智慧財產及商業法院行政判決
110年度行專訴字第22號
民國110年9月8日辯論終結
原 告 美商CMC材料股份有限公司（CMC Materials, Inc.
）
代 表 人 Erika S.Wilson
訴訟代理人 簡秀如律師（兼送達代收人）
呂書瑋律師
王淑靜專利師
被 告 經濟部智慧財產局
代 表 人 洪淑敏
訴訟代理人 吳韶淳
上列當事人間因發明專利申請事件，原告不服經濟部中華民國11
0年4月1日經訴字第11006302310號訴願決定，提起行政訴訟。本
院判決如下︰
主 文
原告之訴駁回。
訴訟費用由原告負擔。
事實及理由
壹、程序方面：
原告起訴聲明原為：「原處分暨訴願決定均撤銷，並命被告 就第106144950 號專利申請案作成准予專利之處分。」（本 院卷第15頁），嗣於民國110年9月8日言詞辯論程序更正原 訴之聲明為：「一、原處分暨訴願決定均撤銷。二、被告應 就第106144950號專利申請案作成准予專利之處分。」（本 院卷第477頁），原告上開更正係本於同一請求基礎為請求 ，使聲明更加明確，非屬訴之變更或追加，故無行政訴訟法 第111條第1項規定適用。
貳、實體方面：
一、爭訟概要：
原告前於民國106年12月21日以「拋光碳化矽之組合物及方 法」向被告申請發明專利（下稱系爭申請案），並以西元20 17年1月5日申請之美國第15/398,933號專利案主張優先權， 於107年12月4日提出申請專利範圍修正本，經被告編為第10 6144950號審查，而認不予專利。原告不服，申請再審查， 經被告依該修正本審查，核認本案有違專利法第22條第2項
及第26條第2項之規定，以109年9月29日（109）智專三（五 ）01182字第10920936290號專利再審查核駁審定書為不予專 利之處分（下稱原處分）。原告不服，提起訴願，經經濟部 110年4月1日經訴字第11006302310號為「訴願駁回」之決定 （下稱訴願決定），原告不服，遂向本院提起行政訴訟。二、原告起訴主張及聲明：
㈠主張要旨：
⒈被告未踐行「整體審查」之原則，亦未區辨系爭申請案請 求項與引證2之不同，原處分當有違誤，應予撤銷；引證2 無法證明系爭申請案請求項1及3至8不具進步性： ⑴系爭申請案與引證2在發明目的及所欲解決之問題完全不 同，系爭申請案所屬技術領域中具有通常知識者實無法 產生動機參酌引證2以完成系爭申請案之發明： ①引證2係關於互連金屬介質（如鈷）及二氧化矽介電質 之拋光方法，與系爭申請案之發明目的「相對較高之 碳化矽移除速率」及「優先於存在於半導體晶圓表面 上之其他材料選擇性移除碳化矽」完全不同。在發明 目的與所欲解決問題完全不同之情況下，通常知識者 如何有動機參酌引證2完成系爭申請案之發明？原處 分就此未置一詞，不僅理由不備，更違反整體審查原 則。
②引證2與系爭申請案雖同屬化學機械研磨組合物之技術 領域，惟兩者對於拋光之對象完全不同。引證2所欲 拋光者為互連金屬介質（如鈷），而系爭申請案所欲 拋光者為碳化矽，兩者性質截然不同。再者，碳化矽 和鈷在導電性上有明顯的差異，在半導體產品中用於 形成提供不同功用之元件，當然在製程中分屬不同步 驟，其面臨的拋光環境也不相同。因此通常知識者甚 難產生動機將用於研磨拋光鈷的組合物用於拋光碳化 矽。
⑵系爭申請案及引證2所欲達成之功效亦不同，且引證2完 全未提供任何與系爭申請案所欲功效相關之教示或建議 ：
