智慧財產及商業法院行政判決
110年度行專訴字第56號
民國111年5月11日辯論終結
原 告 美商CMC材料股份有限公司（CMC Materials, In
c.）
代 表 人 凱羅 柏斯登 H. Carol Bernstein
訴訟代理人 陳翠華（兼送達代收人）
黃琮益
陳群顯律師
被 告 經濟部智慧財產局
代 表 人 洪淑敏
訴訟代理人 楊淑珍
參 加 人 羅門哈斯電子材料CMP控股公司
代 表 人 Blake T. Biederman
上列當事人間因發明專利舉發事件，原告不服經濟部中華民國11
0年9月9日經訴字第11006307210號訴願決定，提起行政訴訟，並
經本院命參加人獨立參加被告之訴訟，本院判決如下：
主 文
原告之訴駁回。
訴訟費用由原告負擔。
事實及理由
壹、程序事項
按言詞辯論期日，當事人之一造不到場者，倘無民事訴訟法 第386條規定之不得一造辯論判決之事由，得依到場當事人 之聲請，由其一造辯論而為判決，行政訴訟法第218條準用 民事訴訟法第385條第1項前段、第386條定有明文。查參加 人受合法通知，無正當理由，未於言詞辯論期日到場，有本 院送達證書1紙在卷可稽（見本院卷第323頁），核無民事訴 訟法第386條各款所列情形，爰依原告、被告之聲請，由到 場之當事人辯論而為判決。
貳、實體事項
一、事實概要：
原告於民國89年8月11日以「化學機械磨光系統及其使用方 法」向被告申請發明專利，並以88年8月13日申請之美國第6 0/148,878號專利案主張優先權，經被告編為第89116243號 申請案進行審查，於91年3月22日准予專利，並發給發明第1 53706號專利證書（下稱系爭專利）。嗣參加人於106年7月1 3日以系爭專利違反核准時專利法第20條第1項第1款、第20 條之1、第20條第2項及第71條第1項第3款規定，對之提起舉 發。原告於106年10月6日、110年1月27日提出系爭專利說明
書及申請專利範圍更正本，案經被告審查，以110年4月15日 （110）智專三（五）01103字第11020344650號專利舉發審 定書、110年5月7日（110）智專三（五）01103字第1102042 9220號更正函為「110年1月27日之更正事項，應予更正」、 「請求項1至3、5、9至18、23至25、27、31至37、40舉發成 立」、「請求項4、6至8、19至22、26、28至30、38至39舉 發不成立」之處分（下稱原處分）。原告不服前揭舉發成立 部分之處分，提起訴願，經經濟部以110年9月9日經訴字第1 1006307210號訴願決定駁回，原告不服，乃向本院提起行政 訴訟。本院認為本件判決結果，如認訴願決定及原處分關於 前揭舉發成立部分應予撤銷，參加人之權利或法律上利益將 受有損害，故依職權命參加人獨立參加本件被告之訴訟。二、原告主張：
㈠系爭專利更正後請求項1至3、5、9至18、23至25、27、31至37、40係關於一種化學機械性磨光系統或組合物（即CMP系統／組合物）及其使用方法，並包含三種必要成分，即至少一種氧化劑、至少一個α-氨基酸、以及至少一種鈍化薄膜形成劑。系爭專利併用α-氨基酸，相較於併用不屬於α-氨基酸之甘胺酸所提供之CMP組合物，系爭專利可於銅的CMP過程中使凹陷、腐蝕、線凹面及Cu表面粗度顯著降低。當CMP組合物分別採用等量α-丙胺酸與β-丙胺酸，採用α-丙胺酸所提供的銅移除速率為2784／分鐘， 遠高於採用β-丙胺酸之銅移除速率為986／分鐘，且採用α-丙胺酸之CMP組合物，其Cu：Ta選擇率為253.1（計算式：2784÷11＝253.1），與採用β-丙胺酸之CMP組合物Cu：Ta選擇率為75.8（計算式：986÷13＝75.8）相較，效益較高。