智慧財產法院民事判決
108年度民專訴字第9號
原 告 楊光能
訴訟代理人 桂齊恒律師
複代理人 江郁仁律師
訴訟代理人 林景郁
被 告 晶元光電股份有限公司
法定代理人 李秉傑
訴訟代理人 劉偉立律師
複代理人 吳信璋律師
訴訟代理人 王安妮
盧貝諭
郭孟君
上列當事人間因專利權報酬爭議事件，本院於中華民國108 年5
月21日言詞辯論終結，判決如下：
主 文
原告之訴及假執行之聲請均駁回。
訴訟費用由原告負擔。
事實及理由
壹、兩造聲明及陳述要旨：
一、原告方面：
（一）原告於民國（下同）89年至92年時任職於國聯光電科技股 份有限公司（下稱：「國聯光電」），擔任研發工程師。 94年12月31日，被告併購國聯光電，以被告為存續公司， 並承受國聯光電之一切權利義務。原告為中華民國註冊第 I283031 號「利用低熔點金屬結合化合物半導體與高熱導 係數基板的方法」發明專利（對應之美國專利為US6 ,812 ,067，下稱：「系爭專利1 」）之共同發明人之一；原告 並為中華民國註冊第573373號「發光二極體層疊式製造方 法及其構造」發明專利（對應之美國專利為US6 ,786,390 ，下稱：「系爭專利2 」）之共同發明人之一；原告亦為 中華民國註冊第550834號「發光二極體及其製造方法」發 明專利（對應之美國專利為US8 ,791,467、US7 ,129,527 、US7 ,951,633、US7 ,615,392，下稱：「系爭專利3 」 ）（合稱：「系爭專利」）之唯一發明人。
（二）被告所生產「UHB-PN」系列LED 產品（下稱：「系爭產品 1 」）、「UHB-PX」系列LED 產品（下稱：「系爭產品2
」）、「UHB-AX」系列LED 產品（下稱：「系爭產品3 」 ），分別為實施系爭專利1 請求項1 、系爭專利2 請求項 1 及20、系爭專利3 請求項8 及22文義之專利產品（合稱 ：「系爭產品」），且皆銷售全球，為被告貢獻巨大獲利 。根據被告於97年1 月參加臺灣證券交易所與澳商麥格里 證券公司舉辦之「（西元）2008年海外臺灣投資說明會」 及被告98年度年報之記載，堪認被告對於系爭專利占有舉 足輕重的地位，並獲取巨大的營收及交叉授權利益，更成 為後續產品規劃設計的基礎，迄今仍用以實施生產系爭產 品；又被告95年度至106 年度歷年年報所揭露營業毛利之 總額約有新臺幣（下同）382 億元，被告公司總經理曾於 106 年對外表示「目前四元LED 產品營收占比約25 %至30 % 左右」，而原告既為系爭專利主要研發人員，故對於系 爭專利之貢獻度至少有50% ，或暫以1%計算本件職務上發 明合理報酬。
（三）被告所提「國聯光電獎勵創作發明辦法」（下稱：「系爭 獎勵辦法」）第5.10條約定「本法所訂之獎金，適用於核 發獎金時仍在職之員工。若數發明人其一於核發獎金時已 離職，其他發明人不因此增加其可得之獎金」，係增加原 告獲取職務發明適當報酬之資格限制，違反專利法第7 條 第1 項立法意旨及司法院大法官會議釋字第726 條解釋意 旨，依民法第71條規定，上開規定因違反法律強制規定而 無效。依系爭獎勵辦法第5.2 條規定「獎勵金額如下：專 利申請獎金：每案八千元。取得專利權獎金：一發明案獲 臺灣或大陸之專利核准者，頒給獎金一萬五千元。一發明 案獲美國、日本、德國、英國或其他國家之專利核准者， 頒給獎金二萬五千元。前兩項之獎金，以各發放一次為限 。一發明案之獎金以四萬元為上限」，原告任職於國聯光 電時，僅領取系爭專利於申請時之「專利申請獎金」，並 於系爭專利獲准前已因故離職，未能領取「取得專利權獎 金」，惟被告依法就系爭專利權亦負有給付原告適當報酬 之義務，且考量到專利必須在獲准後被告方能利用系爭專 利進行商業交互授權或提起專利訴訟，進而享有系爭專利 所帶來的龐大利益，故原告主張本件職務發明報酬請求權 應以專利核准公告日為起算時點，且該請求報酬係「研究 發明獎金」，並非工資且亦無民法第126 條其他短期時效 特別規定適用，自應回歸同法第125 條規定，其請求權時 效為15年。