①系爭申請案揭示之拋光組合物對金屬層及氧化物提供 更高的去除速率而對氮化矽提供適合的去除速率，且 對低k介電質（包含碳化矽(SiC)）及鎢材料具有拋光 停止之性質。引證2整體教示其拋光組合物對低k介電 質拋光選擇性低，引證2實施例3樣品組合物7甚至可 以證明其拋光組合物幾乎不拋光低k介電質。由此可 知，引證2之所欲移除之材料及所欲達成之功效與系
爭申請案完全不同，且碳化矽(SiC)為習知之低k介電 質，引證2之組合物顯然無法有效地移除碳化矽(SiC) ，因此系爭申請案所屬技術領域中具有通常知識者如 欲解決系爭申請案所欲解決之技術問題（提供對碳化 矽（SiC）之高移除速率且選擇性移除碳化矽（SiC） ），實無理由產生動機參酌引證2之內容以完成系爭 申請案之發明。
②此外，引證2完全未教示或建議任何關於碳化矽(SiC) 之移除速率或選擇性，遑論碳化矽（SiC）/氮化矽（ SiN）之選擇性或碳化矽（SiC）/氧化矽（SiO）之選 擇性。換言之，引證2無法提供任何實質上有益於研 發移除碳化矽(SiC)之拋光組合物之教示或建議，系 爭申請案所屬技術領域中具有通常知識者如欲解決系 爭申請案所欲解決之技術問題，當然無法產生動機參 酌引證2。
⑶據上，倘若被告恪遵整體審查原則，以系爭申請案所載 之發明的整體為對象，並將該發明所欲解決之問題（即 發明目的）、技術手段及對照先前技術之功效，予以綜 合考量，必然不會作成引證2足以證明系爭申請案請求 項1及3至8不具進步性之決定。
⒉原處分無視引證2之整體教示，甚至是相反教示，僅以引證 2逕認系爭申請案所屬技術領域中具有通常知識者具有動 機參酌引證2，顯涉法所不允之後見之明：
⑴原處分認定引證2段落「[0118]至[0119]揭示適合的分散 添加劑可為聚苯乙烯磺酸等聚合物」；「[0162]揭示CM P拋光組合物包含聚苯乙烯磺酸等添加劑以使顆粒分散 穩定並調整SiN去除速率」云云。
①系爭申請案與引證2之發明目的不同，故引證2雖揭露 聚苯乙烯磺酸，通常知識者至多從引證2知悉聚苯乙 烯磺酸與拋光Co（鈷）、與氧化物介電質拋光選擇性 有關，而無從得知聚苯乙烯磺酸與拋光碳化矽之關連 。即使引證2揭露聚苯乙烯磺酸，但其完全未教示或 建議任何關於碳化矽（SiC）之移除速率或選擇性， 通常知識者並無參酌引證2之動機。
②引證2之實施例，其實驗結論皆與拋光碳化矽無關，該 等實施例甚至完全未使用聚苯乙烯磺酸（僅使用聚丙 烯酸銨作為分散劑），系爭申請案所屬技術領域中具 有通常知識者如何能根據引證2而得知或推知其拋光 組合物對於SiC膜去除速率之功效？遑論包含磺酸單 體單元之聚合物對於SiC膜去除速率之功效？系爭申
請案相較於引證2確具有不可預期之功效。
③此外，引證2所揭示之分散添加劑、螯合劑及表面活性 劑之化合物種類繁多寬泛，若非後見之明，通常知識 者如何在引證2完全未揭露磺酸對於拋光碳化矽功效 之情況下，挑選聚苯乙烯磺酸進而完成系爭申請案之 發明？
⑵原處分第5頁另稱「引證2說明書段落[0104]記載CMP的pH 值在約2至12範圍內」，據此認定通常知識者可依引證2 揭示範圍藉由例行性實驗適度調整pH值云云： ①引證2揭示其拋光組合物之pH值相當寬，橫跨強酸至強 鹼範圍，所屬領域者無法特定哪一範圍間之pH值有助 於哪種介電質之移除。更甚者，引證2段落[0104]教 示「需要抑制膜（如a-Si、多晶Si、氮化矽、碳化矽 ）去除速率的能力……pH<8將是期望的。」所屬技術領 域中具有通常知識者如欲提高碳化矽（屬低k介電質 ）移除速率，自然不可能將pH值降至8以下，引證2之 教示顯然與本案所請發明完全相反。