1智慧財產法院民事判決
2107年度民專訴字第20號
3原告ALMECOGMBH（艾爾美科公司）
4
5
6法定代理人GiorgioGabrieleLocci
7
8訴訟代理人張哲倫律師
9莊郁沁律師
10吳俐瑩律師
11李協書
12古乃任
13被告安森科技材料股份有限公司
14
15
16兼法定
17代理人OliverStorbeck
18
19共同
20訴訟代理人桂齊恒律師
21何娜瑩律師
22林景郁
239樓
24複代理人任政宏
25江郁仁律師
26被告富鹿貿易股份有限公司
27
11
2兼法定
3代理人楊國夫
4
5
6共同
7訴訟代理人楊智峰
8
9林曉龍
10上列當事人間侵害專利權有關財產權爭議等事件，本院於中華民
11國108年2月15日言詞辯論終結，判決如下：
12主文
13原告之訴及假執行之聲請均駁回。
14訴訟費用由原告負擔。
15事實及理由
16壹、程序方面：
17按不變更訴訟標的，而補充或更正事實上或法律上之陳述者，18非為訴之變更追加，民事訴訟法第463條準用第256條定有明19文。原告於民國106年12月20日具狀，將原起訴聲明第1至203項均有記載之「如其中一被告已履行給付，在其給付範圍內21，他被告免給付義務」部分刪除，並新增第4項聲明為「就前22三項之聲明，如其中一被告已履行給付，在其給付範圍內，他23被告免給付義務。」，而更正如後開訴之聲明所載（參本院卷24一第3至4、109至110頁）。核其所為係更正其法律上之陳述25，非訴之變更追加，揆諸上開說明，應予准許。26貳、實體方面：
27一、原告主張：
21（一）原告係世界領先之照明（包括LED科技）、太陽能應用等2高科技產品所使用之關鍵產品之製造商暨供應商。原告發明3名稱為「溫度及腐蝕穩定的表面反射器」之專利（中華民國4專利公告號第I589448號，下稱系爭專利），專利保護期間5自106年7月1日起至124年10月26日止，此有系爭專利6之智慧財產局專利資料查詢系統查詢資料（原證1號）可稽7。
8（二）被告安森科技材料股份有限公司（下稱安森公司）製造、9販賣，被告富鹿貿易股份有限公司（下稱富鹿公司）販賣10之MIROR98AX17（M98AX17）型號產品（下稱系爭產品），11均侵害原告系爭專利權，至少侵害系爭專利申請專利範圍12第1至3、8至16及30項。為釐清系爭產品是否侵害系爭13專利，原告乃委由其台灣經銷商台灣津聖企業有限公司於14市場上透過第三人間接取得系爭產品（原證3號：系爭產15品照片）及系爭產品規格書（原證4號）（另台灣津聖企16業有限公司之員工之聲明書如原證5號），並由專業分析17鑑定機構（FraunhoferIMWS）加以實驗、分析（原證6號18：FraunhoferIMWS分析報告），合理認定被告安森公司所19產製之系爭產品具有系爭專利申請專利範圍第1至3、8至2016及30項之技術特徵，落入系爭專利之文義範圍。亦即，21系爭產品已文義讀取系爭專利申請專利範圍第1至3、8至2216及30項之技術特徵。準此，原告自市場上間接取得之系23爭產品侵害系爭專利乙節，已臻明確。
24（三）本件前經本院以106年度民聲字第39號民事裁定准予就被
25告安森公司所製造之系爭產品予以取樣保存並拍照，系爭產26品上載有「M98AX17」之文字，且被告安森公司之製造經理27蔡鴻麟先生亦於本院執行保全證據時表示系爭產品確為被告
31安森公司生產、製造之產品。
