智慧財產及商業法院民事判決
110年度民專訴字第32號
原 告 液態空氣喬治斯克勞帝方法研究開發股份有限公司
L'AIR LIQUIDE-SOCIETE ANONYME POUR L'ETUDE
ET L'EXPLOITATION DES PROCEDES GEORGES CLAUD
E
法定代理人 Martin RZANIAK
訴訟代理人 馮達發律師
施汝憬律師
鍾京洲律師
輔 佐 人 黃慧軒
被 告 台灣日酸股份有限公司
法定代理人 梅津公洋
訴訟代理人 汪家倩律師
王惟佳律師
輔 佐 人 侯春岑
徐哲謙
上列當事人間請求排除侵害專利權等事件，本院於中華民國111
年1月18日言詞辯論終結，判決如下：
主 文
原告之訴及假執行之聲請均駁回。
訴訟費用由原告負擔。
事實及理由
一、原告主張：
㈠原告為中華民國發明專利第I525210號「形成介電膜之方法、 新穎前驅物及其在半導體製造上的用途」（下稱系爭專利） 之專利權人，專利期間自民國105年3月11日至116年5月31日 止，現仍在專利權期間內。被告主要供應半導體、薄膜電晶 體液晶顯示器（TFT-LCD）、發光二極體（LED）、太陽能電 池、微波通訊等各種電子工業用的特殊氣體及設備，為原告 之競爭廠商之一。依行政院環境保護署（下稱環保署）化學 物質登錄資訊公開查詢平台之資訊，被告曾以更名前之「台 灣大陽日酸股份有限公司」名稱，於109年2月5日經環保署 准予登錄化合物「鋯,三（N-甲基甲胺基）[（1,2,3,4,5-η ）-1-丙基-2,4-環戊二烯-1-基）]-」（下稱系爭產品1）， 登錄碼為「EPNA0A00000000」，CAS編號為「0000000-00-0
」，登錄級距為「少量登錄年製造或輸入量未滿0.1噸」， 顯見被告至遲於109年2月間已進口系爭產品1，並已於我國 販賣系爭產品1及為販賣之要約，且依臺灣新竹地方法院現 場保全之資料，可知被告已進口68瓶系爭產品1。嗣原告於1 10年9月15日第三次向我國經濟部智慧財產局（下稱智慧局 ）申請更正系爭專利請求項29、30之申請專利範圍（下稱更 正後請求項29、30），經比對系爭產品1之上開CAS編號，可 知其化學名稱（Chemical Name, CN）為Zirconium,tris（N -methylmethanaminato）[（l,2,3,4,5-η）-l-propyl-2,4- cyclopentadien-l-yl]-，業已落入系爭專利更正後請求項2 9及30之文義範圍。
㈡原告曾於109年8月10日寄發警告函，告知被告不得擅自販賣 、為販賣之要約或進口系爭產品1，以免侵害原告系爭專利 ，被告於109年10月8日回函表示：針對系爭產品1，被告為 其客戶之臺灣經銷商，惟於收到原告前開函文後，決定中止 相關業務。詎被告僅是表面聲請撤銷系爭產品1於環保署之 登錄（該原登錄碼「EPNA0A00000000」，狀態為「失效」） ，隨即於同年8月27日經環保署准予登錄另一化學名稱「鋯, 三（N-烷基烷胺基）[（1,2,3,4,5-η）-1-烷基-2,4-環戊二 烯-1-基）]-」（下稱系爭產品2），登錄碼為「EPNA0A0000 0000」，登錄級距為「簡易登錄年製造或輸入量0.1噸以上 未滿1噸」，惟「甲基」本即為「甲烷基」之簡稱，屬於一 種烷基，而「甲胺基」本即為「甲烷胺基」之簡稱，屬於一 種烷胺基。是以，被告在收受原告警告函之後，隨即變更系 爭產品1之登錄名稱改為系爭產品2，顯明知系爭產品1確實 侵害系爭專利，惟為規避、隱匿相關公開資訊，不僅撤銷原 登錄名稱而改以新登錄名稱作為掩護，並對原告佯稱「中止 相關業務」，實際上卻將原「少量登錄」擴充為「簡易登錄 」，持續擴大於我國系爭產品1之販賣或為販賣之要約，足 見被告主觀上具有侵害系爭專利之故意。鑑於計算損害金額 所需之系爭產品1進口資料及銷售資料均係由被告持有，雖 透過保全證據保全部分前揭資料，惟於原告得實際閱覽完整 相關證據資料前，尚難核算損害金額。為此，原告謹依民事 訴訟法第244條第4項規定，先請求以新臺幣（下同）1,000 萬元為最低賠償金額。
㈢為此，爰依專利法第96條第1項至第3項、第97條之規定，提 起本件訴訟，並聲明：
