智慧財產法院行政判決
108年度行專訴字第23號
原 告 楊秋忠
訴訟代理人 林明璇專利師
被 告 經濟部智慧財產局
代 表 人 洪淑敏（局長）住同上
訴訟代理人 黃本立
參 加 人 田志偉
上列當事人間因發明專利舉發事件，原告不服經濟部中華民國10
8年1月28日經訴字第10706314170 號訴願決定，提起行政訴訟，
並經本院裁定命參加人獨立參加被告之訴訟。本院判決如下：
主 文
一、原告之訴駁回。
二、訴訟費用由原告負擔。
事實及理由
壹、程序方面：
按言詞辯論期日，當事人之一造不到場者，倘無民事訴訟法 第386 條規定之不得一造辯論判決之事由，得依到場當事人 之聲請，由其一造辯論而為判決，行政訴訟法第218 條準用 民事訴訟法第385條第1 項前段、第386條定有明文。本件參 加人受合法通知，無正當理由未於言詞辯論期日到場，有其 個人基本資料及本院送達證書可稽（本院卷第192頁、第197 之1頁、第204 頁），核無民事訴訟法第386條各款所列情形 ，爰依原告及被告之聲請，由到場當事人辯論而為判決（本 院卷第210頁）。
貳、實體方面：
一、爭訟概要：
原告前於民國93年12月1 日以「具高效率散熱及亮度之晶片 」向被告申請發明專利，申請專利範圍共2項（後修正為1項 ），經被告編為第93136992號審查，准予專利，公告並經經 濟部以107年發給發明第I2858968 號專利證書（下稱系爭專 利）。之後參加人以該專利違反核准時專利法第22條第4 項 規定，不符發明專利要件，提起舉發，案經被告審查，以10
7年10日15日（107）智專三㈡04066字第10720959660號專利 舉發審定書為「請求項1 舉發成立，應予撤銷」之處分（下 稱原處分）。原告不服，提起訴願，經經濟部以108年1月28 日經訴字第10706314170 號決定駁回（下稱訴願決定），原 告不服，遂向本院提起行政訴訟。又本院認本件判決之結果 ，倘認訴願決定及原處分均應予撤銷，將影響參加人之權利 或法律上之利益，爰依職權命參加人獨立參加本件被告之訴 訟。
二、原告之主張要旨及聲明：
㈠系爭專利並無違反核准審定時專利法第22條第4項規定： ⒈系爭專利請求項1具有進步性：
⑴以系爭專利申請時的先前技術狀態，無論是封裝成SMD 形 式或以覆晶方式封裝，均顯示LED 晶粒須先與至少一個封 裝基板做結合，再透過於P、N電極上打線或植金、銀、錫 球的方式與封裝基板或支架做電性連接，連同整個封裝結 構一同接合至電路板（PCB ）。對照之下，系爭專利請求 項1僅藉由錫膏便可直接接合至PCB節省下相當多之製程步 驟與機器及用料成本，此為系爭專利之進步性。依2014年 11月5日台灣區電機電子工業同業公會第351期電子報「倒 裝晶片來臨加速LED 封裝革命」一文（本院卷第60頁）， 亦發表「最新出現的錫膏焊接工藝，較好的解決了倒裝晶 片工藝上的一些難點，極大提升了產品的可靠性與穩定性 ，這也引起了業界的高度關注」等內容，可知系爭專利於 申請時係突破性的技術，並領先於所屬技術領域同業，具 有極高的進步性。
⑵系爭專利請求項1 的主要特徵在於以相對程度用語「大面 積」界定出該導電導熱層與申請時先前技術之特徵差異。 依系爭專利說明書第7 頁第18至25行（本院卷第73頁）， 可知系爭專利請求項1 由說明書及圖式揭露之內容，可明 確支持對於LED 技術領域內之通常知識者，參酌當時之先 前技術狀態與系爭專利之說明書及圖式的教示，即可明白 該「大面積導電導熱層」係指：導電導熱層的面積佔晶粒 表面的比例夠大，大到足以可直接透過錫膏將未做任何封 裝之LED晶片（晶粒）連接至印刷電路板（PCB），從而免 去使用封裝基板及打線或植金、銀、錫球等製程，達成所 述之無須封裝即具有SMD 及覆晶功能之效果。據此，系爭 專利請求項1為一明確之結構特徵，LED技術領域內之通常 知識者當無不明瞭系爭專利請求項1 含意之理。「無須封 裝就具有SMD之功能」對請求項1具有明確的限定效果，故 原處分認為系爭專利請求項1未明確界定該晶片為SMD晶片