故系爭專利發明以在CMP操作中併用氧化劑、α-氨基酸及鈍化薄膜形成劑，成功地在合宜速率、選擇率下磨光多層基材，且同時避免過度凹陷及腐蝕問題，在CMP技術領域之改良為前所未見。依其所提之表1數據顯示，相較於僅使用氧化劑之銅拋光速率明顯過低之淤漿1態樣，若僅併用氧化劑與鈍化薄膜形成劑而未使用α-氨基酸如淤漿2，無助於銅拋光率的提升；若僅併用氧化劑與α-氨基酸而未使用鈍化薄膜形成劑如淤漿3，雖可提升銅拋光速率，但產生嚴重的凹陷問題；只有同時併用氧化劑、α-氨基酸與鈍化薄膜形成劑如淤漿4，才能在無顯著凹陷腐蝕問題情形下有效提升銅拋光速率。表1：
㈡證據3所揭露一種包括化學劑與蝕刻劑之拋光劑，其實施例使 用苯并三唑作為化學劑，並使用甘胺酸作為蝕刻劑，以此組 合說明其發明效益。其組成說明並無針對化學劑之選項使用 進一步說明探討，尤其未教導、建議就其眾多化學劑選項為 選用或組合使用的優先順序，更未提及應特別併用半胱胺酸 與苯并三唑或三唑，遑論提供如系爭專利併用α-氨基酸與鈍 化薄膜形成劑之技術指引，即證據3並未提供在CMP組合物中 選擇併用α-氨基酸與鈍化薄膜形成劑組合之動機。系爭專利 所屬技術領域具通常知識者由證據3之內容，無從輕易思及 於拋光劑併用半胱胺酸與苯并三唑或三唑作為化學劑。反而 因證據3實施例僅例示使用甘胺酸於CMP組合物，本即為系爭 專利欲改良之習知技藝。而現行法與90年專利法於新穎性之 標準並未改變，至於專利審查基準是用來詮釋法律，故後續 修改之專利審查基準可補充先前基準之不足，於與法律規範 未衝突部分自得援用以闡明法律的意義，故被告所辯就系爭 專利之新穎性審查應採「直接推導」而非「直接且無歧異得 知」判斷標準，並認定熟悉該項技術者可直接推導出包含苯 并三唑及半胱胺酸之組合，進而認定系爭專利不具新穎性， 應無可採。
㈢證據3雖列舉10多種化學劑或其混合物為複數化學劑選項， 且載明其目的係在待拋光基材上形成保護膜，亦僅能對應系 爭專利鈍化薄膜形成劑如苯并三唑之功能，而不及於系爭專 利選擇將α-氨基酸併用後可提高銅移除率及Cu：Ta選擇率之 功能。證據3列舉之複數化學劑選項，彼此間組合情形多達 數十、百種，係揭露複數個意義，並未明示如系爭專利之特
定組合，應不得認定由證據3能直接且無歧異而得知系爭專 利之技術特徵，證據3既未教導於拋光劑中如系爭專利必須 同時存在氧化劑、α-氨基酸及鈍化薄膜形成劑之組合，故無 從證明系爭專利更正後請求項1至3、9至11、13、14不具新 穎性，且不足證明更正後請求項1至3、5、9至17、23至25、 27、31至37不具進步性。證據3所載拋光劑之化學劑選項馬 庫西群組，其選項眾多，各選項之歧異性極大，亦無α-氨基 酸之選項，僅以半胱胺酸作為含硫之氨基酸之例，自不應僅 由證據3所載馬庫西群組之慣常用語「……及其混合物」，率 認已明確揭示苯并三唑及含硫之氨基酸（特別是半胱胺酸） 的混合物，而過度解讀證據3揭露之內容。即僅由馬庫西群 組之慣常使用之「……及其混合物」，不足據為認定該馬庫西 群組涵蓋之組合態樣已被明確教示於說明，而否定馬庫西群 組所列選項之二或多者之組合為技術特徵發明之新穎性。只 要該組合有意義而可提供發明功效，仍應具有新穎性及進步 性。
㈣證據3以半胱胺酸作為含硫之氨基酸之例，熟習該項技術者至 多僅有動機以其他含硫之氨基酸、而非以α-氨基酸取代半胱 胺酸。系爭請求項5所載之α-丙胺酸、系爭請求項12所載之 賴胺酸均非含硫之氨基酸，自亦不得以證據3揭示之半胱胺 酸與α-丙胺酸、賴胺酸同屬α-氨基酸為由，以後見之明逕認 熟習該項技術者可輕易完成請求項5、12之發明專利。 ㈤證據5係提供一種改良拋光片，其包括固態均勻聚合物層，該 聚合物層在使用期間，同時呈現有大型與小型流體通道的表 面結構或圖形，該等通道允許漿液在橫跨拋光片之表面而傳 送。即證據5係著眼於拋光片之改良，亦未提供於CMP操作中 併用氧化劑、α-氨基酸及鈍化薄膜形成劑之動機。故證據3 與證據5之組合無法證明請求項18、40不具進步性。 ㈥並聲明：訴願決定及原處分關於「請求項1至3、5、9至18、2 3至25、27、31至37、40舉發成立」部分均撤銷。三、被告抗辯：