（四）原告任職於國聯光電，於89、90年分別取得分配股票2 張 、14張，此並非針對系爭專利發明之研究發明獎金；另被
告所稱91年間以優惠價格給予原告100 張股票認購權乙節 ，原告完全沒印象，亦未認股，且該100 張股票之認購權 是獎勵員工之年度分紅，非研究發明獎金。是以，原告僅 領取過「專利申請發明獎金」，但原告離職後，系爭專利 始獲得註冊，而原告卻未領取「取得專利權獎金」，難認 被告已支付適當報酬。
（五）被告指稱原告所製作之系爭專利比對，並非以被告公司生 產銷售之產品進行比對，而係以被告官網之產品簡述與相 關論文加以拼湊，且對多項對其有利之事實未提出任何證 據加以證明，並未完成其應盡之舉證云云，惟被告的系爭 產品不會賣給個人，遑論取得系爭產品及發票進行系爭專 利比對分析作為證據，只能嘗試以專家證人及文獻分析著 手；又對於被告公司營收或獲益等節，原告亦不可能知悉 被告公司財務狀況，只能以被告公司年報等公開資料進行 推算。按民事訴訟法第277 條本文固規定舉證責任分配， 惟但書亦有規定「但法律別有規定，或依其情形顯失公平 者，不在此限」，原告以一介小蝦米對抗如鯨魚龐大之被 告，尚要求原告對無法取得之證據負舉證責任，是否屬顯 失公平之情形，即有可論之處。為此，依專利法第7 條第 1 項，民事訴訟法第244 條第4 項、第245 條規定提起本 件訴訟，並聲明：被告應給付原告1,000 萬元及自起訴狀 繕本送達之翌日起至清償日止按週年利率百分之5 計算之 利息。原告願供擔保請准宣告假執行。
二、被告方面：
（一）專利法第7 條受雇人職務上發明之報酬，其請求權時效並 未明文規定於專利法，究其性質既為研究發明雇主給予之 報酬，則屬勞動基準法施行細則第10條第2 款之研究發明 獎金，而研究發明獎金於該款與紅利同列，其性質與紅利 相似，自應與紅利同樣適用民法第126 條規定，其請求權 時效為5 年。依系爭獎勵辦法第5.2 條、第5.7 條、第5. 4 條、第5.10條規定，專利獎金可分為專利申請獎金與取 得專利權獎金，專利申請獎金之請求權可請求之時間為取 得專利申請時，取得專利權獎金可請求之時間為專利核准 公告時，惟依系爭獎勵辦法第5.10條規定，若獎金核發時 員工已離職，則員工並無請求該獎金之權利。故原告於系 爭專利核准公告時，原告已不再被告公司任職，原告自無 請求取得專利獎金之權利。
（二）又本件原告可行使其報酬請求權之時點起算，應為系爭專 利之申請日，因原告僅得就系爭專利請求「申請獎金」， 所以原告就本件系爭專利1 至3 之報酬請求權時效分別自
91年8 月5 日、同年11月21日、同年2 月15日起算，至原 告起訴請求之107 年8 月30日時，皆已罹於5 年之請求權 時效。退而言之，縱使以原告起訴狀聲稱與被告協商職務 上發明專利報酬之同年4 月20日作為原告請求之時間，亦 皆罹於5 年之請求權時效。退而言之，縱認專利報酬之請 求時效適用民法第125 條15年一般時效之可能，則原告之 請求日無論是起訴日或上開協商日，亦皆罹於15年之請求 權時效。
（三）縱認原告之專利報酬請求權未罹於時效，因被告給付原告 工資、約定之專利獎金外，更根據原告之研發成果，在89 、90年間給予原告2 張以及14張之股票配股，91年間再以 優惠價格給予原告100 張股票之認購權，上述措施既以股 票配股、認購權讓原告得以公司股東之身分，參與各該專 利研發成果帶給公司獲利成長之利益，並以專利獎金、工 資，讓原告無須負擔經營風險，既可因專利研發成果獲得 相關收益，被告實已考量原告之工作成果給予其適當報酬 。
