損害賠償
臺灣新竹地方法院(民事),重訴字,103年度,231號
SCDV,103,重訴,231,20161111,1

臺灣新竹地方法院民事判決　103年度重訴字第231號
原　　　告
即反訴被告　亞德光機股份有限公司
法定代理人　李建國
訴訟代理人　何汶軒
　　　　　　葛仁介
　　　　　　馮博生律師
　　　　　　林耀琳律師
　　　　　　黃秋蓮律師
複代理人　　胡淑莉
被　　　告
即反訴原告　晶元光電股份有限公司
法定代理人　李秉傑
訴訟代理人　張閏
　　　　　　林文傑
訴訟代理人　李林盛律師
　　　　　　王彩又律師
　　　　　　蔡麗雯律師
上列當事人間請求損害賠償事件，反訴原告即被告於104 年1 月
7 日提起反訴，本院於民國105 年10月11日就本訴及反訴均為辯
論終結，判決如下：
主 文
原告之訴及假執行之聲請均駁回。
訴訟費用由原告負擔。
反訴被告應給付反訴原告新臺幣貳佰零肆萬捌仟捌佰捌拾肆元，及自民國一百零三年十二月十一日起至清償日止，按週年利率百分之五計算之利息。
反訴原告其餘之訴駁回。
反訴訴訟費用由反訴被告負擔百分之七十，餘由反訴原告負擔。本判決反訴原告勝訴部分，於反訴原告以新臺幣陸拾捌萬元為反訴被告供擔保後，得假執行。但反訴被告以新臺幣貳佰零肆萬捌仟捌佰捌拾肆元為反訴原告預供擔保後，得免為假執行。反訴原告其餘假執行之聲請駁回。
事實及理由
甲、本訴部分：
壹、原告主張：
一、原告自民國100 年11月間起，陸續向被告訂購型號為ES-AEH RAX10之紅光晶片（下稱「AX10紅光晶片」）、ES-CEBHJ09A 之綠光晶片、及ES-CEGHJ08A之藍光晶片，用以製作LED及LE D 燈條後，銷售予德國之Zollner Elektronik AG 公司（下



稱「Zollner 公司」），再由Zollner 公司銷售予Leurocom Elecronic Displays GmbH 公司（下稱「Leurocom公司」） 等客戶，而原告於102 年7 月16日向被告下單購買AX10紅光 晶片中，經被告戳記為102 年8 月23日之AX10紅光晶片（下 稱「系爭晶片」），數量為1 萬5,430 顆，原告並已將其中 1 萬2,730 顆製成成品並出貨，惟自102 年10月初起，原告 陸續接獲Zollner 公司反應LED 燈條內之AX10紅光晶片有死 燈（按：即不亮）瑕疵情形，嗣並遭Zollner 公司分次退貨 ，而上開遭退貨之LED 燈條即使用「系爭晶片」之AX10紅光 晶片。
二、經原告自行以顯微鏡檢視庫存系爭晶片，赫然發現系爭晶片 探針痕竟達三個，且探針痕面積明顯過大，深度過深，此未 使用之系爭晶片狀況與死燈退返品解膠後之系爭晶片上狀況 相同，並與被告所出具之客訴品質問題分析報告（下稱8D R eport ）上描述之「探針痕明顯」相符，又此探針痕超過被 告原物料承認書所訂之不得超過1/4 晶片面積的標準，因此 該批產品顯屬瑕疵，且此探針痕過大之風險，已有多篇學術 論文證實會造成球脫及產品信賴性問題。被告此批系爭晶片 外表，既有此嚴重問題，會發生球脫等風險，被告實不應出 貨，即使出貨也應主動通知原告此批次風險，請原告評估是 否同意特採- 包含應提供原告「特別保證」並請原告調整生 產機台，以特殊加重參數處理。惟被告竟坐視此缺失未為任 何通知，以致原告於不知情之狀況下，將系爭晶片使用於客 戶所訂購之LED 產品，而發生嚴重死燈問題，並造成原告及 客戶嚴重損失，目前原告彙整相關單據後，原告至少受有新 臺幣（下同）2,586 萬7,489 元之損失。三、系爭晶片發生金球脫落致Led 成品發生死燈現象，可歸責於 系爭晶片上刮傷及探針痕之瑕疵：
