1智慧財產法院民事判決
2107年度民專訴字第110號
3原告頎邦科技股份有限公司
4
5
6法定代理人吳非艱
7訴訟代理人李宗德律師
8陳佩貞律師
9蔡毓貞律師
10劉昱劭律師
11輔佐人黃仁浩
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13陳蓉慧
14被告易華電子股份有限公司
15
16兼法定代理人黃嘉能
17被告李宛霞
18共同
19訴訟代理人黃福雄律師
20洪郁棻律師
21王吟吏律師
22輔佐人夏志雄
23蔡宗昇
24上列當事人間排除侵害專利權等事件，本院於民國109年3月23
25日言詞辯論終結，判決如下：
26主文
27原告之訴及假執行之聲請均駁回。
11訴訟費用由原告負擔。
2事實及理由
3壹、程序方面：
4按「訴狀送達後，原告不得將原訴變更或追加他訴。但有下列5各款情形之一者，不在此限：…擴張或減縮應受判決事項之6聲明者。…」，民事訴訟法第255條第1項第3款定有明文。7原告起訴時訴之聲明第1、2項原為：「一、被告易華電子股8份有限公司（下稱被告公司）不得自行或使第三人製造、為販9賣之要約、販賣、使用或為上述目的而進口型號為『HX8157-10RCY65』及『RM91135FW-0EMA0』之捲帶式封裝載板及其他11侵害中華民國發明專利第I397963號申請專利範圍第三項之產12品。二、被告公司應將其型號為『HX8157-RCY65』及『RM9
131135FW-0EMA0』之捲帶式封裝載板及其他侵害中華民國發明14專利第I397963號申請專利範圍第三項之產品、半成品全部銷15毀」（本院卷第15頁至第16頁），嗣於民國108年4月2164日具狀變更為：「一、被告公司不得自行或使第三人製造、17為販賣之要約、販賣、使用或為上述目的而進口型號為『HX818157-RCY65』、『RM91135FW-0EMA0』、『RM69330F62-B02192A0』、『HX8157-RCY65-ANE』及『RM927A5FC-627A5』之20捲帶式封裝載板及其他侵害中華民國發明專利第I397963號申21請專利範圍第三項之產品。二、被告公司應將其型號為『HX822157-RCY65』、『RM91135FW-0EMA0』、『RM69330F62-B02232A0』、『HX8157-RCY65-ANE』及『RM927A5FC-627A5』之24捲帶式封裝載板及其他侵害中華民國發明專利第I397963號申25請專利範圍第三項之產品、半成品全部銷毀」（本院卷第4267頁至第48頁），經核上述變更係屬擴張應受判決事項之聲27明，於法並無不符，應予准許。
21貳、實體部分：
2一、原告聲明求為判決：被告公司不得自行或使第三人製造、3為販賣之要約、販賣、使用或為上述目的而進口型號為「HX84157-RCY65」、「RM91135FW-0EMA0」、「RM69330F62-B0522A0」、「HX8157-RCY65-ANE」及「RM927A5FC-627A5」6之捲帶式封裝載板及其他侵害中華民國發明專利第I397963號7申請專利範圍第三項之產品。被告公司應將其型號為「HX88157-RCY65」、「RM91135FW-0EMA0」、「RM69330F62-B0922A0」、「HX8157-RCY65-ANE」及「RM927A5FC-627A5」10之捲帶式封裝載板及其他侵害中華民國發明專利第I397963號11申請專利範圍第三項之產品、半成品全部銷毀。被告公司12、○○○、○○○應連帶給付原告至少新台幣（下同）165萬13元，及自起訴狀繕本送達翌日起至清償日止，依年息百分之14五計算之利息。第三項聲明，原告願供擔保，請准宣告假15執行。訴訟費用由被告連帶負擔。