發明專利舉發
智慧財產法院(行政),行專訴字,109年度,40號
IPCA,109,行專訴,40,20210304,4

智慧財產法院行政判決
109年度行專訴字第40號

原　　　告　頎邦科技股份有限公司
代　表　人　吳非艱（董事長）
訴訟代理人　李宗德律師
複 代理 人　陳佩貞律師
訴訟代理人 蔡毓貞律師
輔　佐　人　黃仁浩　　　
訴訟代理人 劉昱劭律師
被　　　告　經濟部智慧財產局
代　表　人　洪淑敏（局長）住同上
訴訟代理人　陳彧勝
參　加　人　易華電子股份有限公司
代　表　人　黃嘉能（董事長）
訴訟代理人　黃耀霆律師
上列當事人間因發明專利舉發事件，原告不服經濟部中華民國10
9 年6 月17日經訴字第10906302650 號訴願決定，提起行政訴訟
，並經本院裁定命參加人獨立參加本件被告之訴訟，判決如下︰
　　主 文
原告之訴駁回。
訴訟費用由原告負擔。
事實及理由
一、事實概要︰
緣原告前於民國105 年3 月17日以「線路基板圖案化製程及 線路基板」向被告申請發明專利，申請專利範圍共15項，經 被告編為第105108350 號審查號審查後，於106 年6 月13日 核准專利，並於106 年8 月11日公告發給發明第I595820 號 專利證書（下稱系爭專利）。嗣參加人於108 年1 月30日以 系爭專利違反專利法第26條第1 項及第22條第2 項規定，對 之提起舉發。案經被告審查，以108 年12月19日（108 ）智 專三（一）04273 字第10821207370 號專利舉發審定書為「 請求項1 、8 至10舉發成立，應予撤銷」、「請求項2 至7 、11至15舉發不成立」之處分（下稱原處分）。原告不服， 就原處分關於舉發成立部分提起訴願，經決定駁回後，遂提 起本件行政訴訟（參加人就原處分關於舉發不成立部分，另 循序提起行政訴訟，另經本院以109 年度行專訴字第38號案 件審理）。因本院認本件判決之結果，如原處分及訴願決定 應予撤銷，將影響參加人之權利或法律上之利益，爰依職權 命參加人獨立參加本件被告之訴訟。




二、原告主張及聲明：
㈠證據1 、2 、5 及通常知識1 、2 均未揭露或教示系爭專利 請求項1 「該第三槽顯露該未活化層」之技術特徵，證據1 、2 、5 及通常知識1 、2 之任意組合，自不足以證明系爭 專利請求項1 不具進步性。又系爭專利請求項8 、9 係直接 或間接依附於請求項1 ，故證據1 、2 、5 或與通常知識1 、2 的任意組合自無法證明系爭專利請求項8 、9 不具進步 性。
㈡證據1 、2 、6 、通常知識1 、2 均未揭露或教示系爭專利 請求項10「該槽顯露該未活化層」之技術特徵，從而證據1 、2 、6 或與通常知識1 、2 的任意組合，自不足以證明系 爭專利請求項10不具進步性。
㈢活化層係取決於活化處理的參數設定（例如：表面電漿處理 的能量高低），不等同於後續鎳鉻金屬濺鍍所產生變質層， 也使得「顯露未變質層」的深度與「顯露未活化層」的深度 ，兩者可相去甚遠，即便所屬技術領域具有通常知識者可預 期底板表面存在具活化成分之變質層，而在去除變質層的同 時，在未有其他具體內容教示的情況下，並不會進一步去除 變質層下方未與變質層重疊之剩餘部分活化層，故未能顯露 出未活化層。證據1 第2d圖係為得到絕緣可靠性之目的，移 除含有金屬成分的表面變質層，而顯露未變質層，原處分未 說明其何以認定證據1 之顯露未變質層等於系爭專利之顯露 未活化層，即遽而認定證據1 已揭露系爭專利請求項1 之顯 露未活化層，其認定自不可採，訴願決定亦未釐清證據1 第 2d圖之顯露未變質層與系爭專利之顯露未活化層並不相同。 ㈣聲明：訴願決定及原處分中關於「請求項1 、8 至10舉發成 立，應予撤銷」部分均撤銷。
三、被告答辯及聲明：
㈠系爭專利請求項1 、8 、9 不具進步性：