，實為不當解釋專利權範圍。
⒉證據2、3之組合無法證明系爭專利請求項1不具進步性： ⑴證據2 （如附圖二）具有封裝製程，且其所揭露可焊金屬 層（導電介面41）目的為在確保焊料能均勻濕化，使晶粒 不會傾斜，與系爭專利請求項1 所明確界定出的無須封裝 就具有SMD及覆晶LED功能的結構特徵完全不同。 ⑵證據3（如附圖三）係具有封裝製程的LED技術，其所述之 不須封裝，係指不須經過「樹脂封裝」，與系爭專利所指 之無須封裝，係無須經過「封裝基板及打線或植金、銀、 錫球等製程」完全不同。亦即僅排除樹脂封裝，仍具有其 他封裝製程，且其並無揭露大面積導電導熱層。退步言， 縱已揭露不須封裝，惟其係利用晶片的P電極8與N電極7金 屬凸塊與電路板電極接點15連接，與系爭專利不同。 ⑶如上，證據2、3 之發明均係應用於需進行封裝製程之LED 。因此，通常知識者無法超出證據2、3之的教示進行組合 或簡單改變而完成系爭專利請求項1 的發明，證據2、3之 組合無法證明系爭專利請求項1不具進步性。
⒊證據3、4之組合無法證明系爭專利請求項1不具進步性： ⑴系爭專利之大面積導電導熱層40、50是用以放大電極20、 30並大面積導熱（如附圖一），而證據4 （如附圖四）之 電極308a、308b係直接透過焊接材料312 連接至散熱承座 310之導電跡線314，且兩個電極308a、308b並無設置任何 大面積導電導熱層。
⑵證據4之發光二極體晶粒300需要封裝才可使用，而系爭專 利請求項1 所界定之具高效率散熱及亮度之晶片（相當於 證據4 之發光二極體晶粒300）無須封裝就具有SMD之功能 ，故可知證據4與系爭專利為完全不同之技術手段。 ⑶證據4之反射層306相對於電極308a所設置之位置，與系爭 專利之大面積導電導熱層（40, 50）完全不同，並無法使 其具有系爭專利之「無須封裝就具有SMD 功能」之特徵， 再者，在電極308b 處未有該反射層306，原處分認為反射 層306相當於系爭專利之大面積導電導熱層，顯然有誤。 ⑷如上，證據3、4皆無如同系爭專利之設置於P、N電極的大 面積導電導熱層，且皆須經過封裝才可於印刷電路板使用 。因此，通常知識者既無動機亦無法結合證據3、4之教示 而完成系爭專利之發明，故證據3、4之組合無法證明系爭 專利請求項1不具進步性。
⒋證據3、5之組合無法證明系爭專利請求項1不具進步性： ⑴證據5 （如附圖五）的覆晶型發光二極體晶粒16並無設置 導電導熱層，金屬層12、13為底座基板11的一部分而非晶
片的一部分，且該覆晶型發光二極體晶粒16需先與該底座 基板11相連接，再透過金屬層14及金屬層15與外部電路作 連結，可見該底座基板11為系爭專利所定義之封裝基板。 又證據5須經過封裝製程之後才具有SMD之功能，以及由於 額外的底座基板存在，其熱阻定較系爭專利為大，而系爭 專利之LED晶片無須封裝就具有SMD之功能，不需再與底座 基板連接而可直接連接至印刷電路板，其結構更利於散熱 。
⑵如上，證據3、5皆無如同系爭專利之大面積導電導熱層， 且皆須經過封裝才可於印刷電路板使用。因此，通常知識 者既無動機亦無法結合或簡單改變證據3、5之教示而完成 系爭專利之發明，故證據3、5之組合無法證明系爭專利請 求項1不具進步性。
