1智慧財產法院行政判決
2108年度行專更（一）字第2號
3
4原告美商奈平科技股份有限公司
5
6
7代表人H.CarolBernstein
8
9訴訟代理人陳翠華專利師（兼送達代收人）
10
11
12訴訟代理人陳群顯律師
13被告經濟部智慧財產局
14
15
16代表人洪淑敏（局長）住同上
17訴訟代理人薛惠澤
18參加人羅門哈斯研磨材料控股公司
19
20
21代表人BlakeT.Biederman
22
23訴訟代理人黃麗蓉律師
24馮達發律師
25複代理人李彥群律師
26上列當事人間因發明專利舉發事件，原告不服經濟部中華民國106
27年3月31日經訴字第10606302920號訴願決定，提起行政訴訟，
11經本院於中華民國107年4月12日以106年度行專訴字第39號
2行政判決，原告不服，提起上訴，嗣經最高行政法院於108年5
3月24日以108年度判字第250號判決將原判決廢棄，發回本院，
4本院更為判決如下：
5主文
6訴願決定及原處分關於「請求項3至4舉發不成立」之部分均撤7銷。
8被告就發明第176078號「化學機械平面化之拋光襯墊」專利舉發9事件（案號：000000000N02），應為「請求項3至4舉發成立，10應予撤銷」之處分。
11訴訟費用由被告負擔。
12事實及理由
13壹、事實概要︰
14參加人於民國（下同）90年5月25日以「化學機械平面化之15拋光襯墊」向被告申請發明專利（申請專利範圍共10項，第161、8項為獨立項，其餘為附屬項），並以西元2000年5月1727日申請之美國第60/207,938號專利案及2000年7月28日18申請之美國第60/222,099號專利案主張優先權，經被告編為第1990112660號審查後，於92年3月5日核准專利，並於92年420月21日公告發給第528646號專利證書（註冊號為第17607821號，下稱系爭專利）。嗣原告於101年4月27日以系爭專利22違反90年10月24日修正公布、90年10月26日施行之專利23法（下稱90年專利法）第20條第1項第1款、第2項及第2471條第3款之規定，而對之提起舉發。參加人乃於103年225月14日提出申請專利範圍更正本，經被告審查，於105年1026月28日以（105）智專三（三）05048字第10521337420號專27利舉發審定書為「103年2月14日之更正事項，准予更正。
21請求項1至2、5至7舉發成立，應予撤銷。請求項3至4舉2發不成立」之處分（下稱原處分）。原告不服其中關於「1033年2月14日之更正事項，准予更正」及「請求項3至4舉發4不成立」部分之處分，提起訴願，經決定駁回，原告仍未甘服5，遂向本院提起行政訴訟。經本院依職權命參加人獨立參加本6件被告之訴訟，並以106年度行專訴字第39號（下稱前審）7判決駁回原告之訴，原告不服提起上訴，經最高行政法院1088年度判字第250號判決廢棄發回本院更審。9貳、原告之主張：
10一、更原證7號可與更原證6號相互勾稽，而證明更原證6號所11載之IC1000拋光墊等實驗數據在2000年4月27日已公開：12更原證7號E7.3簡報場次之標題、發表者、分析之IC100013及SUBAIV拋光墊產品，與更原證6號完全一致，內容亦充14分吻合，故更原證7號之2000年4月27日研討會議程資料可15與更原證6號研討會簡報資料相互勾稽，而可證明更原證6號16公開於2000年4月27日，早於系爭專利之最早優先權日172000年5月27日，具有證據能力（辯論意旨狀第5頁）。縱18使考量更參證1號（然原告並不同意），系爭專利之發明所屬19技術領域具通常知識者基於先前技術、更參證1號第11頁內20容、與更原證7號之相互勾稽，可確認於更參證1號「智勝科21技版簡報」中，材質較為堅硬之拋光襯墊「A」為IC1000，22材質則較具撓性之拋光襯墊「B」則為SUBAIV，更參證123號之內容與更原證6號實質相同，前述形式上差異，無損於更24原證6號所載之IC1000拋光墊等實驗數據於2000年4月27