系爭申請案所屬 技術領域中具有通常知識者無法根據引證2之教示或 建議，而能輕易完成如系爭申請案請求項1所界定之 拋光組合物，系爭申請案顯非引證2之簡單變更。 ②被告辯稱：引證2段落[0104]之內容係著眼於pH值與「 碳化矽等膜和二氧化矽膜的去除速率之相對關係」， 並非單純指pH值對碳化矽移除速率之影響。然而，引 證2在討論pH值與氮化矽去除速率的關係時，完全未 考量二氧化矽的去除速率，當然不存在「著眼於氮化 矽膜和二氧化矽膜的去除速率之相對關係」，被告之 辯詞顯不可採。
③被告又辯：「縱認引證2有教示pH值小於8時將抑制碳 化矽等膜的去除速率，……系爭申請案所請為具有2至5 之pH值之拋光組合物，引證2至多僅教示pH值小於8之 拋光組合物對碳化矽等膜的去除速率較差，並未揭露 其不可用於拋光碳化矽，亦即沒有排除具有2至5之pH 值之拋光組合物的教示或建議，難認已構成反向教示 …」，此段被告誤用專利審查基準並具有邏輯謬誤。 蓋系爭申請案之爭執點為pH值，其為物之固有性質， 且屬於獨立且單一的度量衡。性質（pH值）必然依附 在某一主體上，當主體改變時，性質（pH值）也會改 變；同一時間同一條件下，一物上不可能存在兩種pH 值。當指明某物之pH值小於8時，已實質排除了該物 之pH值超過8的可能性，不需要另外記載該物pH值不
超過8，此為通常知識。引證2既已教示pH值小於8之 拋光組合物對碳化矽等膜的去除速率較差，則在對碳 化矽具有良好去除速率之追求上，已實質隱含排除pH 值小於8的範圍，通常知識者將被勸阻而不會將pH值 降至8以下，引證2至少在pH值上為系爭申請案之反向 教示。
⒊系爭申請案發現使用特定種類之包含磺酸單體單元之聚合 物之組合物，相較於不含磺酸聚合物或含有其他種類之磺 酸聚合物之組合物，可展現良好的SiC移除速率及SiC/SiN 選擇率（系爭申請案實例1），系爭申請案相較於引證2確 具有不可預期之功效而具有進步性：
⑴引證2整體僅揭示其拋光組合物在SiN及其他材料之間（ 如鈷、SiO2及TEOS）之特定移除選擇性（引證2段落[01 05]至[0107]），完全未教示或建議任何明確的關於SiC 之移除速率或選擇性，遑論SiC/SiN之選擇性或SiC/SiO 之選擇性。
⑵此外，由引證2說明書段落[0162]，所屬領域通常知識者 至多僅能得出聚丙烯酸及其鹽、聚丙烯酸銨、聚丙烯酸 鉀、聚苯乙烯磺酸或其鹽可作為分散劑，無法由引證2 該段落之內容得知或推知分散劑如何改變或影響SiN膜 之去除速率，遑論聚苯乙烯磺酸如何改變或影響SiN膜 之去除速率。
⑶綜上所述，引證2與系爭申請案係關於不同移除對象之CM P組合物，引證2不僅完全未揭示或暗示系爭申請案所請 發明及其功效，且係提供了與系爭申請案所請發明相反 之教示。系爭申請案所屬技術領域中具有通常知識者縱 使參酌引證2，亦無法思及、遑論輕易完成系爭申請案 請求項1所請之拋光組合物，當然無法輕易完成系爭申 請案請求項1附屬請求項3至8之拋光組合物，原處分之 核駁理由確屬違法不當。
⒋系爭申請案請求項1至15之記載已符合專利法第26條第2項 之規定，原處分不僅違反專利法及專利審查基準之規定， 更不符所屬領域之通常知識水準：
⑴系爭申請案說明書第16頁表1已揭示拋光組合物中所含磺 酸聚合物或共聚物之分子量以「MW」表示，所屬技術領 域中具有通常知識者於參酌說明書後，自然知悉本件拋 光組合物中所含磺酸聚合物或共聚物之分子量係指重量 平均分子量。