⒌證據2、3、4、5之組合無法證明系爭專利請求項1 不具進 步性：
證據2、3、4、5固皆屬LED 技術領域，然證據2、3、4、5 皆需封裝，以散熱之角度而言，其熱阻必定較系爭專利為 高，通常知識者自無從結合證據2、3、4、5之教示而完成 系爭專利請求項1 之無須封裝就有SMD及覆晶LED功能之特 徵，系爭專利請求項1 相較證據2、3、4、5具有節省封裝 製程及高效率散熱之進步性。故證據2、3、4、5之組合無 法證明系爭專利請求項1不具進步性。
㈡聲明：訴願決定、原處分均撤銷（本院卷第13、170、210頁 ）。
三、被告之答辯要旨及聲明：
㈠系爭專利請求項1 記載「無需封裝就具有SMD及覆晶LED之功 能」，僅為進一步描述具有SMD及覆晶LED功能，未有其他文 字記載限定系爭專利請求項1該晶片為SMD晶片，而限縮專利 範圍。又系爭專利申請時之技術文件或相關網頁資訊，僅證 明系爭專利於申請時存在技術，至於申請時審查人員採認申 復理由，為審查人員同意申復理由所稱系爭專利與引證案間 「結構不同」，不能藉此做為解釋系爭專利請求項1 之範圍 。
㈡證據2、3之組合足以證明系爭專利請求項1不具進步性： ⒈證據2說明書第26頁第4至6行揭示「可焊金屬41係在該p電 極20及n 電極22金屬化上來圖樣化」；由圖6b顯示，導電 介面41與p電極20及n電極22相連接，由圖6a顯示導電介面 41具有大面積，故證據2 之「可焊金屬（導電介面）41」 已揭示系爭專利請求項1 之「該晶片P、N電極處各增設一 層與其連結之大面積導電導熱層」之技術特徵。
⒉證據3為一種裸晶式發光二極體，依說明書第7頁第2 行至 第12行記載「本創作發明裸晶式發光二極體，就是直接將 LED晶粒製作成SMD元件，不須經封裝製程即可使用，…即 覆晶型LED 晶粒變成SMD、LED元件，不須再經封裝製程， 即可以裸晶之SMD、LED型態可直接與其他線路板組合」， 以及第11頁第6行至第8行記載「本案發明屏棄了傳統觀念 ，LED 晶粒需經封裝才能使用，因本發明不須封裝，故製 程縮短、良率提高、成本也比較低，尤其採用金屬凸塊接 點所以散熱性較佳」，相當於系爭專利請求項1 中「藉由 其結構組成，達到減少被蝕刻發光層面積、增加亮度，大 面積具高效率散熱及增其反光面效果，無須封裝就具有SMD 及覆晶LED之功能，並減少封裝成本者」之技術特徵。 ⒊因證據2、3之結合已揭示系爭專利請求項1 全部技術特徵 ，證據2、3均屬「發光二極體」技術領域，且均具提升發 光效率及覆晶晶片散熱能力，具有技術領域關聯性及所欲 解決問題共通性，是以，證據2、3之組合足以證明系爭專 利請求項1不具進步性。
㈢證據3、4之組合足以證明系爭專利請求項1不具進步性： ⒈證據4為一種高功率白色發光二極體，說明書第8頁第7至8 行記載「第一接觸電極308a和第二接觸電極308b則是分別 配置在反射層306與發光二極體晶粒300的外側」，說明書 第9頁倒數第2行至第10頁第2行記載「反射層306，其材料 可以選用金屬鍍層或非金屬材料組合等。在本實施例中， 反射層306 之材料包括且有高反射率之金屬鍍層」，可知 證據4發光二極體結構，包括第一接觸電極30 8a配置在反 射層306；第二接觸層308b配置在發光二極體晶粒300的外 側；反射層306 之材料包括具有高反射率之金屬鍍層，且 證據4 結構，達到減少被蝕刻發光層面積、增加亮度，大 面積具高效率散熱及增其反光面效果，相當於系爭專利請 求項1 「該晶片P、N電極處各增設一層與其連結之大面積 導電導熱層；藉由其結構組成，達到減少被蝕刻發光層面 積、增加亮度，大面積具高效率散熱及增其反光面效果」 之技術特徵。