2（四）被告安森公司是由德國安鋁（AlanodGmbH；下稱德國安3鋁）及台灣森鉅科技材料股份有限公司（下稱台灣森鉅）4合資成立之公司（參原證13號），其與德國安鋁及台灣森5鉅同為LED、照明、太陽能應用等材料製造專業領域之業6者，與原告間為競爭同業。而系爭專利已於105年9月17日公開，並於106年7月1日公告在案，被告安森公司絕8無可能不知系爭專利及系爭產品業已侵害系爭專利等情。9（五）查被告富鹿公司既具多年貿易實務經驗，且德國安鋁之產10品為其主要營業項目，自應熟稔、掌握相關產品之市場實11務消息，包括相關專利之公開、公告等。基於上述，被告12安森公司及富鹿公司即便明知系爭專利之公開、公告及系13爭產品業已侵害系爭專利等情，其等仍續為製造、經銷、14販售侵害系爭專利之系爭產品等行為，顯見被告等均具有15侵害系爭專利權之故意。
16（六）被告OliverStorbeck、楊國夫分別擔任被告安森公司、富17鹿公司之法定代理人（參原證12、16號），自應依公司法18第23條第2項規定，就其擔任法定代理人期間，為被告安19森公司、富鹿公司之侵權行為對原告負連帶賠償責任。爰依20專利法第96條第1、2項規定請求排除侵害、同條第3項21規定請求回收並銷毀侵權產品，依專利法第41條規定請求22補償金，並依民法第184條第1項前段、第185條規定，請23求被告應連帶負損害賠償之責，依民法第179條規定請求被24告等返還其等所受利益，依民法第177條第2項規定請求被25告等因該不法無因管理所獲得之所有利益。26（七）聲明：
27１、被告安森公司、富鹿公司應連帶給付原告新臺幣（下同）
412千萬元整，暨自起訴狀繕本送達翌日起至清償日止，按2年息5%計算之利息。
3２、被告安森公司、OliverStorbeck應連帶給付原告2千萬元4整，暨自起訴狀繕本送達翌日起至清償日止，按年息5%計5算之利息。
6３、被告富鹿公司、楊國夫應連帶給付原告2千萬元整，暨自7起訴狀繕本送達翌日起至清償日止，按年息5%計算之利息8。
9４、就前3項聲明，如其中一被告已履行給付，在其給付範圍10內，他被告免給付義務。
11５、被告等不得直接或間接、自行或委託他人製造、為販賣之12要約、販賣、使用或進口系爭產品及其他侵害原告所有之13系爭專利產品。
14６、就前4項聲明，原告願以現金或同額之可轉讓定期存單供15擔保，請准宣告假執行。
16７、前項聲明之侵權產品，被告安森公司、富鹿公司應予回收17並銷毀。
18二、被告安森公司、OliverStorbeck則抗辯如下：19（一）系爭專利說明書不符專利法第26條第1項規定：20１、通常知識者依據系爭專利說明書揭示，無法確定系爭專利21所宣稱之光密特徵為何，並據以實現製造及使用，不符專22利法第26條第1項規定：
231所請層系統包括「由高純度金屬構成的
24光密反射層（6）」，原告於107年7月24日言詞辯論庭之25簡報第15頁（參本院卷二第219頁背面）引用系爭專利說26明書第【0005】段落主張所謂「光密」性質為「為提供反27射性並抑制有害的干擾，首先為氧化鋁層塗層一層由金屬
51構成之所謂鏡面層或反射層，其必須具有使得該層達到『2光密』的厚度，亦即，此種厚度阻止入射之輻射穿透該層3到達下方之其他層，而造成氧化鋁層中的干擾效果，此類4干擾效果會降低鏡面之效率並引致有害的干擾」，並繪製5光密與非光密之差異比較圖於簡報第16頁中云云。6經查，系爭專利說明書【先前技術】欄中段落【0006】記7載：「WO2007/095876A1（即被證五）提及一種黏接層，8係在鍍層厚度＜90nm的第一功能性反射層之前，先鍍覆在9陽極氧化層上，而第一功能性反射層並非光密」，顯然系爭10專利將某個最小厚度視為光密的標準，但系爭專利在【發明11內容】段落【0032】中揭示系爭專利所請層系統中，光密反12射層6的厚度以50至200nm乃至300nm為較佳，並將厚13度特徵界定在附屬項第7及28項中。因此，若系爭專利說14明書對WO2007/095876A1的闡述成立，則系爭專利已自承15層6的厚度在50至90nm的範圍內是無法據以實現光密的16特徵。
