智慧財產及商業法院民事判決
109年度民專上字第19號
上 訴 人 頎邦科技股份有限公司
法定代理人 吳非艱
訴訟代理人 李宗德律師
陳佩貞律師
蔡毓貞律師
劉昱劭律師
複 代理 人 顏伯軒律師
輔 佐 人 黃仁浩
被 上訴 人 易華電子股份有限公司
兼 法 定
代 理 人 黃嘉能
被 上訴 人 李宛霞
共 同
訴訟代理人 黃福雄律師
洪郁棻律師
王吟吏律師
黃耀霆律師
上列當事人間請求排除侵害專利權等事件，上訴人對於中華民國
109年4月30日本院107年度民專訴字第110號第一審判決提起上訴
，本院於110年11月18日言詞辯論終結，判決如下：
主 文
上訴駁回。
第二審訴訟費用由上訴人負擔。
事實及理由
一、上訴人主張：上訴人為我國第I397963號「印刷配線基板、 其製造方法及電路裝置」發明專利之專利權人，專利權期間 自民國102年6月1日至113年12月5日止，並於109年6月29日 提出專利更正申請，經經濟部智慧財產局（下稱智慧局）於 110年3月25日准許更正並公告（以下就更正後申請專利範圍 稱為系爭專利）。被上訴人易華電子股份有限公司（下稱易 華公司）生產之型號「HX8157-RCY65」、「RM91135FW-0EMA 0」、「RM69330F62-B022A0」、「RM927A5FC-627A5」及「H X8157-RCY65-ANE」等捲帶式封裝載板產品(下稱系爭產品) ，落入系爭專利請求項3之文義範圍，侵害系爭專利權。被
上訴人黃嘉能、李宛霞分別為易華公司董事長、總經理，應 與易華公司負連帶賠償責任。爰依專利法第96條第1至3項、 公司法第23條第2項規定，求為命易華公司應排除、防止侵 害及銷毀侵權產品，及命被上訴人連帶給付新臺幣（下同） 165萬元本息之判決。原審為上訴人敗訴之判決，上訴人不 服提起上訴。並聲明：㈠原判決廢棄。㈡易華公司不得自行或 使第三人製造、為販賣之要約、販賣、使用或為上述目的而 進口系爭產品及其他侵害系爭專利申請專利範圍第三項之產 品。㈢易華公司應將系爭產品及其他侵害系爭專利申請專利 範圍第三項之產品、半成品全部銷毀。㈣易華公司、黃嘉能 、李宛霞應連帶給付上訴人165萬元，及自107年10月6日起 至清償日止，按年息5%計算之利息。㈤第四項聲明，上訴人 願供擔保，請准宣告假執行。
二、被上訴人則以：系爭專利說明書已記載發明目的為防止從露 出面側端部產生離子遷移所致短路問題，然系爭專利請求項 3將鈍化範圍限縮至基材金屬層之上端部，則未被鈍化之側 端部仍會發生離子遷移或產生晶鬚引發短路，且僅限於「部 分」鈍化，無法達成發明所欲解決之問題，亦無法為說明書 所支持，違反核准審定時專利法第26條第2項規定。被證13 、被證14之銅箔3具有下端部、鎳濺鍍層2具有側端部及上端 部，且鎳濺鍍層2上端部自該銅箔3的下端部之寬度方向突出 ，形成側面突出的狀態或突出部，均已分別揭露系爭專利「 突出」之技術特徵，又被證3、被證15已揭露「鈍化」之技 術特徵，是被證12，或被證14，或被證3、12之組合，或被 證3、13之組合，或被證3、14之組合，或被證12、15之組合 ，或被證13、15之組合，或被證14、15之組合，均可證明系 爭專利請求項3不具進步性。系爭產品並未落入系爭專利請 求項3之權利範圍等語，資為抗辯。並聲明：㈠上訴駁回。㈡ 若受不利判決，願供擔保免為假執行。
三、本院之判斷：
㈠按「當事人主張或抗辯智慧財產權有應撤銷、廢止之原因者 ，法院應就其主張或抗辯有無理由自為判斷，不適用民事訴 訟法、行政訴訟法、商標法、專利法、植物品種及種苗法或 其他法律有關停止訴訟程序之規定。」、「前項情形，法院 認有撤銷、廢止之原因時，智慧財產權人於該民事訴訟中不 得對於他造主張權利。」智慧財產案件審理法第16條定有明 文。再按「發明專利權得提起舉發之情事，依其核准審定時 之規定。」為現行專利法第71條第3項本文所明定。查被上 訴人抗辯系爭專利請求項3有應撤銷原因，本院自應就其抗 辯有無理由自為判斷。又系爭專利申請日為93年12月6日，