⒉證據3、4之結合已揭示系爭專利請求項1 全部技術特徵， 而證據3、4均屬「發光二極體」技術領域，且均具提升發 光效率及覆晶晶片散熱能力，具有技術領域關聯性及所欲 解決問題共通性，是以，證據3、4之組合足以證明系爭專 利請求項1不具進步性。
㈣證據3、5之組合足以證明系爭專利請求項1不具進步性： ⒈證據5 為一種具有透明基板覆晶型發光二極體晶粒的高度
發光二極體，說明書第7頁第3行至第8 行記載「金屬層12 及金屬層13分別與透明基板覆晶型發光二極體晶粒的P 極 與n 極接觸，而金屬層14及金屬層15則與外部電路相連結 。底座基板11除固定覆晶型發光二極體晶粒16外，尚具有 導通電流及協助覆晶型發光二極體晶粒16散熱的功能。因 此，底座基板11採用的材料必須具有尚導電率及尚導熱率 」，可知證據5 結構，達到減少被蝕刻發光層面積、增加 亮度，大面積具高效率散熱及增其反光面效果，相當於系 爭專利請求項1 「該晶片P、N電極處各增設一層與其連結 之大面積導電導熱層；藉由其結構組成，達到減少被蝕刻 發光層面積、增加亮度，大面積具高效率散熱及增其反光 面效果」之技術特徵。
⒉證據3、5之結合已揭示系爭專利請求項1 全部技術特徵， 證據3、5均屬「發光二極體」技術領域，且均具提升發光 效率及覆晶晶片散熱能力，具有技術領域關聯性及所欲解 決問題共通性，是以，證據3、5之組合足以證明系爭專利 請求項1不具進步性。
㈤證據2、3、4、5之組合足以證明系爭專利請求項1 不具進步 性：
原處分已詳載證據2、3、4、5已揭示系爭專利請求項1 全部 技術特徵之理由，且證據2、3、4、5均屬「發光二極體」技 術領域，且均具提升發光效率及覆晶晶片散熱能力，具有技 術領域關聯性及所欲解決問題共通性，是以，證據 2、3、4 、5之組合足以證明系爭專利請求項1不具進步性。 ㈥聲明：駁回原告之訴（本院卷第112、170、212頁）。四、參加人未於言詞辯論期日到場，亦未提出書狀作何聲明或陳 述。
五、本件爭點（本院卷第176至178頁）： ㈠證據2、3之組合是否足以證明系爭專利請求項1 不具進步性 ？
㈡證據3、4之組合是否足以證明系爭專利請求項1 不具進步性 ？
㈢證據3、5之組合是否足以證明系爭專利請求項1 不具進步性 ？
㈣證據2、3、4、5之組合是否足以證明系爭專利請求項1 不具 進步性？
六、本院判斷：
㈠應適用的法令：
按發明專利權得提起舉發之情事，依其核准審定時之規定， 專利法第71條第3 項本文有明文規定。本件系爭專利之申請
日為93年12月1日，核准審定日為96年6月22日，是系爭專利 應否撤銷，自應以審定時所適用之92年2月6日修正公布、93 年7月1日施行之專利法為斷。
㈡系爭專利技術分析：
⒈系爭專利技術內容：
⑴習用之晶片製成時，在N極、P極提供打線處之電極面積 （A）皆較大，明顯減少發光面積，且因散熱路徑長（L ），散熱導熱面積（S ）小，所以導熱不易，有高溫問 題。
⑵系爭專利乃提供一種LED 晶片，其係在P極（20）、N極 （30）處分別設有大面積導電材（40、50），並得以藉 由一般焊接錫膏（70）焊接於PCB 線路板（60）上，減 少蝕刻發光層，並藉由前述之大面積導電材（40、50） 可以增大散熱面積並具有反光面功能。
⒉系爭專利主要圖式：如附圖一所示。
⒊系爭專利申請專利範圍分析：
系爭專利申請專利範圍僅1項，內容如下：