170021】所自承之另一
18先前技術DZ000000000000A1（即被證九）揭露該反射層可19由Ag、Al、Au或Pt構成且為光密，應至少以100nm的厚20度沈積而成（請見被證九說明書段落【0013】），再次可證
21，系爭專利所請層系統中，層6在50至90nm的厚度範圍22內是無法達到光密特徵，至少100nm以上才可能顯現光密特23徵，不論是被證5或是被證9，均為引用在系爭專利說明書24中之先前技術，乃是專利權人所自承先前技術，顯見系爭專25利說明書揭示內容有自相矛盾之處，通常知識者在參酌系爭26專利說明書後，根本無法確定系爭專利所宣稱之光密特徵為27何，並據以實現製造及使用，系爭專利說明書顯然不符合專
61利法第26條第1項規定。
25a作為反射層6之晶種層，依據系
3爭專利說明書第14頁第1段記載：「由NiV合金、Cu或優4質鋼構成更佳，厚度以2-40nm為佳，5-30nm更佳」，當晶5種層5a（例如Cu層）之厚度為40nm、反射層6（例如Ag6層）之厚度為50nm時，因為反射層6厚度僅為50nm時，7無法顯現光密效果，已如前述，故入射輻射仍會穿透反射層86，此時層5a勢必與層6併作反射層貢獻反射能力，此部分9顯然與系爭專利說明書揭示牴觸、不一致，亦與原告前次言10詞辯論庭中所主張系爭專利層6光密性質相互矛盾；再依系11爭專利說明書第13頁第3段可知，層4厚度以5至50nm為12佳，因此，依據說明書教示及請求項7界定之層4、5a及613厚度範圍，倘若反射層6（例如Ag層）之厚度為50nm、層514a（例如Cu層）厚度為2nm，層6併同層5a厚度僅為52nm15，顯難以達到阻止入射輻射穿透到氧化鋁層之目的，此時層416（例如Cr層）厚度倘若採取50nm上限值時，層4（例如Cr17層）在此主要功能作為反射層，與層6（例如Ag層）、層5a18（例如Cu層）併同一起貢獻反射，才能一起協力阻止入射輻19射穿透到氧化鋁層，倘若採取下限值5nm，層4（例如Cr層20）、層5a（例如Cu層）及層6（例如Ag層）之厚度總和也21才57nm，甚至60nm都不到，依據系爭專利【先前技術】章22節教示，顯難以阻止入射輻射穿透到氧化鋁層，以上例子顯23然再次與系爭專利所主張反射層6光密特徵相矛盾，亦與系24爭專利說明書揭示內容牴觸、不一致，通常知識者依據系爭25專利說明書揭示，無法瞭解其內容，並據以實現及製造，不26符專利法第26條第1項規定，至為明確，請明察。27２、通常知識者依據系爭專利實施例的教示，也無法據以實現
71系爭專利所請發明：
2項
31中的層4、層5a、層6、層7、層9、層10）材料的選擇4組合多達數百萬種，惟系爭專利實施例僅例示其中的幾種，
5甚至有些材料種類亦無任何實施例說明，例如層4僅例示「T6iOX」或「TiNXOy」，所請材料選擇範圍包括「選自某種材7料的層（4），該材料選自鈦及鋯之亞化學計量的氧化物及8氮氧化物，或者選自鈦、鋯、鉬、鉑及鉻的金屬，或者使用9上述金屬中的一個合金，或者選自上述金屬中的至少兩個。10」、層7僅例示「CrOx」、「TiOX」，所請材料選擇範圍「11層（7），其選自鈦、鋯、鉿、釩、鉭、鈮或鉻之亞化學計12量的氧化物，以及鉻、鈦、鋯、鉿、釩、鈮、鉭、鎢、鉬、13銠及鉑等金屬及使用上述金屬中的一個的合金，或者選自上14述金屬中的至少兩個」，不僅選擇組合性多樣，且皆未有合15金的實施例，難以合理推及所主張的範圍。