智慧財產法院行政判決
108年度行專訴字第68號
原 告 謝敏惠
訴訟代理人 賴安國律師
複代理人 呂尚霖專利師
訴訟代理人 楊啟元律師
被 告 經濟部智慧財產局
代 表 人 洪淑敏（局長）
訴訟代理人 葉獻全
參 加 人 美商杜邦電子股份有限公司（DUPONT Electronics
,Inc .）
代 表 人 Jessica Sinnott（智財副法務長）
訴訟代理人 呂紹凡律師
黃惠敏律師
蔡孟真律師
上列當事人間因發明專利舉發事件，原告不服經濟部中華民國10
8 年7 月26日經訴字第10806305520 號訴願決定，提起行政訴訟
，並經本院命參加人獨立參加被告之訴訟，本院判決如下︰
主 文
原告之訴駁回。
訴訟費用由原告負擔。
事實及理由
甲、程序事項
原告原起訴聲明第1 項為：「原處分『請求項1 至7 舉發不 成立』部分及訴願決定均撤銷」（見本案卷一第15頁），其 後當庭更正為：「原處分及訴願決定均撤銷」，被告、參加 人當庭表示沒有意見（見本案卷二第27頁），原告係使聲明 更加明確，非屬訴之變更或追加，故無行政訴訟法第111 條 第1 項規定之適用。
乙、事實概要
壹、訴外人美商杜邦股份有限公司於民國（下同）99年8 月3 日 以「消光表面處理之聚醯亞胺膜與關於此膜之方法」向被告 申請發明專利，同時聲明以98年8 月3 日申請之美國第61∕
230,934 號專利案及99年7 月23日申請之美國第12∕842,17 4 號專利案主張優先權，經被告編為第99125775號審查。其 後美商杜邦股份有限公司於102 年10月31日向被告申請就前 述專利申請案分割出「消光表面處理之聚醯亞胺膜與關於此 膜之方法」發明專利申請案（其申請專利範圍共7 項），經 被告另編為第102139502 號審查，准予專利，並發給發明第 I519576 號專利證書（下稱：「系爭專利」）。貳、嗣原告以系爭專利違反核准時專利法第26條第1 項及第2 項 、第22條第2 項規定，對之提起舉發。經被告審查，以107 年10月24日（107 ）智專三（五）01021 字第10720993300 號專利舉發審定書為「請求項1 至7 舉發不成立」之處分。 原告不服，提起訴願，經經濟部108 年7 月26日經訴字第10 806305520 號訴願駁回，原告不服，向本院提起訴訟。參、嗣美商杜邦股份有限公司於108 年11月18日，將系爭專利讓 與參加人，參加人並向被告申請讓與登記，而於108 年12月 11日讓與註記（見本案卷一第315 頁），並經本院裁定命參 加人獨立參加本件被告之訴訟。
丙、當事人陳述及聲明要旨
壹、原告方面
一、系爭專利請求項1 欠缺「聚醯亞胺顆粒消光劑的量、粒徑、 密度等」必要技術特徵，導致無法達成「60度光澤值小於35 或45」之發明目的，因此，系爭專利請求項1 不明確，其附 屬項請求項2 至7 亦皆有相同瑕疵。系爭專利請求項1 欠缺 「無機消光劑之添加比例」之必要成分技術特徵，導致無法 達成「介電強度大於1400v/mil 」之發明目的，因此系爭專 利請求項1 不明確，其附屬項請求項2 至7 亦皆有相同瑕疵 。系爭專利請求項1 中之「碳黑」及「消光劑」皆超出說明 書所揭露之範圍，因此系爭專利請求項1 不受說明書支持， 附屬項請求項2 至7 亦皆有相同瑕疵。系爭專利實施例1 、 3 、5 可再現說明書所載之結果；比較例4 、5 、8 、9 、 10、11皆符合請求項1 全部要件，卻無法再現說明書所載之 結果。因此，系爭專利僅能隨機再現說明書所載之結果，無 法據以實現。
二、舉發證據2 、4 、5 之組合足證請求項1 不具進步性。證據 5 揭露藉由聚醯亞胺顆粒使聚醯亞胺薄膜表面產生細微突起 ，即具有系爭專利的消光作用（形成粗糙表面）；證據5 揭 露的聚醯亞胺顆粒，具有在聚醯亞胺薄膜表面作為消光劑的 固有特性。系爭專利權人自認聚醯亞胺顆粒作為消光劑係習 知技術。參加人主張組合舉發證據5 可能添加過量消光劑（ 「過量添加會破壞薄膜原本的導電度、透明度等性質」）。