⒈被告不得自行或使他人製造、為販賣之要約、販賣、使用或 為上述目的而進口系爭產品1與含有前開化合物之物品，以 及從事其他侵害系爭專利之行為。
⒉被告應銷毀前項所述化合物及物品、以及從事侵權行為之原 料或器具。
⒊被告應給付原告1,000萬元整及自起訴狀繕本送達被告之翌日 起至清償日止按年息百分之5計算之利息。
⒋前三項請求，原告願供擔保，請准宣告假執行。二、被告答辯：
系爭產品1固有落入系爭專利更正後請求項29、30之文義範 圍，惟系爭專利申請更正有不應准許及得撤銷之事由，原告 自不得主張專利權，詳述如下：
㈠更正後請求項29係以通式(II1)(R2tCp)M1[N(R39)(R40)]3表 示多種化合物，若要限縮該通式所包含的化合物種類，得 簡單使用正面表現方式，直接限縮R2、M1、R39、R40基團 /取代基的範圍即可，無「不能」經由正面表現方式界定 範圍之情形，然原告刻意同時採用限縮基團，取代基及排 除化合物等兩種方式進行更正，顯然不符合基準所述「明 確、簡潔的界定」；據此，更正後請求項29排除化合物「 MeCp(NMe2)3」及「Me5CpZr(NMe2)3」之記載不得例外視 為未引進新事項，而屬於引進新事項；又更正後請求項29 新增特徵「R39及R40至多一個是乙基」顯與更正前請求項 30所揭露之內容不符，已超出申請時說明書、申請專利範 圍所揭露之內容，且該更正導入之新事項將實質變更更正 前請求項29之解釋，顯然違反專利法第67條第2項、第4項 之規定，應不准更正。
㈡更正後請求項29所述式(II1)之化合物係以概括之通式(R2tCp )M1[N(R39)(R40)]3表示，該通式中之基團R2、t、M1、R3 9、R40皆有多種選擇，該當式(II1)之化合物包括超過10 億種可能，其中「具有1至4個碳原子之直鏈或支鏈烷基」 包括「甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、2-丁基、異丁 基、第三丁基」共8種選擇；「烷基矽烷基」具有兩個烷 基，則包括82共64種選擇；二烷基矽烷基具三個烷基，包 括83共512種選擇；三烷基矽烷基具有四個烷基，包括84 共4,096種選擇。系爭專利說明書僅提供Zr(EtCp)(NMe2)3 作為氣相金屬源之單一實施例延伸至更正後請求項29所涵 蓋之其他超過十億種化合物，顯然無法合理支持如此廣泛 籠統之範圍。
㈢乙證2最早優先權日（西元2005年12月6日）早於系爭專利最 早優先權日（西元2006年6月2日），但公開日（西元2007 年8月1日）晚於系爭專利之最早優先權日，屬專利法第23 條所定「申請在先而在其申請後始公開」之適格證據。又 乙證2實施例3、4、10、11所揭露之化合物，與系爭專利
更正後請求項29、30所述式(II1)化合物之唯一差別僅在 乙證2包含之金屬為鉿(Hf)，而系爭專利包含之金屬為鋯( Zr)，其餘結構完全相同，而鉿(Hf)與鋯(Zr)同為元素週 期表上下列的第IV族元素，原子大小相同，化學性質近似 ，對所屬領域通常知識者而言，為可以直接置換之金屬， 且系爭專利【先前技術】段落已介紹所屬領域通常知識者 時常交替使用鈦(Ti)、鋯(Zr)、鉿(Hf)作為MOCVD之前驅 物，更正前請求項29亦係以馬庫西型式之擇一記載形式界 定申請專利範圍，其敘述：「……其中M1表示選自鉿(Hf)及 鋯(Zr)之金屬」，故所有選擇項目可被認定屬於該發明所 屬技術領域中具有通常知識者「所公認之化合物群」，可 互相替代而可預期達到相同的結果。因此系爭專利更正後 請求項29、30之內容已被乙證2揭露，擬制喪失新穎性。 ㈣乙證3至7及12之公開日均早於系爭專利之優先權日（西元200 5年12月6日），為適格之證據。又系爭專利更正後請求項 29、30為「物」之發明，保護式(II1)化合物本身，乙證3 至7及12已揭示類似或相同的化合物通式及特定化合物。 依乙證18至20之教科書及期刊文獻所揭示，不管是兩個環 戊二烯基，或單一環戊二烯基有機金屬化合物，皆屬茂金 屬化合物(Metallocenes)此大項中的一種，且單環製備方 法也早已為通常知識者所習知。