智慧財產法院行政判決
105年度行專訴字第13號
原 告 億光電子工業股份有限公司
代 表 人 葉寅夫（董事長）
訴訟代理人 陳群顯律師
蔡孟蕙律師
被 告 經濟部智慧財產局
代 表 人 洪淑敏（局長）
訴訟代理人 曾尚成
參 加 人 日亞化學工業株式會社
代 表 人 小川裕義（董事長）
訴訟代理人 簡秀如律師
呂書瑋律師
歐姿漣專利師
上列當事人間因發明專利舉發事件，原告不服經濟部中華民國10
4 年12月8 日經訴字第10406317140 號訴願決定，提起行政訴訟
，並經本院裁定命參加人獨立參加本件被告之訴訟，本院判決如
下：
主 文
原告之訴駁回。
訴訟費用由原告負擔。
事實及理由
壹、程序事項：
本件原告起訴時，被告代表人原為王美花，嗣於本件訴訟程 序進行中變更為洪淑敏，茲據新任代表人具狀聲明承受訴訟 （見本院卷第252至254頁），核無不合，應予准許。貳、實體事項：
一、事實概要：
原告於民國96年8 月31日以「防電磁干擾之電子裝置及其製 造方法」向被告申請發明專利，其申請專利範圍計有19項， 經該局編為第96132599號審查，准予專利，發給發明第I331 894 號專利證書（下稱系爭專利）。嗣參加人於103 年1 月 13日以系爭專利違反核准時專利法第22條第4 項之規定，對 之提起舉發。案經被告審查，以104 年4 月29日（104 ）智 專三㈠04078 字第10420562840 號專利舉發審定書為「請求 項1 至19舉發成立應予撤銷」之處分。原告不服，提起訴願 ，經經濟部以104 年12月8 日經訴字第10406317140 號為「 訴願駁回」之決定，原告仍不服，遂向本院提起行政訴訟。 因本院認本件判決之結果，倘認原處分及訴願決定應予撤銷 ，將影響參加人之權利或法律上之利益，爰依職權命參加人
獨立參加本件被告之訴訟。
二、原告主張：
㈠證據2 係應用於成品級之紅外遙控受光單元（下游製程）， 而證據3 係應用於晶圓級半導體裝置（上游製程），二者應 用領域不同，所需考量之因素亦不同，無法輕易結合。抑且 ，證據2 係直接以真空蒸鍍或濺鍍形成不透光物導電物質於 樹脂成形體上（參證據2 之[0008]、[0009]、[0010]），而 證據3 之金屬層則難以形成於成形樹脂上，而需粗化成形樹 脂表面、形成另一樹脂層後，方可間接形成金屬層於其上（ 參證據3 之[0011]、[0013]、[0028]、[0034]），故二者結 構上有重大衝突。又證據2 係以導電性樹脂層或金屬被覆層 遮住除紅外受光部以外之區域，在紅外收光部可以接收入射 紅外光之情形下防止外界電磁干擾，證據3 則必須以金屬層 38同時搭配呈框形狀的導電框體32遮住整個半導體裝置10， 以完全遮蔽外界對整個半導體裝置之電磁干擾），故二者達 成防止電磁干擾之結構與手段亦不相同，在並無任何證據顯 示先前技術具有可將證據2 、3 相互結合之教示、建議或提 示動機之情形下，實無從逕自將證據3 與證據2 結合。原處 分僅以系爭專利各項構件已存在於先前技術中，即認定系爭 專利不具進步性，顯已違反最高行政法院關於進步性判斷之 實務見解。
㈡證據3 屬於「晶圓級之半導體裝置」（上游製程），僅為尚 未形成電子產品前之半導體蝕刻疊層技術，然系爭專利之發 明為「成品級的電子裝置」（下游製程），係針對已經形成 電子產品（訊號接收／發射元件）後對成品的EMI 防護工程 ，系爭專利與證據3 係分屬上、下游製程，而為截然不同的 技術領域，所需考量之結構不同、用於消除電磁干擾之技術 手段亦有不同，所欲解決之問題亦不相同（系爭專利係用於 以金屬薄膜不遮住訊號收／發窗口，但可防止接收／發射元 件之電磁干擾；證據3 則係以金屬層38疊置於樹脂層35，結 合導電框體32以遮住整個半導體裝置10，以防止對整個半導 體裝置之電磁干擾），則所屬技術領域具有通常知識者於審 閱證據3 及系爭專利時所會參考之技術資料，當完全不同， 實難輕易思及可將證據3 用於系爭專利。證據3 僅揭露在難 以形成金屬層的成形樹脂層33上先設置樹脂層35，再設置厚 度為10微米～20微米之金屬層38，且證據2 、3 亦未揭露任 何教示、建議或提示動機，原處分遽認證據2 和3 之結合可 證明系爭專利請求項1 、9 及18為發明所述技術領域具通常 知識者所能輕易完成，係有理由不備、後見之明之違誤。 ㈢相對於系爭專利請求項1 、9 、18，證據2 、3 並未揭露下