（一）探針痕屬廣義刮傷之一種，參照被告型號ES-CEG HV 晶片 之原物料承認書對P 極焊墊及N 極焊墊之檢驗標準，規定 「合格：a ≦b/4 焊墊面積（不包括探針痕）瑕疵：兩個 探針痕其中之一加上刮傷超過焊墊面積四分之一或探針痕 超過三個」（原文：Accepted : a≦b/4 pad size（Does not including the probing mark）Defective :one of the two probe marks + scratch > 1/4 pad size ,thre e probe marks . 」、「Accepted :a ≦b/4 pad size（ No i cluding the probing mark ）Defective : one of the two probe marks + scratch > 1/4 pad size , thr ee probe marks .」），亦即被告認晶片如「兩個探針痕 其中之一加上刮傷超過焊墊面積四分之一」或「探針痕超



過三個」者，即屬瑕疵，故被告係認探針痕及刮傷均屬刮 傷，且均會對晶片造成影響，乃將對二者之檢驗標準均規 範在「Scratch （刮傷）」項下，若不符合其檢驗標準之 刮傷，即構成有瑕疵之晶片。且有關晶片探針痕討論學術 論文，也指出「刮傷過大會造成球脫及產品可靠度問題」 （原文：Excessively large scrub mark affect ball bond ad hesion and cause long term reliability iss ues ）；「一般而言，探針痕面積越大，焊墊接觸面積越 小，因此導致較弱的鍵結。因此，產品若有過大的探針痕 將被認為是瑕疵品」。又因刮傷/ 探針痕之面積若過大， 確實會造成晶片金球脫落之瑕疵，故多數晶片製造廠商均 會對晶片刮傷/ 探針痕規範其面積容許範圍之檢驗標準， 且國內教科書亦認「因為是以探針直接接觸焊墊，所以焊 墊上皆會留下探針破壞的痕跡，因此對於探針的力道，針 痕的大小，都是需要掌控管制的項目，檢驗重點包括：點 測針痕是否過大，晶粒表面或電極是否有刮傷，依據業界 各晶片製造商對晶片表面刮傷/ 探針痕之規範標準，有業 者如華上光電根本不允許刮傷而僅規範探針痕，有業者如 隆達電子一併規範探針痕及刮傷，而各廠商雖有超過焊墊 面積為20﹪至33﹪之不同檢驗標準，然對於應規範刮傷/ 探針痕之瑕疵檢驗標準，以確保自身晶片品質，則殊無二 致。
（二）觀察各家晶片廠外觀檢驗規範及規格書，可發現半導體（ 包含LED ）之封裝打線中，各種焊接材質（包含金、銅、 鋁）之晶片均設有探針痕不得超過焊墊面積25﹪之限制， 否則將導致球脫之風險，故半導體業界（包含LED 發光二 極體）對探針痕在焊墊面積設有25% 之限制，乃半導體業 界（包含LED ）之共識，此係因實施探針卡測試，是以探 針直接接觸焊墊，所以焊墊上都會留下探針破壞痕跡，因 此對於探針的力道，針痕的大小及探針痕於焊墊上之面積 都是需要掌控的項目。
（三）另被告自承每一片晶片均須經過探針卡（座）之測試，測 試之目的是使晶圓切割後，讓良品進入下一階段之封裝製 程，故若晶片上有刮傷在探針痕下方，即可推論該等刮傷 係發生在被告以探針卡進行功能測試前所發生，亦即刮傷 發生在被告晶片出貨前，而非發生在原告端或原告客戶端 ，而系爭晶片N 極焊墊之刮傷係在探針痕下方，則該刮傷 自係於被告出貨前即已存在。被告乃晶片製造商，出貨前 應客戶要求做電性檢查時，每次檢查估計約百萬顆以上， 而此數量的探針檢查，須依賴「AOI-自動光學檢測儀」，