乙證3至7所揭露之通式(C pR1aH5-a）p（CpR2bH5-b）qMR3r及特定之單環化合物MeC pZr(NMe2)3皆屬茂金屬化合物(Metallocenes），其製造/ 分離方法可由乙證3至7揭露內容依通常知識得知。乙證20 表1已清楚揭露至少3種單一環戊二烯基化合物，以及其他 雙環戊二烯基化合物的製備方法，且據乙證20反應式(4) 、（5)的製備方法，配合不同的起始物，便可以製備出單 一環戊二烯基以及雙環戊二烯基化合物；而乙證20為西元 1968年之期刊文獻，足見早在系爭專利申請日近40年前， 單、雙環戊二烯基化合物的製備方法已為本領域通常知識 者所習知。因此，乙證3至7及12任一者所揭露之通式結構 及取代基已完全揭露系爭專利更正後請求項29、30之式(I I1)之化合物，自不具新穎性。
㈤乙證3至7及12皆關於烯烴聚合催化劑，此催化劑為「茂金屬 型（metallocene-type )過渡金屬化合物」，系爭專利更 正後請求項29、30之發明「有機金屬前驅物」亦為茂金屬 化合物，自屬於相同技術領域。而乙證3至7已揭露與系爭 專利請求項式(II1)完全符合之通式及與說明書中式(II1) 完全符合的化合物MeCpZr(NMe2)3，乙證3第3至4頁已明確 揭示通式(CpR1aH5-a）p（CpR2bH5-b）qMR3r，其中q=0，
R1、R2、R3、M基團中，R1及R2較佳為C1-4烷基，通常知 識者可從乙證3至7之上開通式輕易選擇R1、M及R3等基團 ，獲得系爭專利更正後請求項29及30式(II1)的化合物。 雖MeCpZr(NMe2)3此化合物被更正後系爭專利請求項29、3 0排除，然通常知識者經由乙證3至7之教示，可輕易將MeC pZr(NMe2)3中環戊二烯基Cp上的Me更改為乙基(Et)(皆屬C 1-4烷基，為乙證3通式所揭露之較佳取代基範圍），而獲 得系爭專利實施例揭露的唯一式（II1）具體化合物EtCpZ r(NMe2)3，且符合更正後請求項29、30之範圍。因此，系 爭專利更正後請求項29及30所述之式（II1）化合物，可 由乙證3至7任一者所揭示之通式、化合物經通常知識者例 行性調整輕易完成，此例行性調整已於乙證3至7任一者中 揭示，且調整獲得之化合物相較於原化合物並無特別功效 ，是系爭專利更正後請求項29及30相較乙證3至7任一者均 不具進步性。又乙證12揭露與系爭專利更正後請求項29、 30式（II1）完全符合的通式，以及相似的化合物(Me5C5) Ti(NEt2)3，乙證12說明書中已明確揭示M1包括Zr ，R2包 括甲基、乙基等烷基，並揭露金屬可選自鈦原子、鋯原子 、鉿原子等，系爭專利【先前技術】段落亦已介紹所屬領 域通常知識者時常交替使用鈦(Ti)、鋯(Zr)、鉿(Hf)作為 MOCVD的前驅物，而鈦原子(Ti)、鋯原子(Zr)、鉿原子(Hf )為元素週期表同族的元素，具有類似之化學性質。因此 ，通常知識者可從乙證12的通式「Cp1M1（NR2）3」中輕 易選擇Cp1、M1及R2等基團，並調整乙證12揭示之化合物 「(Me5C5)Ti(NEt2)3」而輕易獲得符合系爭專利更正後請 求項29、30之式(II1)化合物，且調整獲得之化合物相較 於原化合物並無特別功效，是系爭專利更正後請求項29及 30相較乙證12並不具進步性。
㈥聲明：
⒈原告之訴及其假執行之聲請均駁回。
⒉如受不利判決，被告願供擔保，請准宣告免於假執行。三、兩造不爭執事項：（本院卷㈢第102至103頁） ㈠原告為系爭專利之專利權人，系爭專利優先權日為95年6月2 日，其權利期間為自105年3月11日起至116年5月31日止。嗣 原告於110年1月22日向智慧局申請更正系爭專利之申請專利 範圍，再於同年4月30日申請更正系爭專利之申請專利範圍 ，復於同年9月15日申請更正系爭專利之申請專利範圍（下 稱系爭專利申請更正案），現仍由智慧局審理中，本件系爭 專利之侵權及有效性係以110年9月15日更正後請求項29、30 為判斷。