一種具高效率散熱及亮度之晶片，其特徵在於： 該晶片P、N電極處各增設一層與其連結之大面積導電（導 熱）層；藉由其結構組成，達到減少被蝕刻發光層面積、 增加亮度，大面積具高效率散熱及增其反光面效果，無須 封裝就具有SMD及覆晶LED之功能，並減少封裝成本者。 ㈢舉發證據技術分析：
⒈證據2：
⑴證據2為2003年9月21日公告之我國第554549號「鋁鎵銦 氮覆晶發光二極體之高反射性歐姆接點」專利案，其公 告日早於系爭專利申請日（2004年12月1 日，下同）， 可為系爭專利之先前技術。
⑵證據2技術內容：
證據2 主要揭露一種具有高反射性歐姆接點的反向Ⅲ族 氮化物發光裝置（LED ），其包含有為不透明且高反射 性的N型及P 型電極，並提供良好的電流散佈。每個N型 及P型電極於該LED活性區域的尖峰放射波長下每次通過 係吸收小於25%的入射光線。
⑶證據2圖示如附圖二所示。
⒉證據3：
⑴證據3為2004年6月21日公告之我國第595015號「裸晶式 發光二極體」專利案，其公告日早於系爭專利申請日可 為系爭專利之相關先前技術。
⑵證據3技術內容：
證據3係將發光二極體（LED）晶粒直接製作成表面黏著 型（SMD）之結構，不須再經封裝製程即可使用，證據3 第6 圖揭露將裸晶式發光二極體（14）之電極（7、8） 利用迴焊爐加熱方式直接與PCB線路板（3）之電極接點 （15）相互接合。
⑶證據3圖示如附圖三所示。
⒊證據4：
⑴證據4 為2001年11月21日公告之我國第465123號「高功 率白色發光二極體」專利案，其公告日早於系爭專利申 請日，可為系爭專利之相關先前技術。
⑵證據4 技術內容：
證據4 揭露一種高功率白色發光二極體，具有發光二極 體晶粒（300）、透明基板（302）、透明歐姆電極（30 4）、反射層（306）、接觸電極（308a、308b），以及 覆有導電跡線（314）之散熱承座（310）等。晶粒（30 0）表面還覆有螢光膠體（320），用以吸收發光二極體 晶粒（300 ）產生之部份光線，並發出互補色之光線， 使觀察者所見為白色光。
⑶證據4圖示如附圖四所示。
⒋證據5：
⑴證據5 為2002年10月11日公告之我國第506145號「具有 透明基板覆晶式發光二極體晶粒的高亮度發光二極體」 專利案，其公告日早於系爭專利申請日，可為系爭專利 之相關先前技術。
⑵證據5技術內容：
證據5 揭露一種高亮度發光二極體，包括：一底座基板 （11）、一具有透明基板的覆晶型發光二極體晶粒（16 ）以及一覆蓋基板（17）。該覆蓋基板（17）中央區域 具有一孔，其係以傾斜側壁圍成。該覆晶型發光二極體 晶粒（16）容置於該中央區域的孔中。該底座基板（11 ）以一中置絕緣區域（19）分隔為兩部分，其係分別與 該覆晶型發光二極體晶粒（16）的兩電極連結。 ⑶證據5圖示如附圖五所示。
㈣技術爭點分析：
⒈按利用自然法則之技術思想之高度創作可供產業上利用者 ，得依法申請取得發明專利，為系爭專利核准時之專利法 第21條、第22條第1 項前段所明定。又發明專利如「為其 所屬技術領域中具有通常知識者依申請前之先前技術所能 輕易完成時」，仍不得取得發明專利，為系爭專利核准時 之專利法第22條第2 項所明定。對於獲准專利權之發明，