列技術特徵，與系爭專利請求項1 實質上具有技術差異： ⒈系爭專利請求項9 與系爭專利請求項1 之差別在於系爭專 利請求項1 有揭露一封裝構件，用以承載該裝置與該至少 一收／發元件，而系爭專利請求項9 則無。證據2 為一種 紅外遙控受光單元，係僅具有單一接收功能的紅外線接收 模組相關的技術，與系爭專利所提供的發射及接受雙功能 ，顯然不同。證據2 雖提出施以不透光導電物質6 作為金 屬被膜之手段，然並未揭露金屬被膜之厚度，故舉發證據 2 並未揭露系爭專利請求項1 、9 、18針對「訊號收發元 件」防止電磁干擾之「金屬薄膜具有10微米至20微米之厚 度」等技術特徵，與系爭專利請求項1 、9 實質上具有技 術差異。
⒉證據3 係晶圓級之半導體裝置，係在基板上形成複數半導 體裝置，並於各項製程完成後始切割使其單體化，且密封 於各單體中之元件為個別零件24或半導體晶片25，由於個 別零件24或半導體晶片25並非紅外線訊號收發元件，且採 密封方式封裝，因此其電磁遮蔽之考量較為單純。惟證據 3 所揭露「金屬層38形成於額外樹脂層35以及兩側由導電 框體32」之組合結構，並無法有效達成小型化之目的，且 證據3 之密封結構所需考量電磁遮蔽之問題，遠不及於系 爭專利之紅外線收發元件因具有訊號接收／發射窗口所需 更為複雜之考量，證據3 並未揭露系爭專利請求項1 針對 「訊號收發元件」防止電磁干擾之技術特徵。證據3 所揭 露之晶圓級半導體裝置，需搭配金屬導電框體32以提供內 部元件電磁遮蔽，且必須在難以形成金屬層的成形樹脂層 33上先設置另一樹脂層35，藉由該樹脂層35才能於其上形 成金屬層38（參證據3 之[0011]、[0013]、[0028]、[003 4]段記載），整體厚度無法有效下降，而與系爭專利並不 相同，故證據3 亦未揭露系爭專利請求項1 、9 單獨以「 10微米至20微米厚度之金屬薄膜」直接覆蓋在封裝構件以 「防止封裝構件或訊號收發模組內所發射的訊號對其他元 件造成干擾」之結構。
⒊系爭專利請求項18係一種防電磁干擾電子裝置之製造方法 ，包含一「真空濺鍍製程」及「電鍍製程」，其中濺鍍層 與電鍍層之總厚度為10至20微米，以達縮小原件厚度之發 明目的。然證據3 所揭露者，為一層由濺鍍法、真空蒸鍍 法、電鍍法等所形成之單層金屬層，證據3 所揭示之單一 濺鍍或電鍍之金屬層之厚度即已達10至20微米，則經過兩 次施工所形成一層濺鍍層及一層電鍍層之金屬薄膜總厚度 必然超過系爭專利所揭示之10至20微米，是證據3 並未單
獨揭露系爭專利請求項18之二層金屬之技術特徵。 ㈣原處分及訴願決定關於附屬項不具進步性之判斷，因認定獨 立項1 、9 及18已具有進步性，依附各該獨立項之附屬項2 至8 、10至17、19當亦具有進步性等，亦有認定事實之違誤 。是以，原處分及訴願決定有諸多違法不當，爰聲明：訴願 決定及原處分均撤銷。
三、被告辯稱：
㈠證據2 及3 之組合不足以證明系爭專利請求項1 至19不具進 步性，惟：