㈡被告於109年12月16日由原「台灣大陽日酸股份有限公司」更 名為「台灣日酸股份有限公司（NIPPON SANSO TAIWAN,INC. )」，其曾於109年2月5日經環保署准予登錄化合物「鋯,三 （N-甲基甲胺基）[（1,2,3,4,5-η）-1-丙基-2,4-環戊二烯 -1-基)]-」即系爭產品1，登錄級距為「少量登錄年製造或 輸入量未滿0.1噸」，登錄碼為「EPNA0A00000000」，化學 文摘社登記號碼（CASNo.）為「0000000-00-0」，並於同年 8月27日經環保署准予登錄另一化學名稱「鋯,三（N-烷基烷 胺基)[（1,2,3,4,5-η）-烷基-2,4-環戊二烯-1-基）]-」即 系爭產品2，登錄級距為「簡易登錄年製造或輸入量0.1噸以 上未滿1噸」，登錄碼為「EPNA0A00000000」。 ㈢原告於109年8月10日發函被告就系爭產品1與系爭專利相關， 請被告確認等語，被告則於同年10月8日回函向原告表示： 針對系爭產品1，被告為其客戶之臺灣經銷商，於收到原告1 09年8月10日警告函後，決定中止相關業務等語。 ㈣系爭產品1落入系爭專利更正後請求項29、30之權利範圍。四、系爭專利及系爭產品1技術內容、被告等所提專利有效性之 證據技術內容
㈠系爭專利技術分析
⒈系爭專利技術內容
⑴隨著未來產生之半導體裝置的臨界尺寸減小，需要引入新材 料，尤其是具有高介電常數k之介電體以替換達到其物理極 限的SiO2，該等介電體薄膜通常具有約1nm之SiO2等效厚度 ，而能夠沈積具有合理產量及可接受純度之該等薄膜的主要 工業製程為氣相沈積技術，諸如MOCVD(金屬-有機化學氣相 沈積)或ALD(原子層沈積)，該等沈積技術需要必須使用滿足 適當工業用途之極端需求的金屬前驅物，因此，目前極需要 提供液體或低熔點(<50℃)第IV族前驅物化合物(如Hf及Zr化 合物)，且應同時允許適當分布(在分布溫度下之物理狀態、 熱穩定性)、寬的自我限制型ALD窗口及藉由ALD或MOCVD來沈 積純薄膜(系爭專利說明書【先前技術】，本院卷㈡第27至31 頁)。
⑵系爭專利之發明係揭露關於將一含金屬之介電膜沈積於一基 板上之方法，該介電膜包含式(I)化合物：(M11-aM2a)ObN c…(I)其中0≦a<1，0II)前驅物以形成第一氣相 金屬源；(R1yOp)x(R2tCp)zM1R'4-x-z…(II)其中：M1係如 上文所定義；其中0≦x≦3，較佳x＝0或1,0≦z≦3，較佳z＝1或
2，1≦(x＋z)≦4，0≦y≦7，較佳y＝2，0≦t≦5，較佳t＝1，(R1y Op)表示未經取代或經取代之戊二烯基配位基，(R2tCp)表 示未經取代或經取代之環戊二烯基(Cp)配位基；步驟c)： 將該第一氣相金屬源引入反應腔室中，以促使其與該基板 接觸，從而在該基板上產生包含如上文所定義之式(I)化 合物的含金屬介電膜之沈積。系爭專利之發明亦係關於式 (II1)化合物：(R2tCp)zM1[N(R39)(R40)]3…(II1)，其對 應於如上述式(II)之前驅物，其中x＝0,z＝1且R'表示基團N (R39)(R40)，且其中R39、R40相同或不同且獨立地表示氫 原子；具有1至4個碳原子之直鏈或支鏈烷基；烷基矽烷基 ，其中該烷基為直鏈或支鏈且具有1至4個碳原子；二烷基 矽烷基，其中各烷基彼此相同或不同，為直鏈或支鏈且具 有1至4個碳原子；或三烷基矽烷基，其中各烷基彼此相同 或不同，為直鏈或支鏈且具有1至4個碳原子。系爭專利之 發明所提供之前驅物適於藉由ALD或MOCVD方法來沈積含第 IV族金屬之薄膜，且具有下列優勢：－其在室溫下為液體 或具有低於50℃之熔點；－其為熱穩定的，而能夠在無顆粒 產生下適當的分布(氣相或直接液體注射)；－其為熱穩定 的以允許寬的自我限制型ALD窗口；－允許藉由使用共反應 物(選自由H2、NH3、O2、H2O、O3、SiH4、Si2H6、Si3H8 、TriDMAS、BDMAS、BDEAS、TDEAS、TDMAS、TEMAS、(SiH 3)3N、(SiH3)2O、TMA或含鋁前驅物、TBTDET、TAT-DMAE 、PET、TBTDEN、PEN、含鑭系前驅物，諸如Ln(tmhd)3... 所組成之群組)之一或其組合來沈積多種含第IV族金之薄 膜，包括三級材料或四級材料(系爭專利說明書【發明內 容】，本院卷㈡第31至32頁)。
