍之證據包括內部證據與外部證 據。內部證據包括請求項之文字、發明說明、圖式及「申請



歷史檔案」。外部證據係指內部證據以外之其他證據,包括 專業字典、辭典、工具書、教科書、百科全書及專家證詞等 ,亦包括發明人或創作人之其他專利或論文著作。用於解釋 請求項之證據,應先採用內部證據,若內部證據足以使請求 項之用語或技術特徵的含意清楚,則無須另採用外部證據。 所謂「申請歷史檔案」,係指專利案自申請專利專利權維 護過程中,於專利申請時之說明書、申請專利範圍及圖式以 外的文件檔案,例如外文說明書、申請專利、舉發或行政救 濟階段之補充、修正文件、更正文件、申復書、面詢紀錄、 答辯書、理由書或其他相關文件等。專利案自申請專利至專 利權維護過中,專利申請權人或專利權人為了克服審查意見 或舉發理由而對請求項之用語或技術特徵作出限縮性解釋時 ,則該申請歷史檔案亦可作為解釋請求項之依據。 ⒉兩造對於系爭專利請求項1「聚醯亞胺顆粒消光劑」用語應如 何解釋有所爭執,上訴人主張應解釋為「聚醯亞胺顆粒消光 劑」而不應附加任何限制(見本院卷一第382頁),被上訴 人主張應解釋為「漿體聚醯亞胺顆粒消光劑且衍生自PMDA/4 ,4’ODA預聚合物溶液(而非另外先行製備且不可融熔加工的 聚醯亞胺顆粒)」(見本院卷一第425頁),而申請專利範 圍解釋為法律問題,並無辯論主義之適用,是本院雖得參酌 兩造之意見,但仍應依職權為判斷,不受兩造主張之拘束, 且本院亦就系爭專利請求項1「聚醯亞胺顆粒消光劑」是否 限制為漿體、非不可融熔加工、衍生自PMDA/4,4’ODA預聚合 物溶液等事項使兩造為事實上及法律上陳述而為適當完全之 辯論(見本院卷一第370頁、第375至382頁、第420至425頁、 卷二第448至451頁、限閱卷第5頁),本院認系爭專利請求項 1「聚醯亞胺顆粒消光劑」應解釋為「衍生自PMDA/4,4’ODA 預聚合物溶液之漿體型態之聚醯亞胺顆粒消光劑,且非為不 可融熔加工的聚醯亞胺樹脂微粒」,理由如下: ⑴系爭專利申請過程中,經濟部智慧財產局(下稱智慧局)認 為系爭專利請求項1不符合專利法第26條第2項規定、不符專 利法第22條第2項規定,以104年1月15日(104)智專二(六)01 236字第10420051360號審查意見通知函(下稱系爭審查意見 通知函)通知上訴人提出申復說明或修正,上訴人即提出申 復理由書。系爭審查意見通知函謂:「㈡本案請求項1,不符 合專利法第26條第2項之規定。1.本案請求項1所請基膜中包 含聚醯亞胺消光劑,惟本案說明書並無添加該化合物之實施 例(如表1中所示之消光劑未包含聚醯亞胺顆粒),申請專 利範圍無法為發明說明所支持,不符合專利法第26條第2項 之規定。」、「㈢依據引證1、引證2(按:即乙證28中國第CN



1902036A專利,見原審卷二第657至674頁,下稱引證2)及引 證3揭示內容,本案申請專利範圍第1~7項不符專利法第22條 第2項之規定。1.請求項1,查...引證2【摘要;說明書第13 頁第1行~第14頁第7行】揭示一種樹脂摻混物,其係包含由 芳族四羧酸二酐及二胺化合物形成聚醯亞胺、填料如陶瓷纖 維、碳黑、氧化矽、鈦粉等及聚醯亞胺樹脂微粒,該填料含 量為1-70重量%。