⒈證據2 已揭露系爭專利請求項1 、9 之大部分技術特徵， 其差別在於系爭專利請求項1 、9 之金屬薄膜之厚度為10 微米至20微米，而證據2 之不透光導電物質6 可為金屬被 膜，惟未揭露金屬被膜厚度。惟系爭專利之金屬薄膜厚度 欲達成厚度較薄及防電磁干擾，實質上與證據2 揭露不透 光導電物質6 之金屬被膜具厚度較薄（證據2 之[0010]金 屬被膜可藉由真空蒸鍍或濺鍍來形成）及具防止電磁波侵 入（參證據2 之[0002]、[0007]、[0015]）之功能相當， 所屬領域具通常知識者自可按所欲達成遮蔽功能調整金屬 薄膜（或金屬被膜）之厚度。證據3 揭露以塑模樹脂覆蓋 個別零件24及半導體晶片25，使用轉移模法形成環氧系塑 模樹脂；金屬層38係設於樹脂層35上表面，用以遮斷來自 外部之電磁波，金屬層38係藉由濺鍍、真空蒸鍍、電鍍法 等形成，該金屬層38厚度M2係可使用10μm ～20μm （參 證據3 之[0028]至[0032]），證據2 可參考證據3 將不透 光導電物質6 之金屬被膜厚度調整為10μm ～20μm ，藉 以遮斷來自外部之電磁波。又證據3 說明書第[0001]段落 已揭示「本發明係關於半導體裝置及其製造方法，特別是 可使安裝於基板之電子產品防止電磁波影響的半導體裝置 及其製造方法」，與證據2 所揭露引線框架（相當於基板 ）上所固定接著而配線之用於進行紅外線檢測及訊號處理 之半導體元件（即電子產品或半導體元件）為相關技術領 域，因此證據2 及3 有合理之組合動機，故所屬技術領域 中具有通常知識者以證據2 組合證據3 可輕易完成系爭專 利請求項1 、9 所揭示的技術特徵，系爭專利請求項1 、 9 不具進步性。
⒉系爭專利請求項2 至6 係直接依附請求項1 之附屬項，包 含該獨立項全部之技術特徵，並進一步分別界定「金屬薄 膜包含一濺鍍層與一電鍍層。」、「承載裝置包含一電路 板或一支架。」、「封裝構件為一環氧樹脂或一塑膠。」 、「該至少一訊號收／發窗口包含一光透性的半球結構。
」、「至少一訊號收／發元件包含一訊號發射源或一訊號 接收端。」。該等請求項之技術特徵，已分別揭露於證據 2 之[0010]不透光導電物質6 可為金屬被膜，可藉由真空 蒸鍍、電鍍法來形成，如金屬被膜較薄，無法得到充分之 之遮蔽功效時，可以薄金屬被膜作為電極，於其上形成離 子電鍍所形成的金屬被膜，且金屬被膜亦可以無電電鍍來 形成；「證據2 之圖1 及[0006]揭露包含引線3 、4 、5 之引線框架」；「證據3 之[0028]揭露塑模樹脂可使用例 如以轉移模法所形成之環氧系塑模樹脂」；「證據2 之圖 1 至3 揭露光透性之半球結構之紅外受光部2 」；「證據 2 之[0006]引線框架上所固定接著配線之用於進行紅外線 檢測及訊號處理之半導體元件」。又證據2 及3 之組合足 以證明系爭專利請求項1 不具進步性，已如前述，故系爭 專利請求項2 至6 為其所屬領域中具有通常知識者依申請 前證據2 及3 技術之組合所能輕易完成，不具進步性。 ⒊系爭專利請求項7 係依附請求項6 ，間接依附請求項1 之 附屬項，包含請求項1 、6 之全部技術特徵外，並進一步 界定「該訊號發射源為一紅外線發光二極體」，證據2 之 進行紅外線檢測及訊號處理之半導體元件雖為訊號接收裝 置，與該系爭專利訊號發射源為一紅外線發光二極體不同 。然訊號收／發元件存在抗電磁干擾早為一習知問題（參 系爭專利說明書第5 頁之先前技術），系爭專利僅將證據 2 、3 之屏蔽電磁波之技術簡單轉用至紅外線發光二極體 （訊號發射元件）之電磁波屏蔽，為發明所屬技術領域具 通常知識者所能輕易完成，又證據2 及3 之組合足以證明 系爭專利請求項6 不具進步性，已如前所述，故系爭專利 請求項7 為其所屬領域中具有通常知識者依申請前證據2 及3 技術之組合所能輕易完成，不具進步性。
⒋系爭專利請求項8 係依附請求項6 ，間接依附請求項1 之 附屬項，包含請求項1 、6 之全部技術特徵外，並進一步 界定「該訊號接收端為一紅外線接收器。」，係揭露於證 據2 之[0006]引線框架上所固定接著配線之用於進行紅外 線檢測及訊號處理之半導體元件，故系爭專利請求項8 為 其所屬領域中具有通常知識者依申請前證據2 及3 技術之 組合所能輕易完成，不具進步性。
