侵害專利權有關財產權爭議等
智慧財產法院(民事),民專上字,107年度,10號
IPCV,107,民專上,10,20191003,3

智慧財產法院民事判決
107年度民專上字第10號
上訴人即
被上訴人　　Kioxia Corporation（鎧俠股份有限公司）





法定代理人　Michihito Hatsumi （初見通仁）

訴訟代理人　黃章典律師（兼送達代收人）
簡秀如律師
樓穎智專利師
複代理人　　李昆晃律師
上　訴　人　力晶科技股份有限公司


法定代理人　陳瑞隆　　　
訴訟代理人　陳群顯律師
蕭富山律師
黃鈺如律師
上　訴　人　黃崇仁　　　

上 訴 人 力積電子股份有限公司


法定代理人　蔡國智　　　
被上訴人　　智旺科技股份有限公司

法定代理人　洪志賢　　　
上　訴　人　瑄譽科技有限公司


法定代理人　張馨文　　　
上五人共同
訴訟代理人　陳錦隆律師
陳維鈞律師
複代理人　　黃雪鳳律師
上列當事人間因侵害專利權有關財產權爭議等事件，兩造各自對
於中華民國106 年7 月5 日本院103 年度民專訴字第48號第一審
判決提起上訴，本院於108 年8 月29日言詞辯論終結，判決如下
：
主 文
原判決關於主文第一至五項部分，及該部分假執行之宣告，暨命力晶科技股份有限公司、黃崇仁、力積電子股份有限公司、瑄譽科技有限公司負擔訴訟費用之裁判均廢棄。
前開廢棄部分，Kioxia Corporation（鎧俠股份有限公司）在第一審之訴及假執行之聲請均駁回。
Kioxia Corporation（鎧俠股份有限公司）上訴駁回。第一審及第二審訴訟費用由Kioxia Corporation（鎧俠股份有限公司）負擔。
事實及理由
壹、程序方面
一、按被上訴人智旺科技股份有限公司（下稱智旺公司）之法定 代理人原為黃崇仁，於訴訟繫屬中變更為洪志賢，且其具狀 聲明承受訴訟（見本院卷二第171 頁），有卷附經濟部公司 登記查詢資料及委任狀各1 件在卷可稽（見本院卷二第173 至176 頁），亦無不合，應予准許。
二、次按，法人因合併而消滅者，訴訟程序在因合併而設立或合 併後存續之法人承受其訴訟以前當然停止。承受訴訟人，於 得為承受時，應即為承受之聲明。他造當事人，亦得聲明承 受訴訟。聲明承受訴訟，應提出書狀於受訴法院，由法院送 達於他造。民事訴訟法第169 條第1 項、第175 條及第176 條分別定有明文。查上訴人即被上訴人Kioxia Corporation （中譯：鎧俠股份有限公司，除本段外，下稱鎧俠公司，於 民國108 年10月1 日更名）前身Toshiba Memory Corporati on東芝記憶體股份有限公司（於本段簡稱東芝公司，即原審 原告）於西元2018年8 月1 日之本院審理期間，與K .K .Pa ngea（日文名：株式會社Pangea；下稱Pangea公司）進行吸 收合併，原東芝公司消滅，合併後存續之公司仍名為Toshib a Memory Corporation，有日本東京法務局出具之「閉鎖事 項全部證明書」影本節本及其節譯文（被上證6 號及6-1 號 ，見本院卷三第141 至143 頁）在卷可稽，業經東芝公司於 107 年10月15日提出民事聲明承受訴訟狀聲明承受訴訟（見 本院卷三第149 至155 頁），經核無不合，揆諸前揭說明， 應予准許。而原東芝公司既因合併而消滅，其包含本件系爭 二專利權及其衍生之一切權利義務（包括已發生之損害賠償 請求權、進行相關訴訟之地位及權益等）在內之所有權利義 務，均由新東芝公司承受。新東芝公司已於107 年10月9 日