更甚者，系爭專16利實施例針對層5a僅例示NiV及優質鋼，與所請範圍「層17（5a），其由一鎳合金構成，其合金組分為鉻、鋁、釩、鉬、18鈷、鐵、鈦及/或銅，或者由選自銅、鋁、鉻、鉬、鎢、鉭、19鈦、鉑、釕、銠的金屬及使用上述金屬中的一個的合金，或20上述金屬中的至少兩個所構成，或者由鐵、鋼或優質鋼構成21」相去甚遠，通常知識者在面對高達上百萬種組合下，勢必22要經歷嘗試大量錯誤試驗才能確認所有組合均能實現系爭專23利，參酌專利審查基準，實難謂發明所屬技術領域中具有通24常知識者能瞭解其內容並據以實現，不符合專利法第26條第251項規定。
26層
27材料的厚度多以範圍例示記載，而非確切的數值，甚至在單
81一實施例中出現材料選用情形，例如實施例3a出現層4可為2「TiOx」或「TiNxOy」的不特定情形，惟實施例應是揭露教3示通常知識者如何實現專利之實例，理論上應是特定產品結4構，例如化合物發明，實施例所例示產物應是特定單一化學5結構式之化合物，若為裝置結構發明，實施例所例示應是特6定單一結構之裝置，但系爭專利實施例記載的層厚度卻是以7範圍記載，且某些層之厚度範圍差異變化可超過100%，例如8扮演反射功能之層6，在每個實施例中厚度為90到200nm，9差異變化高達100%以上，以實際生產角度觀之，殊難想像生10產者會在生產過程中變動厚度差異超過100%，且在單一產品11中，層厚度變化超過100%，層的平坦性若不足，也會對產品12性質產生影響，故系爭專利說明書實施例以範圍及材料選用13方式記載一特定產品中的層結構厚度及材料，通常知識者勢14必要經歷嘗試大量錯誤試驗才能實現系爭專利，參酌專利審15查基準，系爭專利不符合專利法第26條第1項規定。16(6)之厚度範圍為
17「90-200nm」，根本不包括90nm以下之範例，通常知識者18依據說明書實施例的例示，根本不知如何實現層(6)光密特徵19，且依系爭專利【先前技術】章節教示，反射層(6)需至少102000nm厚度才可能顯現光密效果，但系爭專利實施例所例示21層(6)厚度範圍下限值90nm，仍然會有入射輻射穿透層(6)到22達層(6)以下的層結構，惟參酌系爭專利各實施例，層(6)下方23均是緊接層(5b)，當入射輻射穿透層(6)到達層(5b)時，層(5b)24勢必與層(6)一起貢獻反射，才能協力防免入射輻射繼續向下25穿透，再細繹系爭專利各實施例竟發現，層(6)成分與層(5b)26成分相同，除實施例3e外，均例示層(6)及層(5b)均為銀材料27，通常知識者知悉「銀」材料之反射性質最佳，因此，通常
91知識者依據說明書實施例教示，並無法瞭解其它層順序組合2以及反射率較「銀」材料弱之材料是否同樣具有系爭專利實3施例所宣稱之功效，可見通常知識者仍需要嘗試大量錯誤或4複雜實驗，故系爭專利顯然不符合專利法第26條第1項規定5。
6（二）系爭專利請求項1至3、8至16及30項不符合專利法第267條第2項之規定：
8１、關於請求項1至3、8至16及30項：91之層6僅記載為「高純度金屬構成的光
10密反射層」，但未明確界定高純度金屬的純度及成分，更未11定義何謂光密以及達成光密的條件（如厚度），通常知識12者無法瞭解光密的意義以及何種厚度才是可達成光密性質13的範圍，所請並不明確。
14
15少100nm厚度才可能顯現光密效果，在參酌系爭專利請求16項1附屬項7或28後可知，系爭專利請求項7、28所界定17反射層(6)明顯與系爭專利【先前技術】章節教示矛盾，故18由系爭專利所自承先前技術揭示至少100nm反射層厚度才19能顯現光密效果時，系爭專利請求項1僅記載「光密」二20字並不能令通常知識者明瞭其意義及範圍，且理論上附屬21項界定特徵應更為明確，倘若通常知識者參酌請求項1之22附屬項7後，只會感到更為混亂與困惑，而無所適從，不23知如何判斷「光密」技術特徵，可見通常知識者在基於說24明書揭示下並不能理解系爭專利請求項1及其附屬項之範25圍，所請範疇並不明確。