⒌系爭專利請求項10至12係直接依附請求項9 之附屬項，包 含該獨立項全部之技術特徵，並進一步分別界定「該金屬 薄膜包含一濺鍍層與一電鍍層。」、「該至少一訊號收／ 發窗口包含一光透性的半球結構。」、「該訊號收發模組 更包含一承載裝置與至少一訊號收／發元件，該至少一訊
號收／發元件設置於該承載裝置上。」該等請求項之技術 特徵已分別揭露於「證據2 之[0010]不透光導電物質6 可 為金屬被膜，可藉由真空蒸鍍、電鍍法來形成，如金屬被 膜較薄，無法得到充分之之遮蔽功效時，可以薄金屬被膜 作為電極，於其上形成離子電鍍所形成的金屬被膜，且金 屬被膜亦可以無電電鍍來形成」；「證據2 之圖1 至3 揭 露光透性之半球結構之紅外受光部2 ；證據2 之圖1 及[0 006]揭露具有伸長了外部引線框架（相當於系爭專利之承 載裝置），進行紅外線檢測及訊號處理之半導體元件（相 當於系爭專利之訊號收／發元件）固定接著配線於引線框 架上」。又證據2 及3 之組合足以證明系爭專利請求項9 不具進步性，已如前所述，故系爭專利請求項10至12為其 所屬領域中具有通常知識者依申請前證據2 及3 技術之組 合所能輕易完成，不具進步性。
⒍系爭專利請求項13係依附請求項12，間接依附請求項9之 附屬項，包含請求項9 、12之全部技術特徵外，並進一步 界定「該至少一訊號收／發元件包含一訊號發射源或一訊 號接收端。」，係揭露於證據2 之[0006]引線框架上所固 定接著配線之用於進行紅外線檢測及訊號處理之半導體元 件（相當於系爭專利之訊號收／發元件）。又證據2 及3 之組合足以證明系爭專利請求項12不具進步性，已如前所 述，故系爭專利請求項13為其所屬領域中具有通常知識者 依申請前證據2 及3 技術之組合所能輕易完成，不具進步 性。
⒎系爭專利請求項14係依附請求項13間接依附請求項9 、12 之附屬項，包含請求項9 、12、13之全部技術特徵外，並 進一步界定「該訊號發射源為一紅外線發光二極體」，然 訊號收／發元件存在抗電磁干擾早為一習知問題（參系爭 專利說明書第5 頁之先前技術），系爭專利僅將證據2 、 3 之屏蔽電磁波之技術簡單轉用至紅外線發光二極體（訊 號發射元件）之電磁波屏蔽，為發明所屬技術領域具通常 知識者所能輕易完成。又證據2 及3 之組合足以證明系爭 專利請求項13不具進步性，已如前述，故系爭專利請求項 14為其所屬領域中具有通常知識者依申請前證據2 及3 技 術之組合所能輕易完成，不具進步性。
⒏系爭專利請求項15係依附請求項13，間接依附請求項9 、 12之附屬項，包含請求項9 、12、13之全部技術特徵外， 並進一步界定「該訊號接收端為一紅外線接收器。」，係 揭露於證據2 之[0006]引線框架上所固定接著配線之用於 進行紅外線檢測及訊號處理之半導體元件，故系爭專利請
求項15為其所屬領域中具有通常知識者依申請前證據2及3 技術之組合所能輕易完成，不具進步性。
⒐系爭專利請求項16係依附請求項12，間接依附請求項9 之 附屬項，包含請求項9 、12之全部技術特徵外，並進一步 界定「該訊號收發模組更包含一封裝構件，封裝該至少一 訊號收／發元件與該承載裝置。」；系爭專利請求項17係 依附請求項16，間接依附請求項9 、12之附屬項，包含請 求項9 、12、16之全部技術特徵外，並進一步界定「該封 裝構件為一環氧樹脂或一塑膠。」，係揭露於證據2 圖1 及[0006]揭露之樹脂塑模7 （相當於系爭專利之封裝構件 ）用以封裝該進行紅外線檢測及訊號處理之半導體元件及 引線框架，證據3 之[0028]揭露塑模樹脂可使用例如以轉 移模法所形成之環氧系塑模樹脂，故系爭專利請求項16、 17為其所屬領域中具有通常知識者依申請前證據2 及3 技 術之組合所能輕易完成，不具進步性。
