智慧財產法院民事中間判決
104年度民專訴字第54號
原告HeraeusPreciousMetalsNorthAmericaConshohockenLLC
即反訴被告（美商賀利氏貴金屬北美康舍霍肯有限責任公司）
法定代理人RobertKerprich
訴訟代理人陳佳菁律師
許文亭
張哲倫律師
複代理人李協書
輔佐人張偉銘
被告碩禾電子材料股份有限公司
即反訴原告
法定代理人陳繼明
被告陳繼明
上一人
訴訟代理人吳明珠
共同
訴訟代理人徐瑞毅律師
羅秀培律師
林哲誠律師
複代理人范清銘律師
上列當事人間侵害專利權有關財產權爭議等事件，本院於105年7
月1日就中間爭點言詞辯論終結，並為中間判決如下：
主文
1信股中華民國公告第I432539號「用於形成太陽能電池電極之導電糊」發明專利（下稱系爭專利）請求項1（即原告主張更正之請求項1，下同）符合民國102年6月11日修正公布之專利法（下稱102年專利法）第26條第2項之規定。
系爭專利說明書符合102年專利法第26條第1項之規定。被證36不足以證明系爭專利請求項1及其附屬項不具新穎性。被證37不足以證明系爭專利請求項1及其附屬項擬制喪失新穎性。被證36不足以證明系爭專利請求項1及其附屬項不具進步性。被證36與被證41至被證50中任一者及「通常知識」之組合不足以證明系爭專利請求項1及其附屬項不具進步性。被證44與被證41至被證43、被證45至被證50中任一者及「通常知識」之組合不足以證明系爭專利請求項1及其附屬項不具進步性。
事實及理由
壹、程序方面：
一、本件乃涉外民事事件，且我國法院有國際裁判管轄權：院應先確定有國際管轄權，始得受理，次依內國法之規定或概念，就爭執之法律關係予以定性後，決定應適用之法律（即準據法），而涉外民事法律適用法並無明文規定國際管轄權，應類推適用民事訴訟法之規定（最高法院98年度台上字第2259號判決意旨參照）。次按，因侵權行為涉訟者，得由行為地之法院管轄，民事訴訟法第15條第1項定有明文。份有限公司（下稱碩禾公司）為依我國法律設立之法人，被告○○○則為我國人民，其營業所、住所均在我國，是本件就人的部分，具有涉外要素。又依原告起訴主張被告等於我國境內所銷售之590、590A、600、610、620型號之太陽能電池用正
2面銀漿產品（下稱系爭產品）侵害其所有中華民國第I432539號「用於形成太陽能電池電極之導電糊」發明專利（下稱系爭專利），應負不為一定行為及損害賠償之責任，是依原告起訴主張之事實，本件應定性為專利權侵權事件，且發生地點在我國，應類推民事訴訟法第15條第1項規定，認原告主張侵權行為地之我國法院有國際管轄權。再者，依專利法所生之第一、二審民事訴訟事件，為本院管轄案件（智慧財產案件組織法第3條第1款、智慧財產案件審理法第7條規定參照），故本院得就本案為審理，並適用涉外民事法律適用法以定涉外事件之準據法。
二、準據法之選定：
按以智慧財產為標的之權利，依該權利應受保護地之法律，民國100年5月26日修正施行之涉外民事法律適用法第42條第1項分別定有明文。查原告依我國專利法取得專利權，主張被告等在我國有侵害其專利權之行為，故本件準據法自應依中華民國法律。
三、原告之法定代理人原為○○○○○○○○○○○○○，嗣變更為○○○○○○○○○○○○○○，並於104年11月24日具139頁、第142頁），經核並無