於102年4月10日准予專利，是系爭專利有無撤銷之原因，應 以核准審定時即100年12月21日修正公布、102年1月1日施行 之專利法為斷。本院於準備程序與兩造商定審理計畫，兩造 均同意先就專利有效性部分進行言詞辯論，若法院認專利有 效則為中間判決續行侵權及損害賠償之調查，反之則為終局 判決(見本院卷三第369頁）。本院認為系爭專利有應撤銷原 因而為本件終局判決，茲就本院之判斷分述如下。 ㈡系爭專利與專利有效性證據之說明：
⒈系爭專利：
⑴習知2層構造之積體層，在日本專利文獻1(日本特開2003-188 495號公報)揭示藉由蝕刻形成圖案後，以氧化劑處理第1金 屬層，但將使該第1金屬層殘存相當量且無法完全進行到不 作用態，有時在比較短的期間內會發生短路，且該等金屬層 中有不一氧化者，有時在配線圖案間無法形成良好絕緣性， 且此方法所採用之處理，微量殘留之金屬難以為不作用態。 又如在日本專利文獻2(日本特開2003-282651號公報），為 確保可撓性絕緣薄膜與配線圖案間之接著強度而設有由銅及 銅以外之金屬之合金構成之金屬層1，金屬層1依其原樣狀態 在其表面上形成錫電鍍層時，由所形成之錫電鍍層會產生晶 鬚，使其在配線圖案間發生短路，但欲將該金屬層1完全從 配線圖案之外周去除極為困難，專利文獻2所記載之方法雖 金屬層1為微量，但無法完全防止因為此殘存之金屬層1所析 出之錫電鍍層所發生之晶鬚。因此使用2層構成之積層體來 形成配線圖案，顯示有時於比較短時間內會損及配線圖案間 之絕緣性。對此現象進行檢討，則使用2層構成之積層體所 形成之配線圖案，由直接配置在絕緣薄膜表面的第1金屬層 （晶種層）及形成在該第1金屬層上的銅層構成，由於銅層 與在該下部之第1金屬層變得容易發生遷移，而成為於短時 間內發生鄰接配線圖案間因遷移引起之短路問題之原因(見 原審卷一第32至33頁)。
⑵本發明之目的係提供依不易發生因此遷移產生之短路、於長 時間內電氣可以維持穩定狀態的印刷配線基板之製造方法所 製造之具有特定構造同時不會因遷移發生短路的印刷配線基 板。本發明之印刷配線基板係由絕緣薄膜及形成在該絕緣薄 膜表面之配線圖案所形成，該配線圖案係由析出之基材金屬 層與在該基材金屬層表面析出之銅層等導電性金屬層所形成 ，該配線圖案寬度方向剖面之基材金屬層上端部，形成為從 在該基材金屬層表面析出之導電性金屬層下端部之寬度方向 突出為特徵者（見原審卷一第33頁）。系爭專利主要圖示如 附圖一所示。
⒉專利有效性證據之說明：
被證3為2003年7月4日公開之日本特開第2003-188495號「配 路基板之製造方法」專利案(見原審卷一第139至143頁)；被 證12為2003年2月7日公開之日本特開第2003-37137號「印刷 配路基板之製造方法及其配線基板」專利案(見原審卷三第3 93至407頁)；被證13為2002年7月19日公開之日本特開第200 2-203875號「半導體裝置用捲帶載板」專利案(見原審卷三 第413至416頁，如附圖二所示)；被證14為2002年10月4日公 開之日本特開第2002-289650號「半導體裝置用捲帶載板及 其製造方法」專利案(見原審卷三第419至428頁，如附圖三 所示)；被證15為1999年12月7日公告之美國第US5998739號 「Stepped configured circuit board」專利案(見原審卷 三第429至433頁)，上開證據之公開日均早於系爭專利優先 權日(92年12月5日)，可為系爭專利之先前技術。 ㈢申請專利範圍解釋：