並主張：16原告為國內著名的驅動IC全程封裝測試廠商（原證2），並17為我國第I397963號「印刷配線基板、其製造方法及電路裝置18」發明專利（下稱系爭專利）之專利權人，專利權期間自10219年6月1日至113年12月5日止（原證1），被告公司所生20產之型號「HX8157-RCY65」（下稱系爭產品1）、「RM9113215FW-0EMA0」（下稱系爭產品2）、「RM69330F62-B022A022」（下稱系爭產品3）、「RM927A5FC-627A5」（下稱系爭23產品4）及「HX8157-RCY65-ANE」（下稱系爭產品5）等捲24帶式封裝載板產品（又稱軟性基板、捲帶式高階覆晶薄膜IC
25基板或捲帶式覆晶薄膜，其英文名稱為ChiponFilmTape，業26界簡稱未封裝IC載板為Tape），其結構特徵已落入系爭專利27請求項3之文義範圍，有侵權認定報告為憑（原證4、5、17
31），被告公司係以製造、銷售Tape產品為主要業務之專業廠2商（原證9），自負有查核他人專利技術之注意義務，且被告3公司之現任總經理即被告○○○原任職於原告合併前之欣寶公4司，不可能不知道原告有此系爭專利，被告等顯有侵害系爭專5利權之故意，爰依專利法第96條第1至3項、第97條第1項6第2款、公司法第23條第2項等規定，請求如訴之聲明所示7。
8被告引系爭專利說明書實施例，主張系爭專利請求項3所保9護者為基板「鍍錫前」之結構特徵云云，惟系爭專利請求項310所保護之發明為一結構特徵，並未限制印刷配線基板不得進一11步進行電鍍、拒焊或其他處理，且系爭專利說明書第16頁第1224行、第18頁第24行更明文指出「本發明並不限制於該等13實施例」、「作為如上述形成的配線圖案之電子顯微鏡相片之14一例表示於第7圖」，更印證系爭專利請求項3之範圍不限15於鍍錫前基板，被告之解釋顯係誤將說明書及圖式讀入系爭專16利範圍，不當限制系爭專利範圍，是無論被告產品有或沒有施17加鍍錫、拒焊或任何其他製程，只要有上述結構特徵，即屬侵18權。
19系爭產品1至5已落入系爭專利請求項3之文義範圍：20經解析系爭專利請求項3之技術特徵，可解析為4個要件分21別為：編號A「一種印刷配線基板，其特徵為具有絕緣薄膜22及至少形成於該絕緣薄膜一側表面之配線圖案」、編號B「23該配線圖案係由形成在絕緣薄膜表面之基材金屬層與形成在24該基材金屬層表面之導電性金屬層所形成」、編號C「構成25該配線圖案的基材金屬層形成為在寬度方向比構成該配線圖26案之導電性金屬層突出者」、編號D「其中自該配線圖案之27寬度方向突出而形成之基材金屬層所成之配線圖案之表面至
41少一部份予以鈍化」。
2系爭產品1之部分：
3依閎康科技股份有限公司（下稱閎康公司）鑑定報告第144頁所附系爭產品1（即編號1產品）之外觀照片（如附5件1圖1-1所示），系爭產品1為印刷配線基板，具有絕6緣薄膜及至少形成於該絕緣薄膜一側表面之配線圖案，可7讀取系爭專利請求項3要件A之文義；鑑定報告第24頁8之TEM斷面照片已標示出導電金屬層、基材金屬層及絕
9緣薄膜的相對位置（如附件1圖1-2所示），亦即系爭產10品1中絕緣薄膜表面上有基材金屬層，基材金屬層表面上11又有導電性金屬層，可讀取系爭專利請求項3要件B之12文義；依鑑定報告第25頁之TEM斷面EDX分析結果，13其中鎳分布、鉻分布代表基材金屬層，銅分布代表導電性14金屬層，系爭產品1中基材金屬層（鎳鉻層）上端部邊緣15的位置以藍色虛線標記，而導電性金屬層（不含錫的銅層16）下端部邊緣的位置以紅色虛線標記（如附件1圖1-3所17示），可知系爭產品1中基材金屬層（鎳鉻層）在寬度方18向突出於導電性金屬層（不含錫的銅層），可讀取系爭專19利請求項3要件C之文義。