始可精密控制於同一位置實施探針測試，且按理負極實施 三次探針檢測，有三個探針痕，則正極應該亦應相對應出 現三個探針痕始為合理。然以本院囑託國立中央大學光電 研究中心（下稱系爭鑑定機構）就本件所為「823 紅光晶 片之N 極焊墊金球脫落造因之鑑定與分析」）（下稱系爭 鑑定報告）所載編號5 、7 、8 、12、14、15、17、18等 晶片，其負極均有超過1 個以上之探針痕，惟正極似僅有 一個探針痕，此現象須在同家公司而其AOI 與探針內部設 定（包含角度/ 位置/ 材質/ 磨損狀況）均非常類似，才 能做出第2 次實施的探針痕完全覆蓋前面探針痕而看不出 來之狀況。而被告上開晶片正極之探針痕在正極焊墊上位 置幾乎相同，且正極探針痕相較於負極探針痕，明顯更大 更深，而此正是因所使用精密AOI 之探針機，方能設定相 同位置，且正極的探針痕較負極較大/ 深之結果，亦係因 出探針卡在同一位置實施二次（含）測試，反之以原告目 前設備，原告之探針卡無法精確打在原來探針痕而不留下 痕跡，一定會在正極留下第二個探針痕，足證該第二、三 個探針痕亦非原告做抽樣檢查時所造成。
四、系爭晶片發生金球脫落致Led 成品發生死燈現象，可歸責於 被告之系爭晶片「焊墊表面之污染」之瑕疵：
（一）被告「打不黏、假焊之分析步驟」第三步驟為「Step3 ： Pad 表面與金球背面之污染」，由此可知焊墊表面是否有 污染，與金球是否打不黏、假焊間具有因果關係，若焊墊 表面有污染，假焊會導致金球打不黏、假焊，故被告型號 ES-CEGHV13晶片之原物料承認書、型號ES-AEHRAX12 晶片 之產品承認書亦均有規範污染瑕疵之檢驗標準為大於焊墊 之1/4 屬瑕疵（合格：小於焊墊面積1/4 原文：Accepted : a≦b/4 pad size）；台灣電路板產業學院所出版之電 路板焊墊表面處理即指出：「來自電鍍鎳金產生的不純物 ，顯然會影響電鍍膜表面狀態及活化能，同時也會影響其 他機械特性而讓可鍵結性衰減」。而系爭晶片確有明顯污 染，然被告所出具之8D Report 竟對「Step3 ：Pad 表面 與金球背面之污染」此重要步驟完全未為任何分析，而逕 指系爭晶片金球脫落係可歸責於原告之「原告打線參數不 夠所致」而使「原告打線球高大於線徑」，實有可議。（二）再者，正常晶片只會做1次探針檢查，故產生1個探針痕， 惟系爭晶片竟有3個探針痕，故可知此3個探針痕是分成3 次所做的測試，此顯係因被告反覆存取晶片實施探針測試 程序所致。被告於反覆存取晶片實施探針測試程序中，須 將不合格品多次從倉庫送進送出，且需將貼於藍膜上的離



形紙先撕下，探針檢測發現不合格，將晶片再貼回離形紙 ，送回倉庫存放；擇期再從倉庫取出並再次實施探針測試 ，不合格又貼回離行紙，送進倉庫，此時晶片上已有2 個 探針痕。根據被告之「外觀檢驗規範」，晶片上2 個探針 痕已達出貨之合格上限，乃不合格之晶片，實已無法出貨 ，應即汰除，然被告竟仍從不良晶片中，再次施以探針測 試，欲從不合格品中，再次篩選出賣像稍好者，摻雜於良 品中，蒙混出貨。復因晶片污染常為無色無味（如：遭二 氧化矽污染）而不易察覺，此時往往需昂貴之機密分析儀 器始能確定，然一般打線廠商並無此設備可供檢驗，被告 依外觀檢驗規範，亦僅要求客戶（如：原告）以顯微鏡檢 驗，難以發現污染問題。由系爭晶片上存有3 個探針痕， 可證明晶片不僅狀況不佳，且污染係於晶片生產過程中所 產生。故被告所出具8D Report 上之「矽（Si）」，應係 被告於半導體製程中所殘留之二氧化矽污染，而非封裝膠 殘留，因原告封裝打線機係於紅藍綠3 色之正負極（共6 極）輪流作動作，若有殘留發生，對於6 個正負極應均會 產生影響，而不會僅發生於負極，或單一色晶片。且封裝 膠成分，除了氧與矽外，尚還有其他物質，然8D Report 只出現氧與矽，因此應係被告於半導體製程中所殘留之二 氧化矽污染。若係原告打線過程所產生之封裝膠殘留，因 晶片的體積小與重量非常輕，只要一點殘留膠，即可將晶 片黏在打線機的瓷嘴上，造成打線機停機，而需由機台工 程師加以排除；相對於此，二氧化矽係透明，被告縱以顯 微鏡檢查亦難以發現，而需精密儀器EDX 分析才可能得知 其存在。