⒉系爭專利申請專利範圍分析
系爭專利申請專利範圍共32個請求項，其中第1、29項為獨 立項，請求項2至28為直接或間接依附於請求項1之附屬項、 請求項30至32為直接或間接依附於請求項29之附屬項。嗣原 告數次向智慧局申請更正系爭專利申請專利範圍（本院卷㈠ 第65至75頁、第257至267頁、卷㈡第247至272頁），並主張 以110年9月15日系爭專利更正後請求項作為本件專利侵權及 有效性之判斷基礎（本院卷㈡第246、297頁）。本件僅就原 告主張受侵害之系爭專利更正後請求項29、30之範圍審理， 該等請求項之內容如下（本院卷㈡第260至262頁）： ⑴更正後請求項29：一種式(II1)化合物，(R2tCp)M1[N(R39)(R 40)]3(II1)，其中M1表示鋯(Zr)；R39及R40相同或不同且 獨立地表示；具有1至4個碳原子之直鏈或支鏈烷基；烷基 矽烷基，其中該烷基為直鏈或支鏈且具有1至4個碳原子；
二烷基矽烷基，其中各烷基彼此相同或不同，為直鏈或支 鏈且具有1至4個碳原子；或三烷基矽烷基，其中各烷基彼 此相同或不同，為直鏈或支鏈且具有1至4個碳原子，且R3 9及R40至多一個是乙基；R2係選自具有1至4個碳原子之直 鏈或支鏈烷基；0≦t≦5，其限制條件為該式(II1)化合物不 為ZrCp(NMe2)3、MeCpZr(NMe2)3及Me5CpZr(NMe2)3。 ⑵更正後請求項30：如申請專利範圍第29項所定義之式(II1)化 合物，其中R2、R39及R40相同或不同且獨立地表示選自甲 基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、第二丁基及第 三丁基之基團。
㈡系爭產品1技術內容
由原告所提甲證10之系爭產品1相關資料內容，可將系爭產 品1技術特徵大致描述如下：
物質基本辨識資訊 化學物質中文名稱 鋯,三(N-甲基甲胺基)[(1,2,3,4,5-η)-丙基-2,4-環戊二烯-1-基)]- 化學物質英文名稱 Zirconium,tris(N-methylmethanaminato)[(1,2,3,4,5-η)-1-propyl-2,4-cyclopentadien-1-yl]- 登錄級距 少量登錄 Small Quantity Registration <0.1 ton/y (general) 年製造或輸入量未滿0.1噸 (一般) 登錄類別 個別 登錄人 台灣大陽日酸股份有限公司（109年12月16日更名為台灣日酸股份有限公司即被告） 登錄碼 EPNA0A00000000 由上述登錄資料，推測系爭產品1(化合物)結構可能結構式 如下圖所示：
系爭產品1化學式可簡示為(n-PropylCp)Zr[N(Methyl)(Methy l)]3。
㈢被告等所提專利有效性之證據技術內容
⒈乙證2
⑴乙證2為西元2007年8月1日公開之我國第TZ000000000A號「鉿 系化合物、鉿系薄膜形成材料以及鉿系薄膜形成方法」發明 專利案；其申請日為西元2006年11月30日，最早優先權日為 西元2005年12月6日。
⑵乙證2係關於一種鉿系薄膜形成材料，其係以下述通式(I)所 示化合物:LHf(NR1R2)3 通式(I)。 其中，L為環戊二烯基或取代環戊二烯基，R1、R2為烷基，R 1與R2可互相不同亦可相同。該材料常溫為液體，然而富 於安定性，可進行原料的安定供給，可安定地形成高品質 的鉿系薄膜(證據2摘要，本院卷㈡第71頁)。 ⒉乙證3
⑴乙證3為西元1995年11月22日公開之EPO第EP0000000 A2號「Ca talyst for polymerizing an olefin and method forpolym erizing the olefin」發明專利案。 ⑵乙證3揭示一種烯烴聚合催化劑及稀烴聚合方法，該催化劑包 含作為主要組分的(A)茂金屬型過渡金屬化合物和(B)至少一 種選自(1)非矽酸鹽成分之離子交換性層狀會合物和(2)一種 無機矽酸鹽，它是通過鹽處理和/或酸處理獲得的，其含水量 不高於3重量％(乙證3摘要，本院卷㈡第97頁)。
⒊乙證4