⒑系爭專利請求項18為一種防電磁干擾電子裝置之製造方法 ，該製造方法包含：遮蔽一訊號收發模組之至少一訊號收 ／發窗口：進行一真空濺鍍製程，以形成一濺鍍層於該訊 號收發模組之表面上並與該訊號收發模組之一接地端接觸 ；進行一電鍍製程，以形成一電鍍層於該濺鍍層上，其中 該濺鍍層與該電鍍層之總厚度為10微米至20微米。 ⒒證據2 與系爭專利請求項18相較，系爭專利之一種防電磁 干擾之電子裝置相當於證據2 之[0002]、[0007]、[0015] 揭露紅外遙控受光單元可阻止對訊號處理電路之積體電路 元件之雜訊或電磁波侵入；系爭專利之遮蔽一訊號收發模 組之至少一訊號收／發窗口，相當於證據2 之[0009]於塗 佈導電性樹脂時，以治具或抗蝕遮罩等將紅外線受光部2 （相當於系爭專利之訊號收／發窗口）、及外部引線4 、 5 與其附近之樹脂塑模部加以被覆；系爭專利之進行一真 空濺鍍製程，以形成一濺鍍層於該訊號收發模組之表面上 並與該訊號收發模組之一接地端接觸，相當於證據2 之[0 010]不透光導電物質可為金屬被膜，可藉由真空蒸鍍、電 鍍法來形成，以治具或蒸鍍遮罩將紅外線受光部2 及外部 引線4 、5 附近之樹脂塑模7 加以被覆，投入至真空蒸鍍 裝置或濺鍍裝置；系爭專利之進行一電鍍製程，以形成一 電鍍層於該濺鍍層上，相當於證據2 之[0010]如真空蒸鍍 或濺鍍金屬被膜較薄，無法得到充分之遮蔽功效時，可以 薄金屬被膜作為電極，於其上形成離子電鍍所形成的金屬 被膜，且金屬被膜亦可以無電電鍍來形成。是證據2 已揭 露系爭專利請求項18大部分技術特徵，其差別在於系爭專
利之濺鍍層與該電鍍層之總厚度為10微米至20微米，而證 據2 之不透光導電物質6 可為金屬被膜，由濺鍍裝置及電 鍍形成，且未揭露金屬被膜厚度。然系爭專利之該濺鍍層 與該電鍍層厚度欲達成厚度較薄及防電磁干擾實質上與證 據2 揭露不透光導電物質6 之金屬被膜具厚度較薄（證據 2 之[0010]金屬被膜可藉由濺鍍裝置及電鍍形成）及具防 止電磁波侵入（參證據2 之[0002]、[0007]、[0015]）之 功能相當，所屬領域具通常知識者自可按所欲達成遮蔽功 能自己調整金屬薄膜（或金屬被膜）之厚度。證據3 揭露 金屬層38係設於樹脂層35上表面，用以遮斷來自外部之電 磁波，該金屬層38厚度M2係可使用10μm ～20μm （參證 據3 說明書之[0028]-[0032] ），證據2 可參考證據3 將 不透光導電物質6 之金屬被膜厚度調整為10μm ～20μm ，藉以遮斷來自外部之電磁波，故系爭專利請求項18為其 所屬領域中具有通常知識者依申請前證據2 及3 技術之組 合所能輕易完成，不具進步性。
⒓系爭專利請求項19係直接依附請求項18之附屬項，包含該 獨立項全部之技術特徵，並進一步界定「其中遮蔽該至少 一訊號收／發窗口之步驟係使用至少一遮板，來遮蔽該至 少一訊號收／發窗口。」，係揭露於證據2 之[0010]不透 光導電物質可為金屬被膜，可藉由真空蒸鍍、電鍍法來形 成，以治具或蒸鍍遮罩將紅外線受光部2 及外部引線4 、 5 附近之樹脂塑模7 加以被覆，投入至真空蒸鍍裝置或濺 鍍裝置，又證據2 及3 之組合足證明系爭專利請求項18不 具進步性，已如前所述，故系爭專利請求項19為其所屬領 域中具有通常知識者依申請前證據2 及3 技術之組合所能 輕易完成，不具進步性。
㈡原告訴稱證據2 、3 無法輕易結合，然證據3 說明書第0001 段落已揭示「本發明係關於半導體裝置及其製造方法，特別 是可使安裝於基板之電子產品防止電磁波影響的半導體裝置 及其製造方法…」，與證據2 所揭露引線框架（相當於基板 ）上所固定接著而配線之用於進行紅外線檢測及訊號處理之 半導體元件（即電子產品或半導體元件），以防止電磁波侵 入（參證據2 之[0002]、[0007]、[0015]）為相關技術領域 ，因此，證據2 及3 有合理之組合動機。