⒈由系爭專利請求項1 記載：「該底板經由一活化處理而形成 該活化層，部份的該結合層嵌入該活化層中，使得嵌有該結 合層的該活化層形成為一混合層」，由系爭專利第4 圖可知 ，及由系爭專利說明書第0008段記載可知，活化層已經全部 轉變為結合層與混合層，系爭專利並不會有殘餘的活化層存 在。
⒉證據1 在先經活化處理之電路基板，使用與系爭專利相同之 濺鍍法技術形成金屬化層3 時，所屬技術域具有通常知識者 應能預期會產生含有活性成分之表面變質層2 之現象，且電 路板經製程後活化層已經全部轉變為結合層加混合層，依證 據1 第2c圖已顯示金屬化層3 因蝕刻消失，並顯露絕緣膜1



表面殘留之表面變質層2 ，另依證據1 第2d放大圖所示，將 絕緣膜1 表面含有金屬成分的表面變質層2 厚厚地去除，甚 至有去除到聚醯亞胺膜（未具活性成分）之部分，而已揭露 系爭專利使底板之未活化層自第三槽顯露之技術特徵，原告 所訴並無足採。
⒊證據1 已揭露請求項1 該第三槽顯露該未活化層之技術特徵 ，已如前述，且原處分已論明證據1 及通常知識1 、2 之組 合、證據1 、2 之組合、證據1 、5 及通常知識2 之組合或 證據1 、2 、5 之組合，均能證明系爭專利請求項l 不具進 步性，系爭專利請求項8 、9 係直接或間接依附於請求項1 ，證據1 及通常知識1 、2 之組合、證據1 、2 之組合、證 據1 、5 及通常知識2 之組合或證據1 、2 、5 之組合亦可 證明系爭專利請求項8 與9 不具進步性。
㈡系爭專利請求項10不具進步性：
證據1 已揭露系爭專利請求項1 該第三槽顯露該未活化層之 技術特徵，已如前述，且原處分已論明證據1 、通常知識1 、2 之組合、證據l 、2 之組合、證據1 、6 、通常知識2 之組合或證據1 、2 、6 之組合均足以證明系爭專利請求項 10不具進步性，故原告所訴並無足採。
㈢聲明：原告之訴駁回。
四、參加人主張及聲明：
㈠系爭專利請求項1 、8 、9 不具進步性：
⒈系爭專利說明書第0009段記載及參閱第3 圖，系爭專利的混 合層113 係經由濺鍍數個金屬粒子於該活化層111 所形成， 依證據1 說明書之記載，其表面變質層2 係於以濺鍍法在該 聚醯亞胺膜1 上形成該金屬化層3 時，金屬粒子嵌入該聚醯 亞胺膜1 所形成，與系爭專利經由濺鍍數個金屬粒子於該活 化層111 所形成的混合層113 相同，是證據1 表面變質層2 係對應系爭專利的混合層。而系爭專利所屬技術領域中具有 通常知識者可以理解，系爭專利係以包含高錳酸鉀的等向性 蝕刻液，對該底板進行蝕刻，以移除顯露的該混合層，進而 顯露位於該混合層下方的未活化層。依證據1 說明書記載係 使用過錳酸鉀蝕刻表面變質層，與系爭專利的等向性蝕刻液 同樣包含過錳酸鉀，且證據1 係以過錳酸溶液蝕刻去除該表 面變質層2 ，與系爭專利的以該等向性蝕刻液蝕刻以移除該 混合層113 的製程相同。
⒉參照系爭專利第3 、4 圖可以得知，在濺鍍金屬粒子以形成 該結合層時，會使該活化層完全形成該混合層（第4 圖中活 化層111 已完全消失）。另參照系爭專利第10、11圖可知， 在以該等向性蝕刻液移除被該些第二槽顯露的該混合層時，



即會顯露位於該混合層下方的未活化層，系爭專利所屬技術 領域中具有通常知識者可理解在形成該結合層並一併形成該 混合層之後，該混合層的下方即為該未活化層，且移除混合 層後，即顯露位於該混合層下方的未活化層。
⒊另依系爭專利說明書記載，只需移除該混合層，即可以達成 避免雜質的吸附而影響接著劑與該線路基板之間的接合強度 之功效，因此，縱系爭專利之該未活化層的上方仍殘留有該 活化層，所達成之功效並無不同。
⒋綜上，證據1 已揭示系爭專利請求項1 「顯露未活化層」技 術特徵，且亦可以達成系爭專利所記載之功效，故證據1 與 通常知識1 、2 之組合；證據1 、2 之組合；證據1 、5 與 通常知識2 之組合；及證據1 、2 、5 之組合可以證明系爭 專利請求項1 、8 、9 不具進步性，原處分之認定並無違誤 。
㈡系爭專利請求項10不具進步性：