㈠證據3揭示之化學機械磨光試劑，包括化學劑及蝕刻劑具體例 示之化學劑，包含苯并三唑（相當系爭專利之鈍化薄膜形成 劑）及半胱胺酸（相當系爭專利之α-氨基酸之組合），具體 例示之蝕刻劑可為過氧化氫（相當系爭專利之氧化劑），故 證據3已揭示系爭專利限定之氧化劑、α-氨基酸及鈍化薄膜 形成劑之組成內容，縱使證據3並非以此組成內容作為實施 例，亦無法否定證據3已揭示系爭專利所請CMP系統／組合物 之事實，因此證據3足證系爭專利所請CMP系統/組合物不具 新穎性。再者，證據3既揭示與該CMP系統/組合物相同之組
成內容，依「相同物質、相同功效」之理，必然產生相同於 系爭專利之功效，因此，系爭專利相較證據3並無功效上之 差異，系爭專利自無原告所稱具有無法預期之功效。故原處 分認定系爭專利所請CMP系統／組合物不具進步性，並無違誤 。依前所述，證據3既揭示化學機械磨光試劑包括化學劑及 蝕刻劑，並分別以「擇一形式」記載化學劑及蝕刻劑之選項 ，其中，已特定揭示蝕刻劑可為過氧化氫，另於單一群組中 例示化學劑為苯并三唑及半胱胺酸之組合，即應認證據3已 揭示化學磨光試劑包含過氧化氫、苯并三唑及半胱胺酸之發 明，至於證據3記載之其餘化學劑或化學磨光試劑數量為何 ，則與新穎性之判斷無涉。
㈡證據3以單一馬庫西群組揭示化學劑選項及其組合，依據系爭 專利適用90年專利法及83年發布的審查基準，對於新穎性審 查係採「直接推導」判斷標準，不同於現行法規為「直接且 無歧異得知」判斷標準，足以認定熟悉該項技術者可直接推 導出包含苯并三唑及半胱胺酸的組合，故系爭專利不具新穎 性。
㈢「擇一形式」或「馬庫西」記載方式，係將具有類似本質之 選項以群組方式表示，通常用於化合物技術領域，用以簡化 必須重複記載的共同技術特徴，故以此記載形式所構成之單 一群組中的任一選項，實為揭示一個別之發明。證據3記載 「能與以金屬為主成分之物質形成保護膜之化學劑之例子 包含苯并三唑……含硫氨基酸（特別是半胱胺酸）……對氨基苯 甲醛、鹵代乙酸、硫醇如膦酸（例如十二烷基硫醇和辛烷麟 酸）、單醣如葡萄糖和果糖衍生物及前述敘及之化合物的混 合物……」，即是以單一群組呈現不同化學劑（選項）所構成 之發明，既然該群組涵蓋化學劑為苯并三唑及半胱胺酸之選 項，應足認證據3已揭示化學劑為苯并三唑及半胱胺酸之發 明。
㈣證據3已揭示包含氨基酸的組合物，足使熟悉該項技術者具有動機替代成其他氨基酸（包含α-氨基酸或α-丙胺酸）。原告並未提出系爭專利請求項5相較證據3包含半胱胺酸之組成物之比較數據，亦無法證明相較先前技術確有產生無法預期的功效，故無法證明系爭專利請求項5具有進步性。 ㈤按一般化學知識，具有相似結構之化合物，具有相似性質， 熟習該項技術者自有動機嘗試將具有相似結構之化合物互為 替代。證據3揭示之半胱胺酸之化學結構既為已知α-氨基酸 之一種，熟習該項技術者自有動機嘗試以其他習知α-胺基酸 做為替代物。由於系爭專利界定之α-丙胺酸或賴胺酸與證據 3揭示之半胱胺酸具有結構上之相似性，自無法排除熟習該 項技術者將該等胺基酸做為半胱胺酸替代物之動機。故原處 分認定熟習該項技術者可輕易完成請求項5、12之發明專利 ，並非後見之明。
㈥並聲明：原告之訴駁回。
四、參加人未於準備程序及言詞辯論期日到庭，亦未具狀陳述。五、本件整理兩造不爭執事項並協議簡化爭點如下（見本院卷第 298頁至第299頁）：
㈠不爭執事項：
如事實及理由欄貳、一、事實概要所示。
㈡本件爭點：
⒈證據3是否足以證明系爭專利請求項1至3、9至11、13、14不 具新穎性？