（三）又系爭鑑定報告第53頁「鑑定事項（四）」中證實「我們 觀察到有許多晶片之N 極焊墊都有汙染物存在，而823 晶 片（即系爭晶片）編號為2 、6 、7 號晶片N 極焊墊有嚴 重的汙染，且汙染面積超過焊墊面積之1/4 ，我們認為如 果金層汙染面積超過1/4 ，在打線時，最表層的污染物會 影響金球和焊墊的接觸面積，使得金球和焊墊的金屬鍵結 減少，金球可靠度就會比較低，且會提高金球脫落的風險 ，這是金球脫落的原因之一」。另自系爭鑑定報告第58至 59頁有關「硬度和彈性的分析與比較」段落中，更可得知 鑑定人係採用「奈米壓痕儀（Nano-indenter ）」深入內 層三種深度進行測試，最後始獲致「我們認為較多的表面 汙染是造成823 和817 晶片彈性係數差異的原因」之結論 ，顯見該等污染物必然已與金熔為一體，亦即被告於製造 過程中所污染，而與原告無涉，若係由原告所造成之污染



，至多僅會存於表面，而不至於深入金的內層，顯見系爭 晶片之污染確係可歸責於被告所致。
五、系爭晶片發生金球脫落致Led 成品發生死燈現象，可歸責於 被告之「系爭晶片焊墊之成分及/ 或含金比例、硬度及彈性 不符規格之瑕疵：
（一）依據被告「晶電FA手法：打不黏、假焊之分析步驟」第四 步驟為「Step4 ：Pad 之厚度是否在規格內」，由此可知 焊墊之厚度、成分及含金比例、硬度及彈性（焊墊成分及 含金比例、硬度及彈性會影響焊墊厚度）是否在規格內， 與金球是否打不黏、假焊間具有因果關係，若焊墊之厚度 、成分及含金比例、硬度及彈性不符合規格者，會導致金 球打不黏、假焊；台灣電路板產業學院所出版之電子構裝 打線技術概述亦指出：「金層厚度高打線效果就比較好」 、「低雜度…略厚電鍍金層都對打線作業有利」，該書並 認為金厚度與可鍵結性呈正比關係。
（二）晶片若經打線封裝，將其解膠後把金球推開，使金球與焊 墊剝離後表面會留有殘金，此為共金（即金球與焊墊融合 ）之正常現象；反之，若未經打線封裝，焊墊表面應為光 滑。惟被告出具之8D Report 第5 頁「No.2-NG 」之N 極 焊墊，此為經打線封裝之系爭晶片，因呈現金球脫落情形 ，經被告解膠後該晶片之焊墊表面卻仍為光滑面之狀況， 並無殘金，由此可知系爭晶片成分（例如含金量）顯然有 問題，此涉及共金痕跡之原因為何，被告出具之8D Repor t 竟對「Step2 ：觀察Pad 表面是否有共金痕跡」未有分 析過程即得出結論。再者，未經打線封裝之系爭晶片焊墊 竟呈現蜂巢狀，非如正常晶片之焊墊呈現光滑面，由此可 見系爭晶片成分，確甚有疑義，然被告出具之8D Report 竟對「Step 4：Pad 之厚度是否在規格內」此重要步驟完 全未為任何分析，而逕指系爭晶片金球脫落係可歸責於原 告之「原告打線參數不夠所致」而使「原告打線球高大於 線徑」。
六、系爭晶片發生金球脫落致Led 成品發生死燈之現象，與原告 打線參數無關：
（一）系爭鑑定報告第72至74頁「鑑定事項（六）」業已指出「 823紅光晶片之N極焊墊具較高金球的原因不是打線參數所 造成」、「球高比線徑大是焊墊上之針痕和汙染物所造成 的結果，只要改善針痕和汙染物的情況，金球和焊墊的單 位面積金屬鍵結數就會提高，金球和焊墊的可靠度亦會提 高，自然金球脫落狀況就不易發生」、「打線參數並不是 造成823紅光晶片之N極焊墊金球較高之原因，也不是造成



金球脫落之原因」，本件Led 成品瑕疵並非原告打線參數 不夠所致。
（二）下列事證亦足以佐證系爭晶片發生金球脫落致Led 成品發 生死燈之瑕疵，與原告打線參數無關：
⒈原告使用相同之打線機台、以相同打線參數對被告之LED 紅光（即系爭晶片）、藍光及綠光等三個晶片之N 極焊墊 及P 極焊墊同時進行打線，亦即以相同打線參數同時對六 個焊墊打線，倘係因「原告打線參數不夠」而使「原告打 線球高大於線徑」，則六個焊墊之金球均應脫落，然僅系 爭晶片（紅光）之N 極焊墊金球脫落，紅光P 極、藍光N 極、藍光P 極、綠光N 極、綠光P 極等其他五個焊墊之金 球卻未脫落，故系爭晶片發生金球脫落並非因「原告打線 參數不夠」而使「原告打線球高大於線徑」。
