智慧財產及商業法院行政判決
110年度行專訴字第15號
民國110年8月19日辯論終結
原 告 麥豐密封科技股份有限公司
代 表 人 陳正雄
原 告 台灣積體電路製造股份有限公司
代 表 人 劉德音
共 同
訴訟代理人 翁林瑋律師
何婉菁律師
林琮凱
輔 佐 人 黃俊堯
張祐語
被 告 經濟部智慧財產局
代 表 人 洪淑敏
訴訟代理人 簡信裕
參 加 人 李佳瑩
上列當事人間因發明專利舉發事件，原告不服經濟部中華民國11
0年1月22日經訴字第11006300110號訴願決定，提起行政訴訟，
並經本院命參加人獨立參加被告之訴訟，本院判決如下：
主 文
原告之訴駁回。
訴訟費用由原告負擔。
事實及理由
壹、程序事項
按言詞辯論期日，當事人之一造不到場者，倘無民事訴訟法 第386條規定之不得一造辯論判決之事由，得依到場當事人 之聲請，由其一造辯論而為判決，行政訴訟法第218條準用 民事訴訟法第385條第1項前段、第386條分別定有明文。本 件參加人受合法通知，無正當理由未於言詞辯論期日到場， 有本院送達證書附卷可稽（見本院卷第437頁），核無民事 訴訟法第386 條各款所列情形，爰依原告之聲請，由其一造
辯論而為判決。
貳、實體事項
一、事實概要：原告前於民國99年3月19日以「半導體製程設備 及其O形環」向被告申請發明專利，申請專利範圍共32項， 經被告編為第99108125號審查，准予專利，並發給發明第I5 03920號專利證書（下稱系爭專利）。嗣參加人以系爭專利 有違核准時專利法第26條第2項及第22條第2項之規定，不符 發明專利要件，對之提起舉發。原告則於106年5月26日與10 9年6月23日提出系爭專利申請專利範圍更正本。案經被告審 查，認前揭109年6月23日更正本符合規定，且系爭專利有違 前揭專利法第22條第2項規定，以109年7月6日（109）智專 三（二）04069字第10920637290號專利舉發審定書為「109 年6月23日之更正事項，准予更正」、「請求項1至11、13至 21、23至30、32舉發成立，應予撤銷」及「請求項12、22、 31舉發駁回」之處分。原告不服前揭舉發成立部分之處分， 提起訴願，經經濟部以110年1月22日經訴字第11006300110 決定駁回，原告即向本院提起行政訴訟。本院因認本件訴訟 之結果，倘認訴願決定及原處分不利於原告之部分應予撤銷 ，參加人之權利或法律上利益將受損害，爰依職權裁定命其 獨立參加本件被告之訴訟。
二、原告主張略以：
㈠系爭專利可解決證據1以黏膠封填溝槽導致侵蝕後難以更換之 問題，技術手段完全不同於系爭專利具彈性之O形環；證據2 採用硬質「保護部材105」，其物理性質與使用方式與系爭 專利所採用之彈性之O形環迥異，兩者存有反向教示。證據3 至7雖揭示應用在各種不同設備上的O形環，但設置之位置、 應用的場合及所欲解決之問題不同，且證據6、7屬機電設備 之技術領域，與證據1至5之半導體設備領域欠缺關聯性而無 組合動機，自無法加以組合輕易完成系爭專利技術特徵。系 爭專利解決半導體製程產業長久以來耗費大量成本進行靜電 吸附承盤更新之問題，且系爭專利發明公告日後，市面上即 開始出現若干與系爭專利類似之產品，顯見系爭專利自具商 業上成功，應認具有進步性。被告前曾於系爭專利第一次舉 發案認定證據6、7均不足以證明系爭專利不具進步性，卻於 本件舉發案針對相同證據反異先前見解，其前後認定顯然矛 盾，違反行政自我拘束原則。
㈡並聲明求為判決：原處分關於舉發成立部分及訴願決定均撤 銷。
三、被告答辯略以：
㈠證據1與系爭專利之差異僅在密封構件不同，惟該差異技術特