25日研討會公開之事實。
26二、更原證6號與更原證7號並無專利法第81條之適用：27本件最高行政法108年度判字第250號判決發回意旨明確指出
31本院前審判決「僅憑前案確定判決（即本院98年度行專訴字2第67號判決）即認定本案證據6（即更原證6號）不得作為3系爭專利之先前技術，即有認定事實未憑證據之違法」，則參4加人再徒執本院前案確定判決（即本院98年度行專訴字第675號判決），主張更原證6號已遭認定不具證據能力而告確定云6云，依據行政訴訟法第260條第3項之規定，本院自應依據最7高行政法院發回理由之法律上判斷為判決基礎，詳予審究更原8證6號是否得與更原證7號相互勾稽而證明更原證6號之公9開日期早於系爭專利優先權日乙節加以判斷，更原證6號與更10原證7號並無專利法第81條一事不再理之適用。11三、系爭專利發明所屬技術領域具通常知識者可清楚瞭解，更原12證6號第7頁圖式之縱軸所示儲存模數，為系爭專利說明書13及請求項3所界定之張力模數E'：
14更原證6號第6頁已明確記載其實驗條件（「Experimental15Conditions」），顯示係以拉伸（tension）模式、1Hz（「16Tension:1Hz」）的條件來進行量測。依系爭專利說明書第1711頁第1行所提ASTMD4092-90（更審附件1號）之定義，18在聚合物之動態機械性質量測所使用的技術用語中，E'與G'皆19為「儲存模數（storagemodulus）」，其中，透過剪力（shear20）模式所量測之模數為G'，透過拉伸（tension）模式所量測21之模數則為E'。此即，E'與G'雖皆為「儲存模數（storage22modulus）」，但係以不同模式所量測得到之數值，以拉伸（23tension）模式所量得之儲存模數的數值為E'，即系爭專利之24張力模數（或稱「張力儲存模數」），以剪力（shear）模式25所量得之儲存模數的數值則為G'，為更原證4號所揭露之剪26力模數（或稱「剪力儲存模數」）。E'與G'之間則存在揭露於27更原證5號且為參加人所確認之關係E'=2（1+μ）G'。基於
41更原證6號第6頁關於量測條件之記載，更原證6號第7頁2圖式之縱軸所顯示的儲存模數必定為張力儲存模數E'。3更原證14號亦清楚記載，其實驗條件係以拉伸（tension）模4式、1Hz的量測條件進行者。更原證14號所量測之storage5modulus為張力模數，其圖1結果與更原證6號第7頁圖式結6果一致，其中縱軸之「Storagemodulus」為張力模數，為系爭7專利之說明書與申請專利範圍所界定且用以計算KEL值之E'8。
9綜上，更原證6號第7頁圖式之縱軸所顯示之儲存模數必定10為張力儲存模數（或稱「張力模數」），為系爭專利說明書及11申請專利範圍所界定之用以計算KEL值之E'。12四、熟習此項技術者可由更原證4號及更原證5號之組合得知13IC1000拋光墊在40℃的張力模數值，更原證4號與更原證514號之組合可證明系爭專利請求項3不具進步性：15系爭專利請求項3係依附於請求項1之附屬項，進一步界定16「該拋光層具有一在40℃時約為150到2,000MPa的張力模數17」。
18本院106年行專訴字第34號判決已清楚認定「證據10（即本19件更原證4號）與證據11（即本件更原證5號）之組合，可20以證明更正後請求項1不具進步性」，前述認定並經最高行21政法院108年度判字第249號判決駁回上訴而確定。本院10622年行專訴字第34號判決更已認定「熟悉該項技術者經參酌證23據10及11（即更原證4及5號）可以理解，由於證據10明24確揭露可利用黏彈性材料之原理進行量測及估算，並假設μ為250.5，而證據11明確揭露當μ＝0.5時，E＝3G」以及「熟習26該項技術者就被證10所揭示之G'值，參酌上述該領域申請前27的通常知識，可以換算出得到E'值」，前述認定，亦經最高