但請求項1 並未限制聚醯亞胺顆粒消光劑之量，即使過量添 加，仍符合請求項全部要件，故參加人之主張，足證請求項 1 僅能隨機達成發明目的（過量添加破壞薄膜性質，違反發 明目的）。反之，若過量添加仍未違反發明目的，則參加人 主張即無法成立。系爭專利請求項1 是開放式請求項，可包 含其他成分，且未排除二氧化鈦顆粒的存在。系爭專利亦載 明可包含無機消光劑。系爭專利請求項1 界定聚醯亞胺佔71 至96重量％，舉發證據4 至少揭露其中71至88重量％的部分 ；請求項1 界定碳黑佔2 至9 重量％，舉發證據4 則揭露2 至10重量％。二氧化鈦的存在並無任何影響。單純依舉發證 據4 之教示，在證據2 的聚醯亞胺中同時添加二氧化鈦顆粒 與碳黑，即可實現請求項1 之技術特徵A 及B 。不含碳黑的 習知聚醯亞胺具有極高的介電強度，舉發證據4 教示加入碳 黑而不大幅降低介電強度的技術手段。舉發證據4 搭配二氧 化鈦而加入碳黑，仍符合系爭專利請求項所界定之全部要件 。系爭專利所有實施例皆同時存在無機消光劑，故若認定因 同時含有二氧化鈦而認舉發證據4 與請求項所界定發明不同 ，則同理，所有實施例皆與請求項所界定發明不同，故請求 項不受說明書所支持。依舉發證據4 之教示，在舉發證據2 的聚醯亞胺中同時添加二氧化鈦顆粒與碳黑，即可實現請求 項1 之技術特徵A 及B ，且可推知介電強度大於1400V/mil 。不含碳黑的習知聚醯亞胺具有極高的介電強度（2540～10 922V/mil），舉發證據4 教示在聚醯亞胺中加入碳黑而不大 幅降低介電強度的技術手段。因此可無歧義推知：在不大幅 降低介電強度（衹要降幅小於1.81倍至7.8 倍，否則顯屬「 大幅降低」）之下，添加碳黑後的介電強度即大於1400V/mi l 。
三、舉發證據2 、4 、7 足證請求項1 不具進步性。舉發證據7 揭露藉由聚醯亞胺顆粒使聚醯亞胺薄膜表面產生細微突起， 即具有系爭專利的消光作用（形成粗糙表面）；舉發證據7 揭露的聚醯亞胺顆粒，具有在聚醯亞胺薄膜表面作為消光劑 的固有特性。系爭專利權人亦自認聚醯亞胺顆粒作為消光劑 係習知技術（甲證4 ）。其餘與前述舉發證據2 、4 、5 之 組合同。
四、舉發證據2 、4 及甲證3 足證請求項1 不具進步性。甲證3 揭露以聚醯亞胺顆粒作為聚醯亞胺薄膜的消光劑，與系爭專 利同，亦與系爭專利權人自認習知技術同（甲證4 ）。甲證 3 並未限定聚醯亞胺薄膜必須使用熱轉化或化學轉化；反而 ，甲證7 足證化學轉化法製得之聚醯亞胺薄膜可作為顯示裝 置的對準層使用。參加人所稱對準層必須是熱轉化聚醯亞胺
云云，顯與事實不符。其餘與前開舉發證據2 、4 、5 之組 合及舉發證據2 、4 、7 之組合同。
五、舉發證據2 、4 、5 之組合、舉發證據2 、4 、7 之組合、 舉發證據2 、4 、甲證3 之組合分別足證請求項2 至4 所依 附的請求項1 不具進步性，各證據能輕易組合之理由，同請 求項1 。故應認請求項2 、3 、4 相對於各證據組合，不具 進步性。舉發證據2 揭露請求項2 至4 所增加之技術特徵； 因此，舉發證據2 、4 、5 之組合、舉發證據2 、4 、7 之 組合、舉發證據2 、4 、甲證3 之組合分別足證請求項2 至 4 不具進步性。