261所請層系統，包括金屬基板，在金屬
27基板第一面(A)鍍覆以下層：層(4)、層(5a)、高純度金屬構
101成之光密反射層(6)、層7、LI層(9)及HI(10)。經查，請求2項1所載各層材料範圍過廣，涉及金屬、合金、金屬氧化物3及氮氧化物等性質截然不同之材料，各層材料的選擇組合多4達數百萬種（尚不計上述的LI層及HI層），而實施例僅例5示其中的幾種，有些種類甚至無任何實施例說明（例如層46及層7皆未有合金的範例，層5則僅例示NiV及優質鋼）7，所屬技術領域中具有通常知識者由說明書揭露的內容無法8合理預測或延伸至請求項之範圍，是為不受說明書的支持。91使用開放式連接詞「包括」，並
10不排除可包含其他層，且其連接關係（層序）亦不一定是11相疊的，此可從系爭專利請求項17所載之層3、層5b、層128看出。且系爭專利說明書所有實施例皆例示包含層5b的13層系統，其材料皆與反射層6之材料相同。所屬技術領域中14具有通常知識者無法從說明書及實施例所載合理延伸至請求15項1所載僅包含層1、層4、層5a、層6、層7、層9及層1160的層系統，亦無法確定其效果是否來自額外包含的層（如17層5b），所請不受說明書的支持。
181所載層系統中之各層僅以「層」
19字界定，範疇廣泛且不明確，例如層5a，系爭專利主張層205a作為反射層6之晶種層，依據系爭專利說明書（第14頁21第1段）所載，晶種層5a之厚度範圍為2-40nm為佳，故22當晶種層5a之厚度為40nm、反射層6之厚度為50nm時，23層5a主要功能反而是作為反射層，與層6併作反射層實際24貢獻反射能力，此部分顯然與系爭專利請求項1所主張層625光密特徵相矛盾，亦與系爭專利說明書揭示牴觸、不一致，26足見系爭專利請求項並未敘明必要技術特徵；再者，以層427為例亦有相同情形，系爭專利主張層4作為黏接與障壁層
111，依系爭專利說明書第13頁第3段可知，層4厚度以5至250nm為佳，依據說明書教示及請求項7界定之層4、5a及36厚度範圍，倘若層6厚度為50nm、層5a厚度為2nm，層46併同層5a厚度僅為52nm，顯難以達到阻止入射輻射穿透5到氧化鋁層之目的，此時層4厚度倘若採取50nm上限值時6，層4在此主要功能作為反射層，與層6、層5a併同一起7貢獻反射，才能一起協力阻止入射輻射穿透到氧化鋁層，倘8若採取下限值5nm，層4、5a及6之厚度總和也才57nm，9甚至60nm都不到，顯難以阻止入射輻射穿透到氧化鋁層，10以上例子顯然再次與系爭專利請求項1所主張層6光密特徵11相矛盾，亦與系爭專利說明書揭示內容牴觸，在在可證，系12爭專利請求項並未敘明解決問題之必要技術特徵，通常知識
13者由說明書揭露之內容並無法合理預期或延伸至請求項範疇14，系爭專利請求項1至3、8至16以及引用請求項1之請求15項30所請範疇並不明確，也不受說明書支持。16LI層』及『HI層』」僅以相對的折射率界17定，並未說明其所包括的化合物種類範圍及厚度範圍，無18法確定是否任何材料（金屬、非金屬、聚合物…）及厚度19都適合用於『LI層』及『HI層』，且細繹附屬項第13及第2015項，LI層(9)折射率上限值為1.8，HI層(10)折射率下限值21為1.8，兩者相等並無差異，明顯與請求項1矛盾，可見所22屬技術領域中具有通常知識者，單獨由系爭專利請求項之記23載內容，無法明確瞭解其意義及範圍，是為不明確。24２、關於請求項8、14、16：