（四）原告雖稱被告系爭產品仍實施系爭專利等語，惟原告並非 以被告生產銷售之系爭產品進行比對，而係以被告官網之 系爭產品簡述與相關論文加以拼湊，即遽下被告系爭產品 實施系爭專利之結論，對於原告主張「被告公司之系爭產 品仍實施系爭專利」之有利事實，並未舉證其確能成立； 原告另主張「被告公司因實施系爭專利獲得巨大營收」、 「獲取交叉授權利益」、「被告95年度至106 年度歷年年 報所揭露營業毛利之總額約有382 億元」、「原告對於系 爭專利之貢獻度至少有50% ，或暫以1%計算」等多項對其 有利之事實，亦未提出任何證據加以證明，實令被告無從 答辯，故如原告未提出相關證明以盡其舉證責任，依民事 訴訟法關於舉證責任之規定，自應駁回原告之訴，並禁止 原告「摸索證明」，且本件亦無舉證責任轉換被告之情形 。為此聲明：原告之訴駁回；如受不利判決，被告願供擔 保請准宣告免於假執行。
貳、原告與國聯光電間，具專利法第7 條第1 項但書所稱之「另 有約定」：
一、原告主張：本件訴訟標的為專利法第7 條第1 項規定等語（ 見本案卷二第239 頁）。按：「受雇人於職務上所完成之發 明、新型或設計，其專利申請權及專利權屬於雇用人，雇用 人應支付受雇人適當之報酬。但契約另有約定者，從其約定 」，專利法第7 條第1 項定有明文，其但書即為本文所定「 適當」報酬之例外。
二、原告自承：其任職於國聯光電時，都擔任研發工程師，有系 爭獎勵辦法之「約定」等語（見本案卷一第438 頁、本案卷 三第523 頁），則該約定即為專利法第7 條第1 項但書所稱 之「另有約定」，原告自難依同條第1 項本文提起本件訴訟 。
三、原告自承：其任職於國聯光電時，都擔任研發工程師，已領 取系爭專利之「專利申請獎金」，並於系爭專利獲准前已因 故離職，未能領取「取得專利權獎金」等語（見本案卷一第 441 頁、本案卷三第523 頁），係符合原告所列系爭獎勵辦 法第5.10條「本法所訂之獎金，適用於核發獎金時仍在職之 員工。若數發明人其一於核發獎金時已離職，其他發明人不 因此增加其可得之獎金」之規定（見本案卷一第438 、439 頁），則依原告與國聯光電間之「另有約定」，原告業已領 取應得之獎金，自難再向被告提出本件請求。
四、至司法院釋字第726 號解釋，係就工作時間等事項所為解釋 ，而與本件無關。又該號解釋所稱「本法乃以保障勞工權益 ，加強勞雇關係，促進社會與經濟發展為目的，規定關於工 資、工作時間、休息、休假、退休、職業災害補償等勞工勞 動條件之最低標準。雇主固得依事業性質及勞動態樣與勞工 另行約定勞動條件，但仍不得低於本法所定之最低標準」， 其中所謂「工資之最低標準」乃指基本工資，而與本案職務 發明報酬有別，故系爭獎勵辦法非但並無原告所稱違反強制 規定之情形，反而符合原告所引用上開解釋理由之「雇主得 依事業性質及勞動態樣與勞工另行約定勞動條件」。五、又原告援引之本院100 年度民專訴字第89民事判決，已為本 院100 年度民專上字第51號民事判決廢棄，附此敘明。參、系爭產品1 未落入系爭專利1 請求項1 之文義範圍，系爭產 品2 未落入系爭專利2 請求項1 及20之文義範圍，系爭產品 3 未落入系爭專利3 請求項8 及22之文義範圍：一、系爭產品1並未落入系爭專利1請求項1之文義範圍：（一）系爭專利1 （註冊公告第I283031 號「利用低熔點金屬結 合化合物半導體與高熱導係數基板的方法」專利）技術內 容：
傳統化合物半導體元件的基板之熱導係數較低，導致元件 壽命低等缺點（見本案卷一第193 、194 頁發明背景、發 明概述欄）。系爭專利1 乃揭露一種利用低熔點金屬結合 化合物半導體與高熱導係數基板的方法，其係先提供一化 合物半導體結構（10），且該化學合半導體結構（10）具 有化合物半導體基板（12）及第一導接層（16）。之後， 選擇一高熱導係數基板（20），並在該基板（20）上形成