20鑑定報告第29頁所附系爭產品1標記1之位置，係屬於21基材金屬層（鎳鉻層）突出於導電性金屬層（不含錫的銅22層）部分（如附件1圖1-4所示），依據鑑定報告第2923頁掃描線（EDX-01）之分析結果，鎳（Ni綠色）曲線與24鉻（Cr橘色）曲線約在45nm後開始上升（如附件1圖1-255所示），可知基材金屬層（鎳鉻層）之表面位置約啟始26自掃描線深度45nm，再觀察該掃描線之氧曲線，在掃描27線深度45nm之後確實有測到氧（如附件1圖1-6所示）
51，可知基材金屬層（鎳鉻層）之表面確實有被氧化（即系2爭專利技術領域所稱之鈍化，詳後所述），故系爭產品13可讀取系爭專利請求項3要件D之文義。至被告主張拒4焊層的氧可能影響基材金屬層表面的氧偵測云云，惟掃描5線深度0至45nm的位置即拒焊層之所在，其氧含量甚低6且曲線平滑，直到約深度45nm即基材金屬層表面位置，7才明顯隨鎳、鉻含量一起上升（如附件1圖1-6所示），8可見基材金屬層表面確實有氧化，是本件鑑定之結果，拒9焊層並未影響基材金屬層表面的氧含量偵測。10系爭產品2之部分：
11依鑑定報告第15頁所附系爭產品2（即編號2產品）之12外觀照片（如附件2圖2-1所示），系爭產品2為印刷配13線基板，具有絕緣薄膜及至少形成於該絕緣薄膜一側表面14之配線圖案，可讀取系爭專利請求項3要件A之文義；15鑑定報告第53頁之TEM斷面照片已標示出導電金屬層、16基材金屬層及絕緣薄膜的相對位置（如附件2圖2-2所示17），亦即系爭產品2中絕緣薄膜表面上有基材金屬層，基18材金屬層表面上又有導電性金屬層，可讀取系爭專利請求19項3要件B之文義；依鑑定報告第54頁之TEM斷面ED20X分析結果，其中鎳分布、鉻分布代表基材金屬層，銅分
21布代表導電性金屬層，系爭產品2中基材金屬層（鎳鉻層22）上端部邊緣的位置以藍色虛線標記，而導電性金屬層（23不含錫的銅層）下端部邊緣的位置以紅色虛線標記（如附24件2圖2-3所示），可知系爭產品2中基材金屬層（鎳鉻25層）在寬度方向突出於導電性金屬層（不含錫的銅層），26可讀取系爭專利請求項3要件C之文義。
27鑑定報告第58頁所附系爭產品2標記1之位置，係屬於
61基材金屬層（鎳鉻層）突出於導電性金屬層（不含錫的銅2層）部分（如附件2圖2-4所示），依據鑑定報告第583頁掃描線（EDX-01）之分析結果，鎳（Ni綠色）曲線與4鉻（Cr橘色）曲線約在30nm後開始上升（如附件2圖2-55所示），可知基材金屬層（鎳鉻層）之表面位置約啟始6自掃描線深度30nm，再觀察該掃描線之氧曲線，在掃描7線深度30nm之後確實有測到氧（如附件2圖2-6所示）8，可知基材金屬層（鎳鉻層）之表面確實有被氧化（即系9爭專利技術領域所稱之鈍化），故系爭產品2可讀取系爭10專利請求項3要件D之文義。至被告主張拒焊層的氧可11能影響基材金屬層表面的氧偵測云云，惟掃描線深度0至1230nm間非拒焊層（如附件2圖2-4所示），本即不會影13響基材金屬層表面的氧含量偵測。
14系爭產品3之部分：
15依鑑定報告第16頁所附系爭產品3（即編號3產品）之16外觀照片（如附件3圖3-1所示），系爭產品3為印刷配17線基板，具有絕緣薄膜及至少形成於該絕緣薄膜一側表面18之配線圖案，可讀取系爭專利請求項3要件A之文義；19鑑定報告第82頁之TEM斷面照片已標示出導電金屬層、20基材金屬層及絕緣薄膜的相對位置（如附件3圖3-2所示21），亦即系爭產品3中絕緣薄膜表面上有基材金屬層，基22材金屬層表面上又有導電性金屬層，可讀取系爭專利請求23項3要件B之文義；依鑑定報告第83頁之TEM斷面ED24X分析結果，其中鎳分布、鉻分布代表基材金屬層，銅分25布代表導電性金屬層，系爭產品3中基材金屬層（鎳鉻層26）上端部邊緣的位置以藍色虛線標記，而導電性金屬層（27不含錫的銅層）下端部邊緣的位置以紅色虛線標記（如附