⒉證據3是否足以證明系爭專利請求項1至3、5、9至17、23至25 、27、31至37不具進步性？
⒊證據3、證據5之組合是否足以證明系爭專利請求項18、40不 具進步性？
六、得心證之理由：
㈠按發明專利權得提起舉發之情事，依其核准審定時之規定。 專利法第71條第3項本文定有明文。查系爭專利申請日為89 年8月11日，經被告審查後於91年3月22日准予專利，並發給 發明第153706號專利證書等情，有系爭專利之公告本、專利 核准處分書附卷可參（見乙證2第37頁至第65頁、第76頁） ，是系爭專利有無應撤銷之原因，自應以其核准審定時所適 用之90年10月24日修正公布、施行之專利法（下稱核准時專 利法）為斷。次按發明者，謂利用自然法則之技術思想之高 度創作。凡可供產業上利用之發明，無下列情事之一者，得 依本法申請取得發明專利：申請前已見於刊物或已公開使 用者。但因研究、實驗而發表或使用，於發表或使用之日起 六個月內申請專利者，不在此限。發明係運用申請前既有之 技術或知識，而為熟習該項技術者所能輕易完成時，雖無前 項所列情事，仍不得依本法申請取得發明專利。核准時專利 法第19條、第20條第1項第1款、第2項分別定有明文。 ㈡系爭專利之技術分析：
⒈系爭專利之技術內容：
依系爭專利說明書之摘要及發明說明所載（見乙證2第64頁 、第55頁至第59頁），系爭專利係提供一種係關於含有α－氨 基酸之化學機械性磨光組合物及淤漿，其可用於磨光包括多 層金屬、金屬及介電質之基材。系爭專利之發明係關於含有 α-氨基酸之化學機械性磨光系統，其包括化學機械性磨光組 合物，淤漿及在高速率與低損壞率下磨光一種或多種金屬及 電基材相關之介電層之方法。α-氨基酸由式H2N-CR1R2COOH 表示，其中R1及R2均非氫，且其中R1及R2各獨立選自氫、具 有1至8個碳原子之分支、環狀及直鏈部份，其未經取代或經 一個或多個取代基所取代，取代基選自含氮取代基、含氧取
代基、含硫取代基及其混合物。另外，化學機械性磨光系統 可包括磨光墊，其與化學機械性磨光組合物協合以磨光基材 。在一具體例中，磨光墊不包括埋入其中之研磨粒子。在另 一具體例中，磨光墊包括埋入其中之研磨粒子。系爭專利之 發明又關於化學機械性磨光組合物，其包含約0.05至約10.0 重量％至少一種氧化劑、約0.1至約10、0重量％苯胺、及約0. 01至約5.0重量％至少一種含氮化合物，其可抑制化學機械性 磨光組合物之能力，以磨光與基材相關之至少一層。因為至 少一種含氮化合物抑制化學機械性磨光組合物磨光基材層之 能力，所以稱為停止化合物。雖然停止化合物顯示被陽離子 充電，此並非本發明之限制。化學機械性磨光組合物可包含 或不可包含研磨劑。系爭專利之發明之CMP系統，包括組合 物及淤漿，可包括成份，其在電基材層之表面上形成鈍化層 。一旦形成鈍化層時，為了獲得所欲磨光速率，能干擾鈍化 層變得重要。本發明之化學機械性磨光系統包括增加金屬磨 光速率之α-氨基酸之磨光添加劑。α-氨基酸由式H2N-CR1R2C OOH表示，其中R1及R2均非氫且其中R1及R2各獨立選自氫及 具有1至8個碳原子之環狀、分支及支鏈部份，其未經取代或 經一個或多個取代基所取代，取代基選自含氮取代基、含氧 取代基及含硫取代基，包括但不限於-COOH，-CONH2，-NH2 ，-S-，-OH，-SH及其混合物。更佳的是，α-氨基酸係選自 丙胺酸、精胺酸、天門冬醯胺、天門冬胺酸、胱胺酸、半胱 胺酸、穀氨醯胺、穀胺酸、組胺酸、異亮胺酸、亮胺酸、賴 胺酸、蛋胺酸、苯基丙胺酸、絲胺酸、蘇胺酸、色胺酸、酪 胺酸、擷胺酸及其混合物所組成之群。磨光添加劑最佳為丙 胺酸。
⒉系爭專利申請專利範圍：