　證據1 已揭示系爭專利請求項10「該槽顯露未活化層」技術 特徵，且亦可以達成系爭專利所記載避免雜質的吸附而影響 接著劑與該線路基板之間的接合強度之功效，其理由已詳述 如上，故證據1 與通常知識1 、2 之組合；證據1 、2 之組 合；證據1 、6 與通常知識2 之組合；及證據1 、2 、6 之 組合可以證明系爭專利請求項10不具進步性，原處分之認定 並無違誤。
㈢聲明：原告之訴駁回。
五、本院整理爭點如下（本院卷一第277 至278 頁）： ㈠證據1 及通常知識1 、2 或證據1 、2 或證據1 、5 、通常 知識2 或證據1 、2 、5 之組合是否足以證明系爭專利請求 項1 、8 、9 不具進步性？
㈡證據1 及通常知識1 、2 或證據1 、2 或證據1 、6 及通常 知識2 或證據1 、2 、6 之組合是否足以證明系爭專利請求 項10不具進步性？
六、本院得心證之理由：
㈠按「發明專利權得提起舉發之情事，依其核准審定時之規定 。」為專利法第71條第3 項本文所明定。查系爭專利於105 年3 月17日申請，被告於106 年6 月13日審定准予專利，故 系爭專利說明書是否符合充分揭露要件及系爭專利是否符合 進步性要件，應以核准審定時專利法即100 年2 月21日修正 公布、102 年1 月1 日施行之專利法（下稱核准時專利法） 第22條第2 項、第26條第1 項為斷。按利用自然法則之技術 思想之創作，而可供產業上利用者，得依法申請取得發明專 利，為核准時專利法第21條及第22條第1 項前段所明定。又



發明如「為其所屬技術領域中具有通常知識者依申請前之先 前技術所能輕易完成時」，不得取得專利，亦為同法第22條 第2 項所明定。而對於獲准專利權之發明，任何人認有違反 前揭專利法規定者，依法得附具證據，向專利專責機關提起 舉發。從而，系爭專利有無違反前揭專利法之情事而應撤銷 其發明專利權，依法應由舉發人附具證據證明之，倘其證據 足以證明系爭專利有違前揭專利法之規定，自應為舉發成立 之處分。
㈡參加人就系爭專利請求項1 、8 至10部分，於舉發階段係提 出證據1 、2 、5 、6 作為舉發證據，其中，證據1 為98年 2 月11日公開之我國第I306367 號「軟性電路基板及其製造 方法」發明專利案，證據2 為92年7 月4 日公開之日本特開 0000-00000 0號「印刷配線基板的製造方法」發明專利案( 含中文譯本) ，證據5 為101 年11月14日公告之中國大陸第 CN1819748B號「蝕刻液和補給液以及使用它們的導體圖案的 形成方法」發明專利案，證據6 為99年12月1 日公開之我國 第TW201043111A1 號「半添加式電鍍法用硫酸系鍍銅液及印 刷線路基板之製造方法」發明專利案，上開舉發證據之圖式 詳如附圖2 至5 ，且上開舉發證據之公開日均早於系爭專利 之申請日（即105 年3 月17日），均可為系爭專利之先前技 術，而為適格之舉發證據。
㈢系爭專利技術分析
⒈系爭專利技術內容：
習知線路基板製程會先活化處理一底板的一表面，以利於後 續製程中形成線路，然而經活化處理的該表面會吸附雜質， 使得接著劑不易附著於該底板的該表面，而降低該線路基板 與一玻璃基板之結合強度。為解決上開問題，系爭專利之線 路基板圖案化製程，於圖案化底板時，移除顯露的混合層， 避免混合層吸附雜質而影響接著劑與線路基板之間的接合強 度，而降低封裝構造良率。此外，另藉由等向性蝕刻所產生 的側蝕槽S 用以容置接著劑，進一步提高接著劑的附著力。 ⒉系爭專利主要圖式如附圖1所示。
⒊系爭專利核准公告之申請專利範圍共計15項，其中請求項1 及10為獨立項，其餘均為附屬項，其中，請求項1 至9 為依 附請求項1 之附屬項，請求項11至15為依附請求項10之附屬 項。其中，獨立項內容如下：
⑴請求項1：
一種線路基板圖案化製程，其包含：提供一待圖案化線路基 板，該待圖案化線路基板具有一底板、一結合層及一線路層 ，該結合層位於該底板及該線路層之間，該底板具有一活化