然而經熱轉化和化學轉化方法形成聚醯亞 胺已係所屬領域之通常知識,例如引證3【說明書第4頁第45 行至第50行】揭示使用化學轉化法將聚醯胺酸轉化成聚醯亞 胺,惟引證1、引證2及引證3均關於聚醯亞胺基膜,通常知 識者當可輕易結合三者,於引證1所揭示製備基膜所使用的 材料中使用化學轉化法將聚醯胺酸轉化成聚醯亞胺並添加碳 黑及聚醯亞胺顆粒…因此藉由引證1、引證2及引證3教示內容 ,該技術領域通常知識者可輕易完成本請求項之基膜,不具 進步性。」(見原審卷二第141至143頁)上訴人即以104年7 月17日申復理由書進行申復,稱:「㈣對於本案請求項不為 說明書所支持之質疑:1.請參考說明書第14頁第12至21行以 及第15頁第7-8行的內容...『…可用於聚醯亞胺應用之消光劑 (可承受聚醯亞胺合成之熱條件)為聚醯亞胺顆粒。』請進 一步參考說明書第10頁第20-23行,『…在一實施例中,該經 化學轉化之聚醯亞胺係衍生自焦蜜石酸二酐(「PMDA」)與4 ,4’-氧基二苯胺(「4,4ODA」)…』由上述内容可知,聚醯亞 胺顆粒亦用於衍生自焦蜜石酸二酐(「PMDA」)與4,4’-氧基 二苯胺(「4,4ODA」)的聚醯亞胺,作為消光劑使用。亦即 ,實例1、3及5中所述的『PMDA/4,4’ODA預聚合物溶液(20.6 wt%的聚醯胺酸固體,約50泊之黏度)』即為請求項1所請基 膜中所包含的聚醯亞胺顆粒消光劑…、2.為使委員能夠更理 解聚醯亞胺顆粒消光劑的應用,申請人進一步提供附件1的 參考例作為委員審查時之參考。由附件1的內容可更明確知 道,聚醯亞胺顆粒消光劑可由溶於吡啶的PMDA/4,4ODA溶液 加以製備,所生成之基膜含有4.9wt%的碳黑與9.8wt%的聚醯 亞胺顆粒。...」、「㈤對於本案請求項不具進步性之質疑: ⑶至於引證2,其係提供一種樹脂摻混物,其包括至少兩種乾 混的、不可融熔加工的樹脂微粒,其中所述至少兩種乾混的 樹脂微粒用壓模法模塑形成壓模製品,而所述至少兩種乾混 的不可熔融加工的樹脂微粒可以是聚醯亞胺樹脂微粒。然而 ,由於本案的聚醯亞胺係經化學轉化,在化學轉化程序中, 該聚醯胺酸溶液係浸漬於或混合於轉化(醯亞胺化(imidiz ation))化學品(參說明書第5頁第10-11行),該溶液係 於高剪切混合器中,與該低傳導度碳黑漿體與該消光劑漿體



混合。該混合物係冷卻至低於0°C並且與轉化化學品混合, 而後鑄型至經加熱之旋轉鼓或帶以產生部分醯亞胺化之膠膜 (參說明書第5頁第10-11行)。由此可知,本案的聚醯亞胺 顆粒消光劑係為一漿體,並非引證2中用於壓模法的乾混的 聚醯亞胺樹脂微粒,熟習該項技術領域者當然無法引證2所 揭示之內容透過簡單改變或實驗得到本案所欲獲得消光表面 處理之基膜...」(見原審卷二第148至151頁)。 ⑵由上開歷史檔案可知,系爭審查意見通知函認系爭專利說明 書並無添加「聚醯亞胺顆粒消光劑」之實施例,不符合專利 法第26條第2項之規定,上訴人申復理由書稱「聚醯亞胺顆 粒亦用於衍生自焦蜜石酸二酐(『PMDA』)與4,4’-氧基二苯胺 (『4,4ODA』)的聚醯亞胺,作為消光劑使用。」、「實例1 、3及5中所述的『PMDA/4,4’ODA預聚合物溶液(20.6wt%的聚 醯胺酸固體,約50泊之黏度)』即為請求項1所請基膜中所包 含的聚醯亞胺顆粒消光劑」、「聚醯亞胺顆粒消光劑可由溶 於吡啶的PMDA/4,4ODA溶液加以製備,所生成之基膜含有9.8 wt%的聚醯亞胺顆粒」,由上可知,上訴人已限縮解釋系爭 專利請求項1之「聚醯亞胺顆粒消光劑」係衍生自PMDA/4,4’ ODA預聚合物溶液、可由該預聚合溶液所製備。