⑴乙證4為西元2002年4月23日公告之美國第US 6376416B1號「Ol efin polymerization catalyst and process for producin g olefin polymer」發明專利案。 ⑵乙證4揭示一種製備具有以下組分的催化劑的方法：組分(A)： 一種固體催化劑組分，包括以下組分(A-1)和組分(A-2)。組 分(A-1)：通過使下列組分(A-1-1)、組分(A-1-2)和組分(A-1 -3)接觸而獲得的固體組分。成分(A-1-1)：離子交換性層狀 矽酸鹽成分、(A-1-2)：鎂化合物成分、(A-1-3)：鈦化合物 成分、(A-2)：茂金屬型過渡金屬化合物成分；組分(B)：有 機鋁化合物(乙證4摘要，本院卷㈡第129頁)。 ⒋乙證5
⑴乙證5為西元1995年8月29日公開之日本特開平7-228621號「オレ フィン重合用触媒およびそれを用いたオレフィンの重合方法」發明專利申請案 。
⑵乙證5揭示一種催化劑，可用在製備具有高堆積密度、優異的 顆粒性能和流動性的、在有機溶劑中可溶物量少之烯烴聚合 物的製程，該烯烴聚合之催化劑係由[A]茂金屬糸過渡金屬化 合物，係可被取代的1個或2個環戊二烯基糸配位子，亦即取 代基亦可鍵結而形成縮合環的含1至2個環戊二烯基環的配位 子與長式週期表第3、4、5、6族的過渡金屬所構成的有機金 屬化合物、或此等的陽離子型錯合物，(B)粘土礦物、粘土或 離子交換層狀化合物，每一種都是顆粒狀的球形，例如蒙脫 石，和(C)有機鋁化合物如三甲基鋁(乙證5摘要，本院卷㈡第1 43頁)。
⒌乙證6
⑴乙證6為西元1995年3月28日公開之日本特開平7-82311號「オレフ ィン重合用触媒およびそれを用いたオレフィン重合體の製造方法」發明專利 申請案。
⑵乙證6揭示一種烯烴聚合之催化劑，其係由[A]茂金屬糸過渡金 屬化合物，(B)平均粒徑10微米以上之粘土礦物、粘土或離子 交換層狀化合物，和(C)有機鋁化合物接觸而製得(乙證6摘要 ，本院卷㈡第155頁)。
⒍乙證7
⑴乙證7為西元1996年8月29日公開之日本特開平8-127613號「オレ フィン重合用触媒およびそれを用いたオレフィンの重合方法」發明專利申請案 。
⑵乙證7揭示一種烯烴聚合催化劑及稀烴聚合方法，該催化劑包 含作爲主要組分的(A)茂金屬型過渡金屬化合物和(B)至少一 種經鹽處理和/或酸處理獲得、含水量不高於3重量％之化合物
，該化合物係選自(1)非矽酸鹽成分之離子交換性層狀會合物 和(2)一種無機矽酸鹽組成之群組(乙證7摘要，本院卷㈡第165 頁)。
⒎乙證12
⑴乙證12為西元2003年1月24日公開之日本特開2003-20305號「オ レフィン重合用触媒」發明專利申請案。
⑵乙證12揭示一種烯烴聚合催化劑，該催化劑係由具式(1)結構 之過渡金屬錯合物、有机铝化合物等組成，該式(1)如下：
其中，M1是第4族的過渡金屬，M2是第6族的過渡金屬，Cp1和 Cp2獨立地是具有環戊二烯型陰離子骨架的基團，X1和X2獨 立地表示鹵素、1-20C烷基、7-20C芳烷基、6-20C芳基，或 (R1)2N基團，和Cp1，並X1和X2可以任意鍵合形成環、有機 鋁化合物等(乙證12摘要，本院卷㈡第415頁)。五、得心證之理由
原告主張其為系爭專利之專利權人，現仍於專利權期間內， 詎被告所進口、販賣之系爭產品1，業已落入系爭專利更正 後請求項29、30之權利範圍，侵害原告之專利權，則為被告 所否認，並以前詞置辯。是本件經整理並協議簡化爭點後（ 本院卷㈢第103至104頁），所應審究者為：㈠系爭專利申請更 正案有無違反專利法第67條第2項、第4項規定，而有顯然不 應准許之情事？㈡專利有效性部分：⒈系爭專利更正後請求項 29、30是否未為說明書所支持，而不符合專利法第26條第2 項之規定？⒉乙證2是否得作為系爭專利擬制喪失新穎性之先 申請案？如是，其是否足以證明系爭專利更正後請求項29、 30有專利法第23條擬制喪失新穎性之情形？⒊乙證3至7、乙 證12之證據，是否得作為適格證據？⒋乙證3是否足以證明系 爭專利更正後請求項29、30不具新穎性或進步性？