51行政法院駁回上訴而確定。因此，熟習此項技術者經參酌更原2證4號及更原證5號可以理解E＝3G而得基於G'值算出得到3E'值之結果。
4另更原證4號圖4已清楚揭示IC1000拋光墊在30℃至90℃之5溫度範圍區間的G'值，顯示IC1000拋光墊在40℃時的G'值依6量測頻率分別為約70MPa（0.5Hz）與約75MPa（1.0Hz）。7從而，熟習此項技術者經參酌更原證4號及更原證5號可以8理解E＝3G而得基於G'值算出得到E'值之結果，當然可以算9出IC1000拋光墊在40℃時的E'值（張力模數值），依量測頻10率分別為約210MPa（0.5Hz）與約225MPa（1.0Hz），均落11入系爭專利請求項3所進一步界定之「約150到2,000MPa」12範圍。
13綜上，於系爭專利優先權日以前揭露於更原證4號的IC100014拋光墊具有系爭專利請求項3之拋光襯墊的全部技術特徵，15更原證4號與更原證5號之組合不僅可以證明系爭專利請求16項1不具進步性，亦可證明系爭專利請求項3不具進步性。17五、熟習此項技術者可由更原證6號得知IC1000拋光墊在30℃與1890℃之E'比值以及在40℃的張力模數值與KEL值，更原證419號、更原證5號、與更原證6號（更原證7號、更原證14號20補強證據併參）之組合可證明系爭專利請求項3及4不具進
21步性：
22系爭專利請求項3係依附於請求項1之附屬項，進一步界定23請求項1所請具有拋光層之拋光墊，「該拋光層具有一在4024℃時約為150到2,000MPa的張力模數」，該張力模數E'技術25特徵並無量測頻率之限制。此即，請求項3之範圍乃涵蓋以26任何頻率量測而數值為「約150到2,000MPa」的張力模數E'27值。至於系爭專利請求項4，其亦依附於請求項1，進一步
61界定「該拋光層具有一約為100到1000（1/Pa在40℃時）之2KEL」，同樣地，該KEL技術特徵亦無量測頻率之限制而涵3蓋以任何頻率量測之數值為「約為100到1000（1/Pa在40℃4時）」的KEL值。
5更原證4號與更原證5號之組合，可以證明系爭專利請求項16不具進步性，其中，由更原證4號圖4可以看出，相同拋光7墊在不同頻率下所量測之儲存模數E'，其30℃與90℃之數值8的比值，不會因為頻率的差異而有實質上的不同，此於9IC1000或SubaIV皆然；尤其，由於頻率1.6Hz與1Hz之差10異極小，故當IC1000於1Hz下、在30℃和90℃時所量測之11E'的比值落入系爭專利請求項1所界定之1至3.6間的範圍內12時，可以當然推測IC1000於頻率1.6Hz下、在30℃和90℃所13量測之E'的比值亦必然落入1至3.6間的範圍內。14由更原證6號第7頁所示之曲線圖可知，該IC1000拋光墊以151.0Hz量測在30℃與90℃之E'比值為約3.1，落入1至3.6之16間。由於頻率1.6Hz與1.0Hz之差異極小，可以當然推測該17IC1000拋光墊以1.6Hz量測在30℃與90℃之E'比值亦必然落18入1至3.6之間。另由更原證6號第7頁之曲線圖亦可換算得19到，該IC1000拋光墊在40℃之E'值為約310MPa，在40℃20之KEL值為約290（1/Pa）。因此，更原證6號所揭露21IC1000拋光墊係具有系爭專利請求項1之E'比值技術特徵、22請求項3進一步界定之張力模數值技術特徵、以及請求項423進一步界定之KEL值技術特徵，更原證4號、更原證5號、24與更原證6號之組合可證明系爭專利請求項3及4不具進步25性。
26對於系爭專利請求項1界定之E'比值技術特徵，系爭專利之27說明書並無任何對於功效增進之說明或足以支持功效之實施例