㈢原告主張證據2 、3 未揭露系爭專利請求項7 、14之「訊號 發射元件為紅外線發光二極體」之訊號發射元件。惟訊號收 ／發元件存在抗電磁干擾早為一習知問題（參系爭專利說明 書第5 頁之先前技術說明），系爭專利僅將證據2 、3 之屏 蔽電磁波之技術簡單轉用至紅外線發光二極體（訊號發射元
件）之電磁波屏蔽，為發明所屬技術領域具通常知識者所能 輕易完成，證據2 及3 之組合足證明系爭專利請求項7 、14 不具進步性，已如前述，是原告之主張不足採。 ㈣原告主張證據3 金屬層應用於證據2 ，其總厚度必超過系爭 專利請求項所界定濺鍍層與該電鍍層總厚度為10μm ～20μ m 。惟證據3 已揭露金屬層厚度可為10μm ～20μm ，可達 成遮蔽電磁波功能，系爭專利所屬技術領域具有通常知識者 ，於參考證據3 技術後，依證據2 所欲達成遮蔽電磁波功能 ，將金屬被膜總厚度調整為10μm ～20μm ，是原告之主張 不足採等語，茲為抗辯。並聲明駁回原告之訴。四、參加人主張：
㈠證據2 與系爭專利相較，僅未直接記載10至20微米之金屬被 膜厚度，然系爭專利之發明重點並非在於以金屬來隔離電磁 波，而是在於較薄之金屬薄膜，以達成薄型化及小型化之目 標。系爭專利所屬技術領域具有通常知識者，於參酌證據2 後，既已有研發更輕更薄之金屬薄膜之「動機」，而證據3 已揭示該等厚度範圍（其亦係關於防止電磁干擾之結構且係 使用金屬層為手段），系爭專利所屬技術領域中具有通常知 識者，應有充分的「動機」，將證據2 所揭示之隔離電磁波 之金屬被膜厚度降低，並參酌證據3 在相同發明目的下所揭 載之金屬膜厚度範圍之教示，以達到輕薄短小之目的，完成 系爭專利之發明。證據2 及證據3 之組合，確實可證明系爭 專利不具進步性。
㈡由系爭專利說明書可知，於系爭專利之一實施例中，所謂的 「訊號收／發元件」為「遙控接收元件」，亦即，該實施例 中之訊號收／發元件僅具有「接收」之單一功能。換言之， 系爭專利請求項中所載之「訊號收／發元件」用語，其中之 「／」應解釋為「及／或」，即包含「訊號接收元件」、「 訊號發射元件」、「訊號接收及發射元件」三種下位概念。 又系爭專利說明書所述之先前技術可知，防止電磁的干擾實 為訊號收發模組（例如紅外線收發模組）存在已久的課題， 證據2 既係關於「防電磁干擾的紅外線遙控受光單元」，顯 與系爭專利提到之「紅外線收發模組」屬於相同技術領域， 且其所揭示之構成具有與系爭專利相同之功效，則舉發證據 2 所提供的技術方案，自可用以解決系爭專利所欲改良的問 題。
㈢遍查證據3 及系爭專利之全文，皆無任何關於「晶圓級」或 「成品級」的定義或敘述；更遑論系爭專利的申請專利範圍 中並無所謂「成品級」之技術特徵，亦未出現任何排除「晶 圓級」的記載。顯然，原告所述「成品級」或「晶圓級」之
區別，不過為彼臨訟自創之說詞，意在模糊「證據3 已揭示 遮蔽用的金屬膜厚可為10-20 微米」之事實而已，與證據3 的技術本質不符。證據3 於其第[0001]段已揭示「本發明係 關於半導體裝置及其製造方法，特別是可使安裝於基板之電 子產品防止電磁波影響的半導體裝置及其製造方法」等語。 換言之，證據3 之目的，與系爭專利「防電磁波干擾」之目 的，實質上並無不同，自可認屬與系爭專利相關之技術。 ㈣因證據3 已明載「遮斷來自外部之電磁波係金屬層38」，亦 即樹脂層與遮斷來自外部之電磁波全無任何關係，且發明所 屬技術領域中具有通常知識者皆知樹脂並非用來遮斷電磁波 者，因此無論證據3 之金屬層是以何種方式形成於樹脂層上 ，由於僅金屬層與遮斷電磁波相關，故二舉發證據之結構上 並無衝突，且證據2 及證據3 均藉由金屬被膜之設置而防止 電磁干擾，故兩者達成防止電磁干擾之結構與手段相同。是 以發明所屬技術領域中具有通常知識者自然可依據證據2 所 揭示的構成，參考證據3 所揭示「遮斷來自外部之電磁波的 金屬層的10微米-20 微米」，選擇金屬薄膜的厚度而輕易完 成系爭專利請求項1 之發明。