⒈按發明專利權範圍，以說明書所載之申請專利範圍為準，於 解釋申請專利範圍時，並得審酌發明說明及圖式，核准時專 利法第58條第4項定有明文。蓋申請專利範圍一經公告，即 具有對外公示效力，申請專利範圍自須記載構成發明之技術 ，以界定專利權保護之範圍，僅載於說明書而未載於請求項 之技術特徵，未曾記載於申請專利範圍之事項，不在保護範 圍之內；解釋申請專利範圍應以「客觀合理方式」解釋其文 字的客觀意義，而非探求專利權人之主觀意圖。解釋申請專 利範圍既在探知申請人於申請當時記載於申請專利範圍之客 觀意義，應以該發明所屬技術領域中具有通常知識者，就該 文字於系爭專利申請時於相關技術領域中所被認知或瞭解之 範圍予以解釋，除非申請人於說明書中賦予該文字特定之定 義，否則應以該發明領域中之通常知識者通常習慣之意義作 為申請專利範圍中之文字意義，並應以內部證據為優先適用 ，就其專利說明書整體觀察，以瞭解其目的、作用及效果等 理解該用語之意義，當內部證據無法清楚顯示其意義時，始 參酌外部證據解釋之（最高行政法院104年度判字第214號、 106年度判字第351號判決意旨參見）。兩造對於系爭專利請 求項3「鈍化」、「突出」用語之解釋有爭執，茲就本院之 認定析述如下。
⒉「鈍化」應解釋為「藉氧化作用而成為不作用態」： 系爭專利說明書【0041】段記載「如此在本發明中，對應於 所形成基材金屬層13所含之金屬，使用可溶解該等金屬之蝕 刻液，該蝕刻液對於該等金屬殘存微量時，具有可將該等金 屬不作用化之功能」（見原審卷一第34頁），第【0043】、
【0046】段記載「絕緣薄膜11上之基材金屬層13，係經去除 或經不作用化者。因此，由於此製程，所形成配線圖案分別 成為電氣上獨立狀態。又由於作如此處理，使積層在配線圖 案的絕緣薄膜11上的基材金屬層13之側端部23作成不作用態 ，因此可防止從該基材金屬層13側端部23產生遷移」、「如 此由於對導電性金屬層之寬度方向突出之方式形成，藉由形 成為不作用化之基材金屬，因此形成為輪廓狀的基材金屬層 13係以不作用化狀態殘存。如此由於將配線圖案周圍的基材 金屬層予以不作用化而殘存，因此在該不作用狀態之基材金 屬層表面形成鍍錫層，亦不會自該電鍍層產生晶鬚，因而於 本發明之印刷配線基板，不至於發生因此部分之晶鬚成長產 生之短路」（見原審卷一第35頁），第【0053】段記載「再 將在絕緣薄膜表面上形成之形成基材金屬層之金屬藉由可溶 解及/或使不作用化之蝕刻液處理，由而可去除存在於線間 之形成基材金屬層的全部金屬之製程；與微量殘留於線間之 形成基材金屬層之金屬以及導電性金屬層周圍以輪廓狀突出 之基材金屬表面予以氧化，用由該等氧化皮膜所被覆之金屬 基材表面，在高溫高濕環境中或在酸等溶液中使其不會離子 化之不作用化製程所構成，藉由該等處理，不易顯著地發生 遷移…」（見原審卷一第36頁）、第【0062】、【0070】、 【0080】、【0088】段記載「使用濃度40克/升之高錳酸鉀＋ 20克/升KOH蝕刻液，以40℃×1分鐘將Ni-Cr合金突起部26予以 不作用化，再將僅殘存於線間之鉻儘量溶出同時將未能去除 的鉻作成氧化鉻而不作用化」（見原審卷一第36、37頁）。 依據前述系爭專利說明書之記載內容，該發明所屬技術領域 中具有通常知識者可瞭解系爭專利請求項3之「鈍化」於系 爭專利說明書賦予之意義為藉由氧化作用形成氧化薄膜，利 用氧化薄膜為保護層而達到不作用態（passivation），是 以，系爭專利請求項3之「鈍化」應解釋為「藉氧化作用而 成為不作用態」。
⒊「突出」應解釋為「配線圖案於寬度方向剖切，剖切面上可 觀察到基材金屬層上端部之寬度比導電性金屬層下端部之寬 度為寬」：
⑴系爭專利請求項3記載「該導電性金屬層具有一下端部，而該 基材金屬層具有一側端部與一上端部，其中，該配線圖案寬 度方向剖面之基材金屬層上端部，形成為從在該基材金屬層 表面析出之導電性金屬層下端部之寬度方向突出」，由其字 面意義可理解金屬層上端部形成寬度方向突出，係因從配線 圖案寬度方向剖切面上觀察，基材金屬層上端部之寬度比導 電性金屬層下端部之寬度為長之故。再參酌系爭專利說明書