第二導接層（26）；接著，將第一導接層（16）與第二導 接層（26）面對面並加壓以形成一合金導接層（30）。最 後，再去除化合物半導體結構（10）中之基板（12），以 完成將化合物半導體形成於高熱導係數基板（20）之製程 （見本案卷一第190 、194 頁發明摘要、發明概述）。（二）系爭專利1主要圖式（見本案卷一第211、212頁）： 1、圖1 係化合物半導體結構（10）示意圖。 2、圖2係高熱導係數基板及第二導接層示意圖。 3、圖3 係化合物半導體與高熱導係數基板相互結合示意圖。 4、圖4 係第一導接層與第二導接層形成合金導接層，以及去 除化合物半導體基板後示意圖。
（三）系爭專利1 申請專利範圍分析：
系爭專利1 申請專利範圍共38項，其中第1 、17、30項為 獨立項，餘為附屬項。原告主張系爭產品1 實施系爭專利 1 請求項1 等語（見本案卷一第28至30頁），故以下僅列 出請求項1 內容（見本案卷一第17頁）：一種結合一半導 體結構與一基板之方法，包含：提供該半導體結構，包含 一第一基板及一磊晶層於該第一基板上；形成一第一導接 層於該磊晶層上；形成一第二導接層於該基板上；以及連 結該第一導接層及該第二導接層，以形成一合金導接層。（四）系爭產品1 技術內容：
據原證11（被告公司員工之論文）圖5 （a ）（見本案卷 一第138 頁圖）所載之Phoenix （PN）產品製作步驟（見 本案卷一第134 頁第2 段原證11第3 頁第2 段），係在基 板（GaAs）上的磊晶層（AlGaInP ）形成透明導電薄膜（ ITO ），接著在透明導電薄膜上設置反射層（Ag layer） ；之後將上述晶片導接到矽基板上，並將GaAs基板予以移 除、形成N 側的歐姆電極、將穿透層（transmitting sur face）形成於N 型覆蓋層（N-cladding layer）上，最後 在矽基板的背面形成P 側歐姆電極。
（五）將系爭專利1 請求項1 拆解為下列要件1A至1E，與系爭產 品1進行比對：
1、要件1D「形成一第二導接層於該基板上」及要件1E「連結 該第一導接層及該第二導接層，以形成一合金導接層」： 查原證11第3 頁第3 至5 行說明前述系爭產品1 將半導體 結構（GaAs基板-AlGaInP磊晶層-ITO層-Ag 層，其中Ag層 對應於系爭專利1 之第一導接層）結合於矽基板上。但並 未提及在矽基板上形成（第二）導接層之步驟，自然也沒 有將第一導接層及第二導接層相連接以形成合金導接層之 步驟，因此系爭產品1 之製程欠缺系爭專利1 請求項1 之
要件1D及1E。
2、原告雖另舉原證4 所載內容，主張系爭產品1 之製程具有 前述要件1D及1E云云（見本案卷一第25至27頁、見本案卷 二第111 至113 頁）。惟查，前述原證4 第3-32及3-33頁 載明「國聯公司之P .H .Wang等人將AlGaInP LED 放在Si 基板上稱之為金屬連接（Metal Bonding ，MB）LED ，其 製程程序如圖3.30所繪，先將LED 面上鍍金屬電接觸及高 反射金屬層，在Si基板上放置錫焊材料（圖3.30（a ）） ，在低溫時將LED 與Si結合（圖3.30（b ））…」（見本 案卷一第77頁）。姑先不論原證4 並未提及其係Phoenix （PN）LED 產品（即系爭產品1 ）之製程；依原證4 所述 之製程，在與Si基板結合前，LED 半導體結構上係鍍有「 金屬電接觸及高反射金屬層」，而原證11則是在LED 半導 體結構上形成「『ITO 透明薄膜』及高反射金屬層」，二 者顯不相同，是以原證4 所述是否確為系爭產品1 之製程 ，及原證4 與原證11之製程間是否可直接相互組合，仍有 疑問。再者，即便將原證4 所述之Si基板上的錫銲材料， 對比於1D要件之基板上的第二導接層，原證4 中仍未明確 見有任何關於兩個導接層相互結合形成「合金導接層」之 步驟或結果，故縱將原證4 與原證11強加組合，仍欠缺系 爭專利1 請求項1 之要件1E。