不合，自應准許。
四、原起訴聲明第2項為「被告等不得直接或間接、自行或委請他人製造、為販賣之要約、販賣、使用或進口系爭產品及其他侵害系爭專利權之產品。」、第3項為「前項聲明之侵權產品，5頁），嗣於本院審理時，
原告於104年12月24日具狀變更上開聲明為第2項「被告等不得製造、為販賣之要約、販賣、使用或進口用於形成太陽能
電池電極之系爭產品。」、第3項「被告等不得使用系爭專利
3之技術。」及第4項「第二項聲明之太陽能電池用正面銀漿產171頁至背面），並經
141頁之言詞辯論筆錄），經核原告
上開所為，其請求之基礎事實同一，且無甚礙被告之防禦及訴訟之終結，依民事訴訟法第255條第1項第1款、第2款及第7款規定，應予准許。
五、按攻擊或防禦方法，除別有規定外，應依訴訟進行之程度，於言詞辯論終結前適當時期提出之。當事人意圖延滯訴訟，或因重大過失，逾時始行提出攻擊或防禦方法，有礙訴訟之終結者，法院得駁回之。攻擊或防禦方法之意旨不明瞭，經命其敘明而不為必要之敘明者，亦同，民事訴訟法第196條定有明文。原告雖主張104年9月7日準備程序期日，本院已當庭諭知被告等於同年10月20日前提出有效性抗辯之證據及理由書狀及繕本到院，且已於同年10月26日準備程序時，會同兩造作成爭點整理協議，被告等遲至105年1月22日始當庭提出答辯（14）狀及簡報，追加被證91至99作為系爭專利有效性之新證據，顯屬逾時提出攻擊防禦方法，已生失權效，該新證據及有效性之答辯理由，應予駁回云云。經查，本件被告等於準備程序主張系爭專利請求項1至7不具新穎性、擬制新穎性及進步性，惟未提出被證91至99作為系爭專利「通常知識」與之前引證案組合之證據，本院認為被告等於105年1月22日以答辯（14）狀及簡報提出被證91至99，雖已逾越本院諭示之期間，惟自訴訟進行之程度而言，尚未造成延滯訴訟或有礙訴訟終結，且本院嗣依原告所請封存上開書狀及簡報，並給予其合理回應期間，亦不致對原告程序上利益造成重大影響，並無民事訴訟法第196條規定之適用，被告等前揭證據應得作為本件審酌之證據。另本院於105年7月1日言詞辯論時，兩造均稱無其
4192頁之言詞辯論筆錄），嗣被告
等又於同年月13日提出答辯（24234頁以下），經原告於同年月19日具狀主張其應有失權效之適用（本院255頁以下），本院審認被告等答辯（24）狀之答辯理由顯係逾時提出，有礙訴訟之終結，爰不予審究。六、按各種獨立之攻擊或防禦方法，達於可為裁判之程度者，法院得為中間判決。請求之原因及數額俱有爭執時，法院以其原因為正當者，亦同，民事訴訟法第383條第1項定有明文。本院認為系爭專利有無應撤銷之原因，就此爭點已達於可為裁判之程度，爰依民事訴訟法第382條第1項前段規定，為中間判決
。
貳、實體部分：
一、兩造聲明：
1,000
萬元整暨自起訴狀繕本送達翌日起至清償日止，按年息5%計算口用於形成太陽能電池電極之被告型號為：590、590A、600、610、620
民國第I432539號發明專利「用於形成太陽能電池電極之導電糊二項及第三項之聲明，原告願以現金或同額之可轉讓定期存單供擔保，請准宣告假執行。
二、原告就「系爭專利有無應撤銷之原因」部分主張：
51中「藉由以500至900℃燒製而形成太陽能電池電極」，該溫度係指晶圓之溫度，該用語應解釋為「晶圓在藉由燒製形成太陽能電池電極之過程中，其溫度曲線至少一部分通過500至900℃之範圍」：