檢附相關文件向經濟部智慧財產局（下稱智慧局）就系爭專 利一及系爭專利二申請登記前述權利異動事實，有被上證7 號及8 號之專利權讓與登記申請書影本可證（見本院卷三第 145 至148 頁），併予敘明。
三、又按，民事事件涉及外國人或外國地者，為涉外民事事件， 內國法院應先確定有國際管轄權，始得受理。次依內國法之 規定或概念，就爭執之法律關係予以定性後，決定應適用之 法律（即準據法）。我國涉外民事法律適用法乃係對於涉外 事件，就內國之法律，決定其應適用何國法律之法，至法院 管轄部分，並無明文規定，故就具體事件受訴法院是否有管 轄權，得以民事訴訟法關於管轄之規定及國際規範等為法理 ，本於當事人訴訟程序公平性、裁判正當與迅速等國際民事 訴訟法基本原則，以定國際裁判管轄。查本件上訴人即被上 訴人鎧俠公司為日本公司，本件為涉外民事事件，而上訴人 力晶科技股份有限公司（下稱力晶公司）、黃崇仁、力積電 子股份有限公司（下稱力積公司）、瑄譽科技有限公司（下 稱瑄譽公司）、被上訴人智旺公司（以上即原審被告）之營 業所所在地、住所地皆設（住）於我國，東芝公司主張之侵 權行為地亦在我國，經類推民事訴訟法第1 條第1 項、第2 條第2 項、第15條第1 項規定，我國法院自有國際管轄權。 以智慧財產為標的之權利，依該權利應受保護地之法律，涉 外民事法律適用法第27條、第42條第1 項分別定有明文。東 芝公司主張其專利權被侵害，依我國專利法所保護之智慧財 產權益，是本件自應以市場之所在地、權利應受保護地之我 國法為準據法。
四、末按，當事人不得提出新攻擊或防禦方法。但有下列情形之 一者，不在此限：三、對於在第一審已提出之攻擊或防禦方 法為補充者。六、如不許其提出顯失公平者，民事訴訟法第 447 條第1 項第3 款、第6 款定有明文。查力晶公司於第二 審提出上證17之1980年出版之Linear Integrated Circuits 教科書及上證18之1999年12月13日出版之Industrial Instr umentation : Principles and Design教科書所載之通常知 識，以證明中華民國證書號第154717號「非揮發性半導體記 憶體」發明專利（下稱系爭專利一）不具進步性之事實，東 芝公司認力晶公司逾時提出上證17、上證18作為有效性及侵 權爭點之新證據，意圖延滯訴訟，依法應有失權效等語。查 上證17、18號等教科書僅為力晶公司在106 年9 月5 日民事 上訴理由㈠狀即已提出「使電位變化時間縮短」通常知識之 補強證據，並非新證據，至多僅為原已提出攻擊防禦方法之 補充，因東芝公司嗣後一再爭執「使電位變化時間縮短」之