六、舉發證據2 、4 、5 之組合、舉發證據2 、4 、7 之組合、 舉發證據2 、4 、甲證3 之組合分別足證請求項5 至7 所依 附的請求項1 不具進步性；請求項5 、6 、7 所增加之技術 特徵，皆屬所屬技術領域中之技術常識，且無不可預期之技 術功效。將舉發證據6 與舉發證據2 、4 、5 或舉發證據2 、4 、7 或舉發證據2 、4 、甲證3 項組合，並未產生不可 預期之技術功效，故應認請求項5 、6 、7 相對於各證據組 合，不具進步性。因此，舉發證據2 、4 、5 、6 之組合、 舉發證據2 、4 、6 、7 之組合、舉發證據2 、4 、6 、甲 證3 之組合，分別足證請求項5 至7 不具進步性。七、被告109 年2 月15日答辯書，亦指出系爭專利係分割自第09 9125775 號專利申請案（原案）。系爭專利說明書僅能支持 原案（界定的無機消光劑及其粒徑、含量及其他要件），但 系爭專利說明書並未揭露「藉由聚醯亞胺顆粒消光劑」達成 消光效果之技術，符合請求項全部技術特徵仍無法達成發明 目的，故不明確；請求項範圍大於說明書，故不受說明書所 支持；說明書實施例及比較例證明：完全符合請求項全部要 件，卻僅能隨機再現說明書記載之結果，故無法據以實現。 前述各證據組合足證請求項1 至7 不具進步性。八、聲明：
（一）原處分及訴願決定均撤銷。
（二）被告就系爭專利應為「請求項1 至7 舉發成立，應予撤銷 」之處分。
貳、被告方面
一、系爭專利說明書及請求項1 至7 未違反專利法第26條第1 及 2 項規定之理由，已詳述於原處分。
二、甲證3 說明書第64頁倒數第3 至4 行所揭露之內容為「作為 光學薄膜層壓至透明基底上的功能層分別優選包含摻入其中 的消光劑，從而改善其粘著性或其在高濕度時的耐粘著性」 。說明其中摻入的消光劑，係為改善其粘著性或其在高濕度
時的耐粘著性與系爭專利請求項1 之聚醯亞胺顆粒消光劑用 途尚有差異。
三、甲證3 說明書第65頁所揭露之內容為「作為消光劑的無機材 料的例子包括：顆粒無機材料如顆粒硫酸鋇、…。作為消光 劑的有機材料的進一步的例子包括：二氧化矽，如通過濕法 或矽酸的凝膠化而獲得的合成二氧化矽，和通過鈦渣與硫酸 的反應而生產的二氧化鈦（金紅石型或銳鈦礦型）。…消光 劑的其它例子包括：通過對有幾聚合物進行研磨和分級所獲 得的產物；所述聚合物如聚四氟乙烯、乙烯纖維素、聚苯乙 烯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚甲基丙烯酸丙酯、聚丙烯酸甲酯 、聚碳酸亞乙基酯、丙烯醯基苯乙烯基樹脂、矽酮基樹脂、 聚碳酸酯樹酯苯並胍胺基樹脂、三聚氰胺基樹酯、聚烯烴基 樹脂、聚酯基樹脂、聚醯胺基樹脂、聚醯亞胺基樹酯、聚氟 乙烯基樹脂和澱粉。做為選擇，可以使用：通過懸浮聚合法 合成的聚合物，或通過噴霧幹法或分散法等等已使之成為球 形的聚合物或無機化合物。可以添加由上述相同材料製成但 具有較大粒徑0.1-10微米的顆粒材料，以便形成防眩光層。 …」。甲證3 僅單純說明可作為消光劑的無機材料及有機材 料，而所揭露的聚醯亞胺基樹脂，亦僅係該數十種消光劑中 的一種而已，發明所屬技術領域中具有通常知識者依甲證3 所揭露之內容，實無理由特定選擇聚醯亞胺基樹脂作為聚醯 亞胺薄膜之消光劑，甲證3 頂多僅廣泛地揭露在數十種消光 劑中的聚醯亞胺基樹脂（或聚醯亞胺基樹脂顆粒材料）可以 添加在聚醯亞胺薄膜中。然，舉發證據2 、4 及其他舉發證 據之組合不足以證明系爭專利請求項1 不具進步性，已為舉 發審查確定，縱使甲證3 揭露在聚醯亞胺薄膜中可添加聚醯 亞胺樹脂顆粒作為消光劑，且舉發證據2 、4 及甲證3 能夠 勉強拼湊結合，惟舉發證據2 、4 及甲證3 均未揭示與製備 聚醯亞胺膜之成分、比例及添加物等條件息息相關之系爭專 利請求項1 「基膜具有大於1400V/mil 之一介電強度」之技 術特徵，是所屬技術領域中具有通常知識者依舉發證據2 、 4 及甲證3 之技術之內容並無法輕易思及並完成系爭專利請 求項1 之發明，故舉發證據2 、4 及甲證3 之組合無法證明 系爭專利請項1 不具進步性。
四、原告其餘所主張之舉發證據2 、4 、5 及新爭點所主張之證 據組合，均不足以證明系爭專利請求項1 至7 不具進步性， 其理由詳述於原處分。