徵已揭示於證據3或證據4或證據5，雖證據4、5並未明確揭 示該O形環之截面係呈矩形，惟證據1及證據2已揭示形成凹 槽之結構，證據4、5亦將O形環置入一凹槽內以達到密封之 效果，故O形環的形狀會因應溝槽形狀作相應之修改設計， 乃所屬技術領域中具通常知識者所易於思及者。因證據3至7 已揭示O形環，而系爭專利使用O形環取代習知黏膠或硬質保 護部材作為密封構件，具有密封及容易更換之效果，乃是O 形環本質上所具有之功能，為業界所周知之通常知識或普遍 使用之密封構件，而證據間是否有組合動機應綜合考量其技 術領域之關聯性，及所欲解決問題之共通性、功能或作用之 共通性。證據6揭示於洗衣機浸水連接器使用的橡膠墊圈兩 端設置倒角結構，與系爭專利所採用於O形環中設置導角部 係可順利的置入溝槽之中而供密封的效果，具共通技術特徵 ，可解決相同問題；證據7揭示電熱水壺密封圈外壁設置凸 筋，密封圈頂面外邊緣設置有倒角，與系爭專利於O形環中 設置肋及導角，亦具共通技術特徵，可解決相同問題，故上 開證據可作為系爭專利相關先前技術，且與舉發證據間具有 組合動機。證據2未揭示保護部材105不得使用硬質材料以外 之材質，不構成反向教示，以黏膠作為密封構件產生侵蝕後 難以更換之問題是否為所屬技術領域中具通常知識者所公認 長期存在且未被解決之問題、原告O形環銷售數量的成長是 否由該發明之技術特徵所直接導致，原告所提證據無法證明 ，自難認定系爭專利具進步性。另系爭專利第一次舉發案與 本件舉發案之證據組合不同，被告前後審定結果並無矛盾， 原處分並未違反行政自我拘束原則。
㈡並聲明求為判決：駁回原告之訴。
四、參加人未於準備程序及言詞辯論期日到庭，亦未具狀陳述。五、本院得心證之理由：
㈠系爭專利109 年6 月23 日申請專利範圍更正本並未超出申請 時說明書、申請專利範圍或圖式所揭露之範圍，且未實質擴 大或變更公告時之申請專利範圍，符合專利法第67 條第 1 項第 1、2 款與第 2、4 項之規定，原處分准予更正，對更 正部分當事人未聲明不服，是本件爰依前揭更正本為審理。 再按「發明專利權得提起舉發之情事，依其核准審定時之規 定。」為現行專利法第71條第3項本文所明定，其立法理由 載稱：「核准發明專利權之要件係依核准審定時之規定辦理 ，其有無得提起舉發之情事，自應依審定時之規定辦理，始 為一致，爰予明定。」查系爭專利申請日為99年3月19日， 經被告審查後於104年7月28日准予專利等情，有系爭專利之 專利申請書及專利再審查核准審定書附卷可參（見申請卷第
17、141頁），是系爭專利有無撤銷之原因，應以核准審定 時之103年1月22日修正公布、同年3月24日施行之專利法為 斷。次按利用自然法則之技術思想之創作，且可供產業上利 用者，得依法申請取得發明專利，核准時專利法第21條、第 22條第1 項前段定有明文，但發明如為「為其所屬技術領域 中具有通常知識者依申請前之先前技術所能輕易完成時」， 仍不得取得發明專利，同法第22條第2 項亦有規定。而對於 獲准專利權之發明，任何人認有違反前揭專利法之規定者， 依同法第71條第1項、第73條第1項規定，得附具證據，向專 利專責機關舉發之。從而，系爭專利有無違反前揭專利法之 情事而應撤銷其發明專利權，依法應由舉發人附具證據證明 之。是本件爭點為：附表所示證據組合，可否證明系爭專利 請求項1至11、13至21、23至30、32不具進步性？ ㈡系爭專利之內容（如附圖一所示）：
半導體製程設備用以對一晶圓實施製程，在習知技術中，由 於該晶座本體11與該承載元件12的連接處有微小縫隙(漏氣 點)存在，因此流體3會經過此縫隙於溝槽14處洩漏(在某些 情況，縫隙(漏氣點)會位在溝槽14底部的中央位置)。為避 免流體3洩漏，習知技術會將黏膠4填入溝槽14之中，以密封 溝槽14。然而，由於黏膠4會被電漿粒子蝕刻而損耗，因此 在長期使用之後將失去其密封效果。此外，由於黏膠4的有 效時間不確定，並無法定期補強或更換，因此會影響整體製 程的良率。系爭專利係關於一種半導體製程設備，用以對一 晶圓實施製程，包括一晶座以及一O形環。晶座包括一晶座 本體、一流體供應單元以及一承載元件，該承載元件設於該 晶座本體之上，該晶圓置於該承載元件之上，該流體供應單 元設於該晶座本體之中，並對該晶圓提供一流體，其中，一 溝槽形成於該晶座之一晶座側面上之該晶座本體與該承載元 件的連接處。O形環設於該溝槽之中（見申請卷第12及其背 頁、第14頁）。