系爭專利原核准請求項共40項，原告於106年10月6日、110 年1月27日提出對請求項1、13、19、21、23、32更正申請， 經被告審定原告110年1月27日所提更正內容准予更正，故申 請專利範圍以更正後請求項內容為準（見乙證1第246頁至第 252頁），請求項共計40項，其中請求項1、19、21、23為獨 立項，其餘為附屬項，依更正後請求項內容如下： ⑴請求項1：
一種化學機械性磨光系統，其包含：至少一種氧化劑；至少 一個α-氨基酸，其中具有式H2N-CR1R2COOH，其中R1及R2均 非氫，且其中R1及R2各獨立選自氫、具有1至8個碳原子之分 支、環狀及直鏈部份，其未經取代或經一個或多個取代基所 取代，取代基選自含氮取代基、含氧取代基、含硫取代基及 其混合物；及至少一種鈍化薄膜形成劑。
⑵請求項2：
根據申請專利範圍第1項之化學機械性磨光系統，其中含氮 取代基、含氧取代基及含硫取代基係選自-COOH，-CONH2，- NH2，-S-，-OH，-SH及其混合物。 ⑶請求項3：
根據申請專利範圍第1項之化學機械性磨光系統，其中α-氨 基酸係選自α-丙胺酸、精胺酸、天門冬醯胺、天門冬胺酸、 胱胺酸、半胱胺酸、穀氨醯胺、穀胺酸、組胺酸、異亮胺酸 、亮胺酸、賴胺酸、蛋胺酸、苯基丙胺酸、絲胺酸、蘇胺酸 、色胺酸、酪胺酸、纈胺酸及其混合物所組成之群。 ⑷請求項4：
根據申請專利範圍第1項之化學機械性磨光系統，其包括約0 .05至約10.0重量%該α-氨基酸。
⑸請求項5：
根據申請專利範圍第1項之化學機械性磨光系統，其中α-氨 基酸為α-丙胺酸。
⑹請求項6：
根據申請專利範圍第5項之化學機械性磨光系統，其包括約0 .05至約10.0重量%α-丙胺酸。
⑺請求項7：
根據申請專利範圍第1項之化學機械性磨光系統，其包括約0 .1至約17.0重量%至少一種氧化劑。
⑻請求項8：
根據申請專利範圍第7項之化學機械性磨光系統，其包括約0 .5至約10.0重量%至少一種氧化劑。
⑼請求項9：
根據申請專利範圍第1項之化學機械性磨光系統，其中至少 一種氧化劑為過氧化氫。
⑽請求項10：
根據申請專利範圍第1項之化學機械性磨光系統，其包括至 少一種停止化合物，其抑制化學機械性磨光組合物磨光至少 一與基材有關之層之能力，其中至少一種停止化合物為陽離 子充電之含氮化合物。
⑾請求項11：
根據申請專利範圍第10項之化學機械性磨光系統，其中至少 一種停止化合物係選自化合物，其中包含第一胺、第二胺、 第三胺、第四胺、低聚合胺、低聚合亞胺、低聚合醯胺、低 聚合醯亞胺、聚合胺、聚合亞胺、聚合醯胺、聚合醯亞胺、 氨基酸、氨基淳、醚胺及其混合物。
⑿請求項12：
根據申請專利範圍第10項之化學機械性磨光系統，其中至少 一種停止化合物係選自具有分子量範圍為約200至百萬以上 之聚伸乙亞胺；N4－胺（N,N’－雙－[3－胺基丙基]乙二胺）；4 ,7,10－三苐三癸烷－1,13－二胺；3,3－二甲基－4,4－二胺基二環 己甲烷；2－苯基乙胺；聚醚胺；醚胺；N,N－二甲基二丙三胺 ；3－[2一甲氧乙氧基]丙胺；二甲基胺基丙胺；1,4一雙（3－ 胺基丙基）六氫吡；賴胺酸；異佛爾酮二胺；六亞甲二胺 ；N－環己基－1,3－丙二胺；N－（3－胺基丙基）－1,3－丙二胺； 四乙五胺；N,N,N’,N’－四甲基－1,4－丁二胺；丙胺；2－（2－ 胺基乙氧基）乙醇；1,3－二胺基－2－丙醇；硫代雲母礦；2－ 胺基－1－丁醇；聚[雙（2－氯醚）－alt－1,3－雙（3－甲基胺基 ）丙基]；及其混合物。
⒀請求項13：
根據申請專利範圍第1項之化學機械性磨光系統，該鈍化薄 膜形成劑包括至少一個有機雜環，其具有5至6員雜環作為活 性官能基，其中至少一個環包括氮原子。
⒁請求項14：
根據申請專利範圍第13項之化學機械性磨光系統，其中至少 一個鈍化薄膜形成劑選自苯并三唑、三唑、苯并咪唑及其混 合物。