71、數據等之記載，且對於為何以10弳度／秒（即1.6Hz）之2頻率進行量測亦無任何說明，根本無從認定系爭專利請求項13拋光墊有何異於既有之技術或知識的功效。因此，更原證64號（更原證7號、更原證14號補強證據併參）可證明系爭專
5利請求項1不具進步性，則由於更原證6號所揭露IC1000拋6光墊更具有系爭專利請求項3進一步界定之張力模數值技術7特徵、以及請求項4進一步界定之KEL值技術特徵，更原證84號、更原證5號、與更原證6號之組合（更原證7號、更原9證14號補強證據併參）當然可以證明系爭專利請求項3及410不具進步性。
11綜上，熟習此項技術者可由更原證6號得知IC1000拋光墊在1230℃與90℃之E'值的比值（即E'比值）以及在40℃的張力模13數E'值與KEL值，更原證6號所揭露IC1000拋光墊具有系爭14專利請求項1、3、4之拋光襯墊的全部技術特徵，更原證415號、更原證5號與更原證6號之組合，可以證明系爭專利請16求項3及4不具進步性。
17六、並聲明：1.訴願決定及原處分關於「請求項3至4舉發不成立18」之部分均撤銷。2.被告就發明第176078號「化學機械平面19化之拋光襯墊」專利，應再作成「請求項3至4舉發成立，20應予撤銷」之處分。3.訴訟費用由被告負擔。21參、被告之答辯：
22一、本案證據37（即更原證7號）與證據5（即更原證14號）可23互相勾稽，證明證據5之公開日期早於系爭專利優先權日，24惟證據37與證據6（即更原證6號）無法互相勾稽，尚難證25明證據6之公開日期早於系爭專利優先權日：26更原證14號與更原證7號之主辦單位均為「Materials27ResearchSociety」，場次均為「SYMPOSIUME7.3」，作者
81均為「IreneLi等人」，因此更原證14號與更原證7號可相互2勾稽，更原證14之公開日期即為更原證7之2000年4月263至27日，早於系爭專利之優先權日（2000年5月27日及42000年7月28日）。
5更原證6之簡報資料並未記載任何日期，其標題為「6MechanisticAspectsoftheRelationshipBetweenCMP7ConsumablesandPolishingCharacteristics」，作者為「IreneLi8等人」，與更原證7第116頁之E7.3場次之標題與作者均相9同。惟在最高行政法院100年度判字第2223號判決乙案中，10該案舉發人提出之簡報內容，列為證據2-5（參見本件參加人11行政訴訟更審參加補充答辯狀之更參證1），該簡報之內容12與頁數與本案更原證6之簡報內容相同，差別在於更原證613明確標定其拋光墊為IC1000或SUBAIV，上開案證據2-5（14更參證1）簡報以A與B代稱兩量測之拋光墊，則該簡報與15本案更原證6簡報在外觀上即有不同，卻均指稱為該研討會16之簡報內容，是以，本件更原證6尚無法與更原證7號相互
17勾稽，而能認定證據6之公開日期。
18二、熟習該項技術者依證據10（即更原證4號）所揭示之G'值、19證據11（即更原證5號）所揭露之公式及相關技術內容，無20法換算推論得知IC1000光墊在40℃的張力模數之絕對數值：21更原證4號第602頁之2.1指出G'為動態剪切模數（22dynamicsshearstress），為頻率之函數，係用動態機械分析（23DMA）量測，在設定之頻率旋轉下量測之數值。又系爭專利24說明書第9頁第19至24行即指出「拋光作用為一動態過程且25不可能利用靜態參數來充分定義」，因此E'為儲存模數，係26在DMA所量測之彈性應力對形變之比例，更原證4號所揭示27之G'亦為在DMA所量測之剪切模數數值，可依據更原證5