25請求項8所載「TiOx及TiNxOy」，並未明確界定x及y，26請求項14所載「SiOx」、及請求項16所載「TiOx」，均未27載明x值範圍，上述x、y等為化合物之化學計量比，依系
121爭專利說明書例如第【0032】段落揭示可知，上述化合物之2化學計量比並非包含所有態樣，因此，系爭專利請求項8、314、16未記載化學計量比之限制條件，通常知識者單獨由4請求項之記載內容，無法明確瞭解其意義，是為不明確。5３、關於請求項16、30：
6請求項30所載「前述任一項」、「更佳」、「特別是」為7不明確用語，且「更佳」、「特別是」會造成同一請求項8界定不同範圍，是為不明確。此外，請求項16所載「尤佳9」亦有同一請求項界定出不同範圍之問題。因此，請求項1016、30不符專利法第26條第2項之規定。11（三）系爭產品於系爭專利優先權日前已完成實施系爭專利之準12備工作，符合專利法第59條第1項第3款規定：13１、被證4、13、21至24、33、34及42可證明被告安森公司在14系爭專利優先權日前已占有TiO2/SiO2/CrOx/Ag/Cu/TiOx/15anodizedaluminum之層堆疊發明概念，已完成必要之準備16：
174實際上揭露產品鍍層順序：
18被證4簡報第15~36頁標題為「Processtrends（製程趨勢）19」記錄試機過程中反應流程及各個反應的操作條件：捲料先20經由GLO（被證4簡報第15~17頁，plasmacleaning即以電21漿清潔捲料表面）→第一個鍍層TiOx（被證4簡報第18~2022頁，濺鍍TiOx）→第二個鍍層Cu（被證4簡報第21~24頁23，濺鍍Cu）→第三個鍍層Ag（被證4簡報第25~27頁，蒸24鍍Ag）→第四個鍍層CrOx（被證4簡報第28~30頁，濺鍍
25CrOx)→第五個鍍層SiO2（被證4簡報第31~33頁，SiO2蒸26鍍)→第六個鍍層TiO2（被證4簡報第34~36頁，TiO2蒸鍍27），因此，所形成鍍層結構當然是TiO2/SiO2/CrOx/Ag/Cu/
131TiOx/anodizedaluminum，此為任何有製程概念人士都可了解2知悉。
3TiO2/SiO2/CrOx
4/Ag/Cu/TiOx/anodizedaluminum層系統結構之能力，此能力包5括調整銀/銅使用量的能力：
6原告一再援引被證4簡報第22頁圖式聲稱被告不得主張先7使用權云云，然而，由本技術領域中光密技術手段演進可8知，在銀/銅雙層結構基礎上，調整銀/銅使用量，乃是系爭9專利申請前通常知識，倘若銀/銅雙層結構為光密，則為被10證8技術手段，倘若在銀/銅雙層結構基礎上，以銀反射層11作為主要反射層貢獻反射達成光密效果，乃是被證8申請日12以前，被證9時期所採用技術手段，也是系爭專利前的通常13知識，此等在銀/銅雙層結構基礎上，調整銀/銅使用量，實際14上在被證7圖7中已有相當明確揭露，由此可知，被告在系15爭專利優先權日前已占有TiO2/SiO2/CrOx/Ag/Cu/TiOx/anodize16daluminum之層堆疊發明概念，此發明概念當然包括在銀/銅17雙層結構基礎上，調整銀/銅使用量的通常知識，詳言之，被18告在系爭專利優先權日前已具備生產、製造TiO2/SiO2/CrOx/A19g/Cu/TiOx/anodizedaluminum層系統結構之能力，此能力當然20包括調整銀/銅使用量的能力，故原告一再援引被證4簡報第2122頁圖式聲稱被告不得主張先使用權云云，無非是在混淆視22聽，殊無足取之處。