通常知識為系爭專利一之發明目的，若不許力晶公司就此部 分提出補充說明與回應，對力晶公司顯失公平，故依民事訴 訟法第447 條第1 項但書第3 款、第6 款之規定，力晶公司 得提出上證17及18號等補強證據。
貳、實體事項：
一、鎧俠公司主張：
㈠鎧俠公司係系爭專利一及中華民國證書號第I238412 號「半 導體積體電路」發明專利（下稱系爭專利二）之專利權人。 然由力晶公司、力積公司、智旺公司及瑄譽公司共同組成的 產銷網所經營之NAND Flash Memory 產銷團隊，鎧俠公司派 員與力積公司接洽購買取得A5U1GA31ATS-BC（下稱系爭產品 一）、A5U2GA31BTS-BC（下稱系爭產品二）、A5U4GA31ATS- BC（下稱系爭產品三）產品及產品規格書。經鎧俠公司將系 爭產品一、二、三分別拆解並進行實驗分析結果，確認系爭 產品一、二、三均落入系爭專利一之請求項1 、3 、5 、6 及系爭專利二之請求項7 、13、15、17及18之申請專利範圍 。該四家公司既係以製造、銷售NAND Flash Memory 產品為 主要業務，自應負有查核他人專利技術之注意義務，且以鎧 俠公司在全球業界中之地位，其等實難推諉不知或不察系爭 二專利之存在及技術內容。鎧俠公司亦於101 年2 月、5 月 間曾發函予力晶公司（原證32號及原證33號），提醒鎧俠公 司在此領域中擁有諸多關鍵技術；該四家公司對於其產品是 否侵害鎧俠公司專利，更應予以查核並避免侵權，迺彼等卻 捨此不為，其侵權行為顯係出於故意或過失。鎧俠公司復於 103 年5 月20日再對力晶公司寄發存證信函，通知其所製造 之NAND Flash Memory 產品落入系爭專利一及系爭專利二之 範圍（原證34號），然力晶公司卻不予置理，繼續遂行相關 產品之製造、販賣，更足見其侵權之故意。且該四家公司間 應係以力晶公司為首，負責設計及製造或協助製造相關NAND Flash Memory產品，並領導其他公司組成緊密產銷團隊，於 市場上推廣由力晶公司所設計及製造之NAND Flash Memory 產品；彼等應認為構成共同侵權行為無疑。其等共同製造、 販售侵害系爭專利之系爭侵權產品，鎧俠公司爰依修正前專 利法第84條第1 項前段、現行專利法第96條第2 項對其等請 求損害賠償，並依民法第185 條第1 項規定，請求彼等負連 帶賠償責；並依現行專利法第96條第1 項規定訴請排除及防 止侵害。另對於力晶公司等所製造及販賣之侵權產品，依現 行專利法第96條第3 項規定，亦得請求其銷毀，並應自市場 上回收已鋪貨產品等必要之處置。又黃崇仁於101 年11月11 日之前乃力晶公司之董事長，其雖自101 年11月12日卸任董



事長，但仍續任董事，並擔任該公司之執行長，亦屬公司之 經理人。依公司法第8 條第1 項及第2 項規定、第23條第2 項定，黃崇仁無論於擔任董事長期間或卸任董事長後至今， 均為力晶公司之負責人，依法自應與力晶公司對鎧俠公司負 連帶損害賠償責任等語。
㈡系爭專利一、二具有效性：
⒈上證4 、上證4 與系爭專利一自承先前技術（圖4 ）之組合 均無法影響系爭專利一之有效性；上證17、18應予駁回；即 使考慮上證17、18，上證17、18無法影響系爭專利一之有效 性：
⑴根據90年專利法第22條第3 項及第71條第3 款之規定，90 年專利法第71條第3 款中所載之「說明書」係指說明書整 體，而非要求說明書中任何單一部分必須使熟習該項技術 者可據以實施其發明。且90年專利法第22條第3 項並未規 定僅根據申請專利範圍即可據以實施。反而，90年專利法 第22條第4 項才是明文規範申請專利範圍「應具體指明申 請專利之標的、技術內容及特點」。因此，系爭專利一請 求項1 已載明必要之三期間之電位關係，系爭專利一請求 項1 、3 、5 、6 符合90年專利法第71條第3 款之規定。 ⑵系爭專利一之發明著重於對選擇閘電晶體之設定。根據系 爭專利一之揭示，系爭專利一已明確揭示各期間之選擇閘 電晶體之閘極電位設定。本領域具通常知識者不會在實施 系爭專利一之發明時採用不合理之電位值。具體而言，一 專利中之說明書、請求項、及圖式係針對本領域具通常知 識者所撰寫。本領域具通常知識者可理解該專利之發明概 念並以該領域之通常知識為基礎去實施請求項之發明。因 此，本領域具通常知識者不會任意將不合理之數值套用於 該專利。力晶公司依據系爭專利一說明書第22及23頁並主 張系爭專利一之第1 例揭示了VSG 之範圍，諸如VSG2< VD D+Vth-Vc及VSG3≧Vth 。然而，這樣的範圍並未揭示於系 爭專利一說明書第22及23頁中，且其中Vc從未出現於系爭 專利一說明書中。綜上，系爭專利一說明書中具體記載了 VSG1、VSG2、VSG3之目的及可對應之電位範圍或具體電位 ，本領域具通常知識者根據系爭專利一說明書可毫無困難 地實施系爭專利一所請之發明。
⑶再者，智慧局曾二度於N01 及N02 「舉發不成立」審定書 中，認定系爭專利一請求項1 、3 、5 、6 並未構成系爭 專利一核准審定時專利法第71條第3 款之舉發事由，渠等 所據事實及證據俱與本件訴訟相同。N01 之「舉發不成立 」審定結果業已確定，則根據智慧財產案件審理細則第28



