行 政 法 院 判 決 八十九年度判字第一三三○號
原 告 日商．精工電子有限公司
代 表 人 甲○○
訴訟代理人 林志剛律師
陳和貴律師
乙○○
被 告 經濟部智慧財產局（原為經濟部中央標準局）
右當事人間因發明專利申請事件，原告不服行政院中華民國八十七年九月十日台八十
七訴字第四四五五九號再訴願決定，提起行政訴訟，本院判決如左︰
主 文
原告之訴駁回。
事 實
緣原告於民國八十二年五月二十日以其「半導體裝置」係於大約一．五Ｖ之低壓下，以高速率操作；特徵為利用 1×10 －1×10 ㎝ 量之BF 離子配合30KeV之能量佈植，藉以在PMOS通道區域形成一極淺接面，以有效降低漏電流及改進次閥等情，向被告申請發明專利。案經被告編為第00000000號審查，不予專利。原告修正申請專利範圍，申經再審查結果，仍不予專利，發給八十六年七月五日台專（伍）○四○三四字第一二六二一六號專利再審查審定書。原告不服，提起訴願、再訴願，遞遭決定駁回，遂提起行政訴訟，茲摘敍兩造訴辯意旨於次：原告起訴意旨及補充理由略謂：一、被告論結本案不符專利要件，及一再訴願決定維持原處分，所依據之法條只有專利法第二十條第二項，並不及於同條第一項。換言之，被告並未否定本發明具有產業上利用及新穎性，只是論定本發明不具進步性（即不具非顯而易知性）。因此，就本發明具有新穎性而言，乃意謂在本案申請前，並未有與本發明相同之技術被公開。是以被告採證R.G.WILSON文獻所載技術，並非在指稱該技術與本發明之技術相同，而只是在指稱熟習該項技術者可由該項技術（即R.G WILSON文獻所載技術）很容易思及以完成本發明。二、其次對於被告論結本案發明熟習該項技術者可由 R.G. WILSON文獻所載技術很容易思及完成者乙事，原告茲臚陳下列事實，以證明被告之原處分在認事用法顯有錯誤：（一）R.G. WILSON 文獻係發表於一九八三年，而本案之申請日為一九九三年（民國八十二年），兩者相距有十一年之久。任何人皆知，電子技術的發展，日新月異，進步極為迅速，而本發明具有改善 MOS電晶體的副臨界特性，並在抑制導因於相當淺的p-n 接面深度之漏電流時，仍可能以低電壓及高速操作，因而具有產業上利用性，乃為被告未爭執而予所默認者。以如此具產業上利用性的電子技術，如為熟習該項技術者可由R.G. WILSON 文獻所載技術很容易思及以完成時，則早就被發明公開使用，實無待相隔十一年後，始由本案發明人加以完成發明。可見被告論結本案為熟習該項技術者可由R.G. WILSON 文獻所載技術很容易思及以完成者，實出於其「後知之明」之主觀錯誤看法罷了，與實際之事實顯有不符。（二）依據專利法第二十條第二項規定來判斷發明是否為熟習該項技術者所能輕易思及而未完成者，係憑藉專利審查官擔任虛擬之「熟習該項技術者」，而依據其技術觀點來判斷的。美國專利法第一○三條第一項亦有類似規定：「發明雖無依第一○二條規定，相同地被揭露或敍述之情事，惟請求專利主要標的與先前技術間之差