另系爭審查 意見通知函認為依引證1、2、3之內容請求項1不具進步性時 ,上訴人申復理由書稱「引證2所述至少兩種乾混的『不可熔 融加工』的樹脂微粒可以是『聚醯亞胺樹脂微粒』」、「由於 本案的聚醯亞胺『係經化學轉化』...本案的『聚醯亞胺顆粒消 光劑』係為『一漿體』,並非引證2中用於壓模法的乾混的『聚 醯亞胺樹脂微粒』」,顯見上訴人已明確說明系爭專利請求 項1之「聚醯亞胺顆粒消光劑」為一漿體,非引證2揭露之「 不可融熔加工的聚醯亞胺樹脂微粒」。以上堪認,上訴人於 申復理由書中已限縮解釋系爭專利之「聚醯亞胺顆粒消光劑 」係衍生自PMDA/4,4’ODA預聚合物溶液、為一漿體、非引證 2乾混的不可融熔加工的聚醯亞胺樹脂微粒,藉以可為系爭 專利說明書所支持及與先前技術作區隔而具有進步性進而獲 准專利,揆諸前開說明,本件參酌內部證據後,系爭專利請 求項1「聚醯亞胺顆粒消光劑」自應解釋為「衍生自PMDA/4, 4’ODA預聚合物溶液之漿體型態之聚醯亞胺顆粒消光劑,且 非為不可融熔加工的聚醯亞胺樹脂微粒」。
 ⑶上訴人雖主張:申復理由書引述實施例僅在說明具體實施態 樣,並無用以限縮解釋之意;其僅在說明系爭專利的鑄模法 與引證2壓模法不同、系爭專利製程階段為一漿體狀態,及 引證1、2、3無組合動機,無排除系爭專利使用「不可融熔 加工的聚醯亞胺顆粒」或限制系爭專利「聚醯亞胺顆粒消光



劑」即為漿體之意,蓋系爭專利為一「物」之專利,並非「 方法」專利,請求項用語與製程無涉云云。然由前開申復理 由書所載內容,上訴人已明確以實施例說明系爭專利之「聚 醯亞胺顆粒消光劑」為「衍生自PMDA/4,4’ODA預聚合物溶液 」,並稱「本案的聚醯亞胺顆粒消光劑係為一漿體」,且指 出系爭專利「聚醯亞胺顆粒消光劑」與引證2之「至少兩種 乾混的不可熔融加工的樹脂微粒」不同處,主張引證1-3「 單獨」均未揭示請求項1技術特徵(見原審卷二第150至151 頁),藉以克服無法為說明書所支持及不具進步性之問題, 顯非僅單純說明實施例之具體實施態樣或說明引證無組合動 機。又由系爭審查意見通知函認為引證2揭露「聚醯亞胺樹 脂微粒」及引證3揭露「化學轉化法將聚醯胺酸轉化成聚醯 亞胺」,故也有合理動機於化學轉化過程將聚醯胺酸轉化成 聚醯亞胺,添加聚醯亞胺顆粒(見原審卷二第142至143頁) ,上訴人申復理由書回應「本案的聚醯亞胺顆粒消光劑係為 一漿體,並非引證2中用於壓模法的乾混的聚醯亞胺樹脂微 粒」,顯係在強調系爭專利請求項之「聚醯亞胺顆粒消光劑 」為漿體,非引證2揭露之「不可融熔加工的聚醯亞胺樹脂 微粒」,而非在強調系爭專利鑄模法與引證2壓模法不同。 另縱使系爭專利說明書第15頁第3至8行記載「其他可能的消 光劑可包括:…ii有機顆粒,前提是該有機顆粒能夠承受處 理經化學轉化聚醯亞胺時的溫度(處理溫度為由約250℃至約 550℃,取決於所選擇的特定聚醯亞胺程序)。