㈢舉發證據之說明：
證據1為系爭專利說明書（見舉發卷第47至61頁）；證據2為 96年8月2日公開之日本第2007-194616公開號「サセプタおよびこれを 用いたウェハの処理方法」發明專利案（見舉發卷第35至46頁，如 附圖二所示）；證據3為97年10月15日公開之中國第1012864 69公開號「用于防止空隙形成的结构以及等离子体处理设备 」發明專利案（見舉發卷第23至34頁，如附圖三所示）；證 據4為83年3月1日公告之美國第5290381公告號「PLASMA ETC HING APPARATUS」發明專利案（見舉發卷第17至22頁，如附 圖四所示）；證據5為81年1月14日公告之美國第5080549公
告號「WAFER HANDLING SYSTEM WITH BERNOULLI PICK-UP」 發明專利案（見舉發卷第6至16頁，如附圖五所示）；證據6 為84年5月17日公告之中國第2197378公告號「多功能膨胀胶 圈」實用新型專利案（見舉發卷第4至5頁，如附圖六所示） ；證據7為97年8月20日公告之中國第201101429公告號「电 热水壶密封圈」實用新型專利案（見舉發卷第1至3頁，如附 圖七所示）。上開證據1所載先前技術，及其餘證據之公開 日或公告日，均早於系爭專利優先權日（98年3月19日）， 可為系爭專利之相關先前技術。
㈣系爭專利請求項1不具進步性：
⒈系爭專利請求項1為：「一種半導體製程設備，用以承載晶圓 包括：一晶座本體、一流體供應單元以及一承載元件，該承 載元件設於該晶座本體之上並包含一用來承載晶圓的上表面 以及一側面，該流體供應單元設於該晶座本體之中用以對該 承載元件上表面的晶圓提供一流體，一溝槽形成該承載元件 的側面，且位於該晶座本體與該承載元件的連接處；以及一 可更換之O形環，設於該溝槽之中，且該流體供應單元提供 之該流體由該O形環所密封，其中該O形環的截面呈矩形。」 ⒉證據1、3之組合可證明系爭專利請求項1不具進步性： ⑴證據1說明書第4頁第6至16行【先前技術】及圖1a、1b記載「 習知之半導體製程設備(電漿蝕刻設備)1，用以對一晶圓2實 施製程。第1b圖係為第1a圖中的A部分放大圖。半導體製程 設備1包括一晶座10、一延伸覆蓋元件20以及一腔體30。晶 座10設於腔體30之中。晶座10包括一晶座本體11、一流體供 應單元13以及一承載元件12，該承載元件12設於該晶座本體 11之上，該晶圓2置於該承載元件12之上，該流體供應單元1 3設於該晶座本體11之中，並經過該承載元件12對該晶圓2提 供一流體3，其中，一溝槽14形成於該晶座10之一晶座側面1 5上之該晶座本體11與該承載元件12的連接處」（見舉發卷 第51及其背頁、第58背頁），是證據1已自承習知之半導體 製程設備具有承載元件12、晶座本體11、流體供應單元13， 且晶座側面具有一溝槽14，可對應系爭專利請求項1之「一 種半導體製程設備，用以承載晶圓，包括：一晶座本體、一 流體供應單元以及一承載元件，該承載元件設於該晶座本體 之上並包含一用來承載晶圓的上表面以及一側面，該流體供 應單元設於該晶座本體之中用以對該承載元件上表面的晶圓 提供一流體，一溝槽形成該承載元件的側面，且位於該晶座 本體與該承載元件的連接處」。
⑵證據1說明書第4頁第17至22行【先前技術】及圖1c記載「在 習知技術中，由於該晶座本體11與該承載元件12的連接處有