異，為申請時熟悉該項技術具有通常技藝人士所顯而易知者，該申請案仍未能獲取專利」。換言之，美國亦如我國以專利審查委員擔任虛擬之「熟習該項技術者」，而依其技術觀點來判斷發明是否為熟習該項技術者所能輕易思及而完成者。然而本案之美國對應申請案已於一九九六年二月六日獲准第0000000號專利，顯示本發明在美國為「熟習該技術者」所認為非能輕易思及以完成者，與我國剛好相反，則同樣為「熟習該項技術者」依據其技術觀點所為之判斷，按理不應有不同之結果，今發生有如此相反的結果，其問題顯然出在審查官個人之技術觀點正確性，與法制無關，是以原告不得不提供本案之美國對應案獲准美國專利之事實，以供鈞院參考，藉以辨明究意被告之審查委員之論斷有無過於主觀武斷的現象。（三）R.G. WILSON 文獻所載技術，其研究重點並非在於小於30KeV之BF 離子佈植，故其以1.5×10 ㎝ 劑量之 Ｂ（硼）離子配合8－10KeV能量之佈植技術，以及在 36－45KeV能量下輔以1.5×10 ㎝劑量之BF 來進行離子佈植， 均與本案係利用1×10 －1×10 ㎝ 劑量之BF 離子配合在 30KeV 能量下佈植之技術有所不同。亦即在BF 離子佈植劑量所需加速能量而言，引證之 R.G. WILSON文獻所載技術與本案並不相同，而該文獻對本案之技術特徵既未有任何揭示及建議，自難謂熟習該項技術者可從該文獻輕易思及而完成本發明。更何況R.G. WILSON 文獻所載技術，係將電晶體的源極、汲極形成0.1 m 以下，如該文獻Introduction第五行至第六行記載：「具有0.5 m的閘極長之PMOS裝置需要深度0.1 m的硼摻雜（boron doping）」，同時亦可由其圖8及10之BF 的濃度5×10 ㎝，2×10㎝ 得知，通常10 －10 ㎝ 為形成源極、汲極時的濃度，加上本案所使用之工程領域為通道（Channel）領域與其亦有不同，本案可藉由接合及縮小次臨界（SMb threshold）係數來抑制漏電流。因此即使 R.G. WILSON文獻所載技術形成淺源極、汲極接合，也無法取得與本案相同的效果，所以本發明與R.G. WILSON 文獻所載技術在用途、目的、效果及技術特徵完全不同之情況下，熟習該項技術者實不可能由 R.G. WILSON文獻所載技術可輕易思及本發明的。（四）再就被告現行之專利審查基準第１－２－頁及第１－２－判斷進步性之說明觀之，如一個發明具有「突出的技術特徵」或「顯然的進步」二者之一者，即得視為非熟習該項技術者所能輕易完成者，而有進步性。則就本案之技術特徵方面觀之，引證之R.G. WILSON文獻所載之BF 離子佈植，係在1.5×10 ㎝ 及在 36－45KeV加速能量下，而本案則是以1×10 ㎝ 輔以30KeV 加速能量進行離子佈植，是以藉由本發明對BF 劑量及加速能量均小於引證之 R.G WILSON文獻所載之情形下，實堪稱具有「突出之技術特徵」；且本案藉由此特徵，確可將Ｐ形雜質層形成十分淺，而可抑制深度方向之雜質分佈，並藉以實現降低在基體表面中之閘電極下面之雜質濃度，實具有「顯然的進步」，絕非如被告所云為熟習該項技術者所能輕易完成者，具有進步性。三、被告辯稱：「如德儀公司之DRAM專利權一案即是如此。『通道淺接面摻雜』之技術，常用於調節MOS 電壓晶體之臨界電壓等特性．．．』一節，原告必須陳明關於被告所指德儀公司之DRAM專利權一案，其究何所指，原告實無從得知，蓋德儀之DRAM專利件數繁多，被告僅抽象指陳德儀公司之DRAM專利，原告實無從得知被告係指德儀公司之那一專利，自無從針對其所指稱據以分析辯駁，是被告此般辯解顯然有違行政行為明確性之要求，而對原告造成突襲，其所辯稱實不足採。並且，據原告檢索先前技藝知悉，先前技術乃藉由使通道摻雜濃度增加（此當然會致p-n 接面深度加深）以降低臨界電壓，然降低臨界電壓便又發生增大漏電流