⒂請求項15：
根據申請專利範圍第1項之化學機械性磨光系統，其更包括 至少一種金屬氧化物研磨劑。
⒃請求項16：
根據申請專利範圍第15項之化學機械性磨光系統，其中金屬 氧化物研磨劑為約0.1至約30重量%金屬氧化物研磨劑，選自 氧化鋁、氧化鈰、氧化鍺、氧化矽、氧化鈦、氧化鋯、其複 合物及其混合物。
⒄請求項17：
根據申請專利範圍第1項之化學機械性磨光系統，其更包括 磨光墊。
⒅請求項18：
根據申請專利範圍第17項之化學機械性磨光系統，其中磨光 墊包括埋入其上或其內之研磨劑。
⒆請求項19：
一種化學機械性磨光組合物，其包含：約0.5至約10.0重量% 過氧化氫；約0.05至約10.0重量%丙胺酸；及約0.005至約1. 0重量%至少一種鈍化薄膜形成劑。
⒇請求項20：
根據申請專利範圍第19項之化學機械性磨光組合物，其包括
約0.1至約30.0重量%之氧化鋁。
請求項21：
一種化學機械性磨光組合物，其包含：約0.5至約10.0重量% 至少一種氧化劑；約0.05至約10.0重量%丙胺酸；約0.01至 約5.0重量%至少一種含氮化合物，其抑制化學機械性磨光組 合物磨光至少一與基材相關之層之能力，其中至少一種含氮 化合物被陽離子充電；及約0.005至約1.0重量%至少一種鈍 化薄膜形成劑。
請求項22：
根據申請專利範圍第21項之化學機械性磨光組合物，其包括 約0.1至約30.0重量%至少一種研磨劑。 請求項23：
一種磨光包含第一金屬層與位在第一金屬層下方之第二層之 基材的方法，其包括a.將化學機械性磨光組合物塗覆至與磨 光墊結合之基材，化學機械性磨光組合物包含氧化劑、至少 一個α-氨基酸及至少一種鈍化薄膜形成劑，該α-氨基酸具有 式H2N-CR1R2COOH，其中R1及R2均非氫，且其中R1及R2各獨 立選自氫、具有1至8個碳原子之分支、環狀及直鏈部份，其 未經取代或經一個或多個取代基所取代，取代基選自含氮取 代基、含氧取代基、含硫取代基及其混合物；及b.用化學機 械性磨光組合物及磨光墊磨光第一金屬層，直到第一金屬層 之至少一部份自基材除去以形成局部磨光基材為止。 請求項24：
根據申請專利範圍第23項之方法，其中含氮取代基、含氧取 代基及含硫取代基係選自-COOH，-CONH2，-NH2，-S-，-OH ，-SH及其混合物。
請求項25：
根據申請專利範圍第23項之方法，其中α-氨基酸係選自α-丙 胺酸、精胺酸、天門冬醯胺、天門冬胺酸、胱胺酸、半胱胺 酸、穀氨醯胺、穀胺酸、組胺酸、異亮胺酸、亮胺酸、賴胺 酸、蛋胺酸、苯基丙胺酸、絲胺酸、蘇胺酸、色胺酸、酪胺 酸、擷胺酸及其混合物所組成之群。
請求項26：
根據申請專利範圍第23項之方法，其中α-氨基酸係以該組合 物之約0.05至約10.0重量%之量呈現。 請求項27：
根據申請專利範圍第23項之方法，其中α-氨基酸為α-丙胺酸 。
請求項28：
根據申請專利範圍第27項之方法，其包括約0.05至約10.0重
量%α-丙胺酸。
請求項29：
根據申請專利範圍第23項之方法，其包括約0.1至約17.0重 量%氧化劑。
請求項30：
根據申請專利範圍第29項之方法，其包括約0.5至約10.0重 量%氧化劑。
請求項31：
根據申請專利範圍第23項之方法，其中氧化劑為過氧化氫。 請求項32：
根據申請專利範圍第23項之方法，其中該鈍化薄膜形成劑包 括至少一個有機雜環，其具有5至6員雜環作為活性官能基， 其中至少一個環包括氮原子。
請求項33：
根據申請專利範圍第32項之方法，其中至少一個鈍化薄膜形 成劑選自苯并三唑、三唑、苯并咪唑及其混合物。 請求項34：
根據申請專利範圍第23項之方法，其中化學機械性磨光組合 物包括至少一種金屬氧化物研磨劑。
請求項35：