燒製過程中太陽能電池晶圓（其中導電糊已網印於其上）之溫度，而非燒結爐之溫度，此乃由於太陽能電池電極之品質與電極燒製時能否達成合適之燒穿程度相關，燒製步驟之重點即在於使導電糊有效燒穿抗反射膜，但又不能過度燒穿以致傷害下面的擴散層，甚至是矽基板，從而達成歐姆接觸，而該溫度必須被精準地控制。就此而言，燒結爐之設定溫度並無太大意義，因為燒結爐之設定溫度與晶圓之實際溫度之間常有落差，且兩者之間無普遍適用之關係，晶圓之實際燒製溫度除了受燒結爐之設定溫度影響外，亦與燒結時間及燒結爐之幾何形狀等因素有關。
1之「燒製」步驟是指燒製晶圓上之導電糊以形成電極，真正燒製行為發生在晶圓上，因此，燒結爐的溫度並不是真正燒製溫度。事實上，業界可由文獻內容判斷何者為設定溫度，何者為燒製溫度；設定溫度通常會特定指明，甚至會與燒結爐廠牌型號、進料帶速、加熱區間長度等資訊一併提供（原證102至106、140、141，詳下述）。所屬技術領域中具有通常知識者，依其本身之知識，在閱讀系爭專利說明書之後，並不會將「燒製溫度」解釋成「燒結爐之設定溫度」。OPTIMIZATIONOFAFIRINGFURNACE」探討特定燒結爐（RTCLA-309）之最適化條件，該燒結爐具有4個加熱區，在每一實驗中，晶圓之實際溫度可藉由熱電偶
6量測。為了簡化參數設定，甚至將第一加熱區溫度固定為780℃，並以線性增加方式設定其餘三區之溫度進行研究（原證102第1頁左欄倒數第8至11行）。其圖1顯示縱使固定4個加熱區5之設定溫度為780℃-830℃-880℃-930℃，進料帶速度不同，所得溫度曲線並不相同，並作出「當帶速度改變時，為達成相同峰值溫度必須改變設定溫度」之結論（原證102第2頁右欄第2至4行）；圖3則顯示無論燒結爐之最高溫度為870℃、900℃或930℃，晶圓之實際最高溫度皆為約800℃。
AdvancedNanoProduct公司網站就其太陽能電池正面銀漿產品之網頁，亦提供燒製曲線圖（原證103），其說明燒結爐之設定溫度最高達940℃，然燒製曲線表示之晶圓最高溫度為763℃或761℃。
碩禾公司總經理黃文瑞先生所做之投影片「導電膠於太陽電池之應用」第18頁提供將導電膠形成太陽能電池電極時之燒製曲線圖（原證104），該燒製曲線不但通過系爭專利請求項1之「500至900℃」溫度範圍，且最高溫度落在700℃至800℃之間。可見被告等所認知之「燒製溫度」並非燒結爐之設定值，且其所使用之燒製溫度落入系爭專利之範圍。
A568之規格說明書第2頁
表格提及該產品所使用之燒製參數（欄位Firing）及最高燒製溫度（欄位PeakFiringTemp）。如表格所載，燒結爐有多個區域設定溫度，雖然燒結爐之最高設定溫度為920℃（Zone11：920℃），然而被告碩禾公司表示其最高燒製溫度為700℃-800℃，與該表格下燒製曲線相符，具體區分「燒結爐溫度設定值（setpoints）」及「實際燒
7製溫度（Firingtemperature）之峰值（原證105），顯見被告等熟知燒製溫度應為晶圓之實際溫度，而非燒結爐之設定溫度。
等之正面銀漿產品590B-2（應為系爭產品型號590之系列產品）之規格說明書第2頁燒結爐有6段設定溫度，最高設定溫度為920℃±15℃，然而被告等表示其最高燒製溫度為770℃-800℃，更記載使用技術領域中用以量測晶圓溫度的DATAPAQ溫度測量儀，來量測燒製時之峰值溫度（原證106）。足證被告等不但熟知燒製溫度應為晶圓之實際溫度，而非燒結爐之設定溫度。