條第2 項規定，力晶公司自不得於民事訴訟再度爭執上開 事由。據此，本件訴訟中關於「審定時專利法第71條第3 款」之爭點，其「事實」（亦即此項舉發事由）及證據（ 亦即「系爭專利一說明書」）與已確定之N01 所審酌者概 屬同一，自有智慧財產案件審理細則第28條第2 項規定之 一事不再理之適用。
⑷關於上證4 ，其僅揭示二個電位／二個期間，而未揭示系 爭專利一之三個電位／三個期間。根據上證4 第15欄第61 行及第16欄第6-10行之揭示，上證4 之電位Vst 之設定係 用於使得對應於待程式化之單元電晶體之選擇閘電晶體接 通，且使得對應於非程式化的單元電晶體之選擇閘電晶體 斷開。故Vst 顯然不同於系爭專利第二期間之第二電位（ VSG2）。同系爭專利一，上證4 從未依「升壓」或「穩壓 」來區分期間。力晶公司以從未出現於系爭專利一及上證 4 之用語「穩壓」強行將上證4 之同一期間之同一電位（ Vcc 或Vst ）分割為二個期間之二個電位。 ⑸系爭專利一是於LOCOS （矽局部氧化）製程技術變遷至ST I （淺溝槽隔離）製程技術之極大製程變化的時期所研發 之發明。當系爭專利一之發明提出時，選擇閘電晶體之長 度以及字元線與選擇閘線間的耦合效應係首次成為重要議 題。在此之前，從未有人提出過上述事實（上證4 亦然） 。系爭專利一圖4 之先前技術或上證4 均未提及或考慮相 鄰單元單位間之電容耦合，因為當時無法預見未來記憶體 裝置之技術創新。因此，單元單位間之電容耦合導致非選 擇記憶單元通道電位降低問題，在當時並非通常知識。故 ，上證4 無法解決系爭專利一所欲解決之問題。再者，上 證4 之內文完全沒有提及字元線與選擇閘線間的電容耦合 （力晶公司設定之Vc）。顯然，上證4 與力晶公司所強調 之系爭專利一之發明目的毫無關連。
⑹上證4 與系爭專利一圖4 為同一專利家族，且其均僅揭示 二個電位／二個期間，而非系爭專利一之三個電位／三個 期間。由於上證4 與系爭專利一所承認之先前技術（圖4 ）無法預期系爭專利一所欲解決之問題，上證4 當然無法 克服系爭專利一圖4 之問題。
⑺上證4 之非揮發性半導體記憶體與上證17及18之可程式化 之運算放大器毫無關聯。故本領域具通常知識者不會有動 機於參照上證4 圖15時運用上證17及18；此外，上證17及 18改善slew rate 之技術手段（亦即，增加額外的輸入電 晶體對）完全無法運用於上證4 中，力晶公司之主張毫無 可採。