任何人認有違反前揭專利法之規定者，依同法第72條第 1 項規定，得附具證據，向專利專責機關舉發之。從而，系 爭專利有無違反前揭專利法之情事而應撤銷其專利權，依 法應由舉發人附具證據證明之，倘其證據足以證明系爭專 利請求項有違前揭專利法之規定，自應為舉發成立之處分 。又審查進步性時，應以引證文件中所揭露之技術內容為 準，包含形式上明確記載的內容及形式上雖然未記載但實 質上隱含的內容。所稱實質上隱含的內容，指該發明所屬 技術領域中具有通常知識者參酌申請時之通常知識，能直 接且無歧異得知的內容。引證文件中包含圖式者，圖式已 明確揭露之技術內容，亦屬引證文件有揭露者（最高行政 法院108年度判字第329號判決意旨參照）。 ⒉證據2、3之組合足以證明系爭專利請求項1不具進步性： ⑴比對系爭專利請求項1與證據2之技術內容： ①證據2圖6a、6b揭露一連接於次黏著基板（50）上之LED 晶片，該LED晶片包含P 型電極（20）與N型電極（22） ，且P型、N型電極（20、22）上設有一層導電介面（41 ），又依證據2說明書第21頁末行至22頁第1行記載「該 內連線係經由導電介面41、54來附著到該LED 及次黏著 。當焊料做為內連線時，該導電介面為可濕化金屬」（ 乙證1 卷第60頁），可知覆蓋於P型、N型電極（20、22 ）之導電介面（41）係金屬材質，且證據2 圖6a顯示導 電介面（41）具有大面積，故前述證據2 之技術內容已 揭示系爭專利請求項1 之「該晶片P、N電極處各增設一 層與其連結之大面積導電（導熱）層」之技術特徵。 ②至於系爭專利請求項1 之「藉由其結構組成，達到減少 被蝕刻發光層面積、增加亮度，大面積具高效率散熱及 增其反光面效果，無須封裝就具有SMD及覆晶LED之功能 ，並減少封裝成本者」之技術特徵，僅為功能性描述， 並未界定除了大面積導電層以外之結構特徵，況且依證 據2說明書第20頁第17至22行（乙證1卷第64頁背面）業 已說明圖6a、6b之LED 晶片係「…具有光線產生能力的 大面積的高功率LED…藉由降低由該p-n接面到該燈具封 裝的熱阻抗，而藉由使用高反射性歐姆接點來增加光線 擷取…」，可見證據2所揭露之LED亦具有增加亮度及增 加散熱效率等功效。
③是以，系爭專利請求項1之技術特徵既為證據2所揭露， 則所屬技術領域中具有通常知識者依證據2 之內容自可 輕易完成系爭專利請求項1 之發明，故證據2、3之組合 當足以證明系爭專利請求項1不具進步性。
⑵原告雖主張由證據2說明書內容，可知證據2之LED 晶粒所 連接之次黏著基板（50）即係封裝基板，並非如系爭專利 無須封裝就具有SMD（表面黏著）及覆晶LED功能，且證據 2所教示之內容是增大內連線（60）對P電極的覆蓋率，並 未揭露增加導電介面（41）面積等等（本院卷第21至25頁 ）。惟查：
①進步性之判斷，係以申請專利範圍所載之發明為準，而 系爭專利請求項1 所界定之晶片，僅有「晶片P、N電極 處各增設一層與其連結之大面積導電（導熱）層」為結 構特徵，其餘則記載「達到減少被蝕刻發光層面積、增 加亮度，大面積具高效率散熱及增其反光面效果」、「 無須封裝就具有SMD及覆晶LED」等功能性用語或目的， 並無任何關於該晶片是否直接與PCB 線路板相連接（無 需封裝基板），或如何與基板相連接（例如採用打線接 合、SMD 或覆晶）等限定條件，自難以之認定系爭專利 請求項1與證據2有何結構上之差異。
②況且，證據2圖6a、6b揭示之LED晶粒即係以表面黏著方 式連結於黏著基板（50）上；又證據2 說明書第21頁第 15至20行「該電極金屬化20、22經由內連線60連接到在 一次黏著基板50上的次黏著電極52。該內連線構成該LED 與該次黏著之間的電性連接，並提供了在運作期間由該 LED移除熱量的一熱性路徑」（乙證1卷第60頁）、同頁 末行至22頁第7 行「該內連線係經由導電介面41、54來 附著到該LED 及次黏著…最終的內連線厚度及面積係由 該焊料體積以及在該LED 上的可濕化金屬41及該次黏著 上的54來決定」，由上可知，證據2 之內連線（60）係 提供LED 移除熱量之路徑，而內連線厚度及面積則與可 濕化金屬（即導電介面41）相關，意即所屬技術領域中 具有通常知識者依證據2所教示之內容，如要提高LED之 散熱效果，當可調整或增加導電介面（41）或焊墊（54 ）之面積以達成其目的。