71件3圖3-3所示），可知系爭產品3中基材金屬層（鎳鉻2層）在寬度方向突出於導電性金屬層（不含錫的銅層），3可讀取系爭專利請求項3要件C之文義。
4鑑定報告第82頁所附系爭產品3標記1之位置，係屬於
5基材金屬層（鎳鉻層）突出於導電性金屬層（不含錫的銅6層）部分（如附件3圖3-4所示），依據鑑定報告第877頁掃描線（EDX-01）之分析結果，鎳（Ni綠色）曲線與8鉻（Cr橘色）曲線約在35nm後開始上升（如附件3圖3-95所示），可知基材金屬層（鎳鉻層）之表面位置約啟始10自掃描線深度35nm，再觀察該掃描線之氧曲線，在掃描11線深度35nm之後確實有測到氧（如附件3圖3-6所示）12，可知基材金屬層（鎳鉻層）之表面確實有被氧化（即系13爭專利技術領域所稱之鈍化），故系爭產品3可讀取系爭14專利請求項3要件D之文義。至被告主張拒焊層的氧可15能影響基材金屬層表面的氧偵測云云，惟掃描線深度0至1635nm的位置即拒焊層之所在，其氧含量甚低且曲線平滑17，直到約深度35nm即基材金屬層表面位置，才明顯隨鎳18、鉻含量一起上升（如附件3圖3-6所示），可見基材金19屬層表面確實有氧化，是本件鑑定之結果，拒焊層並未影20響基材金屬層表面的氧含量偵測。
21系爭產品4之部分：
22依鑑定報告第17頁所附系爭產品4（即編號4產品）之23外觀照片（如附件4圖4-1所示），系爭產品4為印刷配24線基板，具有絕緣薄膜及至少形成於該絕緣薄膜一側表面25之配線圖案，可讀取系爭專利請求項3要件A之文義；26鑑定報告第111頁之TEM斷面照片已標示出導電金屬層27、基材金屬層及絕緣薄膜的相對位置（如附件4圖4-2所
81示），亦即系爭產品4中絕緣薄膜表面上有基材金屬層，2基材金屬層表面上又有導電性金屬層，可讀取系爭專利請3求項3要件B之文義；依鑑定報告第112頁之TEM斷面4EDX分析結果，其中鎳分布、鉻分布代表基材金屬層，5銅分布代表導電性金屬層，系爭產品4中基材金屬層（鎳6鉻層）上端部邊緣的位置以藍色虛線標記，而導電性金屬7層（不含錫的銅層）下端部邊緣的位置以紅色虛線標記（8如附件4圖4-3所示），可知系爭產品4中基材金屬層（9鎳鉻層）在寬度方向突出於導電性金屬層（不含錫的銅層10），可讀取系爭專利請求項3要件C之文義。11鑑定報告第111頁所附系爭產品4標記1之位置，係屬於12基材金屬層（鎳鉻層）突出於導電性金屬層（不含錫的銅13層）部分（如附件4圖4-4所示），依據鑑定報告第11614頁掃描線（EDX-01）之分析結果，鎳（Ni綠色）曲線與15鉻（Cr橘色）曲線約在40nm後開始上升（如附件4圖4-165所示），可知基材金屬層（鎳鉻層）之表面位置約啟始
17自掃描線深度40nm，再觀察該掃描線之氧曲線，在掃描18線深度40nm之後確實有測到氧（如附件4圖4-6所示）19，可知基材金屬層（鎳鉻層）之表面確實有被氧化（即系20爭專利技術領域所稱之鈍化），故系爭產品4可讀取系爭21專利請求項3要件D之文義。至被告主張拒焊層的氧可22能影響基材金屬層表面的氧偵測云云，惟掃描線深度0至2340nm間非拒焊層（如附件4圖4-4所示），本即不會影24響基材金屬層表面的氧含量偵測。
25系爭產品5之部分：
26依鑑定報告第18頁所附系爭產品5（即編號5產品）之27外觀照片（如附件5圖5-1所示），系爭產品5為印刷配