第【0038】至【0039】、【0045】段記載「於本發明中，係 在如後述之預定處理液處理基材金屬層13之前，使形成配線 圖案之導電性金屬層20表面或以符號13表示之基材金屬予以 蝕刻(例如以酸洗)，進行去除表面氧化物膜等之微蝕刻(微 細蝕刻)較為理想。做為該蝕刻劑，可使用通常使用的蝕刻 液，例如可使用過硫酸鉀(K2S2O8)溶液，HCl溶液或形成上 述圖案時所使用之蝕刻液。然而，與蝕刻液的接觸時間長時 ，作為形成配線圖案之導電性金屬之銅的溶出量變多，配線 圖案本身變細」、「如此作成的印刷配線基板之配線圖案， 如第7圖及第8圖所示，於配線圖案寬度方向剖面的基材金屬 層13上端部26，變成具有從導電性金屬層20下端部於圖案之 周圍形成為輪廓狀之構造。亦即導電性金屬層20雖會被蝕刻 ，但基材金屬層13係不易被蝕刻，因此所形成的配線圖案在 寬度方向之剖面，比由導電性金屬層20所形成之配線圖案下 端部25之寬度為寬，基材金屬層13上端部26之寬度變大。如 此基材金屬層13上端部26就比導電性金屬層20在寬度方向形 成為較突出。亦即配線圖案如第7圖及第8圖所示，在配線薄 膜11表面形成有由基材金屬層13與導電金屬層20所成之圖案 ，而且圍繞形成為該配線圖案的導電性金屬層20周圍形成為 輪廓，使基材金屬層13比導電性金屬層20突出地形成」（見 原審卷一第34、35頁），可知系爭專利因基材金屬層13相較 於導電性金屬層20不易被蝕刻，故導電性金屬層20會被蝕刻 較多、變得較細，基材金屬層13會被蝕刻較少，造成基材金 屬層13上端部26就比導電性金屬層20下端部在寬度方向形成 為較突出。因此，該發明所屬技術領域中具通常知識者，依 系爭專利請求項3有關「突出」用語前後文之客觀意義，參 酌系爭專利之說明書及圖式，應可認系爭專利請求項3「突 出」之客觀合理解釋為「配線圖案於寬度方向剖切，剖切面 上可觀察到基材金屬層上端部之寬度比導電性金屬層下端部 之寬度為寬」。
⑵上訴人雖主張「突出」應解釋為「基材金屬層側端部與突出 於導電性金屬層寬度方向之基材金屬層上端部之組合結構」 、由系爭專利第6圖可知應「突出」形成「平台結構」云云 。然系爭專利請求項3僅記載「...該基材金屬層具有一側端 部與一上端部，其中，該配線圖案寬度方向剖面之基材金屬 層上端部，形成為從在該基材金屬層表面析出之導電性金屬 層下端部之寬度方向『突出』」，並未記載基材金屬層側端部 是否突出、如何突出，亦未記載突出形成平台結構。又申請 專利範圍係就說明書中所載實施方式或實施例作總括性之界 定，圖式之作用僅係在補充說明書文字不足之部分，使該發
明所屬技術領域中具有通常知識者閱讀說明書時，得依圖式 直接理解發明各個技術特徵及其所構成之技術手段，故參酌 說明書之實施例及圖式所為之申請專利範圍解釋，應以申請 專利範圍之最合理寬廣之解釋為準，除說明書中已明確表示 申請專利範圍之內容應限於實施例及圖式外，自不應以實施 例或圖式加以限制，而變更申請專利範圍對外公告而客觀表 現之專利權範圍。系爭專利說明書【0042】、【0043】段僅 記載「特別是於本發明中，該基材金屬層13係至少由2種不 同金屬所形成的合金層...」、「如此由於對應於基材金屬 層13金屬使用處理液，如第1(g)圖、第2(g)圖、第5圖、第6 圖所示，絕緣薄膜11上之基材金屬層13，係經去除或不作用 化者。因此，由於此製程，所形成配線圖案分別成為電氣上 獨立狀態，又由於作如此處理，使積層在配線圖案的絕緣薄 膜11上的基材金屬層13之側端部23作成不作用態，因此可防 止從該基材金屬層13側端部23產生遷移。」並未記載必須突 出如第6圖之形狀，自不應以圖示之具體實施方式限制請求 項之範圍，故上訴人之主張並不足採。