可用於聚醯亞 胺應用之消光劑(可承受聚醯亞胺合成之熱條件)為聚醯亞 胺顆粒」(見原審卷一第68頁),然因其說明書無添加該化合 物之實施例,經智慧局認為不符合專利法第26條第2項規定 ,上訴人申復理由即稱系爭專利之「聚醯亞胺顆粒消光劑」 衍生自PMDA/4,4’ODA預聚合物溶液,申復理由亦記載「本案 的聚醯亞胺顆粒消光劑係為一漿體,並非引證2中用於壓模 法的乾混的聚醯亞胺樹脂微粒」,顯見系爭專利該「衍生自 PMDA/4,4’ODA預聚合物溶液之漿體型態之聚醯亞胺顆粒消光 劑」當然不會是引證2的「不可融熔加工的聚醯亞胺樹脂微 粒」,上訴人以系爭專利說明書第15頁內容稱其使用之聚醯 亞胺顆粒消光劑最高可承受550℃即包含引證2所使用之聚醯 亞胺顆粒,是其於申復理由書中並無排除系爭專利使用「不 可融熔加工的聚醯亞胺顆粒」云云,實不足採。至系爭專利 請求項1雖為「物」之請求項,並非「製程」請求項,惟上 訴人於專利申請階段為克服審查意見而自行將「聚醯亞胺顆 粒消光劑製程」用以界定「聚醯亞胺顆粒消光劑」,並因而 順利取得專利權,則解釋申請專利範圍自應參酌該內部證據



為解釋。是上訴人上開主張均不足採。
 ⑷上訴人又稱:本院108年度行專訴字第68號確定判決(下稱另 案行政訴訟確定判決)就系爭專利請求項1與各舉發證據進行 有效性比對時,並未對系爭專利請求項1「聚醯亞胺顆粒消 光劑」額外添加任何限制,本件自應受另案行政訴訟確定判 決對該用語解釋之拘束云云。然另案行政訴訟確定判決雖認 定「…舉發證據7所揭示藉由聚醯亞胺顆粒使聚醯亞胺薄膜表 面產生細微突起,即具有習知的消光作用…舉發證據7已實質 揭露系爭專利請求項1之技術特徵A與C…,查甲證3...揭露『 功能層優選包含滲入其中的消光劑,消光劑可為聚醯亞胺樹 脂顆粒』…甲證3已揭露在聚醯亞胺薄膜中添加聚醯亞胺樹脂 顆粒作為消光劑...甲證3已實質揭露系爭專利請求項1之技 術特徵C」(見原審卷三第213、214頁),惟該案並未對系 爭專利請求項1之「聚醯亞胺顆粒消光劑」進行申請專利範 圍解釋,亦無涉及系爭專利申請歷史檔案是否有對「聚醯亞 胺顆粒消光劑」作限制性解釋之爭點,當無所謂本院應受另 案行政訴訟確定判決解釋拘束而不得在本案對「聚醯亞胺顆 粒消光劑」之解釋附加限制可言,上訴人上開主張亦無足取 。
⑸上訴人復謂:若將系爭專利請求項1之「聚醯亞胺顆粒消光 劑」附加限制,明顯違反禁止讀入原則云云。然禁止讀入原 則,係指不得將說明書或圖式有揭露但請求項未記載之內容 引入請求項,此與解釋請求項時得以申請歷史檔案作為解釋 依據不同,是上訴人上開所指亦有誤會,當無足採。 ㈡系爭產品未落入系爭專利請求項1之文義或均等範圍: ⒈系爭專利請求項1與系爭產品,可對應拆解為附表所示7個要 件。系爭產品可為系爭專利請求項1之要件編號1I、1A、1A- 1、1A-2、1B、1D所文義讀取,為兩造所不爭執(見本院卷 一第367頁),本院應審究者即在於系爭產品是否落入系爭 專利請求項1要件編號1C之權利範圍
 ⒉文義比對:
 ⑴系爭專利請求項1要件編號1C之「聚醯亞胺顆粒消光劑」應解 釋為「衍生自PMDA/4,4’ODA預聚合物溶液之漿體型態之聚醯 亞胺顆粒消光劑,且非為不可融熔加工的聚醯亞胺樹脂微粒 」,已如前述。依本院保全證據所得系爭產品之生產製造流 程、製程說明(詳保全證據資料),系爭產品OOO,可見系爭 產品之OOO,而非衍生自預聚合物溶液之漿體,依前述「聚 醯亞胺顆粒消光劑」之文義解釋,系爭產品自未為系爭專利 請求項1要件編號1C「聚醯亞胺顆粒消光劑」所文義讀取。 ⑵上訴人雖主張:系爭產品之製備方式乃將OOO即為「漿體聚醯