微小縫隙(漏氣點)存在，因此流體3會經過此縫隙於溝槽14 處洩漏(在某些情況，縫隙(漏氣點)會位在溝槽14底部的中 央位置)。參照第1c圖，為避免流體3洩漏，習知技術中將黏 膠4填入溝槽14之中，以密封溝槽14」（見舉發卷第50背頁 、58背頁），是證據1已揭露習知技術為解決流體3經由元件 間縫隙洩漏的問題，將黏膠4填入承載元件側面的溝槽14之 中以密封該縫隙，達到防止流體洩漏的功效，但未揭露以O 形環密封該縫隙，故證據1(系爭專利【先前技術】內容)並 未揭露系爭專利請求項1「一可更換之O形環，設於該溝槽之 中，且該流體供應單元提供之該流體由該O形環所密封，其 中該O形環的截面呈矩形」之技術特徵。
⑶然證據3說明書第9、10頁及圖2記載「腔體100，在其內部形 成等離子體環境。該腔體100包含上電級110和靜電卡盤200… 在靜電卡盤200的頂表面上承載在其上提供有層材料的晶片W 」（見舉發卷第26、29背頁至30頁），是證據3已揭露一種 用於半導體製程的等離子體處理設備，其具有承載晶片W的 靜電卡盤200，靜電卡盤200外側具有階梯部210；證據3說明 書第12頁及圖3記載「第一空隙G1與第二空隙G2可以形成彼 此連接的通道…該通道可以為排氣通道…聚合物與副產物流過 排出通道(exhaust channel)，以排出到腔體100的外側」（ 見舉發卷第25背頁、28背頁），已揭露該等離子體處理設備 具有一排氣通道，該排氣通道可供流體流通；證據3說明書 第13頁及圖5記載「由橡膠或金屬材料構成的第三密封構件3 53插入到第三延伸部430的內側與支撐環500的頂部之間。因 此，由於聚焦環300的底表面302與支撐環500的頂部之間的 間隔被第三延伸部430和第三密封構件353密封，所以腔體10 0內產生的聚合物及副產物通過排出通道排出，而防止其流 入第二間隔S2中」（見舉發卷第24背頁、28頁），已揭露使 用橡膠材質製成的第三密封構件353將不同元件間的間隔密 封以防止流體沿間隔流入，另由證據3圖5可看出第三密封構 件353的截面呈矩形，證據3說明書第11頁記載「密封構件可 為形成為O環類型」，是證據3已揭露密封構件可使用如O形 環之類可更換元件。
⑷證據1(系爭專利【先前技術】部分)及證據3皆為使用於半導 體電漿(等離子)製程的設備，具有技術領域關連性；證據1 說明書第4頁第17至22行【先前技術】及圖1c記載「在習知 技術中，由於該晶座本體11與該承載元件12的連接處有微小 縫隙(漏氣點)存在，因此流體3會經過此縫隙於溝槽14處洩 漏(在某些情況，縫隙(漏氣點)會位在溝槽14底部的中央位 置)。參照第1c圖，為避免流體3洩漏，習知技術中將黏膠4
填入溝槽14之中，以密封溝槽14」（見舉發卷第50背頁、58 背頁），可知證據1【先前技術】使用黏膠4係為了密封不同 元件間的微小縫隙以避免流體洩漏，而證據3說明書第13頁 及圖5記載「由於聚焦環300的底表面302與支撐環500的頂部 之間的間隔被第三延伸部430和第三密封構件353密封，所以 腔體100內產生的聚合物及副產物通過排出通道排出，而防 止其流入第二間隔S2中」（見舉發卷第24背頁、28頁），可 知證據3使用第三密封構件353亦是為了密封不同元件間的微 小縫隙以避免流體洩漏，故證據1(系爭專利【先前技術】部 分)與證據3皆是為了解決流體會從縫隙洩漏的問題，具有所 欲解決問題之共通性；證據1(系爭專利【先前技術】部分) 所使用的黏膠與證據3所使用的密封構件皆具有密封元件間 縫隙的功能，具有功能或作用之共通性；證據1(系爭專利【 先前技術】部分)之技術內容揭露可在縫隙處以密封性佳的 黏膠封住縫隙防止流體洩漏，證據3之技術內容揭露橡膠製 的第三密封構件可用以密封間隔，防止流體流入第二間隔， 因此證據1(系爭專利【先前技術】部分)、證據3已揭露結合 二引證技術內容的教示或建議。綜合考量證據1(系爭專利【 先前技術】部分)與證據3間技術內容的關連性和共通性，該 技術領域中具有通常知識者具有動機能結合證據1(系爭專利 【先前技術】部分)與證據3的技術內容，將使用於證據1(系 爭專利【先前技術】部分)承載元件側面溝槽的黏膠替換成 證據3之可替換且具有矩形截面的橡膠製密封構件，對應系 爭專利請求項1之「一可更換之O形環，設於該溝槽之中，且 該流體供應單元提供之該流體由該O形環所密封，其中該O形 環的截面呈矩形」技術特徵，是證據1、3之組合足以證明系 爭專利請求項1不具進步性。