DespatchIndustries之DanielRuf及AndrewXi與太陽能電池製造商NiceSun之XuDongZhu之共同著
作"SuperiorFiringStability,SuperiorCellPerformance"第1頁載明「燒製步驟是製作太陽能電池最重要之步驟之一，其中最重要的參數是晶圓溫度（晶圓峰值溫度）」（原證140），亦可證明之。
JaapHoornstra等多位作者於2005年歐洲光電太陽能研討會共同發表之文章，其第3.2節載稱：「圖4中…實際之最高晶圓溫度為進料帶的相對速度及最高區溫度設定值之函數。…藉由區域接觸電阻與區域晶圓溫度之關係，可評估一導電糊是否可得到可接受之接觸電阻，且若此，可輕易建立最適化燒製之溫度設定。」等語（原證141），可知為獲得最適化之燒製，必須瞭解晶圓實際溫度，搭配進料帶速度選擇適當之燒結爐溫度進行操作，該圖4顯示在不同帶速度下欲達成同一晶圓溫度，須使用不同設定溫度。
等所提供之被證56、57、61、64至66及原證102等
8文獻係在系爭專利優先權日前公開，且均揭示在燒製時使用超過900℃之燒結爐設定溫度。如前所述，由於系爭專利並非藉由燒製溫度與習知太陽能電池電極之製造技術區隔，且具有溫度依附性低之優點，故被告等所提上述文獻所揭示之溫度範圍顯然亦為系爭專利所能合理實施之範圍。據此，所屬技術領域中具有通常知識者，在明知燒結爐設定溫度超過900℃（由原證102至106可證，此時晶圓溫度可介於「500至900℃」）能實現燒製之下，毫無任何理由將系爭專利說明書之「500至900℃」燒製溫度解釋成燒結爐之設定溫度。
倘若真能以「燒結爐之設定溫度」解釋燒製溫度，則任何廠商於製備太陽能電池電極時，既使其晶圓之實際燒製溫度在500至900℃內不曾改變，但僅需藉由校調燒結爐溫度顯示器之電腦程式，使其燒結爐儀表設定溫度之顯示永遠高於900℃或永遠低於500℃，就可輕易避開系爭專利之範圍，甚至亦可使用設定溫度顯示器已故障或遭損壞之燒結爐避開系爭專利之範圍，被告等之解釋顯不合理。等所提供其他專利及文獻僅記載「燒結爐設定溫度」之情況，並無法證實其主張，蓋該等專利及文獻之作者本就得以自由選用晶圓溫度或燒結爐設定溫度，以界定其發明或記錄其實驗。上述專利及期刊文獻與系爭專利之「燒製溫度」應作何解釋並無關連。
等辯稱「太陽能電池業者早已將燒結爐所涉定之溫度制約為相應於矽晶圓之實際溫度，並以燒結爐之設定溫度
作為控制燒製導電漿形成太陽能電池電極之燒製溫度依據」云云，其辯詞顯已自承「燒結爐之設定溫度」僅係控制形成太陽能電池電極之「燒製溫度」之手法，而非真正燒
9製溫度。
告等誆稱依原證182、203，原告自承系爭專利請求項1之燒製溫度係指「最高設定溫度」云云，然原證182中已清楚記載「峰值晶圓溫度」及「峰值設定溫度」（如第8點記載：「峰值晶圓溫度為777.6℃、796.9℃、814.8℃及834.6℃（峰值設定溫度：860℃、880℃、900℃及920℃…）」），該等術語完全無法導致所謂原告自承，被告等顯係混淆視聽；又雖原證203之[0049]及[0053]段並未說明該等溫度係指晶圓溫度或設定溫度，然被告等以另一專利文獻之記載內容作為系爭專利申請專利範圍解釋之依據，其結論顯不足採。