③此外，由證據3說明書第7頁第2至3行「本案創作發明裸 晶式發光二極體，就是直接將LED晶粒製作形成SMD元件 ，不須經封裝製程即可使用…」（乙證1 卷第34頁）， 及第6圖揭示裸晶LED（14）以覆晶及表面黏著方式直接 連接於PCB線路板（3），亦可知將LED 以覆晶及表面黏 著方式直接連接於PCB 線路板（無需封裝基板）均為系 爭專利申請前之習知技術，故尚難依此認定系爭專利請 求項1具進步性。
⑶原告固主張依其專利申請過程中之申復理由（甲證4第3、
4頁，本院卷第65、66頁），應將系爭專利請求項1之「大 面積導電（導熱）層」解釋為「較P、N電極面積為大之導 電（導熱）層」等等。惟按發明專利權範圍，以申請專利 範圍為準，而於解釋申請專利範圍時，並得審酌說明書及 圖式，專利法第56條第3 項定有明文。亦即解釋申請專利 範圍時，應以申請專利範圍內容為準，雖得參酌說明書、 圖式解釋其用語，惟不得將申請專利範圍中未界定但說明 書中已載明之限制條件予以不當讀入。而系爭專利說明書 第6 頁末行及前述申復理由中固然說明大面積導電材（40 ）、（50）具有「放大電極」之功效或目的，但申請專利 範圍中並未記載導電（導熱）層之「大面積」係指相對於 P、N電極為大，自不得逕自將之讀入系爭專利之範圍。故 原告主張系爭專利之大面積導電導熱層，應較P、N電極為 大，自屬無據。
⑷原告雖主張證據3 係不需「樹脂封裝」即可直接與其他線 路板接合，與系爭專利所指之「無需封裝」，係無須經過 「封裝基板及打線或植金、銀、錫球等製程」完全不同（ 本院卷第26至28頁）。惟查，系爭專利請求項1 並無任何 關於是否需「經過封裝基板及打線或植金、銀、錫球等製 程」之限定條件，而證據2已揭露系爭專利請求項1之結構 特徵，俱如前述，證據2即足以證明系爭專利請求項1不具 進步性。又縱使將原告所稱之「無須封裝」係指無須經過 「封裝基板及打線或植金、銀、錫球等製程」條件考慮在 內，依證據3第6 圖及說明書內容業已揭露將裸晶LED（14 ）連接於PCB線路板（3）上，且由證據3第6圖所示結構， 清楚可見LED 晶片（14）與PCB線路板（3）間並無任何封 裝基板存在，亦無打線或植金、銀、錫球，可見證據3第6 圖所揭露之LED 晶片結構即滿足原告所稱之「無須封裝」 技術特徵。
⑸原告另執甲證3之「倒裝晶片來臨加速LED封裝革命」報導 （本院卷第60頁）指出「錫膏焊接」解決了倒裝晶片工藝 上的一些難點，極大提升產品的可靠性與穩定性，可知系 爭專利於申請時係為突破性之技術，具有極高之進步性（ 本院卷第16頁）。然甲證3 通篇係在介紹倒裝晶片技術於 LED 晶片之趨勢與應用，並未提及系爭專利案號，亦未見 有任何關於系爭專利主要訴求之「大面積導電導熱層」技 術內容，且系爭專利請求項1 並無「錫膏」相關技術特徵 ，當無法逕予認定系爭專利請求項1 之發明係突破性之技 術或已獲得商業上成功而具有進步性。
⒊證據3、4之組合並不足以證明系爭專利請求項1 不具進步
性：