⑵依照一般化學實務，重量平均分子量之意義大於數量平 均分子量，故聚合物之分子量在未另外指明狀態下通常
均指重量平均分子量，此為系爭申請案所屬技術領域中 之通常知識。遍觀本國經核准並公告之化學機械研磨領 域專利，諸多發明專利申請案縱然未於說明書或申請專 利範圍中明確揭露聚合物之平均分子量種類、或僅於實 施例中揭露「MW」，仍得通過被告之審查並得准予專利 ，顯然在未標示分子量種類之情況下，通常知識者皆知 所指為重量平均分子量。
⑶系爭申請案說明書既已揭示聚合物分子量以「MW」表示 ，且聚合物之分子量在未另外指明下係指重量平均分子 量為系爭申請案所屬技術領域中之通常知識，系爭申請 案所屬技術領域中具有通常知識者可瞭解請求項記載之 技術特徵的技術意義，根據專利審查基準之規定及審查 原則，應認系爭申請案請求項為明確。
⑷原處分稱：平均分子量並不必然指重量分子量，於化學 機械拋光組成物技術領域中，常見以數量平均分子量描 述含磺酸單體單元之聚合物的分子量，並援引TZ000000 000 A以佐證之。被告僅以一篇公開案，即可知以數量 平均分子量描述含磺酸單體單元之聚合物的分子量並非 常態。再者，由諸多專利及被告援引之公開案可知，如 為數量平均分子量始需特別標示，若未特別標示，通常 知識者則可無歧異知悉所指為重量平均分子量。 ⑸綜上所述，原告於系爭申請案說明書第16頁表1已明確揭 示拋光組合物中所含磺酸聚合物或共聚物之分子量以「 MW」表示，通常知識者可直接且無歧異地理解「MW」係 指重量平均分子量，被告卻以明確性為由不准系爭申請 案之申請，令人費解。再者，通常知識者必然清楚了解 平均分子量所代表之意義，平均分子量種類揭露與否， 不僅無涉系爭申請案之明確性，更非被告對系爭申請案 所屬技術領域之發明專利申請案之通常審查標準及要求 ，而被告獨以「未明確揭露聚合物之平均分子量種類」 為由核駁系爭申請案，明顯違法不當。
⒌系爭申請案之美國對應案業於108年5月21日獲頒美國第US1 0,294,399 B2號專利。經比較可知，系爭申請案獨立請求 項1之範圍與該美國專利請求項1經核准之範圍實質相同， 且引證2（對應於US2016/0000000 A1）亦經美國專利商標 局審酌，系爭申請案之美國對應案之進步性業經肯認，亦 徵系爭申請案之進步性並無疑義。
㈡聲明：
⒈原處分暨訴願決定均撤銷。
⒉被告應就第106144950號專利申請案作成准予專利之處分。
三、被告答辯及聲明：
㈠答辯要旨：
⒈原告稱：系爭申請案所屬技術領域中具有通常知識者無法 產生動機參酌引證2以完成系爭申請案之發明，引證2所欲 移除之材料及所欲達成之功效與系爭申請案完全不同，引 證2之組合物顯然無法有效地移除碳化矽，且引證2未教示 或建議關於碳化矽移除速率或選擇性等，因此系爭申請案 所屬技術領域中具有通常知識者，如欲解決系爭申請案所 欲解決之技術問題（提供對碳化矽之高移除速率且選擇性 移除碳化矽），實無理由產生動機參酌引證2之內容云云 ：