DATAPAQ或KIC等溫度測量器置入燒
結爐，在穿過燒結爐的過程中，獲取電池片的溫度曲線，進行測量晶圓的實際溫度，精確的測量可幫助工程師盡快找到最佳生產參數設定（原證120至122）。一般而言，導電糊供應商對其產品均會找出最佳的燒製溫度曲線並將其提供予太陽能電池廠商，而太陽能電池廠商則可藉由調整燒結爐各項參數（如進料帶速度、各區之設定溫度、各區之循環氣流等），使實際燒製曲線盡可能與導電糊供應商所提供之燒製曲線相符，以獲得最佳之電池效率表現。對於同一燒製曲線，太陽能電池廠商可能得以找出多組不同的參數設定。溫度，才是決定太陽能電池電極品質之溫度。若導電糊供應商僅提供燒結爐之設定溫度，對於太陽能電池廠商而言實無意義。蓋燒結爐之設定溫度僅為控制晶圓燒製溫度之參數之一，晶圓燒製溫度至少受燒結爐型號、燒結爐設定溫度、進料帶速度、循環氣流設定等諸多參數影響。因此各使用不同
10燒結爐之太陽能電池廠商，仍須透過導電糊供應商所提供之「燒製溫度曲線」，調整其燒結爐的設定溫度、進料速度等各項參數，使燒製過程盡可能吻合燒製溫度曲線，以製得品質佳的太陽能電池。縱使用同一晶圓和同一漿料在相同設定溫度下燒製，但只要其他參數改變均可能對電池效率帶來極大影響，如以原告型號SOL9273之導電糊，於同樣825℃的燒結爐設定溫度下，僅改變進料帶速度，所得電池效率有別；若以原告於市場取得之導電糊X，於同樣進料帶速度及溫度設定下，僅調整其風扇出力大小程度，所得之電池效
率亦有別。
糊之燒製結果，系爭專利採用碲玻璃製作導電糊，此種導電糊具有易於控制燒穿、容易達成歐姆接觸、對於燒製溫度的依附性低等優點，並得進一步提高太陽能電池效率，從而解決業界之問題。對於燒製溫度之解釋，同樣應建構在業界所關切之問題上，始可獲有正確理解，燒製溫度可介於500℃至900℃之間向為業界習知，至今為止，產業界之挑戰仍在於如何於短短數秒鐘內搭配適當之溫度（而這數秒的燒製溫度區域，是習知），控制塗有導電糊之電池片之燒穿程度達到良好歐姆接觸，不能燒穿過少，也不能燒穿過多。申請專利範圍並未有該用語。請求項1記載「以500至900℃燒製」，而非「以500至900℃之最高溫度燒製」，且可為說明書第4頁第1段所支持：
製行為不會發生在單一溫度，而係發生在一溫度區間，換言之，在此溫度區間中的每一個溫度均可發生燒製行為。
11因此，以說明書第14頁第1行記載「…係在800℃之最高溫度燒製」為例，該敘述隱含著燒製之溫度曲線包含800℃之最高溫度，從而其燒製曲線中至少有一部份會通過請求項1所記載之500至900℃之範圍。等稱系爭專利請求項1之燒製溫度應指「最高溫度（燒結爐之最高設定溫度）」並無理由，被告等自承被證16係製作太陽能電池之通常知識，惟根據被證16所揭示之通常知識，「燒除區（burn-outzone）」及「燒結區（sinteringzone）」係以晶圓上的實際溫度所界定（被證16第5及6頁「2.8燒製（Firing）」及圖4(a)）。此一事實足證對所屬技術領域中具有通常知識者來說，晶圓上的實際溫度才是真正有意義的溫度。被證16從未定義僅在該最高溫度進行燒製，反之，被證16圖4(a)表達的是燒製行為發生在具有一溫度區間之燒結區。