3、原告另主張原證12第14、15頁之內容，提及系爭產品1 之 製程係以金屬合金層為貼合材料，先將LED 晶片貼合到矽 基板後，再移除吸光成長基板（GaAs），最後形成P 、N 電極。要形成此種結合矽基板之LED 產品結構（由上而下 依序為：N 型電極、LED 薄膜發光磊晶層、金屬導接層、 永久（矽）基板、P 型電極）必然是依據系爭專利1 之製 程得以完成，並無其他製程可以形成此產品云云（見本案 卷二第116 、117 頁，以及原告108 年5 月21日言詞辯論 庭提影片檔3 分42秒至5 分24秒處）。惟查，原證12第14 頁右欄第3 段（見本案卷一第143 頁）雖提及P 系列LED 晶片（即系爭產品1 ）之製法係在GaAs基板上形成AlGaIn P 磊晶薄膜發光層，並在移除GaAs基板前，先貼合至矽基 板上，最後再於晶片上下形成N 電極與P 電極，但並未提 及在GaAs基板或矽基板上形成（第一、第二）導接層之步 驟。縱使由原證12第15頁圖2 （a ）之P 系列LED 晶片結 構圖，可見矽基板與薄膜發光磊晶層之間具有一金屬導接 層（soldering layer ），但原證12並未說明該金屬導接 層之相關製程及其材料，自然無法斷定該金屬導接層是否 如系爭專利1 請求項1 所示，先分別形成二個導接層後，
再將二者連結形成一合金導接層，是以依原證12所示之LE D 製程，仍欠缺系爭專利1 請求項1 要件1D及1E。至於原 告以LED 結構推論必然是依據系爭專利1 之製程方能完成 ，並無客觀證據可資證明，且系爭專利1 請求項1 既為方 法發明，自應以系爭產品1 之製程步驟相比對，始足論斷 是否使用系爭專利1 請求項1 之方法發明。況依原告所提 之原證42所示（見本案卷三第385 、417 至422 頁），在 系爭專利1 申請前，已有論文揭露LED 結構由上而下包含 N 型電極、LED 薄膜發光磊晶層、金屬導接層（Au／AuBe ）及矽基板，其採用了與系爭專利1 不同之製程步驟，同 樣能將矽基板與LED 薄膜發光磊晶層相互貼合，當不能以 相同或類似結構即反推製程步驟亦相同。
4、原告復主張原證28第18、19頁提及圖2.5 所示之LED 結構 ，即原證11圖5 （a ）所示之系爭產品1 ，再依據前述之 原證4 內容，可證明系爭產品1 係採用系爭專利1 請求項 1 之方法云云（見本案卷二第118 至128 頁，另見108 年 5 月21日言詞辯論庭呈影片檔5 分24秒至6 分17秒處）。 惟查，原證28並未提及圖2.5 所示之LED 結構係型號為「 UH B-PN 」或「PN」之LED 產品（系爭產品1 ）（見本案 卷二第148 、149 頁）；而將原證11圖5 （a ）之系爭產 品1 結構與原證28圖2.5 相比對，亦明顯可見原證28圖2. 5 之LED 結構中尚有原證11圖5 （a ）所無之ITO 層及Si O2層，因此原證28圖2.5 之LED 結構是否即為系爭產品1 ，仍有疑問。再者，原證11第3 頁第3 至5 行揭露以Ag層 作為導接層，但原證28第19頁（見本案卷二第149 頁）第 13至15行則揭露以二層導接金屬層（Ti／Pt／Au／In、Ti ／Pt／Au）形成於Si基板上，而由原證28於該兩行內容後 方所註明之引用參考文獻（即原證42），亦可明確得知原 證28之製程方法係先在矽基板上形成二層的導接金屬層（ Au／AuBe），進而與LED 磊晶層相接合，與原證11以單一 Ag層作為導接金屬層顯不相同。原證11、28均非如系爭專 利1 在矽基板及磊晶層上分別形成一導接層後，再將二者 連結形成一合金導接層，是以原證11、28之製程步驟明顯 與系爭專利1 不同。至於原告進一步將原證4 與原證28、 11結合之主張，如前所述，原證4 、28均未提及其係PN產 品（系爭產品1 ），且原證4 、11、28所述之LED 結構、 製程各不相同，其製程間是否能直接相互組合仍有疑義， 遑論將之組合認定為系爭產品1 之製程，故由原證28、原 證11及原證4 之內容，仍不足以認定系爭產品1 使用系爭 專利1 請求項1 之方法發明。