91號所揭露之公式換算其E'值。但系爭專利、更原證4號或更2原證5號中均未指出，張力模數（E）與儲存模數（E'）或3動態剪切模數（G'）之對應關係，因此，由更原證4號、更4原證5號所揭示之儲存模數（E'）或動態剪切模數（G'）並5無法換算推論得知IC1000光墊在40℃的張力模數之絕對數值6。
7三、證據6（即更原證6號）所記載之儲存模數（StorageModulus8）究係張力儲存模數或剪力儲存模數？由更原證6號所揭露9之技術內容，究可否得知ICl000拋光墊在40℃之張力模數，10並進而推算其KEL？又所稱「實際實驗參數條件」為何？熟11習該項技術者，參酌更原證4號、更原證5號可否輕易得知12？
13系爭專利說明書第10頁第1段所載：「黏彈性材質展現黏性14和彈性兩種行為來回應一外加形變，所產生之應力訊號可被分15離成兩種成份：一種與形變相位一致之彈性應力，以及一種與16形變率相位一致但與形變相位差90度之黏度應力，彈性應力17係一種材質其行為如一彈性固體之程度的測量，而黏度應力則18為該材質其行為如一彈性固體之程度的測量，彈性及黏度應力19係透過應力對形變之比例（此比例可被定義為模數）而與材質20性質形成關聯，因此，彈性應力對形變之比例為儲存（或彈性21）模數而黏度應力對形變之比例為損失（或黏度）模數。當以22拉伸或壓縮來進行試驗時，E'和E"分別指定為儲存和損失23模數」。因此E'係指儲存模數（Storagemodulus）為彈性應24力對形變之比例，為一種張力儲存模式，E"係指損失模數（25Lossmodulus）為黏度應力對形變之比例，為一種剪切損失模26數。
27更原證6號尚無法與更原證7號相互勾稽，無法認定更原證6
101號之公開日期，已如前所述。由更原證14號之E7.3.1頁介紹2之第2、3段可知其係使用E7.3.2頁第1段之內容可知G'為3儲存模數（Storagemodulus），是直接量測物質之彈性特質並4且審度該物質之回復或儲存的能力，與系爭專利定義之儲存模5數（Storagemodulus）相同，因此更原證14號之儲存模數G'6（StorageModulus）為張力儲存模數。因此更原證14號（或7更原證6號）所揭示之儲存模數（StorageModulus）G'，為8ICl000拋光墊在動態機械分析儀（DMA）實際實驗參數條件9為預先將拋光墊泡在研磨液24小時後，在特定的頻率下（101Hz）量測所得，更原證14號或更原證6號自然無法進一步11推論得知ICl000拋光墊在40℃之張力模數之絕對數值。12至於KEL值為E'與E"及tanδ之函數，由於更原證6號之13公開日期尚無法確定，因此原告主張由更原證6號所揭露之14內容即無法得知ICl000拋光墊在40℃之張力模數，並進而推15算其KEL之數值。
16四、並聲明：1.原告之訴駁回；2.訴訟費用由原告負擔。17肆、參加人之陳述：
18一、更原證6與更原證7不具證據能力：
19針對系爭專利，被告另案於102年7月18日（102）智專三20（三）06022字第10220944920號舉發審定書認定：「依智慧21財產法院98年度行專訴字第67號判決，引證一（含引證1-122至1-13）並不具證據能力」。其中，該引證1-4即為更原證723，該引證1-5即為更原證6。該案舉發人該案舉發人智勝科技24股份有限公司（下稱智勝科技）未提起行政救濟，故前開舉發25審定書因而確定。本案更原證6與更原證7既遭認定不具證26據能力確定，依專利法第81條第1款規定，原告自不得再據27此兩證據以否定系爭專利之有效性。
111二、更原證6應屬偽作：
2在最高行政法院100年度判字第2223號判決乙案中，該案舉3發人智勝科技在95年4月18日提起該舉發案時，即提出某簡4報，並列為證據2-5（請見更參證1號，進入行政訴訟後，該5證據改列為引證1-5，下稱「智勝科技版簡報」）。細觀「智6勝科技版簡報」可知，其並未標定其量測之拋光墊名稱，而僅7以A與B代稱之（更參證1號第3、7、9頁）。復遍觀最高8行政法院100年度判字第2223號判決乙案，自舉發階段至最9高行政法院審理階段，智勝科技所提出之「智勝科技版簡報」10，均是以A與B代稱兩量測之拋光墊。惟在本案中，原告於11101年4月27日提起本件舉發案時，所提出更原證6，內容12與頁數與「智勝科技版簡報」相同，但更原證6則是明確標定