之缺點，如此即使於不施加電壓於閘電極時，仍會發生漏電流，就此點而言，德儀公司亦可能係如此；反觀本案之Ｐ通道半導體中，則係於通道領域施以較高濃度之摻雜，以調整降低臨界電壓，而為避免讓漏電流增大，則將通道之p-n 接面深度壓低至0.211m以下，而可達到低臨界電壓、低漏電流之目的，由此功效之增進，實可謂本案具顯然之進步性而符發明進步性之要求。四、另，關於被告辯稱：「隨著IC密度愈做愈高使用電壓愈來愈小，自然『接面深度』得愈來愈淺．．．此為進步之趨勢。」惟查「接面深度得愈來愈淺」乃係技術發展上之要求，惟為達此目的，則必須有具體之方法為之，本案之技術即為達此目的所為之設計，而被告復無引證具體資料可證明有先前技藝確可達此技術之要求，卻僅概然以後見之明推論本案為不具進步性，即屬有違被告頒布之現行專利審查基準第1-2-27頁：「判定發明不具進步性，審查委員應引證具體的現有技術或知識資料」之規定，其違法不當不言自明。五、關於被告辯稱「根據本案申請專利範圍可歸納兩點證明其所謂特徵乃習知技術」一節，原告必須指明被告第二項答辯理由中所指之習知技術，其中提及BF 之摻雜量， 加速電壓，p-n 接面深度等乃皆係關於源極、汲極領域之公開，並非關於通道摻雜技術，簡言之，此二者乃屬不同技術領域，被告實不得以此不相干之先前技藝據以否定本案之專利性。六、綜上所陳，無論從時間觀點，技術觀點及各種事實，均顯示本案發明絕非為熟習該項技術者所能輕易思及而完成者，且本案發明具有產業上利用性及新穎性，乃為被告自始至終均未有爭執而默認，可見本案發明完全符合發明專利要件。並無違反專利法第二十條第二項進步性（非顯而易知性）之規定，依法應無不得不准予發明專利之理，顯見被告所為不予專利之處分實有錯誤違法之處。請求判決將再訴願決定、訴願決定及原處分均撤銷等語。
被告答辯意旨略謂︰一、「技術」本身具有其原創性及價值性，不因時間之改變而否定之，如德儀公司之DRAM專利權一案即是如此。「通道淺接面摻雜」之技術，常用於調節MOS 電昌體之臨界電壓等特性，隨著科技進步，IC密度愈做愈高使用電壓愈來愈小，自然「接面深度」得愈來愈淺，源、汲極接合如此，通道摻雜亦如此，此為進步之趨勢，原告以十一年來未有相關核可專利，做為本案「非顯而易見」之辨白，並非事實，實乃此一技術早已公開，並為IC製程中常用之方法之故。二、原告一再強調本案與引證資料之不同處在於：BF 之佈植電壓30KeV與30KeV之差及佈植濃度 1×10 ㎝與1.5×10 ㎝ 之差。 唯根據其申請專利範圍，可歸納兩點證明其所謂特徵乃習知技藝：⑴根據申請專利範圍第１項，「小於0.2 m之淺接面」為其特徵， 而非佈值電壓，該案以30KeV可達成，而引證資料以至KeV之佈植電壓亦能達成 「小於0.2 m之淺接面」特徵，是以「30KeV」 之佈植電壓並無法做為其「技術突出之特徵」⑵根據其申請專利範圍，並未述及BF 佈值濃度之範圍，顯見「濃度值」 並非為其專利特徵； 又若從其說明書（第頁）所提，BF 之佈植濃度分別為1×10 ㎝或2×10 ㎝ 或1.5×10 ㎝ 等三種值，此點與引證資料內所用之1.5×10 ㎝ 相同，而訴訟內容所述1×10 －1×10 ㎝ 之特徵自然不存在。三、各國之專利申請與審查各有其基準與依歸，獲得他國之專利，並不表一定能獲得我國之專利，本案之審查乃根據收集之資料，文獻與實際狀況及多人客觀所審定。四、綜上所述，本案「半導體裝置」乃運用申請前既有之技術與知識，而為熟習該項技術者所能輕易完成，實無創新之處，故訴訟無理由，應予駁回等語。