⒊證據1、5之組合可證明系爭專利請求項1不具進步性： ⑴證據1與系爭專利請求項1之差異，僅在於證據1未揭露系爭專 利請求項1「一可更換之O形環，設於該溝槽之中，且該流體 供應單元提供之該流體由該O形環所密封，其中該O形環的截 面呈矩形」之技術特徵，已如前述。
⑵證據5說明書第1欄第20至22行記載「許多不同類型的半導體 處理系統都需要使用晶片處理系統或晶片傳輸機構」、第2 欄第62至67行記載「本發明的拾取棒組件利用伯努利原理來 實現晶片的非接觸拾取或提升。棒組件安裝在機器人臂的前 部，該臂包括用於接收氣體並將氣體分配到拾取棒組件的通 道」（見舉發卷第10背頁），可知證據5係用於半導體製程 中的機械手臂，用來搬運欲處理的晶圓，手臂內部具有供氣 體流動的通道；證據5說明書第9欄第16至18行及圖10記載「
O形環墊圈 267 容納在環形槽 265 中以防止氣體逸出」、 證據5說明書第9欄第46~48行及圖10記載「環形構件292的上 肩部包含用於容納O形環密封件287的環形凹槽288」、證據5 說明書第11欄第18~23行及圖11記載「柱塞的頂部安裝有O形 密封圈517，其配合圍繞柱塞的環形套環部分。蓋板525放置 在前部500的頂面512上以將柱塞519和過濾器515保持在腔50 1內的適當位置，同時防止氣體從腔中逸出」（見舉發卷第8 及其背頁、12及其背頁），證據5已揭露使用可更換之O形環 作為密封件，防止氣體從裝置內部通道經元件間縫隙洩漏至 外部，由證據5圖10可看出O形環267、287的截面呈矩形，證 據5揭露之密封構件因係獨立元件，故其係可更換之元件。 ⑶證據1(系爭專利【先前技術】部分)及證據5皆為使用於半導 體製程的設備，電漿(等離子)製程需要使用機械手臂搬送晶 圓，故兩者具有技術領域關連性；證據1(系爭專利【先前技 術】部分)所使用的黏膠與證據5所使用的O形環皆具有密封 元件間縫隙防止流體洩漏的功能，具有功能或作用之共通性 ；證據1(系爭專利【先前技術】部分)之技術內容揭露可在 縫隙處以密封性佳的黏膠封住縫隙防止流體洩漏，證據5之 技術內容揭露O形環可用以密封間隔，防止流體逸出，因此 證據1(系爭專利【先前技術】部分)、證據5已揭露結合二引 證技術內容的教示或建議。雖證據5並無明確說明使用O形環 所欲解決之問題，然綜合考量證據1(系爭專利【先前技術】 部分)與證據5間技術內容的關連性和共通性，該技術領域中 具有通常知識者具有動機能結合證據1(系爭專利【先前技術 】部分)與證據5的技術內容，將使用於證據1(系爭專利【先 前技術】部分)承載元件側面溝槽的黏膠替換成證據5之可替 換且具有矩形截面的O形環密封件，對應系爭專利請求項1之 「一可更換之O形環，設於該溝槽之中，且該流體供應單元 提供之該流體由該O形環所密封，其中該O形環的截面呈矩形 」技術特徵，是證據1、5之組合足以證明系爭專利請求項1 不具進步性。
⒋證據2、3之組合可證明系爭專利請求項1不具進步性： ⑴證據2說明書第[0049]段及圖1(b)記載「根據本發明的基座10 1沿著板構件102和基座構件107之間的接合處的外周設置有 環形凹部114」、證據2說明書第[0048]段及圖1(b)記載「安 裝表面103的周邊部分103a設置有穿透靜電卡盤部分和基座 構件107的多個供氣孔108…晶圓W和安裝表面103之間的間隙 填充有氣體」（見舉發卷第35背頁、42背頁），證據2已揭 露一種用於等離子製程環境的設備，包含設於基座構件107 之上的板構件102，板構件102係用來承載晶圓W，供氣孔108