5、原告又主張由「百度文庫」網站（https : ／／wenku . baidu .com）下載之原證29，其揭露之LED 結構與被告公 司官網產品特徵完全符合，原證29所提及之PN LED製造流 程亦與原證28之製程流程完全符合，故原證29可證明系爭 產品1 符合系爭專利1 請求項1 之文義讀取云云（見本案 卷二第129 、130 及134 頁）。惟查，原證29係被告公司 關於「四元AlGaInP LED 介紹」簡報資料，首頁記載為機 密（confidential）資料（見本案卷二第173 頁），而原 證29第17頁（本案卷二第189 頁）顯示之PN LED製程，係 分別在Si基板及LED 磊晶層上形成一金屬導接層（Solder Bonding layer ），再將二金屬導接層相互貼合，其製程 雖大致上與系爭專利1 請求項1 相符，但原證29並未說明 該二金屬導接層相互貼合後，是否會形成「合金」導接層 ，是以原證29之內容仍不符系爭專利1 請求項1 之要件1E ，原證29並不能證明系爭產品1 有使用系爭專利1 請求項 1 之方法發明。再者，原證28之製程係先在矽基板上形成 二層的導接金屬層，再與LED 磊晶層相接合，與原證29在 矽基板與LED 磊晶層上各別形成一層導接金屬層，再予以 相互接合之製程，明顯不同，二者並非相同之製程。 6、綜上，依原告所提之原證4 、原證11、原證12、原證28及 原證29，系爭產品11至少欠缺要件1D或1E，且前述各證據 或未提及系爭產品1 之型號，或所提及之LED 製程方法不 盡相同，難以相互組合或逕予認定為系爭產品1 之製程方 法，故無法認定系爭產品1 落入系爭專利1 請求項1 之文 義範圍或有何使用系爭專利1 請求項1 方法發明之情形。二、系爭產品2 未落入系爭專利2 請求項1 、20之文義範圍：（一）系爭專利2 （註冊公告第573373號「發光二極體層疊式製 造方法及其構造」專利）技術內容：
系爭專利2 主要揭露一種發光二極體層疊式製造方法及其 構造，其係以層疊方式分二次導接製程以結合磊晶層（11 ）與高熱導係數基板（50）。第一次導接製程係透過暫時 導接基板（30）及第一導接層（20）轉接磊晶層（11）， 之後去除磊晶成長基板（10）；第二次導接製程則是再以 磊晶層（11）上形成之第二導接層（40）與高熱導係數基 板（50）上之第三導接層（60）接合形成一永久固接關係 之合金層，再將暫時導接基板（30）移除，如是製作完成 一將磊晶層（11）與高熱導係數基板（50）結合之發光二 極體結構（見本案卷一第216頁發明摘要）。（二）系爭專利2主要圖式（見本案卷一第233至236頁）： 1、第3 圖係磊晶成長基板透過第一導接層與暫時導接基板相
接合之示意圖。
2、第4圖係去除磊晶成長基板之示意圖。
3、第5圖係形成第二導接層之示意圖。
4、第7 圖係第二導接層與第三導接層相互接合形成合金層之 示意圖。
5、第8圖係移除暫時導接基板之示意圖。
（三）系爭專利2 申請專利範圍分析：
系爭專利2 申請專利範圍共22項，其中第1 、20項為獨立 項，餘為附屬項。原告主張系爭產品2 實施系爭專利2 請 求項1 、20等語（見本案卷一第30至38頁），故以下僅列 出請求項1 、20內容（見本案卷一第228 至231 頁）： 1、請求項1 ：一種發光二極體層疊式製造方法，係透過層疊 方式分別將磊晶成長基板上之磊晶層與高熱導係數基板進 行二次導接製作發光二極體，其製作步驟包括有：a ）提 供一磊晶成長基板，其上形成出一磊晶層，並定義該磊晶 層上下表層分別為歐姆接觸層及蝕刻終止層；b ）於上述 磊晶層之歐姆接觸層上以第一導接層接合一暫時導接基板 ，並於暫時導接基板完成接合後移除磊晶成長基板；c ） 於磊晶成長基板移除後之蝕刻終止層上形成出一第二導接 層；d ）提供一高熱導係數基板，其上形成出一第三導接 層；e ）將第c 、d 步驟之第二導接層及第三導接層相接 合形成一合金層，再將暫時導接基板移除，如是製作完成 一將磊晶層與高熱導係數基板結合並令歐姆接觸層向上而 提供更佳穩定性及光輸出效率之發光二極體。