層及一未活化層，該底板經由一活化處理而形成該活化層， 部份的該結合層嵌入該活化層中，使得嵌有該結合層的該活 化層形成為一混合層；形成一光阻層，該光阻層罩蓋該線路 層；圖案化該光阻層，以形成複數個開口，該些開口顯露該 線路層；圖案化該線路層，以該光阻層為遮罩，移除被該些 開口顯露的該線路層，使該線路層形成複數個線路，相鄰的 兩個該線路之間具有一第一槽，該第一槽顯露該結合層；移 除該光阻層；圖案化該結合層，以該些線路為遮罩，移除被 該些第一槽顯露且未嵌入該活化層的該結合層，使位於該些 線路下方的該結合層形成複數個第一承載部，相鄰的兩個該 第一承載部之間具有一第二槽，該第二槽顯露該混合層；以 及圖案化該底板，以該些第一承載部為遮罩，移除被該些第 二槽顯露的該混合層，使位於該些第一承載部下方的該混合 層形成複數個第二承載部，相鄰的兩個該第二承載部之間具 有一第三槽，該第三槽顯露該未活化層。
⑵請求項10：
一種線路基板，包含一圖案化底板、複數個第一承載部及複 數個線路，該些第一承載部位於該圖案化底板及該些線路之 間，且該些線路設置於該些第一承載部上，其特徵在於該圖 案化底板具有複數個第二承載部及一未活化層，該些第二承 載部位於該些第一承載部與該未活化層之間，且該些第二承 載部形成於該未活化層上，該些第二承載部是由圖案化一底 板之一混合層所形成，其中該混合層是由該底板之一活化層 與部分嵌入該活化層之一結合層所形成，相鄰的兩個該第二 承載部之間具有一槽，該槽顯露該未活化層。
㈣證據1 與通常知識1 、2 之組合、證據1 、2 之組合、證據 1、5 與通常知識2 之組合、證據1 、2 、5 之組合均足以 證明系爭專利請求項1不具進步性：
⒈證據1 說明書第5 頁第19行至第6 頁第22行記載「如第2 圖 ( a) 所示，在聚醯亞胺膜1 上形成鎳/ 鉻合金的金屬化層 3 ，在其上以鍍銅形成金屬層4 ，在金屬層4 的表面形成以 蝕刻形成電路圖案用的光阻5 。又於聚醯亞胺膜1 在形成金 屬化層3 之際，產生表面變質層2 。接著，如第2 圖( b)所 示，使用氯化銅、氯化鐵溶液等蝕刻露出於光阻開口部的金 屬層4 及金屬化層3 以形成電路圖案。之後，去除光阻5 。 之後，如第2 圖( b)所示，溶解金屬化層3 中在電路圖案外 周從金屬層4 之下露出（突出並殘留）的部分。該溶解係使 用例如市售的鎳/ 鉻選擇蝕刻液（例如，MEC 股份有限公司 製造，品名：MEC 去除劑（MEC remover ），型號：CH1920 ）。藉由該融解，電路圖案外周的金屬化層3 的露出雖消失



，但如第2 圖( c)所示，露出於電路圖案間的絕緣膜1 表面 係殘留含有原為金屬化層之金屬成分的表面變質層2 。因此 ，如第2 圖( d)所示，為得到絕緣可靠性，將絕緣膜1 表面 含有金屬成分的表面變質層2 厚厚地去除。之後，依照需求 在電路圖案上形成絕緣保護膜，或者如第2 圖( e)所示，在 露出的電路圖案表面施行鍍鎳、金、錫等冀望的鍍覆6 。如 同上述習知的軟性電路基板之製造方法中，在去除絕緣膜1 表面含有金屬成分的表面變質層2 之際，因須以強力的蝕刻 液充分的去除，故如第2 圖d 之放大所示，連電路圖案下側 的絕緣膜1 都被溶解，在施行後段步驟的鍍覆6 鎳或錫或金 等之際，鍍液滲入被溶解的絕緣膜1 與電路圖案之間，而導 致電路密著性降低之問題」。
⒉依證據1 第2 圖( a)及第5 頁第19至20行記載「如第2 圖( a)所示，在聚醯亞胺膜1 上形成鎳/ 鉻合金的金屬化層3 ， 在其上以鍍銅形成金屬層4 」，證據1 所述於聚醯亞胺膜上 形成鎳/ 鉻合金的金屬化層，並在其上以鍍銅形成金屬層構 成之電路圖案之製造方法，即相當於系爭專利請求項1 「一 種線路基板圖案化製程」，證據1 之聚醯亞胺膜1 相當於系 爭專利請求項1 之底板，證據1 之金屬化層3 相當於系爭專 利請求項1 之結合層，證據1 之金屬層4 相當於系爭專利請 求項1 之線路層，因此，證據1 已揭露系爭專利請求項1 「 一種線路基板圖案化製程，其包含：提供一待圖案化線路基 板，該待圖案化線路基板具有一底板、一結合層及一線路層 ，該結合層位於該底板及該線路層之間」之技術特徵。 ⒊依證據1 第2 圖( a)、( b)及說明書第5 頁第19行至第6 頁 第2 行記載內容所示，證據1 之光阻5 相當於系爭專利請求 項1 之光阻層。又依證據1 第2 圖( a)所示光阻5 形成於金 屬層4 表面，且光阻5 具有不連續圖案之開口，即相當於系 爭專利請求項1 「該光阻層罩蓋該線路層；圖案化該光阻層 ，以形成複數個開口，該些開口顯露該線路層」。再者，證 據1 對光阻5 露出之金屬層4 及金屬化層3 進行蝕刻，移除 被該些開口顯露的該線路層，使該線路層形成複數個線路相 當於系爭專利請求項1 「圖案化該線路層，以該光阻層為遮 罩，移除被該些開口顯露的該線路層，使該線路層形成複數 個線路」之技術特徵。另證據1 第2 圖( b)所示相鄰的兩個 線路之間具有一槽且顯露出金屬化層3 相當於系爭專利請求 項1 「相鄰的兩個該線路之間具有一第一槽，該第一槽顯露 該結合層」之技術特徵，因此，證據1 所述在金屬層4 的表 面形成以蝕刻形成電路圖案用的光阻5 ，且由證據1 第2 圖 ( a) 可知該光阻5 為經過圖案化之光阻層，之後使用氯化



銅、氯化鐵溶液等蝕刻露出於光阻開口部的金屬層4 及金屬 化層3 以形成電路圖案已揭露系爭專利請求項1 「形成一光 阻層，該光阻層罩蓋該線路層；圖案化該光阻層，以形成複 數個開口，該些開口顯露該線路層；圖案化該線路層，以該 光阻層為遮罩，移除被該些開口顯露的該線路層，使該線路 層形成複數個線路，相鄰的兩個該線路之間具有一第一槽， 該第一槽顯露該結合層」之技術特徵。
⒋依證據1 第2 圖( b)、( c)及說明書第6 頁第3 至11行記載 內容所示，證據1 以蝕刻液溶解第一槽露出之金屬化層3 ， 形成圖案化的金屬化層3 承載金屬層4 ，且該複數個金屬化 層3 之間具有槽之結構，即相當於系爭專利請求項1 「圖案 化該結合層，……移除被該些第一槽顯露且未嵌入該活化層 的該結合層，使位於該些線路下方的該結合層形成複數個第 一承載部，相鄰的兩個該第一承載部之間具有一第二槽」之 技術特徵。
⒌依證據1 第2 圖( c)、( d)及說明書第5 頁第22至23行、第 6 頁第9 至13行、第17至20行記載內容所示，證據1 揭露於 聚醯亞胺膜1 在形成金屬化層3 之際，產生表面變質層2 ， 藉由溶解電路圖案外周的金屬化層3 後，因露出電路圖案間 的聚醯亞胺膜1 表面係殘留含有原為金屬化層之金屬成分的 表面變質層2 ，為得到絕緣可靠性，即以強力蝕刻液將聚醯 亞胺膜1 表面含有金屬成分的表面變質層2 厚厚地去除，使 得經蝕刻之聚醯亞胺膜1 已經不具有表面變質層2 ，而顯露 為原始狀態之聚醯亞胺膜1 ，且圖案化之聚醯亞胺膜1 上形 成複數個表面變質層2 ，該複數個表面變質層2 之間具有一 槽之結構，即相當於系爭專利請求項1 「以及圖案化該底板 ，以該些第一承載部為遮罩，移除被該些第二槽顯露的…… ，使位於該些第一承載部下方的……形成複數個第二承載部 ，相鄰的兩個該第二承載部之間具有一第三槽，該第三槽顯 露該未活化層」之技術特徵。
⒍原告雖提出甲證4 之文獻，並主張證據1 底板即便經過活化 ，且底板表面存在具活化成分之變質層，所屬技術領域中具 有通常知識者就證據1 之教示，在去除變質層的同時，僅會 去除與變質層深度重疊的部分活化層，並不會進一步去除變 質層下方未與變質層深度重疊的剩餘部分活化層，故未能顯 露出未活化層云云。惟查：
⑴原告在系爭專利申請審查時曾提出申復說明書記載「線路13 1 、第一承載部121 、圖案化底板110 ' 之第二承載部114 及未活化層112 由上往下依序排列以形成線路基板100 ' 」 、「請參閱本案之第3 及4 圖，本案之底板110 經活化處理