五、聲明：原告之訴駁回。
參、參加人方面
一、系爭專利說明書係記載：「在某些實施例中，該基膜之60度
光澤值係介於且選擇性地包括…」，上述內容僅為舉例，並 非如原告所述為必要技術特徵。系爭專利請求項1 至7 皆無 「消光效果（60度光澤值）」特徵，原告誤解系爭專利說明 書所載之內容為其必要技術特徵。
二、比較例6 與系爭專利發明內容不同。系爭專利說明書比較例 6 所使用的消光劑為30%BaS04。系爭專利請求項1 所載之消 光劑為聚醯亞胺顆粒消光劑。比較例6 不具有聚醯亞胺顆粒 消光劑，不符合系爭專利請求項1 之發明的化學成分特徵， 原告比對錯誤。不同成分之基膜具有不同介電強度係屬正常 。「介電強度大於1400V/mil 」為系爭專利之「特徵」。系 爭專利請求項係以「成分比例」以及「介電強度」共同定義 基膜。惟有同時符合此兩條件的基膜。方為系爭專利所保護 之發明，不應拆解為「成分比例」及「介電強度」兩部分比 較。
三、系爭專利說明書第12至14頁已敘述用「碳黑」作為基膜之染 料，且限定基膜之介電強度需大於1400V/mil ，此對系爭專 利所屬技術領域具有通常知識者而言，自可根據說明書中的 敘述及各項實施例/ 比較例，而輕易選擇低傳導度的碳黑， 以獲得較高的介電強度。系爭專利說明書第15頁第3 至8 行 中已明確揭露系爭專利之消光劑可包含聚醯亞胺顆粒。可證 「消光劑」之特徵乃受說明書所支持，並未超出說明書揭露 範圍。系爭專利請求項1 至7 的全部技術特徵，包括但不限 於原告所述的「消光劑」及「碳黑」皆已於系爭專利說明書 有對應記載，受到說明書所支持，符合專利法第26條第2 項 規定。
四、系爭專利說明書已提供足夠的實例/ 比較例（34個），其包 含消光劑之「含量」、「密度範圍」、「中值粒徑」及「介 電強度」等數值。本領域通常知識者在參酌說明書中的各項 具體實例內容後，不需要進行過度實驗即可據以實施系爭專 利之發明，包括但不限於達成「> 1400V/mil 介電強度」。 系爭專利請求項1 至7 已清楚界定本發明之技術特徵，並無 限定聚醯亞胺顆粒消光劑之「含量」、「密度範圍」、「中 值粒徑」之必要。
五、原告提出的證據組合，皆未揭露系爭專利請求項「基膜具有 大於1400 V/mil之介電強度」之特徵，而此特徵並非本領域 通常知識者可輕易得知。原告另舉出甲證5 、甲證6 ，認為 聚醯亞胺之介電強度為習知技術常識。然而甲證5 所舉的聚 醯亞胺膜與系爭專利成分完全不同，甲證6 則未提供聚醯亞 胺膜的組成，根本不具可比性。舉發證據5 、7 雖存在聚醯 亞胺顆粒，但並未揭露其在聚醯亞胺膜中作為消光劑之用途
。
六、原告之舉發證據2 、4 、5 及2 、4 、7 無結合理由。通常 知識者並無動機將舉發證據4 中「具相反特性且缺一不可」 的碳黑及二氧化鈦顆粒加入舉發證據2 的聚醯亞胺膜中（不 論單獨或一起加入，蓋如只加碳黑，將違反舉發證據4 之教 示；如同時加入碳黑及二氧化鈦顆粒，則違反本領域之通常 知識），因此舉發證據2 及4 二者無從結合。縱認舉發證據 2 及4 可結合，通常知識者也沒有理由再用舉發證據5 或7 之聚醯亞胺顆粒來替換舉發證據4 的二氧化鈦顆粒（違背舉 發證據4 ），或者額外加入第三種顆粒（過量添加會破壞薄 膜原本的導電度、透明度等性質）。
七、原告之舉發證據2 、4 、甲證3 無結合理由。甲證3 與舉發 證據2 、4 之技術內容皆有衝突：「透明」與「不透明」； 熱轉化」與「化學轉化」聚醯亞胺，故並無結合理由。八、原告之新提出之甲證7 未能證明甲證3 與舉發證據2 、4 具 結合理由。甲證3 說明書清楚載明其使用熱轉化聚醯亞胺膜 ，與舉發證據2 、4 之技術內容不同。甲證3 聚醯亞胺膜之 製作方法係將聚醯胺酸溶液在100 至300 °C 的環境下鍛燒 0.5 至1 小時（說明書第79/121頁8 至12行）。即便甲證7 揭露一種可用於「對準層」之化學轉化聚醯亞胺膜，仍不影 響甲證3 揭露內容為熱轉化聚醯亞胺膜。此外，通常知識者 仍不具有將「透明」的甲證3 與「不透明」的舉發證據4 結 合的教示、建議、或動機。