2、請求項20：一種發光二極體層疊式構造，係透過層疊方式 將磊晶層與高熱導係數基板進行二次導接形成發光二極體 ，其構造主要具有一高熱導係數基板，於其上以一形成永 久固接關係之合金層接合磊晶層，並定義此磊晶層下表層 接合高熱導係數基板為蝕刻終止層，另一上表層之歐姆接 觸層則向上，如是構成一可提供更佳穩定性及光輸出效率 之發光二極體。
（四）系爭產品2 技術內容：
依被告公司網站所示之UHB-PX系列LED 產品（即系爭產品 2 ）說明及其規格書所示，產品特徵為垂直結構，表面為 P 電極，屬於表面薄膜發光結構，並具有高導電及高導熱 底材（整體結構之俯視圖及側視圖見本案卷一第32頁）。（五）將系爭專利2 請求項1 拆解為下列要件1a至1e，與系爭產 品2進行比對：
1、要件1e「e ）將第c 、d 步驟之第二導接層及第三導接層 相接合形成一合金層，再將暫時導接基板移除，如是製作
完成一將磊晶層與高熱導係數基板結合並令歐姆接觸層向 上而提供更佳穩定性及光輸出效率之發光二極體」：原證 20圖1 （d ）及第A1864 頁第9 至12行載明藉由將Cr／Au ／In層與Ag相接合，再利用氫氟酸溶液將暫時性的玻璃基 板予以移除，前述製程可使得LED 磊晶結構與矽基板結合 ，惟原證20並未提及Cr／Au／In層與Ag層相接合後是否會 形成「合金層」，無法認定原證20圖1 所示之LED 製程符 合系爭專利2 請求項1 要件1e，因此，原證20圖1 所示之 LED 製程，至少不符要件1e。
2、再者，前述原證20圖1 所示之LED 製程，雖係指P 側電極 向上之AlGaInP LED ，但並無任何關於「UHB-PX」型號或 其他資料可供勾稽為被告公司所生產之系爭產品2 ；復依 原告所提出之系爭產品2 規格書（見本案卷一第32頁）， 其側視圖與電極俯視圖明顯與原證20圖1 不同（見本案卷 一第267 頁），因此原證20圖1 之製程是否即為系爭產品 2之製程，實有疑義。
3、基於上述理由，無法認定系爭產品2 落入系爭專利2 請求 項1 之文義範圍或有何使用系爭專利2 請求項1 方法發明 之情形。
（六）將系爭專利2 請求項20與系爭產品2 進行比對： 1、要件20b 「其構造主要具有一高熱導係數基板，於其上以 一形成永久固接關係之合金層接合磊晶層」：查原證20圖 1 （e ）所示之LED 結構具有一矽基板，其係藉由Cr／Au ／In層與Ag層相互接合來接合磊晶層。但原證20並未提及 Cr／Au／In層與Ag層相互接合是否形成「合金層」，故不 符系爭專利2 請求項20要件20b 。
2、綜上，原證20圖1 （e ）所示之LED 結構至少不符要件20 b ，且如前述，原證20並無任何關於「UHB-PX」型號或其 他資料可供勾稽為被告公司所生產之系爭產品2 ；復依原 告所提出之系爭產品2 規格書，其結構顯與原證20圖1 （ e ）不同，是以無法認定系爭產品2 落入系爭專利2 請求 項20之文義範圍或有何使用系爭專利2 請求項20方法發明 之情形。
三、系爭產品3 未落入系爭專利3 請求項8 、22之文義範圍：（一）系爭專利3 （註冊公告第550834號「發光二極體及其製造 方法」專利）技術內容：
系爭專利3 揭露一種發光二極體結構及其製造方法，其係 藉由一介電黏接層（10）以結合發光二極體磊晶層與高熱 導係數基板（8 ）（見本案卷一第241 、242 頁發明目的 及概述），並把N 型砷化鎵基板（26）等層移除至蝕刻終