⑻綜上，系爭專利一請求項1 、3 、5 、6 符合90年專利法 第71條第3 款之規定；且上證4 、17、18、上證4 與系爭 專利一自承先前技術（圖4 ）之組合均無法影響系爭專利 一之有效性。
⒉系爭專利二請求項7、13、15、17及18具新穎性及進步性： ⑴被證8 （含其相關聯證據被證8-1 至被證8-5 ）、被證14 （含被證4 、被證10及其相關聯證據被證14-1）皆無法證 明系爭專利二請求項7 、13、15、17及18不具新穎性及進 步性：
①被證8 為不適格之證據：
　被證8 第1 頁所載日期「2001年7 月5 日」係記載於「 撰寫日期（Draft Date）」欄內，故僅能判斷被證8 於 2001年7 月5 日撰寫，無法得知何時公開，更無法證明 其公開日期早於系爭專利二之優先權日。此外，被證8 右下角標示「機密（CONFIDENTIAL）」且右上角標示「 預先（Advance ）」。「Advance 」係指產品在開發階 段，而尚在開發階段之產品規格書應無理由公布給一般 大眾知悉，註記「Advance 」之產品規格書應僅給特定 客戶參考，而非公開給不特定多數人閱覽。被證8-1 已 可證明根據Samsung 公司網站，被證8 號之K9F1G08Q0M 、K9F1G08U0M產品在2001年12月11日仍尚未設計完成， 更不可能公開其產品規格書。因此，被證8-3 於2001年 9 月10日發布之新聞報導僅為商業宣傳，而非被證8 號 之K9F1G08Q0M、K9F1G08U0M產品之實際供貨時間。另被 證8-4 段落已明確記載K9F1G0 8U0M-YCB0 1為「未來」 裝置（「future」K9F1G08U0M-Y CB0 1 Gbit device） ，故被證8-4 根本無法證明被證8 之K9F1G08U0M產品及 其產品規格書於被證8-4 申請日前已公開。被證8 及被 證8-5 兩相同版本之規格書（皆為第0.0 版之產品規格 書），然而確存在不同註記（被證8 具有「CONFIDENTI AL」之註記，而被證8-5 則沒有此一註記）。先不論力 晶公司是否涉及變造文書之情事，由於被證8-5 第1 頁 所載日期「2001年7 月5 日」記載於「撰寫日期（Draf t Date）」欄內，故僅能判斷被證8-5 於2001年7 月5 日撰寫，無法證明其公開日期早於系爭專利二之優先權 日。此外，被證8-5 右上角仍標示「預先（Advance ） 」。如上所述，「Advance 」係指產品在開發階段，而 尚在開發階段之產品規格書應無理由公布給一般大眾知 悉。是以，被證8-5 仍無法作為系爭專利二之先前技術 。故，被證8 （包括被證8-1 至被證8-5 ）不可作為系



爭專利二之先前技術。
　②被證14為不適格之證據：
　被證14為K9K2G08Q0M等產品規格書第1.4 版、被證4 為 相同型號之產品規格書第1.7 版。被證14之撰寫日期（ 2003年8 月5 日）及被證4 之撰寫日期（2004年5 月19 日）皆晚於系爭專利二之優先權日。由被證14第1 頁所 載關於第0.0 版之日期「2001年8 月30日」係記載於「 撰寫日期（Draft Date）」欄內，故僅能判斷被證14相 同型號之產品規格書第0.0 版於2001年8 月30日撰寫， 無法得知其何時公開，更無法證明其公開日期早於系爭 專利二之優先權日。此外，被證14在其相同型號之產品 規格書第0.0 版的註記處（remark）標示「預先（Adva nc e）」。如上所述，「Advance 」係指產品在開發階 段，而尚在開發階段之產品規格書應無理由公布給一般 大眾知悉，故被證14相同型號之產品規格書第0.0 版不 可作為系爭專利二之先前技術。且被證10之新聞報導中 三星電子公司所發送的僅為「工程樣品( engineering sample) 」，並非「不特定多數人」所能取得或知悉。 再者，力晶公司亦無法證明被證10及被證14-1（被證10 之時光回溯器保存之網頁）之新聞報導中之「工程樣品 」即是指被證14之規格書之產品，更無法證明被證14之 規格書於第0.0 版或第0.1 版時即已能為公眾得知。故 被證14（含被證4 、被證10及被證14-1）具證據能力而 為適格之證據，自無法依據被證14而主張系爭專利二不 具新穎性及進步性。
⑵上證5 號、被證15號、被證2 號、被證3 號皆無法證明系 爭專利二請求項7 、13、15、17、18不具新穎性、進步性 ：
　①被證2 、被證3 、被證15及上證5 僅揭示「一個完整寫 　入動作」，其與系爭專利二請求項7 、13所載之「連續 進行之第一動作及第二動作」大相逕庭：
　被證3 明確揭示記憶體晶胞陣列200a及200b係同時寫入 ，故僅需要一個寫入命令。被證2 圖10所揭之PB-2-2-k 及PB6-5-0 寫入動作僅為一個完整的寫入動作，並非如 力晶公司所主張之二個連續執行之完整寫入動作。被證 2 所載之一個完整的寫入動作與系爭專利二請求項7 （ 及請求項13）所請之「連續進行的第一動作與第二動作 」大相逕庭。此外，被證2 第3 欄第39－42行指出「各 子區塊之頁緩衝器響應選定之一字線，暫時儲存在一時 間被寫至記憶體陣列晶胞的資料位元」，由於連接於同