㈣系爭專利請求項3未違反核准時專利法第26條第2項規定： ⒈按系爭專利核准時專利法第26條第2項規定：「申請專利範圍 應界定申請專利之發明；其得包括一項以上之請求項，各請 求項應以明確、簡潔之方式記載，且必須為說明書所支持」 。所謂請求項必須為說明書所支持，係要求每一請求項記載 之申請標的必須根據說明書揭露之內容為基礎，且請求項之 範圍不得超出說明書揭露之內容。請求項一般由一個或一個 以上的實施方式或實施例總括而成，請求項總括的範圍應恰 當，使請求項之範圍相當於說明書揭露之內容。審酌時應參 酌申請時之通常知識，包括相關的先前技術，判斷請求項總 括的範圍是否恰當，而使請求項之範圍未超出說明書揭露之 內容，亦未減損申請人理當獲得之權益。
⒉被上訴人雖稱：由系爭專利說明書【0020】、【0043】記載 可知，防止從露出面側端部產生離子遷移所致短路問題為系 爭專利發明目的，但系爭專利請求項3僅記載「基材金屬層『 上端部』表面『至少一部分』予以鈍化」，則未被鈍化之側端 部仍會發生離子遷移或產生晶鬚引發短路問題，顯未敘明解 決問題不可或缺之必要技術特徵(即鈍化範圍應包含上端部 及側端部在內之露出面)，且系爭專利只是「部分」鈍化， 與先前技術效果無異，故系爭專利請求項3無法達成發明所 欲解決之問題，亦無法為說明書所支持，違反核准時專利法 第26條第2項規定云云。惟查：
⑴系爭專利請求項 3「該配線圖案寬度方向剖面之基材金屬層
上端部，形成為從在該基材金屬層表面析出之導電性金屬層 下端部之寬度方向突出，其中自該配線圖案之寬度方向突出 而形成之基材金屬層所成之配線圖案之基材金屬層上端部表 面『至少一部份』予以鈍化」，係指系爭專利請求項 3之配線 圖案中，基材金屬層上端部比導電性金屬層下端部之寬度為 寬之部分，即寬度方向突出部分，將該部分基材金屬層上端 部表面至少一部份予以鈍化，形成為不作用狀態，請求項中 「至少一部分」之用語係界定基材金屬層上端部所予以鈍化 的範圍，依系爭專利說明書所述該鈍化範圍，係為了達到「 再者，於形成配線圖案的絕緣薄膜表面殘存有基材金屬層時 ，『該基材金屬之露出面』較好為不作用化態。藉由使『該配 線基板周圍之基材金屬』不作用態化，因此不會從『該基材金 屬層表面』所形成之電鍍層發生晶鬚」之發明目的（見原審 卷一第33頁），具有避免因晶鬚成長造成短路的功效，因該 發明所屬技術領域中具有通常知識者能瞭解基材金屬層的材 料種類和其上端部需予以鈍化的範圍有關，而該範圍是要達 到發揮不發生晶鬚之目的與功效，故以「至少一部分」之用 語表現，該發明所屬技術領域中具有通常知識者能瞭解其範 圍，無請求項不明確或無法為說明書支持之情事。 ⑵再者，系爭專利第【0043】段係對第1（g）圖、第2（g）圖 、第5圖、第6圖所載實施方式或實施例之說明，非指申請專 利範圍之內容應限於實施例及圖式。此外，系爭專利第【00 20】段所載係「該基材金屬之露出面」不作用態化以達發明 目的，從該「露出面」用語可知系爭專利對於露出面的結構 是否由側端部與上端部構成或為其他結構，並未限制。因為 基材金屬層露出面之不作用化態，要達到不會從該基材金屬 層表面所形成之電鍍層發生晶鬚之發明目的，因系爭專利請 求項3對於側端部無任何進一步界定，尚難認為側端部是如 系爭專利第1（g）圖、第2（g）圖、第5圖、第6圖之形狀， 而必然會造成晶鬚，況倘基材金屬層露出面具有會發生晶鬚 之「側端部」，依系爭專利第【0020】段所載「露出面」可 知系爭專利仍會對「側端部」予以不作用態化，並未將「側 端部」排除於鈍化範圍之外，以防止從露出面側端部發生晶 鬚所致短路的問題，因此，系爭專利請求項3界定「基材金 屬層上端部表面至少一部份予以鈍化」之技術特徵，該發明 所屬技術領域中具有通常知識者能瞭解基材金屬層上端部之 鈍化程度並非是只要有任何鈍化就好，亦非將鈍化範圍限制 於僅能在基材金屬層上端部而排除基材金屬層側端部，而是 以能夠達到印刷配線基板不會發生因晶鬚成長造成短路之目 的與功效，作為系爭專利請求項3之「基材金屬層上端部表