⑴引證2在系爭申請案優先權日前即已公開，其與系爭申請 案均屬化學機械拋光之相關連技術領域，且均以二氧化 矽粒子、含磺酸之聚合物及水作為拋光組合物成分，顯 為系爭申請案之相關先前技術；原處分依此認定發明所 屬技術領域中具有通常知識者有動機參酌引證2判斷是 否可輕易完成系爭申請案發明，而非比對引證2之發明 目的及所欲之功效是否有別於系爭申請案，應屬有據。 ⑵縱使考量系爭申請案所欲解決之問題與所欲達成之功效 ，由於引證2揭示內容並不以實施例為限，其說明書亦 有揭示不同因素及其對組合物性質之影響，例如引證2 摘要及說明書段落[0089]揭示在組合物中使用二氧化鈰 塗佈的二氧化矽顆粒，允許對於碳化矽等膜類型在相對 低的磨料顆粒濃度下非常高的去除速率，以及在不同膜 之間可調整的拋光去除選擇性值，[0162]揭示CMP拋光 組合物包含聚苯乙烯磺酸等添加劑，以使顆粒分散穩定 並調整SiN去除速率等，上開內容均屬於引證2揭露之技 術，足見引證2確有揭示碳化矽之移除速率或選擇性之 相關內容，與系爭申請案所欲解決之問題與所欲達成之 功效並非無關，系爭申請案所屬技術領域中具有通常知 識者即有合理動機參酌引證2以完成系爭申請案之發明 ，上開起訴理由應不足採。
⒉原告又稱：引證2段落[0089] 僅能說明引證2之拋光組合物 中之「單一組分」，即二氧化鈰塗佈之複合二氧化矽顆粒 ，可以對碳化矽膜等膜類型有高去除速率，就拋光組合物 「整體」對於碳化矽膜之去除速率則隻字未提，所屬領域 通常知識者無從拋光組合物中之「單一組分」之去除速率 可推得「整體」之去除速率，且引證2之整體教示明確揭 示其拋光組合物對低k介電質拋光選擇性低，又引證2完全 未教示或建議任何關於碳化矽之移除速率或選擇性，故發
明所屬技術領域中具有通常知識者不可能產生動機，貿然 將引證2之拋光組合物用於移除碳化矽云云：
⑴引證2說明書段落[0089]揭示在組合物中使用二氧化鈰塗 佈的二氧化矽顆粒允許對於碳化矽等膜類型在相對低的 磨料顆粒濃度下非常高的去除速率，即係說明拋光組合 物對碳化矽等膜類型有高去除速率，起訴理由稱該段落 僅能說明單一組分可以對碳化矽等膜類型有高去除速率 ，容有誤解。
⑵引證2揭示內容並不以實施例為限，其說明書亦有揭示不 同因素及其對組合物性質之影響，例如引證2摘要及說 明書段落[0089]揭示在組合物中使用二氧化鈰塗佈的二 氧化矽顆粒，允許對於碳化矽等膜類型在相對低的磨料 顆粒濃度下非常高的去除速率，以及在不同膜之間可調 整的拋光去除選擇性值等，前述即為碳化矽之移除速率 或選擇性之相關內容；基於引證2揭露之上開技術，即 有具體理由促使發明所屬技術領域中具有通常知識者將 引證2所述「包含使用二氧化鈰塗佈的二氧化矽顆粒之 拋光組合物」轉用於對「表面上包含碳化矽層之半導體 基板」進行拋光，上開起訴理由應不足採。
⒊原告再稱：引證2教示當CMP組合物具有低於8之pH值時會抑 制低k介電質（含碳化矽膜）之移除速率，因此，本發明 所屬技術領域中具有通常知識者縱使參酌引證2，在欲研 發與系爭申請案相似之研磨碳化矽之拋光組合物時，絕無 可能將拋光組合物之pH值降低至8以下，引證2在pH值對碳 化矽移除速率之影響上提供與系爭申請案反向之教示云云 ：
⑴引證2說明書段落[0104]揭示CMP組合物的pH在約2至約12 範圍內，最佳pH取決於特定應用的具體性能要求，所屬 技術領域中具有通常知識者即可依引證2揭示範圍，調 整用於碳化矽膜之拋光組合物的pH值。至於該段落所載 「在需要抑制膜（如碳化矽）去除速率的能力而同時仍 需要高二氧化矽去除速率時，pH<8將是期望的」之內容 係著眼於pH值與「碳化矽等膜和二氧化矽的去除速率相 對關係」，而非單純指pH值對碳化矽移除速率之影響。 ⑵縱認引證2有教示pH值小於8時將抑制碳化矽等膜的去除 速率，然系爭申請案所請為具有2至5之pH值之拋光組合 物，引證2至多僅教示pH值小於8之拋光組合物對碳化矽 等膜的去除速率較差，並未揭露其不可用於拋光碳化矽 ，亦即沒有排除具有2至5之pH值之拋光組合物的教示或 建議，難認已構成反向教示，上開起訴理由應不足採。