理 由
按稱發明者，謂利用自然法則之技術思想之高度創作，為專利法第十九條所規定。又同法第二十條第二項復規定，發明係運用申請前既有之技術或知識，而為熟習該項技術者所能輕易完成時，雖無同條第一項所列情事，仍不得申請取得發明專利。本件原告於八十二年五月二十日以其「半導體裝置」係大約一．五Ｖ之低壓下，以高速率操作；特徵為利用1×10 －1×10 ㎝ 量之BF 離子配合30KeV之能量佈植， 藉以在PMOS通道區域形成一極淺接面，以有效降低漏電流及改進次閥等情，向被告申請發明專利。案經被告編為第00000000號審查，不予專利。原告修正申請專利範圍，申經再審查結果，仍不予專利，發給八十六年七月五日台專（伍）○四○三四字第一二六二一六號專利再審查審定書。原告不服，循序提起行政訴訟，主張如事實欄所載。經查㈠、原處分以R.G. WILSON 發表於J.App1.Phys.54(12),December 1983之文獻摘要及引言(下稱引證資料)即指出以低於10KeV之能量及約1.5×10 ㎝ 劑量之硼離子佈植，產生小於0.1 m佈植深度之技術， 已被廣泛使用於PMOS之元件製造，雖引證資料之研究重點不在於小於 30KeV之BF 離子佈植， 惟此離子佈植技術既已見於公開在先之引證資料，本案摻雜以低能量低劑量硼離子使PMOS 之通道深度小於0.1 m左右，即屬運用公開之技術思想，為熟習此項技術所能輕易完成，依專利法第二十條第二項規定，應不予專利。㈡、原告主張引證資料揭示以1.5×10 ㎝ 劑量之硼離子佈植， 與本案以1×10 －1×10 ㎝ 劑量BF 離子佈植條件不同等語，惟本案特徵在於利用濃度為1×10 －1×10 之數量級且能量為30KeV之BF 離子佈植形成通道接面深度小於 0.2m，惟引證資料已明白揭示以5-10KeV之Ｂ離子可形成0.1um之通道接面深度， 並提及以36-45KeV之BF 離子可達成相同之結果。本案藉BF 分子量低擴散係數之特性配以低能量形成淺接面之原理，為已公開之技術思想，又引證資料已指出以低能量、低劑量佈植確可降低佈植接面深度，且利用重離子可減低佈植深度亦為公開之技術思想。本案於一再訴願程序中，曾先後經財團法人工業技術研究院電子工業研究所基於專業知能提供審查意見，亦認本案不符發明進步性之要件，有該所八十六年十二月三十日（八六）工研電審字第○八四一號函及八十七年四月三十日（八七）工研電審字第○一九○號函所附審查意見書附於訴願卷可按，核其審查意見，客觀公正，堪予採憑。又原告主張本案已獲准美國專利乙節，因各國專利法制及審查基準雖有類似仍有差異，尚不能以在外國獲准專利，作為本案應准專利之依據。是原告所訴各節，均不足採。從而被告所為再審查審定，揆諸首揭規定，核無違誤，一再訴願決定，遞予維持原處分，均無不合，原告起訴意旨，難謂有理，應予駁回。據上論結，本件原告之訴為無理由，爰依行政訴訟法第二十六條後段，判決如主文。中 華 民 國 八十九 年 四 月 二十八 日
行 政 法 院 第 六 庭
審 判 長 評 事 鍾 曜 唐
評 事 廖 宏 明
評 事 徐 樹 海
評 事 蔡 進 田
評 事 劉 鑫 楨
右 正 本 證 明 與 原 本 無 異
法院書記官 陳 盛 信
中 華 民 國 八十九 年 五 月 二 日
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