亞胺顆粒消光劑」,自落入系爭專利請求項1要件編號1C文 義範圍云云(見本院卷三第72頁)。然上訴人既未否認系爭產 品之聚醯亞胺顆粒消光劑(OOO)為「固體」,自無從對應系 爭專利「『漿體』型態之聚醯亞胺顆粒消光劑」,又上訴人亦 不否認系爭產品之「聚醯亞胺顆粒消光劑」為另行製備後加 入OOO中,即非「衍生自PMDA/4,4’ODA預聚合物溶液」,亦 不落入系爭專利請求項1「聚醯亞胺顆粒消光劑」之文義範 圍。是上訴人上開主張均無足取。
 ⑶據上,系爭產品與系爭專利請求項1之要件編號1C不相同,故 系爭產品未落入系爭專利請求項1之文義範圍,以下續為均 等論之分析。
 ⒊均等比對:
 ⑴判斷被控侵權對象是否適用均等論,原則上,僅須就被控侵 權對象與系爭專利之請求項的技術特徵不相同的部分進行比 對。專利權人主張被控侵權對象適用均等論而構成均等侵權 時,被控侵權人得提出抗辯,主張全要件原則、申請歷史禁 反言、先前技術阻卻或貢獻原則等事項以限制均等論,若任 一限制事項成立,則不適用均等論,應判斷被控侵權對象不 構成均等侵權。又由於文字之敘述有其侷限性,且無法合理 期待專利權人於申請專利時即能將所有無法預見但實質相同 的技術特徵完全寫入請求項中,因此,專利權範圍不應僅侷 限於文義範圍,而應另外包含均等範圍,此乃均等論之意旨 。然而,對於專利權人曾於專利申請過程或維護專利權過程 中所為修正、更正或申復而限縮專利權範圍之情況,則難謂 專利權人無法預見該修正、更正或申復將導致放棄(surrend er)部分專利權,若仍容許專利權人藉由主張均等論而重為 主張其已放棄之專利,則此非但不符合均等論之意旨,且將 增加專利權範圍之不確定性。 
 ⑵就系爭產品是否落入系爭專利要件編號1C均等範圍,上訴人 主張:縱系爭產品的聚醯亞胺顆粒消光劑是「非漿體」,然 非漿體與漿體的差異僅在於有沒有先放到溶劑中,因此構成 基膜所使用到的功能、手段與結果實質上均屬相同,也就是 聚醯亞胺顆粒消光劑所發揮的功能不論是以何種形式,結果 都是相同的云云。然上訴人於申復過程既已將系爭專利請求 項1「聚醯亞胺顆粒消光劑」減縮為「漿體型態」,業如前 述,則自不得再藉由均等論擴張及於其已放棄的「非漿體聚 醯亞胺顆粒消光劑」,其上開主張自無足取。
 ⒋據上,系爭產品未落入系爭專利請求項1要件1C之文義或均等 範圍,基於全要件原則,系爭產品自未落入系爭專利請求項 1之專利權範圍。  




 ㈢系爭產品未落入系爭專利請求項2至4之專利權範圍:  系爭專利請求項2至4為系爭專利請求項1之附屬項,係分別 進一步界定「芳族二酐」、「芳族二胺」、「化學轉化之聚 醯亞胺衍生來源」及「基膜厚度」,由於系爭產品未落入系 爭專利請求項1之專利權範圍,則系爭產品自亦未落入系爭 專利請求項2至4之專利權範圍。
㈣據上,系爭產品既未落入系爭專利請求項1至4之專利權範圍 ,則系爭專利是否違反專利法第26條第1、2項規定、附件所 示證據是否足以證明系爭專利請求項1至4不具新穎性或進步 性、上訴人請求排除防止侵害有無理由、請求被上訴人連帶 賠償損害有無理由等爭點,均毋庸再予審酌。