91線基板，具有絕緣薄膜及至少形成於該絕緣薄膜一側表面2之配線圖案，可讀取系爭專利請求項3要件A之文義；3鑑定報告第140頁之TEM斷面照片已標示出導電金屬層4、基材金屬層及絕緣薄膜的相對位置（如附件5圖5-2所5示），亦即系爭產品4中絕緣薄膜表面上有基材金屬層，6基材金屬層表面上又有導電性金屬層，可讀取系爭專利請7求項3要件B之文義；依鑑定報告第141頁之TEM斷面8EDX分析結果，其中鎳分布、鉻分布代表基材金屬層，9銅分布代表導電性金屬層，系爭產品5中基材金屬層（鎳10鉻層）上端部邊緣的位置以藍色虛線標記，而導電性金屬11層（不含錫的銅層）下端部邊緣的位置以紅色虛線標記（12如附件5圖5-3所示），可知系爭產品5中基材金屬層（13鎳鉻層）在寬度方向突出於導電性金屬層（不含錫的銅層14），可讀取系爭專利請求項3要件C之文義。15鑑定報告第140頁所附系爭產品5標記1之位置，係屬於16基材金屬層（鎳鉻層）突出於導電性金屬層（不含錫的銅17層）部分（如附件5圖5-4所示），依據鑑定報告第14518頁掃描線（EDX-01）之分析結果，鎳（Ni綠色）曲線與19鉻（Cr橘色）曲線約在30nm後開始上升（如附件5圖5-205所示），可知基材金屬層（鎳鉻層）之表面位置約啟始21自掃描線深度30nm，再觀察該掃描線之氧曲線，在掃描22線深度30nm之後確實有測到氧（如附件5圖5-6所示）23，可知基材金屬層（鎳鉻層）之表面確實有被氧化（即系24爭專利技術領域所稱之鈍化），故系爭產品5可讀取系爭25專利請求項3要件D之文義。至被告主張拒焊層的氧可26能影響基材金屬層表面的氧偵測云云，惟掃描線深度0至2730nm間非拒焊層（如附件5圖5-4所示），本即不會影
101響基材金屬層表面的氧含量偵測。
2被告等辯稱不應以是否測到氧元素為判斷「鈍化」之方法云3云，惟查：
4「鈍化」與「不作用（化）態」之意義相同，兩者皆對應5日文「不働態化」一詞，乃電化學界用以形容金屬氧化所6呈現的結果，即金屬氧化物相較於未氧化的金屬，具有不7容易發生電化學反應的性質，於系爭專利所屬電化學界之8技術領域，因此採用「鈍化」形容基材金屬層「氧化」之9結果，符合文義解釋方法。而相較於「不作用（化）態」10，「鈍化」為國內電化學領域較普遍的用語，此所以在系11爭專利申請過程中，申請人主動提出誤譯修正，將「不作12用（化）態」修改為「鈍化」，並經智慧財產局接受及准13予專利，此誤譯修正之歷史過程，更證明「鈍化」之意就14是「不作用（化）態」，兩者都是日文之「不働態化」。15系爭專利說明書通篇皆以「氧化而不作用化」說明專利範16圍所稱「鈍化」，當電化學界熟此技藝者參酌系爭專利說17明書第【0062】、【0070】、【0080】、【0088】段所述18「…鉻作成氧化鉻而不作用化…」時，即知系爭專利中「19鈍化」一詞所指為金屬（例如鉻）變成氧化金屬（例如氧20化鉻）之結果，故將「鈍化」解釋為「氧化」、「不作用21化」，亦與系爭專利說明書內容一致。被告等稱進行氧化22作用，可能達到不作用態，也可能未達不作用態，需視氧23化之程度而定云云，係欠缺根據，亦不符上述文義解釋（24參酌電化學界使用術語）、歷史解釋（參酌專利申請歷史25）與體系解釋（參酌專利說明書），應不可採。26況被告等於107年11月15日答辯狀中，對於系爭專利說27明書中所記載「不作用態化」、「不作用化」等未完全一
111致的用語，亦解讀為「…系爭專利請求項3之基材金屬層2所成之配線圖案之表面至少一部分予以『鈍化』用語，在3所屬技術領識中通常知識者就上開文字於系爭專利申請時4於相關技術領成中所被認知之範圍，應解釋為『基材金屬5層所成之配線圖案之表面至少一部分藉氧化作用而使突出6之鎳鉻合金部成為不作用態』…」，足見「不作用態化」7、「不作用化」及「鈍化」等用語在系爭專利所屬技術領8域中本即通用，皆指「藉由氧化作用使成為不作用態」。9另EDSInTEM分析儀的元件包含「高真空系統」及「高10速電子撞擊」，在開始收集化學元素訊號前，樣品必須進11行「高速電子撞擊」以進行對焦，此時結合力弱的結構會12被「高速電子撞擊」而分解，並由真空系統抽走，因此E