2342及被證43可證明被告在系爭專利優先權日前已具備24生產、製造TiO2/SiO2/CrOx/Ag/Cu/TiOx/anodizedaluminum層25系統結構之能力：
26被證42為德國VonArdenne員工FrankWeber出具聲明書，27FrankWeber在98年到101年間代表VonArdenne來臺灣，
141執行VonArdenne與森鉅公司所簽訂編號AP291739「Sales2AgreementrelatingtoMetalStripCoatingSystem,agreement3No.AP291739」之合約，內容包括參與設備組裝、量產及驗4收等程序，同時提供台灣森鉅公司人員教育訓練，並也參與5101年5月4日鋁鏡驗收，及101年5月18日第八次銀鏡生6產會議（參被證43），此時在101年5月17日已經完成銀7鏡驗收，FrankWeber確認在臺灣見證銀鏡驗收程序，並參與8標題為「SummaryofAgMirrorFATatXxentria」簡報的製作
9，FrankWeber確認該簡報討論的層結構為「TiO2/SiO2/CrOx/10Ag/Cu/TiOx/anodizedaluminum」。11２、依「發明思想說」，被告安森公司在系爭專利優先權日前已12占有TiO2/SiO2/CrOx/Ag/Cu/TiOx/anodizedaluminum之層堆疊13發明思想及能力，此能力自然涵蓋系爭專利所請範圍，故被14告安森公司確實在系爭專利優先權日前已完成實施系爭專利15之準備工作。
16（四）系爭專利請求項1至3、8至16及30項相較於被證12或17被證12與被證9之組合不具進步性：
18被證12之層系統組合可完全對應系爭專利之層系統，且被19證12已揭示各層之材料，被證12擴散阻擋層BS（相對應20於系爭專利層(7)）揭示氧化物材料為經摻雜的氧化鋅，說21明書亦說明該層實際上功能與黏附促進及擴散阻擋的HS層22相當，應可選自ZnOx、SiOx、SnOx、TiOx或ZrOx，其中23x≦2，因此，基於被證12之揭示內容，系爭專利請求項124至3、8至16及30不具進步性，詳如附表二所示。25（五）系爭專利請求項1至3、8至16及30項相較於被證12及26被證9之組合不具進步性：
27被證9揭露一種在基板1上形成黏附促進和擴散阻擋層2/
151功能反射層3/黏附促進和擴散阻擋層4/低折射率層51A/高2折射率層51B/低折射率層52A/高折射率層52B之層結構，3其中被證9之層2及層4相當於系爭專利層4及7，依據4被證9揭示，合適的黏附促進和擴散阻擋層(2、4)材料為5TiOx、ZnOx、SiOx、SnOx、ZrOx，其中x≦2，故被證96已揭示系爭專利層4及7可為亞化學計量之氧化物等技術7特徵，由於被證12及被證9均為相同技術領域且為同一申8請人之案件，對於黏附促進和擴散阻擋層之用語亦相同，9通常知識者在參酌被證12及9之下會有合理動機組合兩者10，是以，系爭專利請求項1至3、8至16及30項相較於被11證12及被證9之組合不具進步性，詳如附表三所示。12（六）系爭專利請求項2至3、8至16及30項相較於被證8與系13爭專利自承先前技術之組合、被證8與被證9與系爭專利14自承先前技術之組合、被證8與被證10與系爭專利自承先15前技術之組合、被證12與系爭專利自承先前技術之組合，16或被證12與被證9與系爭專利自承先前技術之組合不具進17步性：
18１、基板材質為通常知識，依系爭專利說明書第【0002】節記19載：「表面反射器及相當之物體通常係鋁製品。為達到較20高的反射，原鋁應儘可能純淨，如具有99.8%之純度。純