等復引用被證56至59及原證102以支持其解釋觀點，然該等證據僅能說明於燒製過程中皆有最高溫度，以及其所設定之最高溫度為何。舉例而言，被證59第4頁0006段落記載「Despatch燒結爐中六個燒結區之設定溫度分別為540℃、580℃、640℃、740℃、825℃及940℃」，太陽能電池在該六個燒結區皆可能發生燒製行為，然被告等僅強調第六燒結區之最高設定溫度940℃，完全未論及為何其他燒結區所發生之溫度不屬於燒製溫度。又被告等104年12月4日庭呈簡報第22頁所示之燒結爐設定溫度圖，亦有六個燒結區（FRN1至FRN6），被告等亦
完全未說明為何僅第六燒結區FRN6屬於燒製溫度，而其他燒結區所發生之溫度不屬於燒製溫度。
12，然而最高溫度僅係燒製之溫度曲線之一部分。電極燒製行為不會發生在單一溫度，而係發生在一溫度區間。換言之，在此溫度區間中的每一個溫度均可發生燒製行為，均可稱之為燒製溫度。因此，被告等將燒製溫度解釋成「最高溫度」之主張並不足採。
求項1中「藉由以500至900℃燒製而形成太陽能電池電極」之用語，應解釋為「晶圓在藉由燒製形成太陽能電池電極之過程中，其溫度曲線至少一部分通過500至900℃之範圍」。被告等藉由併入額外且不必要之限制條件解釋系爭專利請求項1，顯無依據。
1中「氧化碲」之範圍應包含但不限於二氧
化碲：
身之字面意思，即碲之氧化物，涵蓋所有可能之碲之氧化物。鑑此，即使二氧化碲係最穩定的碲氧化物，亦不表示「氧化碲」之字義會改變為「二氧化碲」。若被告等所辯氧化碲僅為二氧化碲，則被告等所提及之其他氧化物，如一氧化碲（TeO）、三氧化碲（TeO3）及四氧化碲（TeO4）將不屬於氧化碲，這種解釋方式顯有違所屬領域之通常知識。化碲」，於說明書所有實施例中，亦僅以元素「碲」表示氧化碲。被告等企圖藉由併入系爭專利說明書以外之限制條件以解釋系爭專利請求項1中「氧化碲」的方式並無根據。EDX分析報告」中採用「二氧化碲（TeO2）」與請求項1之「氧化碲」應做何解釋無涉。原告在「EDX分析報告」中採用「二氧化碲（TeO2）」之理由在於：二氧化
13碲係在系爭專利請求項1之術語「氧化碲」的範圍內；及本發明所屬技術領域中具有通常知識者皆知碲在玻璃料中幾乎完全以+4之氧化態存在（即作為TeO2）。然並非意謂「氧化碲」係限為二氧化碲。
爭專利請求項1之術語「氧化碲」應解釋為「碲之氧化物」，其範圍包含但不限於二氧化碲。
1中「網路形成成分」之涵義係指「一種形
成玻璃之主要結構的成分」：
8頁第3段記載：「在用於本發明之碲玻
璃…中，氧化碲本身不形成玻璃，而為形成玻璃之主要結構的網路形成成分，及其含量相對全部玻璃料為25至90莫耳%…」，該段內容係界定氧化碲如何構成玻璃（本身不形
成玻璃，而為形成玻璃之主要結構的網路形成成分）以及氧化碲之含量（25至90莫耳%；「其」指氧化碲）。該「網路形成成分」係一種「形成玻璃之主要結構之成分」，但並未界定「網路形成成分」佔25至90莫耳%。士皆知有三種不同群組之成分涉及玻璃網路之形成，即氧化體（aglass(ornetwork)former），此種氧化物本身即可自行a
glass(ornetwork)modifier），此種氧化物係用以修飾玻璃形成體所構成之連續隨機網路，以提供玻璃不同特性，如氧化鈉，若添加修飾體有利於破壞結構週期性，可防止形成結晶物（anintermediate(conditional)oxide）」，此種氧化物本身