⒌乙證4是 否足以證明系爭專利更正後請求項29、30不具新穎性或進步 性？⒍乙證5是否足以證明系爭專利更正後請求項29、30不具 新穎性或進步性？⒎乙證6是否足以證明系爭專利更正後請求 項29、30不具新穎性或進步性？⒏乙證7是否足以證明系爭專 利更正後請求項29、30不具新穎性或進步性？⒐乙證12是否 足以證明系爭專利更正後請求項29、30不具新穎性或進步性 ？㈢被告是否有侵害系爭專利之故意或過失？原告依專利法 第96條第2項之規定，請求被告負損害賠償責任，有無理由 ？若有，其損害賠償金應如何計算？以若干為適當？（本院 卷㈡第298頁）㈣原告依專利法第96條第1、3項之規定，請求 被告除去及防止侵害，有無理由？茲分述如下： ㈠本件應適用之法規
按發明專利權得提起舉發之情事，依其核准審定時之規定， 但以違反第67條第2項、第4項規定之情事，提起舉發者，依 舉發時之規定，專利法第71條第3項定有明文。是系爭專利 更正後請求項29、30是否有不符合專利法第67條第2、4項之 情事者，應以108年11月1日施行之現行專利法為斷；另本件 系爭專利核准審定日為105年1月6日，是以系爭專利之請求 項是否有違反專利要件之情事，應以103年3月24日施行之專 利法（下稱審定時專利法）為斷，合先敘明。
㈡系爭專利申請更正案並無違反專利法第67條第2項、第4項規 定：
⒈按更正，除誤譯之訂正外，不得超出申請時說明書、申請專 利範圍或圖式所揭露之範圍；更正，不得實質擴大或變更公 告時之申請專利範圍，專利法第67條第2項、第4項分別定有 明文。是以，專利權人雖得對經公告核准時之說明書、申請 專利範圍或圖式進行更正，但更正之結果，不得增加申請時 說明書、申請專利範圍或圖式(下稱「申請時說明書等文件 」)所未揭露之事項，亦即不得增加新事項，亦不得實質擴 大或變更公告時之申請專利範圍。又請求項記載上位概念技 術特徴，說明書中對應記載多個選項之下位概念技術特徵， 若其中包含某個選項之發明已為先前技術，為避免與先前技 術重疊，得允許於說明書中刪除該選項，而於請求項中以排 除（例如不包含、不包括、除外）該選項之方式予以修正， 即以負面表現方式記載上位概念技術特徵，雖然修正後之説 明書及請求項增加申請時未揭露之技術特徴，亦即被排除之 先前技術，惟得例外視為未引進新事項。於上述情況即使申 請時說明書中未揭露該先前技術，亦允許於説明書及請求項 之上位概念技術特徵直接以排除該先前技術之負面敘述方式 予以修正，修正後之説明書及請求項中雖增加申請時未揭露 之技術特徵，亦得例外視為未引進新事項。因此，「以負面 表現方式排除上位概念技術特徵中與先前技術重疊之(某些) 選項」為更正後雖增加申請時說明書等文件未揭露之技術特 徵但例外視為未超出之態樣(下稱「例外視為未超出態樣」 ）。另實質擴大或變更申請專利範圍之判斷係以申請專利範 圍所載技術內容為判斷基準，而所謂「實質擴大公告時之申 請專利範圍」包含(1)請求項所記載之技術特徵以較廣的涵 義用語取代、(2)請求項減少限定條件、(3)請求項增加申請 標的、(4)於說明書中恢復核准專利前已經刪除或聲明放棄 的技術內容等更正態樣(下稱「實質擴大申請專利範圍態樣 」)；而「實質變更公告時之申請專利範圍」則包含(1)請求 項所記載之技術特徵係以相反的涵義用語置換、(2)請求項
之技術特徵改變為實質不同意義、(3)請求項明顯變更申請 標的、(4)請求項引進技術特徵後無法達成更正前請求項之 發明目的等態樣(下稱「實質變更申請專利範圍態樣」)。 ⒉系爭專利更正後請求項29係對系爭專利公告本請求項29所界定者進行以下之更正：⑴「其中M1表示選自鉿(Hf)及鋯(Zr)之金屬；」之技術特徵更正為「其中M1表示鋯(Zr)；」(下稱「更正技術特徵甲」)；⑵「R39及R40相同或不同且獨立地表示氫原子…為直鏈或支鏈且具有1至4個碳原子；」之技術特徵更正後刪除其等為氫原子之態樣並增加「且R39及R40至多一個是乙基；」之限縮條件(下稱「更正技術特徵乙」)；⑶「R2係選自…具有1至4個碳原子之直鏈或支鏈烷基…及羰基；」之技術特徵更正為「R2係選自具有1至4個碳原子之直鏈或支鏈烷基；」(下稱「更正技術特徵丙」)；⑷「其限制條件為該式(II1)化合物不為ZrCp(NMe2)3」之技術特徵更正為「其限制條件為該式(II)化合物不為ZrCp(NMe)、MeCpZr(NMe)及MeCpZr(NMe)」(下稱「更正技術特徵丁」)。