21鋁非常軟，故傾向使用所謂"滾壓包覆"材料。該工藝係將22純鋁單面或雙面地滾壓至具有符合機械性能之鋁合金。採23用高純度之原因在於，所含雜質會在加工過程中，例如在24脫脂槽中或在電化學拋光時造成穿孔腐蝕，從而增大漫反25射分量，此點不利於相關應用領域」、第【0003】節記載26：「通常對經過前述處理之鋁實施陽極氧化。在此過程中27，含有羥基之層自外朝內增長，即朝基板芯部增長，而產
161生多孔氧化鋁層」等語可知，系爭專利請求項2、3為系爭2專利申請前通常知識。
3２、在被證8、9、10、12及系爭專利均為相同技術領域下，4通常知識者自有動機將被證8與系爭專利自承先前技術、5被證8與被證9及系爭專利自承先前技術、被證8與被證610及系爭專利自承先前技術、被證12與系爭專利自承先前7技術，或被證12與被證9及系爭專利自承先前技術予以組8合，故系爭專利請求項2至3、8至16及30項不具進步性9。
10（七）系爭專利請求項1至3、8至16及30項依被證40、41，11或被證40、41與被證7之組合，或被證40、41與被證912之組合，不具進步性：
13１、原告並未爭執在系爭專利申請日前已公開銷售Vega98系列14產品、Vega98110層系統是基於被證8等事實。而由被證1540及41可證，Vega98110層結構（TiOx/SiOx/CrOx/Ag/Cu16/TiOx/anodizedaluminum之層堆疊）及技術特徵已成為先17前技術，不具新穎性。亦即，Vega98110可對應系爭專利18請求項1各層，也揭示請求項2至3、8至16，且Vega9819110可用於LED。原告唯一爭執僅在於層6為光密，但此20光密為通常知識者可輕易調整。故系爭專利請求項1至321、8至16及30項依據被證40、41之組合，不具進步性。22２、由被證7圖7、被證9及原告異議答辯理由書（被證39）23可知，在銀/銅雙層結構基礎上，為增加反射率，僅會想到24增加銀之使用量，而以銀反射層作為主要反射層貢獻反射25達成光密效果乃是被證9時期所採用技術手段，因此在銀/26銅雙層結構上增加銀之使用量，以反射率最佳之銀反射層27作為主要反射層貢獻反射達成光密效果，乃屬系爭專利前
171通常知識，與被證9時期所採用技術手段並無差異。故系2爭專利請求項1至3、8至16及30項依據被證40、41與3被證7之組合，或是被證40、41與被證9之組合，不具4進步性。
5（八）聲明：
6１、原告之訴駁回。
7２、如受不利判決，被告願以現金或同額之可轉讓定期存單供8擔保，請准免於假執行。
9三、被告富鹿貿易公司、楊國夫除援引被告安森公司、Oliver10Storbec前揭抗辯外，並補充如下：11（一）被告富鹿貿易公司、楊國夫並無故意或過失侵害系爭專利12之事實：
13１、被告富鹿公司為銷售商，登記營業項目主要為電信器材買14賣及進出口業務，僅係專營買賣及進出口，與製造生產無15任何相關，此觀被告富鹿公司之登記資料即可知(被證1)。16縱然被告富鹿公司先前銷售德國安鋁公司之電信材料，亦17係其他類型材料，與系爭產品及專利無涉。又因與德國安18鋁公司有合作，基於業務關係經由德國安鋁轉介同案被告19安森公司，交由被告富鹿公司來經銷系爭產品，被告富鹿20公司作為銷售商，自然遵從其要求，然被告富鹿公司從不21涉及製造系爭產品，其亦非專業智財人員，對於產品相關22專利技術不具備與專業製造業者相同之認識及判斷能力，23無從得知是否有侵害專利權之情事，被告富鹿公司並無侵24害原告專利權之任何故意或過失。
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