13其拋光墊為IC1000或SUBAIV（更原證6號第3、7、9頁）14，而與「智勝科技版簡報」有異。參酌原告是在101年4月1527日提出本案更原證6，不僅晚於「智勝科技版簡報」（9516年4月18日提出），更晚於最高行政法院100年度判字第172223號判決（100年12月22日），故本案更原證6應是臨訟18製作甚明。
19三、更原證6與更原證7實無從相互勾稽以證明更原證6公開日20早於系爭專利優先權日：
21更原證6並未記載任何日期，且遍查更原證6內容，俱無更原22證7所提及之「MSW2000,Klebosol1498,Klebosol1501」等各23式研磨漿、「DMF,DMSO」等有機溶劑。尤其是，更原證724所載該場次之重要發現，即流體吸收、硬度變化與pH值有關25，更原證6更是完全未提及。是以，更原證6既無記載更原證267該E7.3場次所表明之核心內容，則兩者自無從相互勾稽，27以證明更原證6之公開日期早於系爭專利優先權日。
121四、原告援引更原證4所測拋光墊之物理性質，以主張系爭專利2請求項3與4欠缺進步性云云，惟此前提應建立在該拋光墊3之實際物理性質之上，而非該拋光墊之假設物理性質之上：4最高行政法院100年度判字第2223號判決（更審前卷參證25號）及本院98年度行專訴字第67號行政判決（更審前卷參證61號）認定：蒲松比並非定值，而本案舉發證據10（即本件更7原證4）所揭示者僅是「假設蒲松比為0.5」，鑑於90年專8利法用以判斷發明是否具備發明要件，須是以先前技術或知識9所確實揭示之內容，並不包含「假設」，乃認定不得以本案更10原證4之「假設內容」與本案更原證5結合，以否定系爭專利11有效性。是以，更原證4所測拋光墊之物理性質，是否足以否12定系爭專利有效性？其判斷基礎應是建立在該拋光墊之實際物13理性質之上，而非該拋光墊之假設物理性質之上。14五、對照更原證4圖1，更原證4圖4是否正確，並非無疑：15由更原證4圖1可知，隨著樣品浸於水中時間越長，G'剪應力16模數越低。並且，依該圖所呈現趨勢，樣品浸於水中800分鐘17後，在1.0Hz頻率下量測，G'剪應力模數介於105至100MPa18之間。則將樣品浸於水中24小時，亦即1440分鐘後，在191.0Hz頻率下，其G'剪應力模數應遠低於100MPa。而觀之更20原證4圖4曲線變化趨勢可知，當樣品浸於水中24小時後，21在25℃下之G'剪應力模數應高於30℃之G'剪應力模數，且在221.0Hz頻率下，其量測之IC1000拋光墊之G'剪應力模數應約23在100MPa。然此結果，顯與更原證4圖1有所衝突（承前24所述，G'剪應力模數應遠低於100MPa）。更原證4圖4為樣
25品含水量變動下所得之量測結果，則其圖示及更原證4對應內26文敘述之正確性，實有疑義；且其攝氏30度與攝氏90度之數27值，係在樣本含水量不同所量測之結果，則自無從以論斷該量
131測拋光墊之E'（30℃）/E'（90℃）比例。2六、更原證4、5之組合，無法證明系爭專利請求項3不具進步性3：
4國立臺灣大學工學院院長陳文章教授表示：依系爭專利優先權5日當時科學文獻，對於類似更原證6所測之兩拋光墊具有孔6洞之聚氨酯發泡材料，其蒲松比值為負值，可能範圍為負17至0.5（請見更審前卷參證11號）。故而，更原證4所測之8兩拋光墊既屬於具有孔洞結構之聚氨酯發泡材料，且為原告所9不否認，則其蒲松比值即應為負值。