根據申請專利範圍第34項之方法，其中金屬氧化物研磨劑為 約0.1至約30重量%金屬氧化物研磨劑，選自氧化鋁、氧化鈰 、氧化鍺、氧化矽、氧化鈦、氧化鋯及其混合物。 請求項36：
根據申請專利範圍第23項之方法，其中化學機械性磨光組合 物包括至少一種停止化合物，其抑制化學機械性磨光組合物 磨光至少一與基材有關之層之能力，其中至少一種停止化合 物為陽離子充電之含氮化合物。
請求項37：
根據申請專利範圍第36項之方法，其中至少一種停止化合物 係選自化合物，其包含第一胺、第二胺、第三胺、第四胺、 低聚合胺、低聚合亞胺、低聚合醯胺、低聚合醯亞胺、聚合 胺、聚合亞胺、聚合醯胺、聚合醯亞胺、氨基酸、氨基醇、 醚胺及其混合物。
請求項38：
根據申請專利範圍第36項之方法，其中至少一種停止化合物 係選自具有分子量範圍為約200至百萬以上之聚伸乙亞胺；N 4－胺（N,N’－雙－[3－胺基丙基]乙二胺）；4,7,10－三苐三癸烷 －1,13－二胺；3,3－二甲基－4,4－二胺基二環己甲烷；2－苯基 乙胺；聚醚胺；醚胺；N,N－二甲基二丙三胺；3－[2－甲氧乙
氧基]丙胺；二甲基胺基丙胺；1,4－雙（3－胺基丙基）六氫 吡；賴胺酸；異佛爾酮二胺；六亞甲二胺；N－環己基－1,3－ 丙二胺；N－（3－胺基丙基）－1,3－丙二胺；四乙五胺；N,N,N ’,N’－四甲基－1,4－丁二按；丙胺；2－（2－胺基乙氧基）乙醇 ；1,3－二胺基－2－丙醇；硫代雲母礦；2－胺基－1－丁醇；聚[ 雙（2－氯醚）－alt-1,3-雙（3－甲基胺基）丙基]；及其混合 物。
請求項39：
根據申請專利範圍第36項之方法，其中第二層為黏著層，其 覆蓋在氧化物層上，其中至少一種停止化合物可抑制黏著層 及氧化物層之磨光。
請求項40：
根據申請專利範圍第23項之方法，其中該磨光墊包括埋入其 上或其內之研磨劑。
㈢舉證證據之技術分析：
⒈證據3（見乙證1卷第42頁至第35頁背面）： ⑴證據3為西元1998年6月23日公告之美國第US5770095A號「Pol ishing agent and polishing method using the same」發 明專利案，其公告日早於系爭專利優先權日即西元1999年8 月13日，可為系爭專利之先前技術。
⑵證據3係關於一種拋光劑和一種拋光方法，更具體地，涉及一 種用于諸如半導體器件製造步驟的微加工步驟中的拋光劑和 一種使用這種拋光劑的拋光方法。該發明還提供一種拋光劑 ，其用于通過化學機械拋光法在表面具有凹部的基板的凹部 中形成由以金屬爲主要成分的材料製成的膜，并且其包括化 學試劑，該化學試劑負責通過與包含金屬作爲主要成分的材 料反應，在待拋光基板的表面上形成保護膜。上述含有金屬 作爲主要成分的材料反應形成保護膜的化學試劑的實例包括 苯并三唑、包括通過取代氫原子製備的三唑三唑(TTA)的苯 并三唑衍生物、苯并三唑的苯環與甲基、含有上述化合物的 混合物、硫脲、唑類（特別是苯并咪唑）、三唑、水楊醛肟 、銅鐵酮、乙二胺、含硫氨基酸（特別是半胱氨酸）、對氨 基苯甲醛、鹵代乙酸、硫醇例如膦酸（例如十二烷基硫醇和 辛烷膦酸）、單糖例如葡萄糖和果糖、上述化合物的衍生物 和混合物、N-苯甲醯基-N-苯基羥基胺（下稱BPA）、BPA 衍 生物等。該發明可以使用含有甘氨酸、氨基硫酸或這些化合 物的混合酸等氨基乙酸和過氧化氫（H2O2）、硝酸、次氯酸 、臭氧水等氧化劑的蝕刻劑。作爲其他蝕刻劑，可以使用硝 酸、氨、過硫酸銨、氮化銨、氯化銨等銨鹽、鉻酸的水溶液 。當使用Cu或Cu合金作爲包含金屬作爲主要成分的材料時，
特別優選使用這些蝕刻劑。
⒉證據5（見乙證1卷第11頁至第1頁背面）： ⑴證據5為西元1999年6月21日公告之我國第362551號「拋光片 」發明專利案，其公告日早於系爭專利優先權日即西元1999 年8月13日，可為系爭專利之先前技術。