九、聲明：原告之訴駁回。
丁、得心證之理由
壹、按「發明專利權得提起舉發之情事，依其核准審定時之規定 」，現行專利法第71條第3 項本文定有規定。查本件系爭專 利係於99年8 月3 日提出申請，嗣經被告於105 年2 月1日 核准審定（見乙證2 卷第70頁）。準此，本件系爭專利是否 具有舉發之情事，應依103 年1 月22日修正公布、同年3 月 24日施行之專利法（下稱：「核准時專利法」）為斷。貳、爭點（見本案卷二第29、37頁）
一、系爭專利請求項1 至7 是否違反核准時專利法第26條第2 項 規定？
二、系爭專利請求項1 至7 是否違反核准時專利法第26條第1 項 規定？
三、舉發證據2 、4 、5 之組合是否足證系爭專利請求項1 至4 違反核准時專利法第22條第2 項不具進步性規定？四、舉發證據2 、4 、7 之組合是否足證系爭專利請求項1 至4 違反核准時專利法第22條第2 項不具進步性規定？
五、舉發證據2 、4 及甲證3 之組合是否足證系爭專利請求項1 至4 違反核准時專利法第22條第2 項不具進步性規定？六、舉發證據2 、4 、5 、6 之組合是否足證系爭專利請求項5 至7 違反核准時專利法第22條第2 項不具進步性規定？七、舉發證據2 、4 、6 、7 之組合是否足證系爭專利請求項5 至7 違反核准時專利法第22條第2 項不具進步性規定？八、舉發證據2 、4 、6 及甲證3 之組合是否足證系爭專利請求 項5至7 違反核准時專利法第22條第2 項不具進步性規定？參、核准時專利法第26條第1 項規定：「說明書應明確且充分揭 露，使該發明所屬技術領域中具有通常知識者，能瞭解其內 容，並可據以實現」。同法第26條第2 項規定：「申請專利 範圍應界定申請專利之發明；其得包括一項以上之請求項， 各請求項應以明確、簡潔之方式記載，且必須為說明書所支 持」。又發明為其所屬技術領域中具有通常知識者依申請前 之先前技術所能輕易完成時，仍不得取得發明專利（同法第 22條第2 項規定參照）。依同法第71條第1 項第1 款、第73 條第1 項規定，發明有違反前述同法第26條、第22條第2 項 之情事，任何人得向專利專責機關提起舉發，並應備具申請 書，載明舉發聲明、理由，並檢附證據。「倘舉發人所附之 證據不足以證明系爭專利有違前揭專利法之規定，自應為舉 發不成立之處分」（最高行政法院108 年度判字第30號判決 意旨參照）。末按：「主張優先權者，其專利要件之審查， 以優先權日為準」，核准時專利法第28條第4 項定有明文。肆、系爭專利技術分析：
一、技術內容：
（一）系爭專利說明書第1 頁【發明所屬之技術領域】欄：系爭 專利係揭露一般涉及消光表面處理之基膜（matte finish base films），其可用於覆蓋（coverlay）之應用並且具 有優異之介電與光學性質。更特定的是，本揭露之該消光 表面處理基膜包含一相對低濃度的顏料與消光劑於一聚醯 亞胺膜中，該聚醯亞胺膜係藉由化學（相對於熱程序）轉 化程序而經醯亞胺化（見乙證2 卷第91頁反面）。（二）系爭專利說明書第1 頁【先前技術】欄：目前在電子材料 元件上覆蓋層（coverlays ）已知用於作為保護電子材料 之阻隔膜，例如用於保護撓性印刷電路板、電子組件、積 體電路封裝的導線架及類似者。然而，人們對於更加薄化 且成本更低之覆蓋仍有需求，而且不但需要具有可接受之 電性質（例如介電強度），亦需具有可接受的結構與光學 性質，以對於受該覆蓋所保護的電子組件提供安全防護， 避免不必要的目視檢查與破壞（見乙證2 卷第91頁反面）
。