⒋原告另稱：系爭申請案之美國對應案之進步性業經肯認， 亦徵系爭申請案之進步性並無疑義云云。惟查：專利制度 為屬地主義，各國專利法制與審查基準有別，尚難引已在 他國核准專利執為論據；原告雖提出系爭申請案美國對應 案之相關資料，仍無法推論系爭專利應具有進步性，亦無 拘束本國依法審查之權，原告上開主張應不足採。 ⒌請求項之記載應使「發明所屬技術領域中具有通常知識者 ，單獨由請求項之記載內，即可明確瞭解其意義，而對其 範圍不會產生疑義」，即使審查基準記載「解釋請求項」 時「得」參酌之範圍，以及判斷請求項明確性時「例外參 照說明書」之情形，仍無從推翻前述明確性判斷原則，容 許原告毋庸將技術特徵載明於請求項中，以說明書已有揭 示為由，主張請求項已臻明確。是以，不應將系爭申請案 說明書之實施例所載內容讀入申請專利範圍。縱經參酌， 仍無從明確瞭解：系爭申請案請求項中之「MW」確指重量 平均分子量Mw？拋光組合物所含磺酸聚合物或共聚物之分 子量均指Mw？
㈡聲明：原告之訴駁回。
四、本件爭執事項如下（本院卷第409頁）： ㈠引證2是否足以證明系爭申請案請求項1、3至8不具進步性？ ㈡系爭申請案之請求項1至15是否不符專利法第26條第2 項之 規定？
五、本院得心證之理由：
㈠本件應適用之專利法：
系爭申請案係於106年12月21日申請，經被告於109年9月29 日以再審查核駁審定書為不予專利之處分，是以系爭申請案 是否符合專利要件，應以108年5月1日修正公布部分條文， 行政院定自108年11月1日施行之現行專利法為斷。 ㈡引證2是否足以證明系爭申請案請求項1、3至8不具進步性？
⒈系爭申請案技術分析：
⑴系爭申請案技術內容：
①該發明提供一種化學機械拋光組合物，其包含(a)二氧 化矽子、(b)包含磺酸單體單元之聚合物、(c)視情況 選用之緩衝劑及(d)水，其中該拋光組合物具有約2至 約5之pH值。本發明進一步提供一種使用本發明之化 學機械拋光組合物化學機械拋光基板之方法。通常， 該基板包含碳化矽及氮化矽(系爭申請案【摘要】， 乙證1第31頁)。
②該發明另提供一種使用該組合物化學機械拋光基板之
方法，其步驟包含：(i)提供基板，其中該基板在基 板表面上包含碳化矽層；(ii)提供拋光墊；(iii)提 供拋光組合物，該拋光組合物包含(a)二氧化矽粒子 、(b)包含磺酸單體單元之聚合物及(c)水，其中該拋 光組合物具有約2至約5之pH值；(iv)使基板與拋光墊 及拋光組合物接觸；以及(v)相對於基板移動拋光墊 及拋光組合物以研磨基板表面上之碳化矽層之至少一 部分從而拋光基板。本發明亦提供一種化學機械拋光 組合物，包含(a)含有鋁離子之二氧化矽粒子，其中 鋁離子均一分佈在二氧化矽粒子內，且其中二氧化矽 粒子具有約40 nm至約80 nm之平均粒度，(b)包含磺 酸單體單元之聚合物，(c)緩衝劑，以及(d)水，其中 拋光組合物具有約2至約5之pH值(系爭申請案【發明 內容】，乙證1第30頁反面)。
⑵系爭申請案專利範圍：
被告係以原告申請時所提說明書及107年12月4日所提送 申請專利範圍修正本進行再審查審定，並以申請專利範 圍不符專利法相關規定之理由，作成不予專利的處分。 系爭申請案107年12月4日修正後之申請專利範圍共15項 ，其中請求項1與9為獨立項，其餘均為附屬項，前開請 求項之內容如下（乙證1第59至58頁）：