⒉發現系爭晶片有瑕疵後，兩造曾於102年11月28日、103年 1月10日、103年1月16日、103年3月31日、103年5月27 日 、103 年6 月20日進行會議討論，雙方並於103 年3 月7 日在原告公司共同進行球高（亦即球厚）及推力實驗，以 驗證球高是否即會導致金球脫落，實驗結果顯示並無被告 所辯「球高大於線徑，造成假焊現象，以致金球脫落」之 必然關係，且該實驗過程被告公司人員全程親自參與，並 設定、調整球高尺寸與推力參數，該實驗結果確堪採信。 ⒊原告係自查知系爭瑕疵後，於102 年12月15日開始使用被 告建議之新參數，在原告LED 燈條遭Zollner 公司退貨前 ，原告使用之參數（102 年12月15日前之打線參數，下稱 舊參數）對與系爭晶片相同型號之被告紅光晶片進行固晶 打線業已超過兩年，不曾發生金球脫落而致燈條死燈之情 形；原告對不同型號之各式產品進行固晶打線時均使用相 同之舊參數，金球亦不曾發生脫落；再者，自原告於102 年與103 年連續兩年對推力值之監測，最小值全部在30克 以上，完全符合業界25克至40克之標準；上開事實均足證 系爭晶片金球脫落係因被告所交付之系爭晶片品質不佳， 與原告打線參數全然無涉。且被告出具之8D Report 已顯 示99.6﹪良品應是球薄，僅0.4 ﹪不良品之晶球厚度高， 亦即由（不）良品比例與球厚之關係可知，金球厚度實與 被告晶片狀況有關，而與原告打線參數無干。
⒋LED 製造業係電腦控制大量生產，若果真有打線參數下不 好的問題，那會是整批發生問題，不會僅小部分發生問題 。就系爭之打線問題，原告所使用之打線機係向原廠購買 ，打線機之參數亦係由原廠工程師協助原告設定，且據悉 被告亦有使用同廠牌打線機、且為同一原廠工程師協助。



打線機與打線參數顯然均是市面上常見機種與使用之參數 ，而屬市場上成熟技術，應無出錯之可能。且原告之打線 過程，係紅藍綠（RGB ）三色正負極一起打線，若有任何 錯誤（例如：被告所稱殘留封裝膠），其結果將會是紅藍 綠且是正負極一起發生殘留（如封裝膠殘留），因打線乃 連續、不間斷、亦無法跳過任一顏色之任一極，不可能如 本件係集中於紅光（單一色）之單一極，是原告製程並無 可歸責事由。
⒌被告於8D Report 上有球高大於線徑但未球脫之情形，無 法就其所主張「球高大於線徑有球脫風險」自圓其說外， 被告於103 年1 月16日出具之「ES-AEHRAX10 打不黏」報 告中，也有球高者未球脫，球薄者反球脫之現象，足證本 件鑑定機構所稱「金球型狀（按：即球高）並非重點」， 洵屬的論。球高實係金球表面發生問題之「結果」，因此 以同樣參數實施打在焊墊（pad） 表面無問題的（如：藍 綠光晶片、或良品之紅光晶片之焊墊），球高應均為薄者 ，被告係倒果為因。況不論本件鑑定機構或教科書、文獻 等，均從未聽聞被告所主張「球高線徑」之標準，被告迄 今亦均未提出藍綠光晶片之良品／不良品球高資訊。再參 照國立台灣科技大學醫學工程研究所碩士論文節錄資料， 已證明球徑25um（與線徑同）時，經過可靠度冷熱循環10 00次仍無問題，亦即，金球高度除非低於5um ，否則球高 從10um至25um，其可靠度均佳，對晶片打線並無影響，而 本件根據被告之8D Report 原告所打之球為25~28um （有 ±5 之誤差），仍在該論文數據範圍內，故原告之球高並 非造成球脫原因，且根據雙方於103 年3 月7 日在原告公 司共同進行球高（亦即球厚）及推力實驗，以驗證球高是 否即會導致金球脫落，實驗結果亦顯示：球高（30um）大 於線徑（24um）對於推力並無影響。