⑴比對系爭專利請求項1與證據4之技術內容：證據4第3圖及 說明書第7、8頁揭露一種高功率白色發光二極體晶粒（30 0 ），其具有接觸電極（308a）與接觸電極（308b），並 於接觸電極（308a）上設有一反射層（306 ）。被告雖認 定前述證據4所揭露之接觸電極（308a）上設有反射層（3 06），即對應系爭專利請求項1 之「晶片P、N電極處各增 設一層與其連結之大面積導電（導熱）層」技術特徵（原 處分第6頁末段至第7頁第1段），訴願決定則以證據4之接 觸電極（308a/308b）相連接於焊接材料（312）認定對應 於系爭專利請求項1之前述技術特徵（見訴願決定書第7頁 第13至18行）。
⑵惟證據4 僅於接觸電極（308a）上設有反射層，並未在另 一接觸電極（308b ）上設有反射層，與系爭專利請求項1 之「晶片P、N電極處『各』增設一層與其連結之大面積導 電（導熱）層」技術特徵不符。再者，證據4說明書第8頁 第8 至10行記載「…其中透明歐姆電極304、反射層306與 第一接觸電極308a合稱為p 型電極，而第二接觸電極308b 則為n型電極」（乙證1 卷第24頁背面），可見證據4之反 射層（306）實為p型電極之一部分，自不等同於系爭專利 設於P、N電極上之大面積導電（導熱）層。又系爭專利請 求項1 之請求標的係「晶片」，則其P、N電極處所增設之 「大面積導電（導熱）層」，自應為晶片本身結構一部分 始足當之。然證據4所揭露之焊接材料（312）係用於連接 發光二極體晶粒（300）與散熱承座（310），此觀諸證據 4說明書第8頁第11至13行「位於晶粒上之接觸電極308a、 308b經由焊接材料312分別與散熱承座310上的導電跡線31 4電性連接…」內容甚明（乙證1卷第24頁背面），是以證 據4之焊接材料（312 ）並非發光二極體晶粒（300）結構 的一部分，而是用來電性連接發光二極體晶粒（300 ）與 散熱承座（310 ）之中介材料，並不等同於系爭專利請求 項1之「大面積導電（導熱）層」技術特徵。
⑶證據3 係揭露將發光二極體晶粒直接製作成表面黏著型（ SMD）之結構，不須再經封裝製程即可使用，仍未揭露在P 或N電極上增設大面積導電（導熱）層之技術特徵。 ⑷是以，證據3 及證據4均未揭露系爭專利請求項1之大面積 導電（導熱）層技術特徵，且證據3、4之技術內容亦無相 關之建議或教示，所屬技術領域中具有通常知識者縱使組 合證據3、4之技術內容，尚難思及在證據3 或證據4之LED 晶粒P、N電極上設有大面積導電（導熱）層，故證據3、4
之組合並不足以證明系爭專利請求項1不具進步性。 ⒋證據3、5之組合並不足以證明系爭專利請求項1 不具進步 性：
⑴比對系爭專利請求項1與證據5之技術內容：證據5第1圖揭 露覆晶型發光二極體晶粒（16）設於底座基板（11），證 據5說明書第7頁第1至4行記載「底座基板11的上方及下方 分別有複數個金屬層覆蓋之，其係分別標示為金屬層12、 金屬層13、…。其中，金屬層12及金屬層13分別與透明基 板覆晶型發光二極體晶粒的p極與n極接觸…」（乙證1 卷 第7頁），是以證據5雖對應揭露系爭專利請求項1 之發光 二極體晶粒具有p極與n極，但並未揭露在p極與n極上設有 大面積導電（導熱）層之技術特徵。
⑵被告雖認證據5 之金屬層（12、13）即相當於系爭專利請 求項1 之大面積導電（導熱）層（見原處分第8頁第2段） 。惟如前述，系爭專利請求項1 之請求標的係「晶片」， 並具有在P、N電極處增設大面積導電（導熱）層之技術特 徵，可見該大面積導電（導熱）層係晶片本身結構之一， 而由前述證據5 說明書內容可知，金屬層（12、13）係底 座基板（11）之結構，用以供發光二極體晶粒的p極與n極 進行覆晶接合，是以證據5 之金屬層（12、13）並不等同