①請求項1：一種化學機械拋光基板之方法，其包含： ( i)提供基板，其中該基板在該基板之表面上包含碳化 矽層；(ii)提供拋光墊；(iii)提供包含以下之拋光 組合物： (a)二氧化矽粒子， (b)包含磺酸單體 單元之聚合物，其中該包含磺酸單體單元之聚合物選 自聚苯乙烯磺酸、聚(2-丙烯醯胺基-2-甲基-1-丙磺 酸)及聚(苯乙烯磺酸-共-順丁烯二酸)，且具有平均 分子量為約75,000 公克/莫耳至200,000 公克/莫耳 ，及 (c)水，其中該拋光組合物具有約2至約5之pH 值；(iv)使該基板與該拋光墊及該拋光組合物接觸； 及(v)相對於該基板移動該拋光墊及該拋光組合物以 研磨該基板之表面上之該碳化矽層的至少一部分，從 而拋光該基板。
②請求項2：如請求項1之方法，其中該等二氧化矽粒子 包含鋁離子，且其中該等鋁離子均一分佈在該等二氧 化矽粒子內。
③請求項3：如請求項1之方法，其中該等二氧化矽粒子 之平均粒度為約40nm至約60nm。
④請求項4：如請求項1之方法，其中該包含磺酸單體單
元之聚合物係聚苯乙烯磺酸。
⑤請求項5：如請求項1之方法，其中該拋光組合物進一 步包含氧化劑。
⑥請求項6：如請求項1之方法，其中該拋光組合物進一 步包含緩衝劑。
⑦請求項7：如請求項1之方法，其中該基板進一步在該 基板之表面上包含氮化矽層，且其中該基板之表面上 之該氮化矽層的至少一部分經研磨以拋光該基板。 ⑧請求項8：如請求項1之方法，其中該基板進一步在該 基板之表面上包含氧化矽層，且其中該基板之表面上 之該氧化矽層的至少一部分經研磨以拋光該基板。 ⑨請求項9：一種化學機械拋光組合物，包含：(a)含有 鋁離子之二氧化矽粒子，其中該等鋁離子均一分佈在 該等二氧化矽粒子內，且其中該等二氧化矽粒子之平 均粒度為約40nm至約80nm，(b)包含磺酸單體單元之 聚合物，其中該包含磺酸單體單元之聚合物選自聚苯 乙烯磺酸、聚(2-丙烯醯胺基-2-甲基-1-丙磺酸)及聚 (苯乙烯磺酸-共-順丁烯二酸)，且具有平均分子量為 約75,000公克/莫耳至200,000 公克/莫耳，(c)緩衝 劑，及(d)水，其中該拋光組合物具有約2至約5之pH 值。
⑩請求項10：如請求項9之拋光組合物，其中該等二氧化 矽粒子之平均粒度為約40nm至約60nm。 ⑪請求項11：如請求項9之拋光組合物，其中該等二氧化 矽粒子係大體上球體。
⑫請求項12：如請求項9之拋光組合物，其中該緩衝劑選 自甲酸、丙二酸、乙酸、草酸、檸檬酸及磷酸。 ⑬請求項13：如請求項9之拋光組合物，其中該拋光組合 物進一步包含氧化劑。
⑭請求項14：如請求項13之拋光組合物，其中該氧化劑 為過氧化氫。
⑮請求項15：如請求項9之拋光組合物，其中該拋光組合 物不含有哌嗪化合物、4-嗎啉化合物、胺基磺酸化合 物、經取代之胺化合物、三級胺化合物或雙胺化合物 或其鹽。
⒉引證2之技術分析：
⑴105年12月21日公布之大陸第CZ000000000A公開「使用二 氧化鈰塗布的二氧化矽磨料的屏障化學機械平面化漿料 」發明專利案，其公布日早於系爭申請案優先權日(106 年1月5日)，可為系爭申請案之先前技術。