又上訴人雖聲 請將系爭產品送財團法人工業技術研究院材料與化工研究所 ,以示差掃描熱分析儀檢測系爭產品所使用之「聚醯亞胺顆 粒消光劑」究屬「可融熔加工」或「不可融熔加工」,以證 明系爭產品落入系爭專利請求項1之文義範圍(見本院卷二 第389至390頁),然系爭產品之「聚醯亞胺顆粒消光劑」既 非漿體亦非衍生自PMDA/4,4’ODA預聚合物溶液,即未落入系 爭專利請求項1「聚醯亞胺顆粒消光劑」之文義或均等範圍 ,至於系爭產品的「聚醯亞胺顆粒消光劑」是否為「非不可 融熔加工」已與判決結果無涉,並無調查必要。另被上訴人 請求將系爭產品送相同單位鑑定系爭專利實施例1、3及5中 所述的預聚合物溶液能否製得系爭專利請求項1之「聚醯亞 胺顆粒消光劑」,以證明系爭專利違反第26條第1項規定(見 本院卷二第481頁),然該證明事項已與判決結果無涉,亦無 調查必要,附此敘明。
五、綜上所述,系爭產品未落入系爭專利請求項1至4之文義或均 等範圍,被上訴人並無侵害系爭專利權情事,上訴人依專利 法第96條第1、3項規定,請求達邁公司不得自行或使第三人 直接或間接製造、為販賣之要約、販賣、使用或為上述目的 而進口系爭產品,及不得為任何侵害系爭專利之行為,達邁 公司應自行並使其所有代理商及經銷商將系爭產品,及其他 任何侵害系爭專利之物及其製造原料與器具,全數回收並交 由上訴人銷毀,並依專利法第96條第2項、民法第179條、公 司法第23條第2項規定,擇一求為命被上訴人應連帶給付上 訴人500萬元,及自起訴狀繕本送達被上訴人翌日起至清償 日止按週年利率5%計算之利息,為無理由,不應准許。從而 原審為上訴人敗訴之判決並駁回其假執行之聲請,核無不合 ,上訴論旨指摘原判決不當,求予廢棄改判,為無理由。六、本件事證已臻明確,兩造其餘之攻擊或防禦方法及所用之證 據,經本院斟酌後,認為均不足以影響本判決之結果,爰不



逐一論列,附此敘明。
七、據上論結,本件上訴為無理由,依智慧財產案件審理法第1 條,民事訴訟法第449條第1項、第78條,判決如主文。中  華  民  國  111  年  7   月  29  日 智慧財產第一庭
審判長法 官 李維心
法 官 吳俊龍
法 官 蔡如琪
以上正本係照原本作成。
如不服本判決,應於收受送達後20日內向本院提出上訴書狀,其未表明上訴理由者,應於提出上訴後20日內向本院補提理由書狀(均須按他造當事人之人數附繕本),上訴時應提出委任律師或具有律師資格之人之委任狀;委任有律師資格者,應另附具律師資格證書及釋明委任人與受任人有民事訴訟法第466 條之1 第1項但書或第2 項( 詳附註) 所定關係之釋明文書影本。如委任律師提起上訴者,應一併繳納上訴審裁判費。
中  華  民  國  111  年  8   月  8   日                書記官 邱于婷附註:
民事訴訟法第466條之1(第1項、第2項)對於第二審判決上訴,上訴人應委任律師為訴訟代理人。但上訴人或其法定代理人具有律師資格者,不在此限。上訴人之配偶、三親等內之血親、二親等內之姻親,或上訴人為法人、中央或地方機關時,其所屬專任人員具有律師資格並經法院認為適當者,亦得為第三審訴訟代理人。

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參考資料
人美商杜邦電子股份有限公司 , 台灣公司情報網
美商杜邦電子股份有限公司 , 台灣公司情報網
達邁科技股份有限公司 , 台灣公司情報網
邁科技股份有限公司 , 台灣公司情報網
電子股份有限公司 , 台灣公司情報網