（三）系爭專利說明書第1 、2 頁【發明內容】欄：系爭專利之 發明係針對習知覆蓋層之缺點進行改良，並揭露一可應用 於覆蓋層之基膜。該基膜係包含一經化學轉化之聚醯亞胺 ，其量為該基膜之71至96重量百分比。該經化學轉化之聚 醯亞胺係衍生自：i . 至少50莫耳百分比之芳族二酐，此 係基於該聚醯亞胺之總二酐含量，以及ii .至少50莫耳百 分比之芳族二胺，此係基於該聚醯亞胺之總二胺含量。該 基膜進一步包含：一低傳導度碳黑，其存在量為該基膜之 2 至9 重量百分比；以及一消光劑，其：a . 存在量為該 基膜之1.6 至10重量百分比、b . 具有中值粒徑為1.3 至 10微米，以及c . 具有密度為2 至4.5g/cc （見乙證2 卷 第90頁正面、第91頁反面）。
（四）系爭專利說明書第4 、5 頁【實施方式】欄：系爭專利之 基膜包含經填充之聚醯亞胺基質，其中該聚醯亞胺係由化 學轉化程序所創造。化學轉化程序之一個優點（相較於單 獨的熱轉化程序而言）為達到足夠低光澤之必要的消光劑 量，相較於若使用熱轉化程序者，係至少低於其之10、20 、30、40或50百分比。普遍接受之60度光澤值為：< 10平 光（flat）10-70 消光（matte ）、絲光（satin ）、半 光（semi-gloss）（使用各種術語）> 70光澤（glossy） 。在某些實施例中，該基膜具有60度光澤值為介於且選擇 性地包括任何下列兩者：2 、3 、4 、5 、10、15、20、 25、30與35。在某些實施例中，該基膜具有60度光澤值為 2 至35。在某些實施例中，該基膜具有60度光澤值為10至 35。該60度光澤值係使用Micro-TRI-Gloss 光澤計測得。 使用較少量的消光劑（藉助於該化學轉化而能製成）有其 優點，因為此：i . 降低整體成本；ii .簡化消光劑分散 至該聚醯胺酸（或其他聚醯亞胺前驅物材料）的程序；以 及iii . 使所生成之基膜具有較佳機械性質（例如較低之 脆度）。化學轉化程序之另一個優點（相較於單獨的熱轉 化程序而言）為該經化學轉化之基膜的介電強度較高。在 某些實施例中，該基膜之介電強度係大於1400 V/mil（55 V/micron）（見乙證2 卷第89頁正面、反面）。（五）系爭專利說明書第21至29頁【實施方式】欄：系爭專利發 明目的是提供可應用於覆蓋層之基膜，其可以在消光劑低 量下，在基膜兩側皆達到低的60度光澤值（消光外觀）以 及高介電強度（見乙證2 卷第77頁反面至第81頁反面）。（六）系爭專利說明書【摘要】欄：概括而言，系爭專利之基膜 ，其具有厚度為8 至152 微米、60度光澤值為2 至35、光
學密度為大於或等於2 以及介電強度為大於1400V/mil 。 該基膜係包含經化學轉化之（部分或全部為芳族）聚醯亞 胺，其量為該基膜之71至96重量百分比。該基膜進一步包 含顏料與消光劑。該消光劑之存在量為該基膜之1.6 至10 重量百分比、具有中值粒徑為1.3 至10微米並且具有密度 為2 至4.5g/cc 。該顏料之存在量為該基膜之2 至9 重量 百分比。系爭專利之揭露亦關於覆蓋膜，其包含該基膜並 結合黏著層（見乙證2 卷第92頁）。
二、申請專利範圍分析：
本案系爭專利請求項共計7 項，其中請求項1 與5 為獨立項 ，其餘為附屬項。系爭專利權人為參加人，且未曾針對系爭 專利提起任何更正申請。另原告主張訴願決定及原處分關於 「請求項1 至7 舉發不成立」之部分均應撤銷且應為「請求 項1 至7 舉發成立，應予撤銷」之處分。本案有關請求項1 至7 之申請專利範圍內容如下（見乙證2 卷第71頁正面、反 面）：
（一）請求項1：
一種基膜，其包含：
A. 一經化學轉化之聚醯亞胺，其量為該基膜之71 至96重 量百分比，該經化學轉化之聚醯亞胺係衍生自： a. 至少50莫耳百分比之一芳族二酐，此係基於該聚醯 亞胺之一總二酐含量，以及