形成活化層111 及未活化層112 ，由於結合層120 形成於活 化層111 上時會部分嵌入活化層111 中，因此活化層111 及 嵌入的結合層112 形成混合層113 ，其中混合層113 經圖案 化製程後形成第二承載部114 ，而第二承載部114 及未活化 層112 構成本案之圖案化底板110 ' （如第11圖所示）」（ 見本院卷一第433 至434 頁），而已明確表示系爭專利之線 路基板結構由上往下依序為「線路、第一承載部、圖案化底 板之第二承載部及未活化層」，圖案化底板之第二承載部即 經圖案化之混合層。另依系爭專利請求項1 之記載「該底板 經由一活化處理而形成該活化層，部份的該結合層嵌入該活 化層中，使得嵌有該結合層的該活化層形成為一混合層…… 以及圖案化該底板，以該些第一承載部為遮罩，移除被該些 第二槽顯露的該混合層，使位於該些第一承載部下方的該混 合層形成複數個第二承載部，相鄰的兩個該第二承載部之間 具有一第三槽，該第三槽顯露該未活化層」，亦可知嵌有該 結合層的該活化層係形成一混合層，圖案化之混合層則形成 第二承載部，第二承載部之間會顯露未活化層，換言之，系 爭專利請求項1 已明確界定圖案化混合層而形成第二承載部 後，即會顯露未活化層。
⑵其次，甲證4 係西元2019年11月13日始公開之文獻，晚於系 爭專利及證據1 之申請日，自無從以之佐證系爭專利及證據 1 申請時之技術水準。況甲證4 第2 頁第1 至4 行係記載「 以氫氧化鉀水解聚醯亞胺膜的表面形成一層聚醯胺酸( PAA) 層，隨後將鉀離子與鎳二價離子進行離子交換，如還原溶液 （即二甲胺硼DMAB）有含微量的銀離子、銅二價離子或鉑二 價離子，則可將摻入的鎳二價離子快速化學還原成緻密且連 續的鎳—奈米膜」（見本院卷一第335 頁），則甲證4 對於 「鎳—奈米膜（相當系爭專利之混合層) 」之形成，僅記載 採用DMAB還原溶液將摻入PAA 的鎳二價離子快速化學還原之 濕式製程形成，並未記載任何濺鍍等乾式製程形成鎳—奈米 膜之技術手段，因此尚無從依甲證4 即認定乾式製程或其他 濕式製程之混合層內存在未嵌有該結合層的剩餘活化層。又 證據1 已明確揭露在圖案化絕緣膜之表面變質層時，將會蝕 刻到連電路圖案下側的絕緣膜都被溶解的程度，以避免表面 變質層影響絕緣可靠性，則該剩下之原始絕緣膜即係對應於 系爭專利之「顯露未活化層」之技術特徵，是原告之上開主 張並非可採。
⒎證據1 與系爭專利請求項1 相較，二者差異為：證據1 係以 光阻為遮罩進行圖案化金屬層、金屬化層後，再移除光阻， 而系爭專利請求項1 係以光阻為遮罩進行圖案化線路層後，



即移除光阻層，以線路層為遮罩進行圖案化結合層，二者步 驟順序有差異。此外，證據1 雖揭露於聚醯亞胺膜在形成金 屬化層之際，在產生聚醯亞胺膜之表面上造成表面變質層2 ，惟證據1 並未直接揭露聚醯亞胺底板經由一活化處理而形 成一活化層及一未活化層之技術特徵，故亦未直接揭露「部 份的該結合層嵌入該活化層中，使得嵌有該結合層的該活化 層形成為一混合層」及「該第二槽顯露該混合層……移除被 該些第二槽顯露的該混合層，使位於該些第一承載部下方的 該混合層形成複數個第二承載部」之技術特徵。 ⒏原告於舉發階段主張「圖案化該線路層—移除該光阻層—圖 案化該結合層」與「圖案化該線路層—圖案化該結合層—移 除該光阻層」之順序調換，屬於申請時之通常知識1 （見舉 發卷一第232 頁）。經查，濕式蝕刻是利用薄膜與特定溶液 間所進行的化學反應來去除欲蝕刻的薄膜，有關特定材料蝕 刻液之選擇，證據1 第5 頁最後一行至第6 頁第1 行揭露使 用氯化銅、氯化鐵溶液來蝕刻銅金屬層及鎳鉻金屬化層，證 據4 第6 頁第21至23行揭露使用過錳酸鉀、重鉻酸鉀之具氧 化性蝕刻液來蝕刻鎳鉻金屬層，證據4 第16頁末段至第17頁 第7 行揭露使用氯化銅之蝕刻液、氯化鐵之蝕刻液、硫酸加 過氧化氫之蝕刻液來蝕刻銅或銅合金之導電性金屬層，證據 5 第0044段揭露使用氯化銅、氯化鐵溶液來蝕刻銅層，證據 5 第0058段揭露表1 實施例1 至4 、6 至7 及參考例5 、8 使用鹽酸、硫酸溶液來蝕刻鎳鉻合金且不使銅層被溶解，證 據6 第14頁第2 至9 行揭露使用可以溶解銅薄膜層及鎳鉻種 晶層，但不會對線路電路造成不良影響之蝕刻液來進行蝕刻 ，使用含有強酸（如鹽酸、硫酸/ 鹽酸混合液）之蝕刻液來 蝕刻鎳鉻層。