（三）原告係自動化大量生產之LED 封裝打線廠商，除有賴供應 商提供符合規格之產品外，自身也有標準化製程，以維持 生產線流暢，是原告不可能每日浮動調整打線參數，蓋打 線參數制定與調整，牽涉生產線產品品質，若要調整參數 ，依原告公司規定，需由工程師向主管提出聲請，並經核 准後方得實施新參數。而原告於102 年12月15日前使用之 舊參數，係根據ASM 之建議調整設定，且已使用兩年，並 無任何調整參數紀錄。而所謂首件檢（即焊檢）為LED 封 裝打線廠之通例，原告製程並無不同，且由於晶片十分精 密，加上被告亦自承「參數會做微調，機器多少會有變異 （按：即誤差）」，而該打線誤差亦屬業界所周知且為合



理之容忍範圍，換言之，縱存有微調誤差，仍無礙打線參 數之同一性。再者，依照經驗法則，僅有外來因素（例如 ：電磁波、電流、汙染、震動…等），可能導致機台不穩 ，機台內鍵之參數並無導致機台不穩之可能性，原告相關 打線機台，同時生產多項產品，均無「機台不穩定」問題 ；甚且，「機台不穩定」應是平均出現在各顏色上，不會 僅有單色/ 單極發生。原告以相同參數實施打線（以良品 而言），球徑會略有不同，這是被告所明知的正常的現象 ，並非被告所稱「（原告）不適切的參數將導致機台不穩 」之結果。
（四）被告所提出打線後金球球高為線徑1/2 的係業界標準，實 為「IC封裝」業界之打線圖，並非「LED 晶片」之打線， 被告無法證實此確為「LED 業界標準」，無須根據不存在 之標準實施鑑定。原告購買並使用ASM 打線機台已近十年 ，並經ASM 到原告廠內協助建立打線參數，其方式與本件 鑑定機構所稱「打線後觀察金球佔焊墊面積比例約8 成後 ，實施打線推力測試，得到超過30g 」完全相同；甚且， ASM 打線機廠商工程師曾根據原告使用之金線/ 晶片，實 際到原告場內共同實驗確認而提供訓練講義給原告，而原 告所用打線參數完全符合訓練講義所載之建議參數，ASM 從未口頭或書面建議要求球高不得大於線徑或球高不得超 過線徑一半，縱令ASM 建議球高打到線徑一半為真（原告 否認之），此亦僅係建議，並無法根據ASM 建議之「球高 打到線徑一半」，直接推導出「球高大於線徑有球脫風險 」之結論。且本件鑑定機構實際檢查8D Report 上之金球 形狀及金球佔焊墊面積後，認為金球狀況良好，亦即原告 打線參數並無問題；且鑑定機構亦已表示，以其經驗，認 為8D Report 上的球脫狀況是焊墊表面污染，導致金球與 焊墊無法做適當的結合，且球脫者之探針痕屬於較大範圍 ；系爭晶片已遭汙染，需經過表面清潔處理才能使用，僅 靠打線參數調整很難處理汙染問題，換言之，球脫原因係 因原材料受到汙染與探針痕過大，且無法僅以調整參數處 理球脫問題，則球脫原因更與打線參數無涉，而無庸再為 打線鑑定。
（五）被告聲請再為補充鑑定，有違民事訴訟法第326 第2 項、 第270 條之1 第1 項第3 款及第3 項等有關證據契約之規 定，亦已逾時提出攻擊防禦方法：
⒈金球厚度實與被告晶片狀況有關，而與原告打線參數無干 ，且系爭鑑定報告及鑑定人於參考新舊參數打線及其金球 數據後，亦已認定打線參數並不是造成系爭晶片之N 極焊



墊金球較高之原因，也不是造成金球脫落之原因，換言之 ，本件實無進行打線鑑定之必要。而本件鑑定機構即國立 中央大學光電科學研究中心乃兩造均認同之適格鑑定機構 ，其專業無庸置疑，是否須經實際打線試驗，乃鑑定機構 基於自身專業之判斷，被告既未提出任何證據證明系爭鑑 定報告所採用之鑑定方法有何違反科學或工程法則，被告 亦未提出必須以實際打線試驗進行鑑定之依據，則被告爭 執本件應以實際打線試驗之方式進行鑑定等語，企圖否認 系爭鑑定報告之效力，實無可採。