一字線之記憶體晶胞係同時被寫入，因此頁緩衝器102 所儲存之資料位元係為一次寫入動作之資料位元。亦即 ，根據被證2 本身之描述，被證2 圖1 或圖10所揭示者 僅為一個完整的寫入動作。而上證5 之「一個完整寫入 動作」係由Plane 0 之輸入命令80h 開始（上圖標示A 處），直到Plane 3 之執行實頁寫入命令10h 以完成資 料寫入。換言之，由於上證5 圖9 之Plane 0 ～Plane 3 的多平面頁寫入僅輸入一個資料寫入命令（10h ）， 故僅能視為一個寫入動作。因此，上證5 所載之一個完 整的寫入動作與系爭專利二請求項7 （及請求項13）所 請之「連續進行的第一動作與第二動作」大相逕庭。相 似地，上證5 第30頁圖13之Plane 0 ～Plane 3 之擦除 動作僅為一個擦除動作。再者，根據前揭所載，「一個 完整寫入動作」之定義為始於資料輸入，直至輸入一個 資料寫入命令以完成該資料寫入動作。因此，被證15圖 61之完整寫入動作應始於步驟S63 （擷取寫入資料）， 直至步驟S66 （寫入標定區段）。亦即，被證15圖61之 一個完整寫入操作應包含步驟S63 至S66 。因此，被證 15圖61僅具有一個完整寫入動作，而不具有如系爭專利 二請求項7 （及請求項13）所請之「連續進行的第一動 作與第二動作」。
　②由於被證2 、被證3 、被證15及上證5 並未揭露系爭專 　利二請求項7 、13所載之「連續進行之第一動作及第二 動作」，故被證2 、被證3 、被證15及上證5 無法達成 系爭專利二請求項7 及13之發明目的：
　系爭專利二說明書係記載「『本發明』之第一／第二／ 第三目的」，而非記載「本實施例之第一／第二／第三 目的」。根據一發明一專利之基本概念，系爭專利二所 載之實施例應皆涵蓋於「本發明」之範圍，其所支持之 請求項當然可達成系爭專利二說明書所載之「本發明之 第一／第二／第三目的」。參考系爭專利二圖8 ，其中 「第一完整寫入動作」之「資料寫入動作」與「第二完 整寫入動作」之「資料輸入動作」可同時執行。此與本 發明之第二目的所使用之技術手段「提供一種半導體積 體電路，其係可於資料寫入動作中並列進行寫入資料輸 入」相同，故當可達成本發明之第二目的之功效「可縮 短整個資料寫入程序所需時間，可實現具有快速資料寫 入功能之半導體記憶電路」。由於被證2 、被證3 、被 證15及上證5 僅揭露「一個完整寫入動作」，故被證2 、被證3 、被證15及上證5 不可能揭露系爭專利二請求