止層（24），並再分別形成P 型歐姆接觸金屬電極層（28 ）及N 型歐姆接觸金屬電極層（30）（見本案卷一第251 頁）。
（二）系爭專利3主要圖式（見本案卷一第260、261頁）： 1、第2圖係發光二極體磊晶片之結構示意圖。 2、第4 圖係高熱導係數基板與發光二極體磊晶片透過介電黏 接層接合後形成的發光二極體結構示意圖。
（三）系爭專利3 申請專利範圍分析：
系爭專利3 申請專利範圍共28項，其中第1 、15項為獨立 項，餘為附屬項。原告主張系爭產品3 實施系爭專利3 請 求項8 、22等語（見本案卷一第38至48 頁）。因請求項8 、22係分別為請求項1 、15之附屬項，故以下列出請求項 1 、8 、15、22內容（見本案卷一第253 至257頁）： 1、請求項1 ：一種發光二極體（light emitting diode ;LE D ），至少包括：一發光二極體磊晶片，該發光二極體磊 晶片上具有一堆疊磊晶層形成的一發光二極體結構成長在 一吸光基板上；一高熱導係數基板；以及一軟質之介電黏 接層，其中該高熱導係數基板與該發光二極體磊晶片之表 面係利用該軟質之介電黏接層接合在一起。
2、請求項8 ：如申請專利範圍第1 項所述之發光二極體，其 中更包括在該高熱導係數基板與該發光二極體磊晶片接合 後將該吸光基板除去。
3、請求項15：一種發光二極體之製造方法，至少包括：提供 一發光二極體磊晶片，該發光二極體磊晶片上具有一堆疊 磊晶層形成的一發光二極體結構成長在一吸光基板上；提 供一高熱導係數基板；以及利用一軟質之介電黏接層將該 高熱導係數基板與該發光二極體磊晶片之表面接合在一起 。
4、請求項22：如申請專利範圍第15項所述之發光二極體之製 造方法，其中更包括在該高熱導係數基板與該發光二極體 磊晶片接合後將該吸光基板除去。
（四）系爭產品3 技術內容：
依被告公司網站所示之UHB-AX系列LED 產品（即系爭產品 3 ）說明及其規格書所示，產品特徵為水平結構，P 與N 電極均位於表面，並具有絕緣、透明底材（整體結構之俯 視圖及側視圖見本案卷一第40頁）。
（五）將系爭專利3 請求項8 拆解為下列要件8A至8D，與系爭產 品3進行比對：
1、要件8B「一高熱導係數基板」及要件8C「一軟質之介電黏 接層，其中該高熱導係數基板與該發光二極體磊晶片之表
面係利用該軟質之介電黏接層接合在一起」：查原證2 圖 1 之AlGaInP-sapphire LED具有藍寶石基板（即支持基板 （support substrate ）），且該藍寶石基板係藉由軟質 之介電黏接層（adhesive或glue layer）與發光二極體磊 晶片（AlGaInP MQW LED stuctures ）之表面接合在一起 ；系爭專利3 請求項8 未定義何為「高熱導係數基板」， 經參酌系爭專利3 說明書第10至12頁內容（見本案卷一第 247 至249 頁），可知系爭專利3 係以矽、銅、鋁等高熱 導係數材料之基板來取代吸光基板（GaAs）（另可參考系 爭專利3 請求項1 、2 、8 、9 內容），是以「高熱導係 數基板」至少需為熱導係數高於GaAs之基板，始符合系爭 專利3 之發明目的。而原證2 之LED 結構係採用藍寶石基 板，其熱導係數較吸光基板（GaAs）為差，非屬系爭專利 3 所稱之高熱導係數基板，故原證2 圖1 之LED 結構，至 少不符合8B要件之「高熱導係數基板」。
2、再者，原證2 圖1 及其內文並未提及該AlGaInP-sapphire LED 是否係被告公司所生產之「UHB-AX」系列LED 產品（ 即系爭產品3 ）。
3、原告主張原證2 與原證12作者之一係同一位被告公司員工 ，又原證2 圖1 之LED 屬GB（glue-bonded ）產品，而原
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