⒉依據系爭鑑定報告及鑑定人之證述，均認經擴晶之系爭晶 片不會影響品質，鑑定報告以經擴晶之系爭晶片不影響鑑 定結論，況且若採打線測試鑑定，則鑑定之標的仍為經擴 晶之系爭晶片。因原告售予客戶之產品乃打線封裝後的LE D 封裝體，原告係從事LED 晶片打線加工，並非晶片之經 銷商轉賣被告晶片給客戶，原告並無法提供未經擴晶之「 退返品中的AX10紅光晶片」供作鑑定標的。且本件於起訴 前，原告即提供退返品予被告檢驗，被告並據此作成8D R eport ，而於8D Report EDX 「汙染」已出現超過「背景 值」之結果時，被告反稱退返品有「封裝膠殘留」、「經 過加工不能確認」等問題，故兩造乃合意決定改以庫存品 、並相互至對方處所進行再現性實驗。依被告先前之主張 ，如此際再以退返品進行鑑定，仍會發生「封裝膠／解膠 液殘留」之爭議。此外，因退返品之晶片歷經多道加工過 程，故鑑定人亦恐無法確認汙染來源，即使再次實施鑑定 而出現與8D Report 上相同污染的結果，可預見鑑定人仍 無法確認，故以退返品鑑定無法釐清本件瑕疵之成因。 ⒊兩造不論訴訟前後，實均同意本件應以系爭晶片之庫存品 進行鑑定，並基於兩造確定且合意之證據方法，由國立中 央大學光電科學研究中心進行鑑定。迺被告於系爭鑑定報 告作成後，竟罔顧上開證據契約之內容，聲請命原告提出 遭客戶退貨之產品，並主張應以該等產品為待鑑定對象等 語，此顯與民事訴訟法第270 條之1 規定及最高法院98年 度台上字第1131號判決所揭示之意旨相悖，並有違訴訟上 之誠信原則。又被告於本件審理期間從未就待鑑定對象有 所爭執，而於本件審理已近1 年、系爭鑑定報告之內容不 利被告後，始又反覆爭執本件應以原告遭客戶退貨之產品 進行鑑定，被告顯已逾時提出攻擊防禦方法。
七、系爭晶片發生金球脫落致Led 成品發生死燈之現象，並非原 告打線藍膜污染所致：
被告到原告廠內所共同施作之實驗樣本及原告於103 年6 月



5 日將做完的樣品送交被告驗證，上開兩次樣品及本件遭客 戶退貨之所有產品，原告均使用同一台擴晶機實施擴晶，而 被告就上開兩次樣品，從未提出原告樣品有藍膜污染之問題 。且鑑定人於105 年4 月26日言詞辯論期日時業已證稱系爭 晶片污染應係於「濕製程」所造成，而與原告製程並無關係 。是系爭晶片發生金球脫落致生死燈之瑕疵，並非原告打線 藍膜污染所致。
八、被告售予原告之系爭晶片存有諸多瑕疵，且該瑕疵可歸責於 被告，原告自得依民法第227 條或第360 條規定，請求損害 賠償：
（一）系爭晶片至少存有「不符標準之刮傷/ 探針痕」、「系爭 晶片焊墊表面確有污染」及「系爭晶片焊墊之成分及/ 或 含金比例不符規格或業界一般標準」等瑕疵，且該等瑕疵 均係可歸責於被告所致。原告自得依民法第227 條規定， 請求損害賠償。且依據被告提出之被證4 號原物料承認書 ，被告對於系爭晶片確已制定一定之品質標準而為品質保 證，原告自得依民法第360 條規定請求損害賠償。（二）經原告彙整相關單據後，原告至少受有2,586 萬7,489 元 之損害，其中包括品保部門修理客戶退回LED 與燈條所發 生之費用3 萬7,634 元、LED 及燈條客戶退貨與修復運回 所發生之運費76萬4,027 元、篩選有問題LED 委外所作冷 熱衝擊測試之費用46萬7,313 元、客戶自行修理所需之勞 務費用63萬3,804 元（歐元1 萬5,458.63元）、專為Leur com 公司所設計的模具與支架，因系爭晶片之瑕疵而無訂 單所認列之損失416 萬4,711 元及原告客戶Leurcom 公司 求償金1,980 萬元（49萬5,000 歐元），原告僅請求賠償 2,380 萬3,000 元。
（三）原告以系爭晶片所製作之燈條上有42個Led 封裝體所構成 （內含有RGB 三色，各42個晶片，亦即共126 顆晶片）， 只要任一「燈條」上有一個LED 封裝體之一顆紅光晶片發 生球脫死燈現象，必須整條燈條從位於莫斯科的LED 廣告 板拆下檢修；再對燈條上全部42顆LED 封裝體施以冷熱衝 擊實驗，以進一步篩選風險晶片；找到的死燈LED 封裝體 將整顆報廢拆下，重新焊上新的LED 封裝體。此係因為晶 片體積極小，無法僅拆除紅光，因而其他藍綠兩色晶片也 必須報廢，因此花費人力時間甚鉅。故損失之計算，須以 整顆LED 封裝體乃至燈條做考量標準，不能僅以單一紅光 晶片之價值而論，否則即與原告蒙受之損失相距甚遠。且 兩造從未約定以系爭晶片之貨款為賠償上限，故被告就原 告所受損害及所失利益之全額自應予以賠償。如認上開損