b. 至少50莫耳百分比之一芳族二胺，此係基於該聚醯 亞胺之一總二胺含量；
B. 一碳黑，其存在量為該基膜之2 至9重量百分比；以及 C. 一聚醯亞胺顆粒消光劑；
其中，該基膜具有大於1400V/mil之一介電強度。（二）請求項2：
如申請專利範圍第1項所述之基膜，其中：
a.該芳族二酐係選自由下列所組成之群組：
焦蜜石酸二酐、3,3 ' ,4,4 '- 聯苯四羧酸二酐（tetr acarboxylic dianhydride ）、3,3 ' ,4,4 '- 二苯基 酮四羧酸二酐；4,4 '-氧基二酞酸酐（oxydiphthalic anhydride ）、3,3 ' ,4,4 '- 二苯基四羧酸二酐、 2,2-雙（3,4-二羧基苯基）六氟丙烷（2,2-bis （3,4 -dicarboxyphenyl）hexafluoropropane ）、雙酚A 二 酐，以及上述物質之混合物；以及
b.該芳族二胺係選自由下列所組成之群組：
3,4 '-氧基二苯胺、1,3-雙- （4-胺基苯氧基）苯、4, 4 '-氧基二苯胺、1,4-二胺基苯、1,3-二胺基苯、2,2
'-雙（三氟甲基）聯苯胺（2,2 '-bis （trifluoromet hyl ）benzidene ）、4,4 '-二胺基聯苯、4,4 '-二胺 基二苯基硫醚、9,9 '-雙（4-胺基）氟，以及上述物質 之混合物。
（三）請求項3：
如申請專利範圍第1 項所述之基膜，其中該經化學轉化之 聚醯亞胺係衍生自焦蜜石酸二酐與4,4 '-氧基二苯胺。（四）請求項4：
如申請專利範圍第1 項所述之基膜，其中該基膜具有一厚 度為8 至152 微米。
（五）請求項5：
一種多層膜，其包含如申請專利範圍第1 項所述之該基膜 與一黏著層。
（六）請求項6：
如申請專利範圍第5 項所述之多層膜，其中該黏著層為一 環氧樹脂，其係選自由下列所組成之群組：雙酚A 型環氧 樹脂、甲酚酚醛（novolac ）型環氧樹脂、含磷環氧樹脂 與上述物質之混合物。
（七）請求項7：
如申請專利範圍第5 項所述之多層膜，其中該多層膜為一 覆蓋膜。
伍、原告所提引證之技術分析：
一、舉發證據2 （見乙證1 卷第58至60頁）為88年8 月17日公告 之US5 ,939,498「高模數聚醯亞胺摻合物（High modulus p olyimide blend）」專利案，其公告日早於系爭專利之最早 優先權日，故舉發證據2 可為系爭專利之先前技術。舉發證 據2 提供一種通過化學轉化製備的聚醯亞胺摻合物，其包含 25至50重量% 的第一聚醯亞胺以及50至75重量% 的第二聚醯 亞胺。第一聚醯亞胺是由90至100 莫耳% 的芳族二酐（例如 33,3 ' ,4,4 '-聯苯四羧酸二酐（3,3 ' ,4,4 '-bipheny l tetracarboxylic dianhydride ））與芳族二胺（例如對苯 二胺（p-phenylenediamine））衍生而成；第二聚醯亞胺是 由芳族二酐（例如均苯四酸二（pyromellitic dianhydride ））與50至80莫耳% 的芳族二胺（例如二氨基二苯醚（diam inodiphenylether））所衍生而成，該摻合物中並可進一步 包含碳黑等填料以調整其性質。該聚醯亞胺摻合物可應用於 製作具有高模數和低熱膨脹係數之覆膜，該覆膜可用於電子 元件（見舉發證據2 摘要、說明書第4 欄、請求項1 參照） 。
二、舉發證據4 （見乙證1 卷第51至55頁）為80年7 月9 日公告