設於基座構件107之中用來對晶圓W提供一流體，沿著板構件 102和基座構件107之間的接合處的外周設置有環形凹部114 ，可對應系爭專利請求項1之「一種半導體製程設備，用以 承載晶圓，包括：一晶座本體、一流體供應單元以及一承載 元件，該承載元件設於該晶座本體之上並包含一用來承載晶 圓的上表面以及一側面，該流體供應單元設於該晶座本體之 中用以對該承載元件上表面的晶圓提供一流體，一溝槽形成 該承載元件的側面，且位於該晶座本體與該承載元件的連接 處」，其中板構件102對應承載元件，基座構件107對應晶座 本體，供氣孔108對應流體供應單元，環形凹部114對應溝槽 。
⑵證據2說明書第[0049]段及圖1(b)記載「具有設置在凹部114 中的環形保護構件105…從板狀構件102和保護環115之間的間 隙進入的等離子體也可以保持該距離，使得基部構件107不 容易暴露於等離子體，並且還黏附可以保護藥劑層111，以 便不直接暴露於等離子體」、證據2說明書第[0050]段記載 「可以在不改變填充在晶圓W和安裝表面103之間的氣體的密 封性的情況下抑制氦氣的洩漏的增加」（見舉發卷第42背頁 ），證據2已揭露在板構件102和基座構件107之間接合處的 凹部114中設置保護構件105，該保護構件105具有密封的功 效，防止等離子體進入侵蝕藥劑層111及抑制氦氣的洩漏， 然證據2說明書第[0058]段記載「保護構件105的材料由氟碳 樹脂製成…可以容易地進行精密加工」、證據2說明書第[005 9]段記載「進行保溫並進行熱膨脹，並且凹部114的內部的 外徑尺寸被擴展然後配合。此後，通過車床加工等處理外徑 和厚度，可以獲得所需的形狀」（見舉發卷第42頁），可知 證據2的保護構件105在安裝至設備上後需經車床加工等步驟 才能實際運作，而非可隨時更換之元件，與一般O形環不同 ，故證據2並未揭露系爭專利請求項1「一可更換之O形環， 設於該溝槽之中，且該流體供應單元提供之該流體由該O形 環所密封，其中該O形環的截面呈矩形」之技術特徵。 ⑶然證據3已揭露密封構件可使用如O形環之類可更換元件，已 如前述，考量證據2及證據3皆為使用於半導體電漿(等離子) 製程的設備，具有技術領域關連性；證據2說明書第[0004] 段及圖7記載「(習知技術)在半導體製造工藝中這樣的基座8 01反覆暴露於用於成膜或使用等離子體蝕刻的各種反應氣體 ，則粘合劑層811的側表面被等離子體等腐蝕而產生顆粒。 此外，隨著侵蝕的進行，靜電吸盤電極804a和804b與等離子 體之間可能發生介電擊穿。另外，等離子體等的腐蝕在氣體 供應孔808周圍的粘合劑層811中產生空穴，諸如氦氣的導熱
氣體從該孔中洩漏」（見舉發卷第34背頁、45頁），可知證 據2係為了解決習知粘合劑層被等離子體等腐蝕而導致流體 洩漏的問題，而證據3說明書第13頁及圖5記載「由於聚焦環 300的底表面302與支撐環500的頂部之間的間隔被第三延伸 部430和第三密封構件353密封，所以腔體100內產生的聚合 物及副產物通過排出通道排出，而防止其流入第二間隔S2中 」（見舉發卷第24背頁、28頁），可知證據3使用第三密封 構件353亦是為了解決流體從不同元件間的微小縫隙洩漏的 問題，故證據2與證據3皆係為了解決流體洩漏的問題，具有 所欲解決問題之共通性；證據2所使用的保護構件與證據3所 使用的密封構件皆具有密封元件間縫隙的功能，具有功能或 作用之共通性；證據2之技術內容揭露保護構件具有密封的 功效，抑制氦氣的洩漏，證據3之技術內容揭露橡膠製的第 三密封構件可用來密封間隔，防止流體流入第二間隔，因此 證據2、證據3已揭露結合二引證技術內容的教示或建議。綜 合考量證據2與證據3間技術內容的關連性和共通性，該技術 領域中具有通常知識者具有動機能結合證據2與證據3的技術 內容，將使用於證據2的保護構件替換成證據3之可替換且具 有矩形截面的橡膠製密封構件，對應系爭專利請求項1之「 一可更換之O形環，設於該溝槽之中，且該流體供應單元提 供之該流體由該O形環所密封，其中該O形環的截面呈矩形」 技術特徵。是證據2、3之組合足以證明系爭專利請求項1不 具進步性。