10由原告自行量測之拋光墊物理性質，益見更原證4所量測拋11光墊之蒲松比值，不是定值，且應是「負值」：12原告舉發階段所提舉發證據8，係原告宣稱為其自行取得並13分析SUBAIV拋光墊之結果簡報（惟，參加人否認其為本14案更原證4所測試之SUBAIV拋光墊，請參更審前卷參加15人行政訴訟答辯狀第24頁第2點）。依該簡報可知，該16SUBAIV拋光墊蒲松比值介於-0.34至-0.29，而其在40℃17之蒲松比值平均約為-0.31。原告在本院100年度民專訴字18第134號民事判決乙案曾提出被證14，並宣稱被證14為其19自行取得並分析IC1000拋光墊之結果簡報（惟參加人否認20其為本案舉發證據10所測試之IC1000拋光墊）。依該簡21報第5頁可知，該IC1000拋光墊蒲松比值在30℃為-0.16522，在40℃為-0.165（見更參證2號）。23準此，若依原告前開自行量測結果而得之蒲松比值，分別代24入更原證4圖4，並以更原證5公式E=2（1+μ）G計算25，該兩拋光墊在1Hz、40℃下之E'張力模數，分別約為12526MPa、62MPa，並不在系爭專利請求項3所界定之150至272000MPa範圍內。由此以觀，更原證4與更原證5均無從
141否定系爭專利請求項3、4之進步性。
2七、更原證4、5、6之組合，無法證明系爭專利請求項3不具進3步性：
4在原告提出更原證6之前，另有「智勝科技版簡報」，且其5上僅標示其檢測之拋光墊為「A」或「B」，故更原證6顯然6應是由「智勝科技版簡報」所改寫而成，亦即將「A」與「B7」，改成「IC1000」與「SUBAIV」，惟拋光墊「A」與「8B」是否即是「IC1000」與「SUBAIV」？並無證據證明之
9。再者，更原證6第7頁圖表縱軸，僅標示「StorageModulus10」。但是，E'是TensileStorageModulus，G'是ShearStorage11Modulus，兩者均是StorageModulus。則更原證6第7頁圖表12縱軸所標示之「StorageModulus」，究指何者？更原證6第713頁關於兩條G'曲線，並未標示其對應之拋光墊，因此無法判14定哪一條是IC1000拋光墊？哪一條是SUBAIV拋光墊？從而15，熟悉此項技術者實無從確認該IC1000拋光墊與該SUBAIV16拋光墊在攝氏40度時之G'值，遑論其E'值。17「IC1000」僅是一商品名稱，「SUBAIV」亦僅是一商品名18稱，在欠缺證據證明更原證4所測試之IC1000拋光墊與19SUBAIV拋光墊，分別與更原證6所測試之IC1000拋光墊與20SUBAIV拋光墊具有相同物理性質之情形下，熟悉此項技術21者實難組合之。尤其，對照更原證4與更原證6之圖表與數22據可知，更原證4所測試之IC1000拋光墊與SUBAIV拋光23墊，與更原證6所測試之IC1000拋光墊與SUBAIV拋光墊24，具有不相同物理性質。熟悉此項技術者，雖經由更原證425而可獲悉更原證4所測試拋光墊，具有特定E'（30)/E'（90）26比值，與經由更原證6而可獲悉更原證6所測試具有特定E27’值之拋光墊，然此畢竟分屬兩種拋光墊，實無從據此以輕易
151完成一拋光墊，具有更原證4拋光墊之特定E'（30）/E'（90)2比值，以及更原證6拋光墊之特定E’值。是以，熟悉此項3技術者無從組合更原證4與更原證6。更無從組合原證4、54、6，以輕易完成系爭專利請求項3之發明。是故，原證4、55、6之組合，不足以證明系爭專利請求項3不具進步性。6八、更原證4、5、6之組合，無法證明系爭專利請求項4不具進7步性：
8系爭專利說明書第11頁能量損失因子公式KEL=tanδ*1012/[2
9E'*（+tanδ）]，係漏繕「1」，而此無礙熟悉此項技術者10可對於系爭專利請求項4之正確解釋，並認知完整公式為2