之US5 ,031,017「複合光學遮蔽覆層（Composite optical shielding ）」專利案，其公告日早於系爭專利最早優先權 日，故舉發證據4 可為系爭專利之先前技術。舉發證據4 揭 示一種用於積體電路的不透明光學遮蔽覆層，其包括懸浮在 聚醯亞胺中的二氧化鈦的反射顆粒和炭黑的吸光顆粒。反射 粒子增加了穿過載體的光的有效路徑長度，因此僅需要低濃 度量之碳黑即能使光學遮蔽覆層呈不透明狀態，且低碳黑濃 度可以使其導電性不會損害積體電路等電子元件之運作。此 外，該遮蔽覆層還可保護積體電路免受污染。該遮蔽覆層可 為聚醯亞胺，並可藉由將特定比例之二氧化鈦和碳黑顆粒混 合到聚醯胺酸溶液中形成前驅溶液後，再以常規半導體加工 技術而形成圖案化薄膜（見舉發證據4 摘要、說明書第5 欄 、請求項1 至15參照）。
三、舉發證據5 （見乙證1 卷第48至50頁）為83年7 月12日公開 之日本特開平6-192446「潤滑性之聚醯亞胺膜的製造方法（ 易滑性ポリイミドフィルムの製造方法）」專利案，其公開 日早於系爭專利最早優先權日，故舉發證據5 可為系爭專利 之先前技術。舉發證據5 揭示了一種易滑性聚醯亞胺薄膜之 製造方法，其步驟包含：將芳族四羧酸二酐與脂肪族二胺在 有機極性溶劑中反應，製得聚醯胺溶液，再將其加熱沉澱出 聚醯亞胺微粒；在聚醯亞胺微粒存在之情況下，使芳族四羧 酸二酐與脂肪族二胺在有機極性溶劑中反應，以製備包含聚 醯亞胺微粒的聚醯胺酸溶液；將該溶液成膜並醯亞胺化，從 而得到分散有聚醯亞胺微粒的聚醯亞胺膜。該方法可採適於 工業生產之方式製作聚醯亞胺薄膜，該聚醯亞胺薄膜仍保留 聚醯亞胺薄膜固有的性能和外觀，不含雜質並且表面滑動性 和表面粘附性極佳，可理想地應用於撓性印刷電路板等之電 子元件（見舉發證據5 摘要、說明書段落第[ 0008] 至[ 00 24] 參照）。
四、舉發證據6 （見乙證1 卷第43至47頁）為93年9 月21日公告 之US6 ,794,031B2「覆蓋膜及使用其之印刷電路板（Cover- lay film and printed circuit board having the same） 」專利案，其公告日早於系爭專利最早優先權日，故舉發證 據6 可為系爭專利之先前技術。舉發證據6 揭示一種包括耐 熱膜和黏著層之覆蓋膜，該耐熱膜主要由聚醯亞胺形成；該 黏著層由環氧樹脂組合物形成，該組合物之成分包含（a ） 環氧樹脂、（b ）固化劑、（c ）含酚羥基之聚醯胺- 聚（ 丁二烯- 丙烯腈）共聚物和（d ）離子捕捉劑等，且固化後 的玻璃化轉變溫度為80℃以上。其中，該耐熱膜之聚醯亞胺 可為由3,3 ' ,4,4 '- 聯苯四羧酸二酐和對苯二胺等組分反
應而成；該黏著層之環氧樹脂可包含雙酚A 等成分（見舉發 證據6摘要、說明書第2 欄參照）。
五、舉發證據7 （見乙證1 卷第39至42頁）為85年1 月23日公開 之日本特開平8-20721 「聚醯亞胺薄膜及其製造方法（ポリ イミドフィルム及びその製造方法）」專利案，其公開日早 於系爭專利最早優先權日，故舉發證據7 可為系爭專利之先 前技術。舉發證據7 揭示一種聚醯亞胺薄膜及其製造方法， 該方法藉由混合特定結構的聚醯亞胺微粒，以製得表面具有 微細凸起、表面潤滑性、耐熱性極佳之聚醯亞胺膜，並適用 於撓性印刷電路板等元件。其中，該聚醯亞胺膜之組成可包 含5 至20wt% 的聚醯亞胺微粒；該聚醯亞胺可由芳族二酐、 芳族二胺等成分於催化劑與脫水劑存在之情況下反應製成（ 見舉發證據7 摘要、說明書段落第[ 0011 ]至[ 0028] 參照 ）。
六、甲證3 （見本案卷一第89至216 頁）為96年8 月1 日公開之 CN101010603A「光學薄膜和抗反射薄膜的生產方法，光學薄 膜、抗反射薄膜、偏振片以及包含它們的圖像顯示裝置」專 利案，其公開日早於系爭專利最早優先權日，故甲證3 可為 系爭專利之先前技術。甲證3 揭示一種在透明基板上製造包 括至少兩個電離輻射固化層光學薄膜之方法，該方法之步驟
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