㈤證據2 與系爭專利請求項9 之差異僅在於證據2 未直接記載 10-20 微米之金屬膜厚度。然承前所述，證據3 已揭示該等 厚度範圍，發明所屬技術領域中具有通常知識者可藉由組合 證據2 及證據3 而輕易完成系爭專利請求項9 。 ㈥證據2 與系爭專利請求項18之差異僅在於證據2 未直接記載 濺鍍層與電鍍層之總厚度為10至20微米。然承前所述，證據 3 已經揭示「金屬層38係遮斷來自外部之電磁波」、「金屬 層38之厚度M2係可使為例如10微米～20微米程度。」，系爭 專利所屬技術領域中具有通常知識者，於參考證據3 技術後 ，自得依證據2 所欲達成遮蔽功能，將金屬被膜總厚度調整 為10微米-20 微米，故組合證據2 及證據3 可輕易完成系爭 專利請求項18。
㈦系爭專利請求項2 至8 、10至17、19，乃請求項1 、9 、18 之附屬項，此等附屬項所進一步界定之技術特徵已分別揭露 於證據2 及3 。又證據2 及3 之組合足以證明系爭專利請求 項1 、9 、18不具進步性已如前所述，故系爭專利請求項2 至8 、10至17、19為其所屬領域中具有通常知識者依申請前 證據2 及3 技術之組合所能輕易完成，不具進步性。綜上， 原處分及訴願決定並無違誤。並聲明：原告之訴駁回。五、按「發明專利權得提起舉發之情事，依其核准審定時之規定 。」為專利法第71條第3 項本文所明定。查系爭專利係於96 年8 月31日申請，核准審定日為99年6 月29日，故系爭專利
有無撤銷之原因，應以核准審定時所適用之92年2 月6 日修 正公布、93年7 月1 日施行之專利法（下稱核准時專利法） 規定為斷。次按，凡利用自然法則之技術思想之創作，而可 供產業上利用者，得依法申請取得發明專利；發明為其所屬 技術領域中具有通常知識者，依申請前之先前技術所能輕易 完成時，不得依法申請取得發明專利，核准時專利法第21條 、第22條第4 項分別定有明文。又依同法第67條第1 項第1 款規定，發明違反同法第22條第4 項規定時，專利專責機關 應依舉發或依職權撤銷其發明專利權。是故，發明專利經舉 發人提出舉發而證明其不具進步性時，專利專責機關即應作 成舉發成立，撤銷其專利權之審定。
六、次按，有關進步性之判斷，應注意不得僅因申請專利之發明 的各項構件已存在先前技術中，即認定不具進步性，而應探 究有無合理且具體之理由，促使所屬技術領域中具有通常知 識者，將所揭露之技術作成申請專利之發明的組合態樣。所 稱有無合理且具體之理由，應考量先前技術彼此間，以及先 前技術與申請專利之發明間，就所屬技術領域之關聯性高低 、所欲解決之技術問題、解決問題之技術手段，以及所欲達 成功效之共通性高低，並審酌先前技術間是否具有明顯無法 組合或先天不相容之情事。如先前技術已教示所屬技術領域 須解決之技術問題，應可合理預期該領域具有通常知識者， 即可能參考於技術領域上具有關聯性且解決相同或近似技術 問題之先前技術，而產生先前技術組合之動機，實不應過度 機械性或僵化地比對申請專利發明與先前技術之差異。至於 進步性判斷之步驟，首應確認與申請專利之發明最接近之先 前技術，並藉此界定專利申請時之所屬相關技術領域具有通 常知識者之技術水準；其次，確認申請專利之發明與最接近 之先前技術間之差異，用以確認申請專利之發明是否克服先 前技術所未解決之技術問題，抑或提出創新之技術手段而對 於產業或消費市場需求產生功效之增進；再者，依專利申請 時之技術水準，考量先前技術與申請專利之發明所屬技術領 域之關聯性高低、所欲解決之技術問題、解決問題之技術手 段及所欲達成功效之共通性高低等因素，並審酌先前技術間 是否具有明顯無法組合或先天不相容之情事，綜合判斷所屬 相關技術領域中具有通常知識者，是否有合理且具體之理由 以最接近之先前技術為基礎，將之轉用、置換、改變或組合 其他先前技術，而輕易完成申請專利之發明整體，並產生可 預期之功效。