13DSInTEM分析儀只能偵測已穩定鍵結為化合物的化學結14構，不可能偵測到處於單純吸附狀態的元素。因此，以E15DSInTEM分析儀檢測系爭產品，若在突出部偵測到「氧16」訊號，則必定是來自系爭產品中「已與鉻或鎳穩定鍵結17的氧」，即與鉻或鎳形成金屬氧化物結構中的「氧」，而18不可能是金屬表面單純吸附而存在的氧。被告等稱所偵測19到的氧也可能是金屬表面單純吸附而存在的氧云云，其所20述悖於EDSInTEM分析儀檢測原理及特性，顯不可採。21綜上所述，系爭產品1至5已為系爭專利請求項3要件A22至D所文義讀取，基於全要件原則，系爭產品1至5皆已23落入系爭專利請求項3之文義範圍。至被告等辯稱原告所保24全之編號1、2產品已變質而不適於鑑定或可能遭置換云云25，惟系爭產品1、2之取樣及保存程序，係按鈞院指示，由26公證人親赴工廠內產線為之，其過程如實記載於公證書，並27無異常之處；又系爭產品1至5之取樣位置皆覆有拒焊層（
121鑑定報告第14至18頁），可耐高溫、高濕，不因非處於真2空包裝或因相當時間經過而產生質變、氧化，並有張正良教3授出具之專家意見書可稽（原證12），況系爭產品係以暴4露在空氣中的形態安裝在電視、手機等終端產品上，其使用5期間長達五年、十年以上，自無可能在電鍍逾六個月或未抽6真空包裝即產生質變；再者，系爭產品唯一可能接觸空氣之7處，僅有系爭產品線路表面未包覆拒焊層之焊接點，而本件8鑑定就系爭產品取樣之點皆是在拒焊層覆蓋之下（鑑定報告9第14至18頁），並無因接觸空氣發生質變可能。依被告等10引用之奇景公司Tape過期品驗證作業指導書第5.1及5.2條11規定，所稱ILB乃內引腳焊接（InnerLeadBonding），即12線路靠IC晶片一側之焊接，如確認內引腳錫層之焊接品質13沒有問題，逾六個月的產品屬良品，而仍可正常使用（原證1411），此亦證明六個月期限僅影響內引腳錫層的焊接效果，15與位於基材金屬層之突出部結構無涉，亦與由拒焊層覆蓋之16線路本體無關。
17鑑定報告之垂直掃描線的counts曲線圖已證明系爭產品1至185之基材金屬層表面有氧化，EDX收集各組成元素所發出「19特性X-ray」的數量，稱為counts，其為絕對值，也是第一20手資料，以counts圖譜檢測系爭產品突出部是否有氧化，21具有客觀可憑信性。被告等辯稱依閎康公司網頁之「半高寬22」原則，原告分析之基材金屬層表面位置有誤云云，惟查：23該網頁並未使用「半高寬」用語，乃被告等自行套用，且其24所採分析理論，參照電子束散射圈相關文獻之說明，僅能用
25以估算材料層之「厚度」，而本件侵權分析是為偵測突出部26表面此「位置」是否有「氧」，與突出部「厚度」無涉，故27不需以電子散射圈中心接觸表面為絕對標準，而應以電子散
131射圈邊緣接觸突出部表面時表面組成訊號開始上升為準。是2以，當垂直掃描線counts圖之鎳、鉻曲線自平緩趨勢明顯3轉為上升趨勢時，代表電子散射圈邊緣開始觸及「突出部表4面」，故應以此區域確認氧訊號之趨勢，始符合電子顯微鏡5分析之專業標準。被告等將不同目的之分析方法混為一談，6顯然無理。另兩造已就鑑定儀器在內之事項充分表示意見，7被告等於得知鑑定結果不利於己後，才事後反復，主張鑑定8儀器有限制云云，顯不可信。
9系爭專利請求項3並無應撤銷之事由：