至於對光阻之蝕刻，證據1 第10頁第10行揭露 使用氫氧化鈉水溶液去除光阻，證據4 第17頁第19至21行揭 露使用含有氫氧化鈉、氫氧化鉀等鹼的水溶液去除感光性樹 脂，證據5 第0045段揭露使用氫氧化鈉水溶液去除抗蝕刻劑 圖案，證據6 第13頁第20至21行揭露使用鹼性洗淨液、有機 溶劑去除光阻圖案。由上可知，在濕式蝕刻領域，均係利用 化學蝕刻之選擇性，選擇特定蝕刻液來蝕刻特定材料，用以 圖案化線路基板，且因特定蝕刻液並不會與蝕刻目標以外的 材料進行反應，故蝕刻步驟順序之改變，僅係系爭專利申請 日前濕式蝕刻領域普遍使用的資訊及經驗法則所瞭解的事項 ，應屬通常知識。證據1 係揭露「圖案化該線路層—圖案化 該結合層—移除該光阻層」之步驟順序，系爭專利請求項1 則係採取「圖案化該線路層—移除該光阻層—圖案化該結合 層」之步驟順序，固有所不同，惟在濕式蝕刻領域，均係利



用化學蝕刻之選擇性，選擇特定蝕刻液來蝕刻特定材料，用 以圖案化線路基板，且因特定蝕刻液並不會與蝕刻目標以外 的材料進行反應，已如前述，故蝕刻步驟順序之改變，僅係 系爭專利申請日前濕式蝕刻領域之通常知識，因此，將證據 1 之「圖案化該線路層—圖案化該結合層—移除該光阻層」 之步驟順序，變更為系爭專利請求項1 之「圖案化該線路層 —移除該光阻層—圖案化該結合層」，僅係通常知識之簡單 變更，且該技術特徵之功效係通常知識所能預期。 ⒐原告於舉發階段另主張系爭專利說明書所載先前技術，即「 在習知的線路基板製程中，會先活化處理一底板的一表面， 以利於後續製程中形成線路」係屬申請時之通常知識2 （見 舉發卷一第232 頁）。嗣經本院行使闡明權後（見本院卷一 第275 頁），原告另提出丙證5 之2007年4 月台灣電路板協 會公開發行之「軟性電路板材料全書」參考書以為佐證。經 查，丙證5 第82頁第3.3 節濺鍍法記載「主要是將外購之PI 薄膜，如杜邦公司的Kapton EN Type PI 膜先置入於濺鍍槍 體後予以抽真空，先將PI膜以電漿( Plasma) 做表面清潔、 微粗化與活化處理，目的在增加金屬與PI膜之間的接著…… 。經過活化表面處理後的PI膜先在其上濺鍍約100-200A的鎳 （Ni）或鎳鉻（Ni/Cr ）合金，稱之為Tie Layer （黏結層 ），其功用在增加PI與銅箔間的接著，接著再Sputter （濺 鍍）約1-2 μm 的銅形成一層電極，稱此層為Seed Layer（ 晶種層），作為下一步驟電鍍的電極層，最後在破除真空後 以電鍍方式將銅層增厚到8-9 μm 」（見本院卷一第469 頁 ）、「濺鍍法的製程關鍵在於PI的表面處理，為提高PI與濺 鍍金屬間之結合力，故需先對PI表面進行前處理，且表面前 處理對表面的清潔也有效用。前處理的方法有：a . 鹼性藥 水等處理、b . 真空電漿處理、c . 常壓電漿處理、d .Cor ona(電暈) 處理、e . 離子照射等」（見本院卷一第470 頁 ），由上可知，在線路基板圖案化製程中，先對聚醯亞胺（ 即PI）底板進行活化前處理，用以增加金屬和PI膜之間的接 著，亦屬於申請時之通常知識。承前述，證據1 雖未直接揭 露聚醯亞胺底板經由一活化處理而形成一活化層及一未活化 層之技術特徵，惟證據1 第5 頁第10至14行記載「特別是近 來，因電路圖案的高密度化之要求，適用於細微電路的形成 ，故被應用在具有電路密著性與絕緣可靠性的2 層材料上。 該2 層材料，係使用濺鍍法在聚醯亞胺等絕緣膜上形成鎳/ 鉻等金屬化層，在其上藉由鍍銅等可形成並得到期望的金屬 層。」所述「電路密著性」即隱含聚醯亞胺膜和2 層材料之 電路圖案間具有電路密著性之結構或組成，且依丙證5 之內