七、本件爭點為證據2 及證據3 之組合是否足以證明系爭專利請 求項1 至19不具進步性，而違反核准時（92年2 月6 日修正
公布、93年7 月1 日施行）專利法第22條第4 項規定（見本 院卷㈠第248 頁），茲就本院之判斷分述如下： ㈠系爭專利所欲解決之問題及技術內容：
電子資訊產品在體積縮小之發展趨勢下，各系統間存在著不 需要之電壓或電流，並同時產生大量寬頻雜訊，因而嚴重地 影響各裝置功能，此現象即為電磁干擾。傳統上抗電磁干擾 的方式，主要是利用電磁波遮蔽材料，來作為防電磁干擾之 遮蔽罩。舉例來說，在訊號收發模組中，例如紅外線收發模 組，通常會在訊號收發模組的外部先塗佈一層黏著劑，接著 再將已成型的鐵殼套安裝在收發模組上，以防止電磁的干擾 。由於習知的鐵殼套之厚度相當厚，一般鐵殼套的厚度約為 150 微米，所以需耗費較高的成本，且增加整體訊號收發模 組的體積，因而容易讓訊號收發模組變得相當笨重。系爭專 利之發明為一種防電磁干擾之電子裝置，以金屬薄膜形成厚 度較薄之防電磁干擾遮蔽罩，且金屬薄膜厚度為10微米至20 微米，以有效進行電磁波之隔離，並縮小元件厚度及降低成 本（見系爭專利明書第5 至7 頁，圖式如附圖1 ）。 ㈡系爭專利申請專利範圍：
系爭專利請求項共計19項，其中第1 、9 、18項為獨立項， 餘為附屬項，內容如下。
⒈一種防電磁干擾之電子裝置，包含：一承載裝置，包含一 接地端，其中該接地端設置於該承載裝置之一側邊，且該 接地端與該承載裝置電性連接；至少一訊號收／發元件， 設置於該承載裝置上；一封裝構件，用以封裝該承載裝置 與該至少一訊號收／發元件；至少一訊號收／發窗口，設 置於該封裝構件之上，該至少一訊號收／發窗口係對應該 至少一訊號收／發元件；以及一金屬薄膜，至少覆蓋該封 裝構件之表面並與該接地端接觸，且該金屬薄膜不覆蓋該 些訊號收／發窗口，該金屬薄膜之厚度為10微米至20微米 。
⒉如申請專利範圍第1 項所述之防電磁干擾之電子裝置，其 中該金屬薄膜包含一濺鍍層與一電鍍層。
⒊如申請專利範圍第1 項所述之防電磁干擾之電子裝置，其 中該承載裝置包含一電路板或一支架。
⒋如申請專利範圍第1 項所述之防電磁干擾之電子裝置，其 中該封裝構件為一環氧樹脂或一塑膠。
⒌如申請專利範圍第1 項所述之防電磁干擾之電子裝置，其 中該至少一訊號收／發窗口包含一光透性的半球結構。 ⒍如申請專利範圍第1 項所述之防電磁干擾之電子裝置，其 中該至少一訊號收／發元件包含一訊號發射源或一訊號接
收端。
⒎如申請專利範圍第6 項所述之防電磁干擾之電子裝置，其 中該訊號發射源為一紅外線發光二極體。
⒏如申請專利範圍第6 項所述之防電磁干擾之電子裝置，其 中該訊號接收端為一紅外線接收器。
⒐一種防電磁干擾之電子裝置，包含：一訊號收發模組，該 訊號收發模組包含至少一訊號收／發窗口、一接地端，其 中該至少一訊號收／發窗口設置於該訊號收發模組之一面 ，該接地端設置於該訊號收發模組相鄰於該至少一訊號收 ／發窗口之另一面：以及一金屬薄膜，覆蓋該訊號收發模 組並與該接地端接觸，且該金屬薄膜不覆蓋該至少一訊號 收／發窗口，其中該金屬薄膜之厚度為10微米至20微米。 ⒑如申請專利範圍第9 項所述之防電磁干擾之電子裝置，其 中該金屬薄膜包含一濺鍍層與一電鍍層。
⒒如申請專利範圍第9 項所述之防電磁干擾之電子裝置，其 中該至少一訊號收／發窗口包含一光透性的半球結構。 ⒓如申請專利範圍第9 項所述之防電磁干擾之電子裝置，其 中該訊號收發模組更包含一承載裝置與至少一訊號收／發 元件，該至少一訊號收／發元件設置於該承載裝置上。 ⒔如申請專利範圍第12項所述之防電磁干擾之電子裝置，其
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