⑵係關於一種化學機械平面化漿料，其包含複合顆粒如二 氧化鈰塗布的二氧化矽顆粒的化學機械平面化學(CMP) 拋光組合物，提供了在不同膜之間可調整的拋光去除選 擇性值。組合物能够實現對互聯金屬和二氧化矽介電質 的高去除速率而同時提供對低K介電質、a‑Si和鎢膜的 拋光停止。化學機械平面化(CMP)拋光組合物已經使用 軟拋光墊顯示了優異性能。(引證2摘要，乙證1第40頁) ⒊按凡利用自然法則之技術思想之創作，而可供產業上利用 者，得依法申請取得發明專利，雖為現行專利法第21條及 第22條第1項前段所明定。惟「發明雖無前項各款所列情 事，但為其所屬技術領域中具有通常知識者依申請前之先 前技術所能輕易完成時，仍不得取得發明專利」亦為現行 專利法第22條第2項所規定。而有前開規定之情事，則應 為不予專利之審定，復為同法第46條第1項所定。 ⒋引證2足以證明系爭申請案請求項1不具進步性： ⑴經查，引證2說明書段落[0022]至[0036]及[0053]至[005 7]之內容（乙證1第39頁至第39頁反面，具體內容見本 判決附件），揭示一種用於半導體器件的化學機械平面 化的拋光方法【對應於系爭申請案請求項1之方法】， 其包含將半導體器件之表面與拋光墊接觸、將拋光組合 物遞送至上述表面、用拋光組合物拋光上述表面等步驟 【對應於系爭申請案請求項1所界定技術特徵(ii)、(ii i)與(iv)】，其中該拋光組合物之成分可包含複合顆粒 等磨料、水、分散添加劑等成分，且其pH值可為2至11 【對應於系爭申請案請求項1所界定技術特徵(iii)之(c )所界定的成分與pH值域】。再參引證2說明書段落[007 7]至[0159]之內容（乙證1第38頁至第37頁反面，具體 內容見本判決附件）及【摘要】所載「..提供了在不同 膜之間可調整的拋光去除選擇性值..」等語，並可獲知 藉由調整該組合物之成分、組成(如磨料、添加劑類別 、含量比例)等以適度提升拋光效能(如相對去除速率等 ）。
⑵段落[0082]（乙證1第38頁，具體內容見本判決附件）揭 示複合顆粒可為二氧化鈰塗佈之二氧化矽顆粒【對應於 系爭申請案請求項1所界定技術特徵(iii)之(a)】，段 落[0118]至[0119]、[0162]（乙證1第38頁反面及第37 頁反面，具體內容見本判決附件）揭示適合的分散添加 劑可為聚苯乙烯磺酸等聚合物，且其數量平均分子量優 選為2,000至100,000【對應於系爭申請案請求項1所界 定技術特徵(iii)之(b)】。而由[0118]至[0119]、[016
2]揭示內容，即可知聚苯乙烯磺酸可使顆粒分散穩定並 可調整SiN膜去除速率，對於此一技術領域具有通常知 識者而言，SiN（氮化矽）、SiC（碳化矽）、SiO（氧 化矽）均為化學機械研磨領域慣常處理之材料，當知悉 聚苯乙烯磺酸可使顆粒分散穩定並可調整SiN膜去除速 率，亦將考量聚苯乙烯磺酸可調整與SiC之相對去除速 率或選擇性。又段落[0069]至[0070]之內容（乙證1第3 9頁反面，具體內容見本判決附件）並揭示該發明之組 合物可應用於拋光晶片表面上的一個或多個膜之複雜膜 堆疊結構，該膜堆疊結構可需有額外的介電質來充當擴 散屏障、覆蓋層等，所用的典型介電膜可為純碳化矽【 對應於系爭申請案請求項1所界定技術特徵(i)】，且段 落[0089]（乙證1第38頁，具體內容見本判決附件）進 一步揭示該二氧化鈰塗佈之二氧化矽顆粒之使用，允許 拋光組合物對於碳化矽膜等膜類型有高去除速率【對應 於系爭申請案請求項1所界定技術特徵(v)】。 ⑶由上述可知，引證2已揭示系爭申請案請求項1之全部技 術特徵，該引證2亦教示可藉由調整該組合物之組成等 以提升程序效能(如相對去除速率等)，系爭申請案所屬 技術領域中具有通常知識者當能基於引證2所揭示技術