面至少一部份予以鈍化」的範圍，是就該發明所屬技術領域 中具有通常知識者而言，不會以鈍化是「限於基材金屬層上 端部、排除側端部」來曲解系爭專利內容，是以系爭專利請 求項3可以達成發明所欲解決之問題，無未為說明書支持之 情事。
⒊綜上，系爭專利請求項3所界定之「基材金屬層上端部表面至 少一部份予以鈍化」之技術特徵明確且為說明書所支持，未 違反核准時專利法第26條第2項規定。
㈤被證3、13之組合，及被證3、14之組合，均足以證明系爭專 利請求項3不具進步性：
⒈被證3、13之組合：
⑴被證13係關於半導體裝置用捲帶載板，被證13圖4及其說明書 第【0005】段記載「在聚醯亞胺樹脂薄膜1上施加鎳濺鍍層2 後，以電解法形成銅箔3的材料，可達成Tape材料的薄型化 」（見原審卷三第379、414頁），其中，聚醯亞胺樹脂薄膜 相當於系爭專利「絕緣薄膜」，鎳濺鍍層相當於系爭專利「 基材金屬層」，銅箔相當於系爭專利「導電性金屬層」，故 被證13已揭示系爭專利請求項3「一種印刷配線基板，其特 徵為具有絕緣薄膜及至少形成於該絕緣薄膜一側表面之配線 圖案，該配線圖案係由形成在絕緣薄膜表面之基材金屬層與 形成在該基材金屬層表面之導電性金屬層所形成」之技術特 徵。
⑵被證13說明書第【0006】段記載「於此兩層TAB Tape形成銅 箔之導體圖案的情況下，一般而言係在該銅箔上形成光阻光 罩（resist mask）後，同時蝕刻銅箔及鎳濺鍍層。因蝕刻 係從銅箔開始溶解，故位於銅箔下方之鎳濺鍍層必然會延遲 開始蝕刻。此蝕刻延遲導致如圖5（按：應為圖4之誤載）所 示，鎳濺鍍層為從由銅箔形成之導體圖案的側面突出的狀態 」（見原審卷三第379、414頁），且被證13圖4揭示鎳濺鍍 層從銅箔形成之導體圖案側面突出的部分具有上端部及側端 部，是被證13已揭示系爭專利請求項3「該導電性金屬層具 有一下端部，而該基材金屬層具有一側端部與一上端部，其 中，該配線圖案寬度方向剖面之基材金屬層上端部，形成為 從在該基材金屬層表面析出之導電性金屬層下端部之寬度方 向突出」之技術特徵。
⑶被證13雖未揭示系爭專利請求項3「其中自該配線圖案之寬度 方向突出而形成之基材金屬層所成之配線圖案之基材金屬層 上端部表面至少一部份予以鈍化」之技術特徵，惟被證3說 明書第【0009】段記載「為了解決上述問題，本發明之方法 係對金屬披覆聚醯亞胺薄膜以蝕刻法形成圖樣之印刷佈線基
板的製造方法，其特徵在於將佈線基板蝕刻後，以氧化劑清 洗，將蝕刻表面作氧化處理」、第【0014】段記載「本發明 者檢討各種表面處理方法之後，發現使用氧化劑選擇性地氧 化殘留的金屬離子成分比較有效，而不是採用完全去除殘留 在表層之金屬成分的蝕刻方式」、第【0037】段記載「藉由 本發明以氧化劑對蝕刻後表面的清洗處理，使表面微量殘留 的金屬離子氧化，抑制離子遷移，藉此可以製造鍍金屬銅聚 醯亞胺佈線基板，其在微細佈線時亦具有優異的絕緣可靠性 」（見原審卷一第116、140、141、142頁），可知被證3揭 示在蝕刻線路基板後，以氧化劑對基板表面進行清洗處理， 使第一金屬層殘留金屬離子成分被氧化處理，得到抑制離子 遷移之效果，製造出即使是細線路也具有極佳絕緣信賴性( 可靠性)的印刷配線基板，換言之，被證3已記載使用氧化劑 氧化處理殘留第一金屬層殘餘物，比完全蝕刻金屬殘餘物更 可抑制離子遷移之教示或建議，是被證3已揭示系爭專利請 求項3「…配線圖案…形成之基材金屬層所成之配線圖案之基 材金屬層上端部表面至少一部份予以鈍化」之技術特徵。 ⑷被證13與被證3均為印刷配線基板之技術領域，具有技術領域 關聯性，同樣面臨殘存的金屬造成電鍍錫之異常析出，具有 所欲解決問題共通性，且對於被證13揭露之鎳濺鍍層突出部 ，被證3已記載使用氧化劑氧化處理殘留第一導體金屬殘餘 物，比完全蝕刻金屬殘餘物更可抑制離子遷移之教示或建議 ，該教示或建議使該發明所屬技術領域中具有通常知識者有 動機能結合被證13與被證3之技術內容，將被證13之鎳濺鍍 層從銅箔形成之導體圖案側面突出的部分(對應於系爭專利 請求項3之「自該配線圖案之寬度方向突出而形成之基材金 屬層」之技術特徵)，使用被證3之教示氧化劑進行「不是完 全去除殘留之蝕刻方式，而是清洗處理，使表面微量殘留的 金屬離子氧化」之氧化處理，而完成系爭專利請求項3「其 中自該配線圖案之寬度方向突出而形成之基材金屬層所成之 配線圖案之基材金屬層上端部表面至少一部份予以鈍化」之 技術特徵。因此，整體觀之，系爭專利請求項3為所屬技術 領域中具有通常知識者依據被證3、13之組合所能輕易完成 ，被證3、13之組合足以證明系爭專利請求項3不具進步性。 ⒉被證3、14之組合足以證明系爭專利請求項3不具進步性： ⑴被證14係關於半導體裝置用捲帶載板，被證14圖1(a)及其說 明書第【0025】段記載「於圖1，首先對藉由鎳濺鍍層2設置 在聚醯亞胺樹脂膜1上之銅箔3，以蝕刻方式藉此產生圖案， 形成包含銅線路8的佈線圖案（圖1(a)）。此時，在線路側 面之8a，進行銅蝕刻時，由於銅被咬蝕，殘留有銅線路8下
方之鎳濺鍍層2的一部分作為突出部2a」（見原審卷三第374 、422頁）」，其中，聚醯亞胺樹脂薄膜相當於系爭專利「 絕緣薄膜」，鎳濺鍍層相當於系爭專利「基材金屬層」，銅 線路相當於系爭專利「導電性金屬層」，故被證14已揭示系 爭專利請求項3「一種印刷配線基板，其特徵為具有絕緣薄 膜及至少形成於該絕緣薄膜一側表面之配線圖案，該配線圖 案係由形成在絕緣薄膜表面之基材金屬層與形成在該基材金 屬層表面之導電性金屬層所形成」之技術特徵。 ⑵被證14圖1(a)可見鎳濺鍍層係一部分突出於銅線路，該突出 部2a如被證14圖1(a)顯示有上端部及側端部（見原審卷三第 424頁），已揭示系爭專利請求項3「該導電性金屬層具有一 下端部，而該基材金屬層具有一側端部與一上端部，其中， 該配線圖案寬度方向剖面之基材金屬層上端部，形成為從在 該基材金屬層表面析出之導電性金屬層下端部之寬度方向突 出」之技術特徵。
⑶被證14說明書第【0028】至【0029】段記載「前處理劑是由 皮膜溶解劑、氧化劑…的一種以上組合而成的。…如此作為鍍 錫的前處理，在線路側面8a一旦將突出銅線路8下方的鎳濺 鍍層2去除，以無電解電鍍進行鍍錫時，即可防止線路側面 的鎳濺鍍層與銅的界面產生過度鍍錫」（見原審卷三第375 、422頁），可知被證14是利用氧化劑將銅線路8下方的鎳濺 鍍層2去除，以防止線路側面的界面產生過度鍍錫，但未揭 示將鎳濺鍍層之突出部予以鈍化，故被證14並未揭示系爭專 利請求項3「其中自該配線圖案之寬度方向突出而形成之基 材金屬層所成之配線圖案之基材金屬層上端部表面至少一部 份予以鈍化」之技術特徵，然被證3已揭示系爭專利請求項3 「…配線圖案…形成之基材金屬層所成之配線圖案之基材金屬 層上端部表面至少一部份予以鈍化」之技術特徵，業如前述 。
⑷被證14與被證3均為印刷配線基板之技術領域，具有技術領域 關聯性，同樣面臨殘存的金屬造成電鍍錫之異常析出，具有 所欲解決問題共通性，且被證14圖1(a)之鎳濺鍍層突出部2a 顯示有上端部及側端部(對應於系爭專利請求項3之「自該配 線圖案之寬度方向突出而形成之基材金屬層」之技術特徵) ，使用被證3之教示氧化劑進行「不是完全去除殘留之蝕刻 方式，而是清洗處理，使表面微量殘留的金屬離子氧化」之 氧化處理，抑制離子遷移，減少由於配線基板的蝕刻殘留引 起的短路缺陷，得到具有極佳絕緣信賴性(可靠性)的印刷配 線基板之教示或建議，該教示或建議使該發明所屬技術領域 中具有通常知識者有動機能結合被證14與被證3之技術內容