10系爭專利未違反專利法第26條第1項、第2項之規定：11系爭專利於審查階段時經審查員詳加檢驗，並已按其指示12修改申請專利範圍，包括將「至少一部分予以鈍化」等用13語自附屬項併入獨立項而成為系爭專利請求項3，由審查14員確認專利範圍明確且為說明書所支持，說明書亦可據以15實現後才獲准，此代表審查員亦認同「不作用態化」、「16不作用化」及「鈍化」等用語在系爭專利所屬技術領域本17即通用，而無不明確而不能據以實現之情形，並無違反專18利法第26條第1項及第2項規定。
19系爭專利請求項3透過於配線圖案（即導電性金屬層）特20意形成「突出部」構造並加以「鈍化」，達到遠優於先前21技術的功效，有別於先前技術不考慮金屬殘留之具體結構22而僅單純進行氧化或試圖完全去除殘存金屬之作法（系爭23專利說明書第6頁第2行以下、第21行以下、第23頁）24，且系爭專利說明書詳細說明特意形成突出部特徵之手段25（系爭專利說明書第11頁第25行至第12頁第26行、第2613頁末行至第14頁第4行、第17頁第18至21行及圖427、6），被告等故意忽略此「形成突出部」之重要特徵，
141辯稱系爭專利之氧化處理與先前技術無異，遽指系爭專利2「無法據以實現」而違反專利法第26條第1項規定云云3，顯然無理。
4系爭專利請求項3所稱「至少一部份予以鈍化」之客體，5係指「沿配線圖案之寬度方向觀之，基材金屬層表面以其6上端部比導電性金屬層下端部之寬度為寬的突出之部分」7，甚為明確，該用語於申請之初是記載於其他附屬項，順8應審查委員意見，始修正加入至請求項3，隨後即經核予
9專利，有系爭專利審查過程公開資訊可稽，足見系爭專利10請求項3及其使用之「至少一部份予以鈍化」用語，經過11審查機關充分審查，已認定無不明確情形。被告等徒然爭12執請求項3就「予以鈍化之基板態樣」並不明確，實未舉13證所屬技術領域具有通常知識之人閱讀系爭專利範圍及說14明書後將有誤解，其上開主張自不足採。又被告等辯稱系15爭專利說明書要求突出部「全部」形成不作用化，顯與事16實不符，經查：系爭專利說明書第14頁第12至14行說17明系爭專利防止金屬離子遷移導致短路的方法，是透過形18成突出部特徵，使導電金屬層遠離絕緣薄膜層，第14頁19第19至23行說明基材金屬層突出部中有經不作用化的部20分就有不產生晶鬚的功效，上開說明均未要求突出部要「21全部」不作用化，足以支持系爭專利請求項3「至少一部22份予以鈍化」用語。
23系爭專利說明書第17頁第18至21行已揭露使用過錳酸24鉀(KMnO4)＋KOH溶液「予以不作用化」，足以支持系爭25專利請求項3之「予以鈍化」之用語，至被告等主張自然26環境下或特定溶液以外之其他因素亦可包含在「予以鈍化27」之技術手段內云云，應由被告等舉證證明所屬技術領域
151之人對於「予以鈍化」將有上述誤解。
2系爭專利說明書所載之不同實施例有不同的鈍化程度，例13
3如表1所載實施例3之HHBT電阻為9×10歐姆，實施14
4例1之HHBT電阻則為2×10歐姆，兩者鈍化程度即有5不同，但都高於比較例1（亦即先前技術之被證3）之210
6×10歐姆，可見系爭專利請求項3「至少一部份予以鈍化7」之用語可為說明書所支持。實務上，不同產品對於電氣8絕緣程度的要求本有不同，低端產品對於鈍化的要求較低9（如實施例3），高端產品對於鈍化的要求較高（如實施10例1），因系爭專利可以同時運用於高端產品及低端產品11，且皆顯著優於先前技術（如比較例1，亦即被證3），12自無須自我設限，要求「全部」鈍化。
13被證12無法證明系爭專利請求項3不具進步性：14被證12揭露以氧化劑處理線路間殘留金屬（即蝕刻殘餘部15204A'），並沒有如同系爭專利所特意形成的「突出部」技16術特徵，自無將「突出部」予以鈍化的客體，故亦未揭露系17爭專利之「鈍化」技術特徵。被告等稱該蝕刻殘餘部204A'