項7 、13所載之「連續進行之第一動作及第二動作」。 因此，被證2 、被證3 、被證15及上證5 無法達成「連 續進行之第一動作及第二動作」所達成之功效，即「於 資料寫入動作中並列進行寫入資料輸入，可縮短整個資 料寫入程序所需時間，可實現具有快速資料寫入功能之 半導體記憶電路」。
　③又系爭專利二請求項15、17、18為請求項13之附屬項， 　同上所述，上證5 號、被證15號、被證2 號、被證3 號 皆無法證明系爭專利二請求項15、17、18不具新穎性、 進步性。
㈢專利侵權部分：
⒈系爭產品一、二、三落入系爭專利一請求項1 、3 、5 、6 之文義範圍：
⑴系爭專利一之說明書中記載十一個實施例。除了第1 例， 系爭專利一請求項1 可涵蓋其他實施例，例如第8 例及第 10例。由圖16及圖18可知，無論是第8 例之態樣或是第10 例之態樣，「寫入操作係在連續的第一、第二及第三期間 進行」，且第一、第二及第三期間的選擇閘電晶體的閘極 電位（SGD ）分別為第一電位（VSG1）、第二電位（VSG2 ）、及第三電位（VSG3）時，第一電位（VSG1）> 第三電 位（VSG3）> 第二電位（VSG2）之關係成立。亦即，系爭 專利一請求項1 的範圍，不僅可涵蓋第8 例的態樣，亦可 涵蓋第10例的態樣，且可涵蓋將第10例應用至第8 例的態 樣；而系爭產品一至三的實施方式係對應前述將第10例應 用至第8 例的態樣。以系爭產品一為例，依據原證26之分 析，系爭產品一的實施方式係對應於前述將第10例應用至 第8 例的態樣，系爭產品一之非選擇位元線（BL_E）和選 擇位元線（BL_O）首先於第一期間（紅色區段）均設定為 約2.5V；接著於第二期間（黃色區段）非選擇位元線（BL _E）維持約2.5V，但選擇位元線（BL_O）落至0V（亦即感 測放大器的資料被轉移到位元線）；隨後，在第三期間（ 綠色區段），選擇位元線（BL_O）維持0V，而選擇字元線 施加Vpgm。其中選擇閘電晶體（SGD ）閘極電位於第一期 間之第一電位為4.5V、於第二期間之第二電位為0V、且於 第三期間之第三電位為2.1V；因此，系爭產品一之寫入操 作期間，第一電位（4.5V）> 第三電位（2.1V）> 第二電 位（0V）的關係成立。同樣地，如原證28及原證30所示， 系爭產品二及三亦同。顯然，系爭產品一、二、三落入系 爭專利一請求項1 之文義範圍。
⑵若採「寫入操作之起始為位元線改變位準」之解釋，則系



爭產品一與系爭專利一的唯一差異僅在於：「系爭專利一 在第一期間將位元線升壓」而「系爭產品一在第一期間之 前將位元線升壓」；然而，該差異對記憶體的寫入而言並 無不同，且該差異為該發明所屬技術領域中具有通常知識 者所能輕易完成。縱使考量該差異，系爭產品一與系爭專 利一之「技術手段」、「功能」、「結果」均實質相同， 系爭產品一至少落入系爭專利一所主張請求項之均等範圍 。是以，縱使採「寫入操作之起始為位元線改變位準」之 解釋，系爭產品至少落入系爭專利一所主張請求項之均等 範圍；上證4 、17、18與系爭產品一、二、三所實施之方 式無涉，故無「先前技術阻卻」無法適用。
⑶關於上證4 ，其僅揭示二個期間／二個電位，明顯不同於 系爭產品之三個期間／三個電位，上證4 與系爭產品之實 施方式不同，力晶公司依據上證4 之先前技術阻卻主張顯 然無法成立。至於上證17及18之技術領域與系爭產品之技 術領域無關，上證17及18所揭示「運算放大器」之改善係 屬於線性積體電路範疇；而系爭產品及系爭專利一請求項 所請標的為「非揮發性半導體記憶體」係屬於數位積體電 路範疇。顯然，上證17及18所屬之線性積體電路範疇不同 於系爭產品及系爭專利一所屬之數位積體電路範疇，故上 證17及18與系爭產品之技術領域無關，且力晶公司無法證 明系爭產品電路圖中之電源電路中之三角形係為上證17及 18中所揭示之運算放大器運用。因此，力晶公司無法證明 上證17及18與系爭產品有何關聯。即便系爭產品電路圖中 之電源電路中之三角形為運算放大器之運用（鎧俠公司否 認之），系爭產品並未實施上證17及18所揭示之技術手段 。綜上，上證4 、17、18與系爭產品一、二、三所實施之 方式無涉，無先前技術阻卻無法適用，系爭產品一至三與 系爭專利一之「技術手段」、「功能」、「結果」並無實 質差異。故，系爭產品一至三至少落入系爭專利一所主張 請求項之均等範圍。
⒉系爭產品一、二、三落入系爭專利二之文義範圍： ⑴系爭產品一落入系爭專利二請求項7 、13、15、17及18之 文義範圍：
①系爭產品一落入系爭專利二請求項7 之文義範圍： 系爭產品一具有請求項7 之標的「一種半導體積體電路 」，根據「系爭產品一」之產品規格書，其簡介128M× 8bit／64M ×16bit 反及型快閃記憶體（NAND Flash Memory），且於其第6 、7 及8 頁說明積體電路之功 能區塊示圖。因此，系爭產品一當然係關於一半導體積