，而完成系爭專利請求項3「其中自該配線圖案之寬度方向 突出而形成之基材金屬層所成之配線圖案之基材金屬層上端 部表面至少一部份予以鈍化」之技術特徵。因此，整體觀之 ，系爭專利請求項3為所屬技術領域中具有通常知識者依據 被證14、3之組合所能輕易完成，被證14、3之組合足以證明 系爭專利請求項3不具進步性。
⒊上訴人所述不可採之理由：
⑴上訴人主張：核准時專利審查基準第二篇第三章第2.2.2及3. 2.4節記載，要求引證文件應達到可據以製造及使用之揭露 程度，然被證13、14為「去除」線路蝕刻後之突出殘留，且 發明成果已無突出殘留，顯不可能說明應如何製造及使用已 不存在的突出殘留，自無法製造、使用系爭專利，故應排除 而不得作為判斷系爭專利進步性之依據云云。然查： ①系爭專利核准審定時專利審查基準第二篇第三章第2.2.2及3. 2.4節記載「……審查新穎性時，應以引證文件中所揭露之技 術內容為準，包含形式上明確記載的內容及形式上雖然未記 載但實質上隱含的內容。...。引證文件揭露之程度必須足 使該發明所屬技術領域中具有通常知識者能製造及使用申請 專利之發明」、「審查進步性時，引證文件的有關規範準用 本章2.2.2『引證文件』之內容，其包含形式上明確記載的內 容及形式上雖然未記載但實質上隱含的內容。」係在規範引 證文件於判斷專利新穎性、進步性時須具備之揭露程度，而 非規範適格引證文件之要件，被證13、14之公開日均早於系 爭專利之專利優先權日(92年12月5日)，為系爭專利之先前 技術，自屬得作為判斷系爭專利進步性之適格證據，上訴人 主張被證13、14未具備上開審查基準之要件而應排除不得作 為判斷進步性之依據云云，容有誤會。
②再者，進步性並非要求單一先前技術即達到足使該發明所屬 技術領域中具有通常知識者能製造及使用申請專利之發明， 而是允許以一或多份引證文件與通常知識的結合進行判斷。 被證14圖1(a)、被證13圖4已揭露突出結構，被證3已揭露使 用氧化劑氧化處理殘留第一導體金屬殘餘物，比完全蝕刻金 屬殘餘物更可抑制離子遷移之教示或建議，就被證3、13之 組合及被證3、14之組合所揭示之內容，已足使所屬技術領 域中具通常知識者瞭解如何製造及使用申請專利之發明。又 被證13圖4、被證14圖1(a)已揭示鎳濺鍍層係突出於銅線路 且具有上端部及側端部，且被證3揭示以氧化劑處理殘留第 一金屬層殘餘物，比完全蝕刻金屬殘餘物更可抑制離子遷移 之教示或建議，因此，雖被證13、14之後是去除突出部分， 但被證13、14僅記載是其所例示之實施例，不得以被證13、
14之實施例來「排除」不得與其他先前技術(如被證3)等之 結合可能性。是以，該發明所屬技術領域中具有通常知識者 將被證13、14與被證3結合後，依被證3之教示與建議，能將 被證13、14的突出殘留以氧化劑處理，製造出即使是細線路 也具有極佳絕緣信賴性(可靠性)的印刷配線基板，故上訴人 主張不可能製造及使用已不存在的突出殘留云云，其主張不 可採。
⑵上訴人主張：被證13、14僅揭露無特定結構之突出殘留，為 上位概念，與系爭專利請求項3之特定突出結構之下位概念 顯有不同；被證13、14之線路蝕刻，僅相當於系爭專利所述 「選擇性蝕刻」，不包括形成特定突出結構之「微蝕刻」， 故無法製造出有特定突出結構之系爭專利云云。然查，「選 擇性蝕刻」、「微蝕刻」僅記載於系爭專利說明書中，系爭 專利請求項3並未界定形成其突出結構之方式，且圖式亦屬 揭露內容的一部分，被證13圖4及被證14圖1(a)已揭露系爭 專利請求項3所界定之突出結構，因該結構係圖式所明確揭 露之內容，非由圖式推測之內容(如由圖式量測數值)，即使 說明書無文字書明，亦可直接認定為揭露內容的一部分，故 上訴人主張被證13、14僅揭露無特定結構之突出殘留，為上 位概念云云，亦不可採。
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