害賠償細項中有部分項目之舉證尚有不足，則請依民事訴 訟法第222 條第2 項規定，酌定該等細項之損害賠償數額 。
（四）被告與國家實驗研究院儀器科技研究中心、先進半導體封 裝設備商均華精密工業股份有限公司等迄至104 年9 月22 日始共同開發完成「晶片瑕疵檢測設備」，亦即被告於10 4 年9 月22日前無力檢測晶片瑕疵之成因（或至少檢測成 因甚為困難），原告自無可能於驗收時即發現系爭晶片之 瑕疵。原告同1 張工單雖使用被告不同日期製造之晶片， 然因係同批採購（惟分2 次送貨），故於生產流程上認為 是同批採購，於品保與製程上，認定具有相同品質；亦即 ，抽檢過關，即認為全部過關。另原告並於每日開班生產 前，均實施「首件檢」，即每台打線機先打一片支架內之 96個LED 封裝體（均有RGB 三色LED 晶片），再將已打線 之LED 封裝體中，抽測其中5 個LED 封裝體實施推力試驗 ，檢查30個焊點之打線推力值，確認數值合格後，始開始 大量生產；本件為求慎重，原告出貨予原告客戶前，甚還 將同批產品之先期產品，施以冷熱衝擊700 循環，而僅一 個紅光發生死燈現象，故認定該LED 封裝體之可靠度合格 而大量出貨給客戶，原告於出貨予客戶前，已盡相關之檢 查義務，且晶片體積極小，探針痕非用高倍顯微鏡無法觀 察；汙染更需使用精密儀器（如8D Report 上使用之EDX ）始能驗出。換言之，本件瑕疵應屬依通常之檢查不能發 見之瑕疵，而原告就本件損害之發生更無所謂與有過失之 責任。
（五）被告就原告所送交之退貨產品多次做出8D Report ，且該 8D Report 內容出現多次探針痕明顯等問題，惟於討論過 程中，被告屢屢諉稱金球脫落原因為原告參數不佳導致「 球高大於線徑」，經原告提出質疑，為釐清責任歸屬，兩 造乃合意決定改以庫存品、並相互至對方處所進行再現性 實驗，被告亦據此於103 年3 月7 日至原告廠內偕同進行 實驗與討論。尤甚，經原告比對被告所發行之「晶電FA手 法－球脫打不黏處理」，赫然發現被告竟以選擇性隱匿藍 綠光球厚，再藉由提供不同批次樣品之金球高度方式，企 圖誤導，使誤認該批所有金球均厚，然實情則為不良品球 厚、良品球薄。而被告所出產之晶片藍膜上，均貼有如身 分證之標籤，因而被告對於出貨中混有不良品一事，知之 甚詳，卻仍故意隱匿出貨。供應商除提供符合規格的貨品 之契約義務外，亦應於瑕疵發生時，協助客戶找出瑕疵真 因以釐清責任與減少損失之義務，惟被告顯有刻意隱瞞瑕



疵、並誤導原告查明球脫原因，導致原告及原告之客戶損 失擴大，而有「出賣人故意不告知瑕疵於買受人」之情形 ，故被告無法主張原告有怠為檢查或通知之行為，或依民 法第217 條規定主張原告與有過失減輕或免除被告賠償金 額之適用。甚且，被告知悉系爭晶片有汙染無法使用，卻 仍出貨給原告，造成損失；於客訴發生時，原告通知被告 ，被告竟仍隱匿球脫真因，不告知「風險批」及其影響， 致原告無法在第一時間以最安全經濟的方式全部召回更換 ，實乃導致損失擴大的主因，被告就此自應就損害發生之 情形全數負責。
九、爰依民法第227 條不完全給付、第360 條物之瑕疵擔保效力 之規定併予主張而擇一請求被告負損害賠償責任。並聲明：（一）被告應賠償原告2,380 萬3,000 元及自本書狀送達之翌日 起至清償日止，按週年利率5 ﹪計算之利息。
（二）原告願供擔保，請准為假執行之宣告。
貳、被告辯稱：
一、被告出售予原告之系爭晶片並無原告所稱探針痕過大過深、 刮傷、污染之瑕疵：
（一）原告所提出供鑑定之系爭晶片，係業經原告擴晶後之晶片 ，該晶片已改變現況，並非被告原始交付原告之產品，是