18即系爭專利之突出部結構，惟被證12之圖13a、13b、14、2193清楚教示蝕刻殘餘部204A'實為線路蝕刻形成圖案203及22004時產生的殘存缺陷，乃被證12所擬解決的短路「問題」21，而非「技術特徵」；況根據被證12之內容，熟習此技藝22者會認為線路蝕刻形成蝕刻殘餘部204A'為結構上不利特徵23，進而思考加以去除，自不會如系爭專利反向思考，在基材24金屬層表面特意露出「突出」，再加以氧化（不作用化、鈍25化），故相對於被證12，系爭專利的作法為熟習此技藝者26所不可預期顯然有進步性。
27被證14無法證明系爭專利請求項3不具進步性：
161被證14揭露以「前處理劑」處理線路間殘留金屬（即突出2部2a），前處理劑包含皮膜溶解劑、氧化劑等，係以氧化3法或去除法處理線路間殘留金屬，並沒有如系爭專利所特意4形成的「突出部」技術特徵，自亦未揭露系爭專利之「鈍化5」技術特徵。被告等稱該突出部2a即為系爭專利之突出部6結構，惟被證14第【0025】段清楚教示突出部2a實為線路7蝕刻形成的殘存缺陷，乃被證14所擬解決的短路問題，而8非「技術特徵」；況根據被證14之內容，熟習此技藝者會9認為突出部2a為結構上不利特徵，進而思考加以去除或氧10化，自不會如系爭專利反向思考，在基材金屬層表面特意形11成「突出部結構」，再加以氧化（不作用化、鈍化），故相12對於被證14，系爭專利的作法為熟習此技藝者所不可預期13顯然有進步性。
14被證3、12、被證3、13、被證3、14之組合均無法證明系15爭專利請求項3不具進步性：
16被證3揭露以氧化劑處理線路間殘留金屬（即金屬成分殘17留），亦無如同系爭專利之「突出部」及「鈍化」技術特18徵。被告等稱被證3針對蝕刻後殘留金屬可使用與系爭專19利技術相同之氧化劑高錳酸鉀進行處理，則被證3的高錳20酸鉀可運用於被證12蝕刻殘留之第一導體即鉻薄膜突出21部，揭露系爭專利請求項3之「鈍化」特徵云云，惟如前22述，被證12之鉻薄膜突出實為線路蝕刻產生的殘存缺陷23，乃其欲解決的「問題」，顯非「技術特徵」，故被證324、12之組合無法證明系爭專利請求項3不具進步性。25被證3、13均未揭露系爭專利請求項3之「突出部」及「26鈍化」特徵，已如前述，故被證3、13之組合自不足以證27明系爭專利請求項3不具進步性。被告等稱被證13第【0
171006】段記載「因蝕刻係從銅箔開始溶解，故位於銅箔下
2方之鎳濺鍍層必然會延遲開始蝕刻。此蝕刻延遲導致如圖35（按：應為圖4）所示，鎳濺鍍層為從銅箔形成之導體4圖案的側面突出的狀態」，已揭露系爭專利請求項3之技5術特徵云云，惟被證13第【0006】段明確教示側面突出6實為在銅箔上形成光阻光罩之線路蝕刻產生的殘存缺陷，7乃其所擬解決的短路「問題」，而非「技術特徵」。又被8告等稱所屬技術領域中具有通常知識者能將被證3建議之9氧化劑運用於被證13云云，惟被證3係揭露以氧化劑來10處理金屬殘留，被證13卻建議必須鍍上另一層銅覆蓋金11屬殘留，則金屬殘留表面之上既被銅層覆蓋，自無從再以12被證3所述氧化劑為表面處理，由此可知被證3、13之組13合顯有矛盾，非所屬技術領域中具有通常知識者可理解。14被證3、14均未揭露系爭專利請求項3之「突出部」及「15鈍化」特徵，已如前述，故被證3、14之組合自不足以證16明系爭專利請求項3不具進步性。被告等稱被證3教示利17用氧化劑處理蝕刻表面，被證14教示以皮膜溶解劑、氧18化劑等去除殘留的鎳濺鍍層，所屬領域中具有通常知識者19因瞭解化學結構式之分子種類與結合情形可達成使基材金20屬層之表面至少一部份不作用化，再依據被證3所揭示之21元件設置位置關係，在此一基板表面施以氧化劑進行氧化
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