⒌證據2、5組合可證明系爭專利請求項1不具進步性： 證據2與系爭專利請求項1之差異，僅在於證據2未揭露系爭 專利請求項1「一可更換之O形環，設於該溝槽之中，且該流 體供應單元提供之該流體由該O形環所密封，其中該O形環的 截面呈矩形」之技術特徵，已如前述。又證據5揭露之密封 構件因係獨立元件，故其係可更換之元件，亦如前述。證據 2及證據5皆為使用於半導體製程的設備，電漿(等離子)製程 需要使用機械手臂搬送晶圓，故兩者具有技術領域關連性； 證據2所使用的保護構件與證據5所使用的密封構件皆具有密 封元件間縫隙的功能，具有功能或作用之共通性；證據2之 技術內容揭露保護構件需要有密封的功效，抑制氦氣的洩漏 ，證據5之技術內容揭露O形環可用以密封間隔，防止流體逸 出，因此證據2、證據5已揭露結合二引證技術內容的教示或 建議。雖證據5並無明確說明使用O形環所欲解決之問題，然 綜合考量證據2與證據5間技術內容的關連性和共通性，該技 術領域中具有通常知識者具有動機能結合證據2與證據5的技 術內容，將使用於證據2板構件側面凹部的保護構件替換成
證據5之可替換且具有矩形截面的O形環密封件，對應系爭專 利請求項1之「一可更換之O形環，設於該溝槽之中，且該流 體供應單元提供之該流體由該O形環所密封，其中該O形環的 截面呈矩形」技術特徵，故證據2、5之組合足以證明系爭專 利請求項1不具進步性。
⒍其餘證據組合亦可證明系爭專利請求項1不具進步性： 證據1、3之組合，證據1、5之組合，證據2、3之組合，證據 2、5之組合，既可證明系爭專利請求項1不具進步性，則證 據1、3、4之組合，證據1、3、4、5之組合，證據1、4、5之 組合，證據2、3、4之組合，證據2、3、4、5之組合，證據2 、4、5之組合，當亦足以證明系爭專利請求項1不具進步性 。
⒎證據1、4之組合，證據2、4之組合，均不足以證明系爭專利 請求項1不具進步性：
⑴證據1(系爭專利【先前技術】內容)及證據2均未揭露系爭專 利請求項1「一可更換之O形環，設於該溝槽之中，且該流體 供應單元提供之該流體由該O形環所密封，其中該O形環的截 面呈矩形」之技術特徵，已如前述。
⑵證據4說明書第1欄最後一行至第2欄第1行記載「本發明的目 的在於提供一種等離子刻蝕設備，當晶片快速冷卻到低溫或 極低溫範圍時，該設備可以準確地將晶片的溫度控制在任何 預期水平」、證據4說明書第2欄第11至19行記載「氣體供應 裝置用於供應導熱氣體，該氣體供應裝置用於在中間構件之 間的至少一個界面區域、以及基座、插入構件和冷卻部之間 的界面區域、以及基座的彼此組件之間的界面區域供應導熱 氣體」（見舉發卷第19頁），可知證據4揭露一種用於控制 等離子刻蝕設備溫度的技術手段，其係利用在元件彼此鄰接 的界面區域提供導熱氣體將因真空而產生的熱阻降低；證據 4說明書第5欄第1~4行及圖1記載「O形環52插入在上部基座1 2和下部基座14之間。O形環52保持在形成在下部基座14的上 表面上並圍繞加熱器15的凹槽51中」、證據4說明書第5欄第 41~53行及圖1、2記載「在圖2中，沿著上下基座12、14的界 面存在微小間隙59，即使只具有這樣的微小間隙59，且儘管 在部分界面區域仍是真空，兩個構件12、14在熱傳導上的整 體熱阻 R 仍會顯著降低。在該實施例中，為了減小熱阻R， 氣體從自動壓力控制器70通過分支通路62和O形環保持槽51 被引入微小間隙59，分支通路62連通於凹槽51的內側」（見 舉發卷第18、21及其背頁），可知證據4揭露之O形環52的功 效並非密封元件間的縫隙，反而是在元件12、14鄰接的界面 區域提供微小間隙59以讓導熱氣體流入，使得溫度控制更為