11KEL=tanδ×1012/[E'×（1+tanδ）]。12更原證6內容不明確，尤其更原證6第7頁關於兩條G'曲線13，並未標示其對應之拋光墊，因此無法判定哪一條是IC100014拋光墊？哪一條是SUBAIV拋光墊？從而，無從確認該15IC1000拋光墊與該SUBAIV拋光墊在攝氏40度時之G'值，16遑論其E'值，而KEL值當然亦無從得知。故，縱使組合更原17證4、5、6，亦無法證明系爭專利請求項4不具進步性。18在欠缺證據證明更原證4所測試之IC1000拋光墊與SUBA
19IV拋光墊，分別與更原證6所測試之IC1000拋光墊與20SUBAIV拋光墊具有相同物理性質。且對照更原證4與更原證216之圖表與數據可知，更原證4所測試之IC1000拋光墊與22SUBAIV拋光墊，與更原證6所測試之IC1000拋光墊與23SUBAIV拋光墊，具有不相同物理性質。則熟悉此項技術者24實難組合之。是以，更原證4、5、6之組合，不足以證明系25爭專利請求項4具有進步性。
26九、並聲明：1.原告之訴駁回；2.訴訟費用由原告負擔。27伍、本件爭點：（見本院卷二第387頁、第391頁）
161一、更原證6是否具證據能力？
2二、更原證4、5之組合是否可證明系爭專利請求項3不具進步性3？
4三、更原證4、5、6之組合是否可證明系爭專利請求項3不具進5步性？
6四、更原證4、5、6之組合是否可證明系爭專利請求項4不具進7步性？
8陸、得心證之理由：
9一、本件應適用之專利法：
10系爭專利申請日為90年5月25日，核准審定日為92年3月115日，其是否有應撤銷專利權之情事，自應以核准審定時所適12用之90年10月24日修正公布，90年10月26日施行之專利13法（下稱90年專利法）為斷。按凡利用自然法則之技術思想14之創作，而可供產業上利用者，得依法申請取得發明專利。又15按發明係運用申請前既有之技術或知識，而為熟習該項技術者16所能輕易完成時，雖無前項所列情事，仍不得依本法申請取得17發明專利，90年專利法第20條第1項、第2項定有明文。18二、系爭專利技術分析：
19系爭專利技術說明：
20系爭專利揭露一種用來拋光半導體元件或其先質之表面，以21及平面化半導體晶圓上之金屬波紋結構的襯墊和方法，該襯22墊之拋光層具有一在30℃到90℃為約1到3.6的E'比（摘23自發明摘要)。
24系爭專利所欲解決的技術問題：行波紋式拋光時在理想狀況25下，於拋光後導電性插頭和線路為完全平坦且在所有情況下26均為相等截面厚度，但實際上，橫跨金屬結構寬度各處的厚27度會發生明顯的差異，且表面中央通常較邊緣具有較小厚度
171，此種效應，普通稱之為「凹化作用」，通常是吾人所不要2的，因為導電性結構之截面積的變化會導致電阻的變化。凹
3化作用係因較硬之絕緣層（環繞較軟之金屬導體表面）以一4較金屬物件為慢之速率進行拋光而發生，因此，當絕緣區域5被拋光成平坦時，拋光襯墊易於磨蝕導體材料，主要從金屬6物件的中心，這反過來會損傷最終半導體元件的功能（參系7爭專利說明書第5、6頁）。
8系爭專利所欲達成的目的：在一示範性具體實施例中，本發9明之襯墊具有一種或一種以上之下列特質：諸如導線和插10頭之類之導電性表面物件的碟化作用為最小；達成橫跨整11個晶圓表面的晶粒水平平坦度；和／或諸如抓痕和光點瑕12疵之類的瑕疵度為最小，且不會對半導體元件之電氣功能產13生負面影響（參見說明書第8頁)。
14系爭專利申請專利範圍分析：
15系爭專利105年11月21日公告更正後申請專利範圍共10項16，其中請求項1、8為獨立項，其餘為附屬項。本件爭執者為17請求項3及4，係請求項1之附屬項，請求項1、3及4之內18容如下：
19一種用來平面化一半導體元件或其先質表面之拋光襯墊，該20襯墊之特徵為：一用來平面化該表面之拋光層，該層具有一21在10弳度/秒之頻率下利用動態機械分析法所測量之在3022℃到90℃時約為1到3.6的E'比。
, 台灣公司情報網
, 台灣公司情報網