容可知，在線路基板圖案化製程中，先對聚醯亞胺（PI）底 板進行活化前處理，係屬於系爭專利申請時之通常知識，參 酌系爭專利自承之先前技術亦記載「在習知的線路基板製程 中，會先活化處理一底板的一表面，以利於後續製程中形成 線路」，因此，就證據1 所揭露以聚醯亞胺膜上形成鎳鉻合 金的金屬化層並在其上以鍍銅形成銅箔層構成之電路圖案之 製造方法，該發明所屬技術領域中具有通常知識者，通常即 會先活化處理聚醯亞胺膜之一表面，以提高聚醯亞胺膜與鎳 鉻金屬化層間之結合力，而相當於系爭專利請求項1 「底板 經由一活化處理而形成一活化層及一未活化層」之技術特徵 。
⒑依證據1 說明書第10頁第1 至5 行記載「使用以濺鍍法在厚 度38μm 的聚醯亞胺膜的絕緣膜1 上形成……Ni( 鎳) /Cr( 鉻) 金屬化層3 ，與形成……銅箔層4 之軟性電路基板用材 料。在聚醯亞胺膜1 係由於形成金屬化層3 之際的濺鍍法， 而產生厚度20nm的表面變質層2 。」亦揭露證據1 之金屬化 層係使用濺鍍法所形成，並因而產生表面變質層，則證據1 之聚醯亞胺膜之表面經過活化處理形成活化層後，再使用濺 鍍法在聚醯亞胺膜之表面上形成鎳/ 鉻合金之金屬化層（相 當於系爭專利之結合層）時，因部分金屬化層嵌入聚醯亞胺 膜之活化層，而產生表面變質層，即相當於系爭專利請求項 1 之「部份的該結合層嵌入該活化層中，使得嵌有該結合層 的該活化層形成為一混合層」之技術特徵，則證據1 之表面 變質層即相當於系爭專利請求項1 之混合層，而證據1 已揭 露於線路基板圖案化製程中，以蝕刻液去除金屬化層、表面 變質層，而形成複數個第一承載部、第二承載部，以及相鄰 的兩個承載部之間具有一槽之技術內容，業如前述，即相當 於系爭專利請求項1 「該第二槽顯露該混合層……移除被該 些第二槽顯露的該混合層，使位於該些第一承載部下方的該 混合層形成複數個第二承載部」之技術特徵。
⒒此外，依上述丙證5 所載內容，已明確揭露活化處理的聚醯 亞胺底板表面可以使濺鍍金屬粒子之附著力更佳為系爭專利 申請前之通常知識，該發明所屬技術領域中具有通常知識者 應可瞭解此係因活化處理將使聚醯亞胺底板表面的分子鍵結 被切斷而活化，造成粒子吸附力增加，則活化處理之聚醯亞 胺底板表面自然會吸附雜質，惟聚醯亞胺底板表面如吸附雜 質，必然影響接著劑於底板表面之附著力，進而影響線路基 板與玻璃基板之結合強度，如去除經活化處理之表面，而顯 露未活化層，即可避免吸附雜質，並達成提高結合強度之功 效，是系爭專利所產生之功效，為該發明所屬技術領域中具



有通常知識者所可預期，故參酌系爭專利申請時之通常知識 1 、2 ，證據1 足以證明系爭專利請求項1 不具進步性。 ⒓證據2 說明書第0001段記載「本發明係關於作為印刷配線板 、可撓式印刷配線基板、捲帶式自動接合（TAB ）帶、覆晶 接合（COF ）帶等電子零件之材料的印刷配線基板之製造方 法」，第0008段記載「本發明之目的係提供一種兩層聚醯亞 胺鍍銅基板的製造方法，其微細配線加工品具有充分的絕緣 可靠性」、證據2 說明書第0012段記載「如上所述，在金屬 化雙層基板，對聚醯亞胺基板進行處理或電漿處理等，以 將聚醯亞胺表面改質並使其活化，以確保與第一金屬層的結 合。由於該結合力很強，因此在金屬化雙層基板中可以承受 實際使用的剝離強度」，第0026段記載「（實施例5 ）將聚 醯亞胺薄膜的單面設置於真空蒸鍍裝置，電漿處理後，以濺 鍍將鎳鉻合金蒸鍍10nm，且以鍍敷法將銅成膜，得到金屬披 覆聚醯亞胺基板。將所得之基板加工成25μm 間距（線寬20 μm ，間隔寬20μm ）之梳形圖樣，然後與實施例1 同樣地 在恆溫恆濕槽內進行絕緣可靠性試驗」。依上述內容可知， 證據2 揭露聚醯亞胺基板先以電漿處理使之表面活化，以形 成活化層，確保與第一金屬層的結合，即相當於系爭專利請 求項1 「底板具有一活化層及一未活化層，底板經由一活化