體電路。系爭產品一之「控制電路」必定判定前一動作 之結果，並輸出成功／失敗信號。亦即，「控制電路」 對應於「系爭專利二」之請求項7 之特徵之「成功／失 敗判定電路」。再者，系爭產品一具有請求項7 之特徵 「成功／失敗保留電路，其係連結為接收上述成功／失 敗信號，用以分別保留上述連續進行之第一動作及第二 動作之各個成功／失敗結果」。且系爭產品一具有請求 項7 之特徵「輸出電路，其係配置成於前述第一動作及 第二動作連續執行時，輸出保留於上述成功／失敗保留 電路內之上述第一動作及第二動作的各個成功／失敗結 果」。是以，系爭產品一落入系爭專利二請求項7 之文 義範圍。
②系爭產品一落入系爭專利二請求項13之文義範圍： 系爭產品一具有請求項13之標的「一種半導體積體電路 之操作方法」根據「系爭產品一」之產品規格書，其簡 介128M×8bit／64M ×16bit NAND Flash Memory ，且 於其之第6 、7 及8 頁說明積體電路之功能區塊示圖。 系爭產品一當然係關於一半導體積體電路之操作方法， 系爭產品一具有請求項13之特徵「連續執行第一動作與 第二動作」。且系爭產品一具有請求項13之特徵「上述 第一動作結束後，於內部保留其動作之成功/ 失敗結果 」、「上述第二動作結束後，於內部保留其動作之成功 ／失敗結果」、「上述第一及上述第二動作結束後，將 上述第一動作之成功／失敗結果與前述第二動作之成功 ／失敗結果皆輸出至半導體積體電路之外部」。是以， 系爭產品一落入系爭專利二請求項13之文義範圍。 ③系爭產品一落入系爭專利二請求項15之文義範圍： 請求項15依附請求項13，與請求項13具有相同之標的。 同前揭所述，系爭產品一具有請求項15之標的。系爭產 品一具有請求項13之特徵「其中上述第一、第二動作均 係資料寫入動作」。是以，系爭產品一落入系爭專利二 請求項15之文義範圍。
④系爭產品一落入系爭專利二請求項17之文義範圍： 請求項17依附請求項13，故與請求項13具有相同之標的 。同前揭所述，系爭產品一具有請求項17之標的。系爭 產品一具有請求項17之特徵「其中上述第一、第二動作 係於具有包含非揮發性記憶體單元之記憶體單元陣列的 非揮發性半導體儲存電路執行」。是以，系爭產品一落 入系爭專利二請求項17之文義範圍。
⑤系爭產品一落入系爭專利二請求項18之文義範圍：



請求項18間接依附請求項13，故與請求項13具有相同之 標的。同前揭所述，系爭產品一具有請求項18之標的。 系爭產品一具有請求項17之特徵「其中上述記憶體單元 陣列包含配置成行列狀之數個NAND型單元」。是以，系 爭產品一落入系爭專利二請求項18之文義範圍。 ⑵系爭產品二落入系爭專利二請求項7 、13、15、17及18之 文義範圍：
系爭產品二與系爭產品一具有類似之技術特徵，且其侵害 系爭專利二請求項7 、13、15、17及18之特徵皆與系爭產 品一相同，故系爭產品二落入系爭專利二請求項7 、13、 15、17及18之文義範圍。
⑶系爭產品三落入系爭專利二請求項7 、13、15、17及18之 文義範圍：
系爭產品三與系爭產品一具有類似之技術特徵，且其侵害 系爭專利二請求項7 、13、15、17及18之特徵皆與系爭產 品一相同，故系爭產品三落入系爭專利二請求項7 、13、 15、17及18之文義範圍。
二、力晶公司、黃崇仁、力積公司、瑄譽公司、智旺公司等抗辯 則以：
㈠系爭專利一、二有法定應撤銷事由：