另更正後請求項30並未係對系爭專利公告本請求項30所界定者之記載進行任何更正，惟由於公告本請求項30係依附於公告本請求項29，而該請求項29進行了如前述之更正，故更正後請求項30之範圍亦產生相對應之更正。 ⒊就更正技術特徵甲至丙而言，所屬技術領域中具有通常知識 者當可得知，系爭專利更正前請求項29、30原記載之文義所 界定者已經單獨隱含或整體隱含關於該等更正技術特徵所限 制之特定事項；另就更正技術特徵丁而言，由於其係為避免 與乙證2至7及12之先前技術重疊而以負面表現方式記載之排 除聲明，屬於前述「例外視為未超出態樣」之情形。因此， 系爭專利申請更正案尚難認有何違反專利法第67條第2項規 定之情事。
⒋又更正技術特徵甲至丁，由於實質上係刪除原請求項技術特 徵之部分選項或引進增加限縮條件，屬於申請專利範圍之減 縮，且更正版請求項29、30仍可達成更正前該等請求項之發 明目的，系爭專利申請更正案就請求項29、30之更正並無「 實質擴大或變更申請專利範圍態樣」，自難謂系爭專利申請 更正案有何違反專利法第67條第4項規定之情事。 ⒌至被告雖辯稱：⑴更正後請求項29之更正包含了排除「MeCpZr (NMe2)3及Me5CpZr(NMe2)3」等未出現於申請時說明書等 文件之化合物，然若要限縮該通式所包含的化合物種類， 得簡單使用正面表現方式，本件並無「不能」經由正面表 現方式界定範圍之情形，自與得例外視為未引進新事項之 相關規定不符；⑵原請求項30之記載只會得知R39及R40有 可能同時是乙基，但無法得出「至多」一個是乙基的解釋 ，是更正後請求項29新增特徵「R39及R40至多一個是乙基 」顯與原請求項30所揭露之內容不符，已超出申請時說明 書、申請專利範圍所揭露之內容等語。惟：
⑴系爭專利更正後請求項29所欲排除之MeCpZr(NMe2)3及Me5CpZ r(NMe2)3等化合物，如以正面表現方式進行限縮，將涉及 多個技術特徵取代基選項之刪除或限縮，不但有違簡潔表 示原則且容易導致記載不明確之問題，自難謂該請求項之 更正僅能以正面表現方式記載而必然不得以負面表示方式 排除其與先前技術重疊部分，被告以此逕認該更正違反專 利法第67條第2項之規定，自無可採。
⑵系爭專利更正前請求項30包括「…R39及R40相同或不同且獨立 地表示選自…乙基…」之記載，其中，當R39、R40係不同且 獨立地表示選自乙基之態樣時，由於R39、R40必須不同時 為乙基，則該二取代基中必然至多只有一者為乙基；因此 ，所屬技術領域中具有通常知識者自當可知更正前請求項
30之原記載實質包含「且R39及R40至多一個是乙基；」之 技術特徵，且引進該技術特徵後應不致無法達成更正前請 求項之發明目的，尚難謂該請求項之更正必然有超出申請 時說明書等文件所揭露之範圍或實質變更公告時之申請專 利範圍，被告以此逕認該更正違反專利法第67條第2項、 第4項之規定，亦非可採。
⒍綜上，系爭專利申請更正案就請求項29、30之更正並無超出 申請時說明書等文件所揭露之範圍、實質擴大或變更公告時 申請專利範圍之情事，而未違反專利法第67條第2項、第4項 之規定，該更正尚無顯然不應准許之情事。
㈢系爭專利更正後請求項29、30應可為系爭專利說明書所支持 ⒈申請專利範圍應界定申請專利之發明；其得包括一項以上之 請求項，各請求項應以明確、簡潔之方式記載，且必須為說 明書所支持，審定時專利法第26條第2項定有明文。究其立 法目的，主要在於發明專利權範圍，以申請專利範圍為準； 申請專利範圍中之記載是否適切，對於專利權人權利之保護 及相對於公眾利用上之限制，均具有重大意義。因此，申請 人具體請求保護的發明必須記載於申請專利範圍，即申請專 利範圍應界定申請專利之發明；而申請專利範圍得包括一項 以上之請求項，各請求項應以明確、簡潔之方式記載，且必
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