⑵證據5係關於一種改良拋光片，其包括固態均勻聚合物層，該 聚合物層本質上不具有吸收或傳送漿液粒子的能力，在使用 期間，其同時呈現有大型與小型流體通道的表面結構或圖形 ，該等通道允許漿液在橫跨拋光片之表面而傳送，其中該等 通道不為材料結構之一部分，而是在該拋光片表面上機製而 成。在本創作的較佳型態中，拋光片結構包括在使用之前形 成的大型結構，以及在拋光片使用期間藉由多種小型研磨點 在選定之規則間距上以研磨的方式所形成的小型結構。 ㈣證據3足以證明系爭專利請求項1至3、9至11、13、14不具新 穎性：
⒈證據3足以證明系爭專利請求項1不具新穎性： 證據3已揭露一種化學機械磨光試劑，包括化學劑（chemica l agents）及蝕刻劑（etching agent）等，較佳之磨光試 劑包含氨基乙酸（aminoacetic acid）及/或氨基磺酸（ami dosulfuric acid）、氧化劑、水及苯并三唑，其中，該化 學劑可為苯并三唑（benzotriazole，即BTA）、包含BTA或B TA衍生物之混合物、含硫胺基酸特別係半胱胺酸（cysteine ）……前述化合物之衍生物與混合物等，且該化學劑係可與金 屬反應形成保護膜（見乙證1卷第38頁至背面）。上述化學 機械磨光試劑相當於系爭專利請求項1所載「一種化學機械 性磨光系統」之技術特徵；氨基乙酸之結構通式可為H2N-CR 1R2COOH，且係通常知識中習知α-氨基酸之一種，與系爭專 利請求項1所界定α-氨基酸之差異僅在於證據3未具體限定R1 、R2取代基類別；該氧化劑即可對應於系爭專利請求項1所 載「至少一種氧化劑」之技術特徵；半胱胺酸之結構式為H2 N-CH(HSCH2)COOH，相當於系爭專利請求項1所稱「式H2N-CR 1R2COOH之α-氨基酸中，R1為氫，R2為具有1個碳之直鏈部分 且經一個含硫取代基取代者」之技術特徵；化學劑係可與金 屬反應形成保護膜，則相當於系爭專利該請求項1所載「及 至少一種鈍化薄膜形成劑」之技術特徵。又依證據3所揭露 該化學劑「可為苯并三唑……特別係半胱胺酸（cysteine）…… 前述化合物之衍生物與混合物等」之內容，該發明所屬技術 領域中具有通常知識者，依其一般化學知識，即可知證據3 之化學劑可為苯并三唑與半胱胺酸之混合物。基上，證據3 已揭露系爭專利請求項1之全部技術特徵，足以證明系爭專
利請求項1不具新穎性。
⒉證據3足以證明系爭專利請求項2至3、9至11、13至14不具新 穎性：
⑴系爭專利請求項2依附於請求項1，進一步界定「其中含氮取 代基、含氧取代基及含硫取代基係選自-COOH，-CONH2，-NH 2，-S-，-OH，-SH及其混合物」技術特徵。證據3可證明系 爭專利請求項1不具新穎性，業如前述。又證據3所揭露之半 胱胺酸（cysteine），該結構式為H2N-CH(HSCH2)COOH，如 前所述，即為α-氨基酸含-SH取代基者，相當於系爭專利請 求項2所請α-氨基酸之含硫取代基為-SH之技術特徵，是證據 3已足以證明系爭專利請求項2不具新穎性。
⑵系爭專利請求項3依附於請求項1，進一步界定「其中α-氨基 酸係選自α-丙胺酸、精胺酸、天門冬醯胺、天門冬胺酸、胱 胺酸、半胱胺酸、穀氨醯胺、穀胺酸、組胺酸、異亮胺酸、 亮胺酸、賴胺酸、蛋胺酸、苯基丙胺酸、絲胺酸、蘇胺酸、 色胺酸、酪胺酸、纈胺酸及其混合物所組成之群」技術特徵 。證據3可證明系爭專利請求項1不具新穎性，業如前述。又 證據3已揭露其磨光劑可包含半胱胺酸（cysteine），如前 所述，即可對應於系爭專利請求項3上開技術特徵，是證據3 已足以證明系爭專利請求項3不具新穎性。
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