迅速及精確，此亦可由證據4圖2中即使在凹槽51置入O形環5 2，間隙59仍延伸於上下基座12、14的界面而得證。至於證 據4雖亦有使用其他O形環於設備其他地方，惟證據4說明書 第6欄第1至4行及圖1記載「氦氣也從相應的APC 70通過各自 的分支通路64和66供應到其他O形環保持槽53和55」（見舉 發卷第18、21背頁），可得知證據4揭露之其他O形環亦無法 達到密封縫隙的功效。因此，證據4亦未揭露系爭專利請求 項1「一可更換之O形環，設於該溝槽之中，且該流體供應單 元提供之該流體由該O形環所密封，其中該O形環的截面呈矩 形」之技術特徵。
⑶證據1、2、4既均未揭露系爭專利請求項1「一可更換之O形環 ，設於該溝槽之中，且該流體供應單元提供之該流體由該O 形環所密封，其中該O形環的截面呈矩形」之技術特徵，且 該差異亦非所屬技術領域中具通常知識者依證據1、2、4之 教示所能輕易完成，則證據1、4之組合，證據2、4之組合， 自均不足以證明系爭專利請求項1不具進步性。 ㈤系爭專利請求項2不具進步性：
⒈系爭專利請求項2依附於請求項1，並更一步界定「其更包括 一延伸覆蓋元件，該延伸覆蓋元件環繞該承載元件」附屬技 術特徵。
⒉證據1說明書第4頁第6至9行【先前技術】及圖1a、1b記載「 參照第1a、1b圖，其係顯示習知之半導體製程設備(電漿蝕 刻設備)1…半導體製程設備1包括一晶座10、一延伸覆蓋元件 20以及一腔體30」（見舉發卷第51及其背頁、58背頁），由 圖1a、1b可看出延伸覆蓋元件20環繞承載元件12，是證據1( 系爭專利【先前技術】部分)已揭露系爭專利請求項2上開附 屬技術特徵。另證據2說明書第[0049]段及圖1(b)記載「安 裝用於防止等離子體的保護環115」，由圖1(b)可看出保護 環115環繞板構件102（見舉發卷第35背頁、42背頁），是證 據2亦已揭露系爭專利請求項2上開附屬技術特徵。 ⒊證據1、3之組合，證據1、5之組合，證據2、3之組合，證據2 、5之組合，證據1、3、4之組合，證據1、3、4、5之組合， 證據1、4、5之組合，證據2、3、4之組合，證據2、3、4、5 之組合，證據2、4、5之組合，既足以證明系爭專利請求項1 不具進步性，則該等證據組合亦足以證明系爭專利請求項2 不具進步性。
⒋至證據1、4之組合，證據2、4之組合，無法證明系爭專利請 求項1不具進步性，自無法證明依附於請求項1之請求項2不 具進步性。
㈥系爭專利請求項3、4不具進步性：
⒈系爭專利請求項3、4依附於請求項1，請求項3進一步界定「該 溝槽具有一溝槽寬度，該O形環具有一O形環寬度，該O形環 寬度比該溝槽寬度的比值介於1.00~1.20之間」附屬技術特 徵，請求項4進一步界定「該溝槽具有一溝槽中心直徑，該O 形環具有一O形環中心直徑，該O形環中心直徑比該溝槽中心 直徑的比值介於0.95~1.00之間」附屬技術特徵。 ⒉系爭專利請求項3、4係分別界定O形環與溝槽的寬度比值範圍 及中心直徑比值範圍，參照系爭專利說明書第7、8頁記載「 該溝槽具有一溝槽寬度d1，該O形環110具有一O形環寬度d2 ，該O形環寬度d2比該溝槽寬度d1的比值介於1.00～1.20之間 ，例如1.05～1.15。該溝槽14具有一溝槽中心直徑Φ，該O形 環110具有一O形環中心直徑Φ，該O形環中心直徑Φ比該溝槽 中心直徑Φ的比值介於0.95～1.00之間，例如0.97～0.99」之 文字（見舉發卷第56背頁至57頁），並未說明此數值範圍有 何特殊之處，說明書及圖式其他部分亦無相關圖表可資對照 此數值限定範圍對比其他比例數值有何無法預期之功效，該 技術領域中具有通常知識者可輕易在溝槽與O形環實際配置 的實施態樣下依普通例行工作簡單變更即可輕易完成系爭專 利請求項3、4所界定之比值範圍。
⒊證據1、3之組合，證據1、5之組合，證據2、3之組合，證據2
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