14不形成玻璃，但在其他添加物存在的條件下，具有如同玻璃形成體或修飾體之作用，可參與玻璃網路之形成（原證127第521至523頁、原證128第7、42頁及圖2.14）。玻璃形成能力由「網路形成體」至「網路修飾體」下降，在此脈絡下，原證127於第523頁描述「中間體」無法單獨形成玻璃，僅「網路形成體」能夠藉其本身（即未有其他添加物之存在下）形成玻璃。
屬於中間體，因此氧化碲本身不形成玻璃（原證129）。玻璃是自然界物質之一種狀態，網路結構是該物質的組織架構，所謂「網路形成成分」泛指可構成玻璃網路之成分。舉例言之，若在一玻璃網路結構中存有氧化矽（玻璃形成體）及氧化鈉（玻璃修飾體），二者均為網路形成成分。因此，系爭專利說明書所述「氧化碲本身不形成形成玻璃，而形成玻璃之主要結構的網路形成成分」係指僅有氧化碲存在時，其無法單獨形成玻璃（此係因氧化碲傾向於形成具結構週期性之結晶）﹔如技藝人士所知，在適當添加物存在下（如添加修飾體破壞結構週期性），氧化碲可形成玻璃。因此，氧化碲可稱為「網路形成成分」，形成系爭專利碲玻璃之主要結構。
以高溫（大於600℃）使原料熔融，並供予充分氧氣，使原料中的元素與氧原子重新鍵結，以最穩定之氧化態形成網路，再透過快速冷卻（quenching）之方式形成玻璃（原證118），玻璃形成後，由影片之簡易展示，可瞭解玻璃料係將固態玻璃敲碎、擣碎成較小顆粒後，以不同尺寸網目過篩後製得，所篩選出之玻璃粉末即為「玻璃料」（原證119）。由
15前揭製作過程可知，單顆玻璃料與整片玻璃之組成相同，亦即「單顆玻璃料」與「玻璃料群體」具有相同組成。
25至90莫耳%
氧化碲」且「所有這些氧化碲係網路形成成分」：6頁第15至16行明確揭示「其中碲玻
璃料係含有25至90莫耳%之氧化碲」、第7頁第1至3行明確揭示「…其中碲玻璃料係含有以下之成分：氧化碲﹕25至90莫耳%」。由此可知，系爭專利說明書所揭示的是氧化碲本身之含量為25至90莫耳%，而非在作用上作為網路形成成分之氧化碲之含量為25至90莫耳%。1所界定之「30至90莫耳%」指得即
是碲玻璃中「氧化碲」之含量，該氧化碲之含量足以產生碲玻璃，使得氧化碲形成該碲玻璃之主結構。換言之，請求項1並非界定30至90莫耳%之氧化碲全部供作網路形成成分，而是界定當氧化碲達到一定數量時（如30至90莫耳%），氧化碲可構成網路形成成分（即形成玻璃之主結構）。此解釋不但於專利實務相符，亦符合說明書及發明所屬技術領域之通常知識者之認知。
1中「網路形成成分」之涵
義係指一種形成玻璃之主要結構的成分，而「30至90莫耳%氧化碲」之特徵即符合氧化碲作為「網路形成成分」之條件。換言之，由於在碲玻璃料中氧化碲以30至90莫耳%之數量存在，因此氧化碲為「網路形成成分」，其與系爭專利之說明書一致。
（更正後）系爭專利請求項1中「其中該玻璃料含有具有30至90莫耳%氧化碲…之碲玻璃料」之莫耳比例應解釋為相對於「碲玻璃料」之莫耳比例：
16104年11月25日向經濟部智慧財產局（下稱智財局）提出專利更正申請書，將系爭專利請求項1、6、8及13中之「25至90莫耳%」縮限為「30至90莫耳%」，原告所提之申請專利範圍解釋不因此數值之更正與否有所影響，先予敘明。
1之文義觀之，可即知此要件係關於「氧化碲在該碲玻璃料中所佔之莫耳比例」，於說明書第6頁第16行揭示「…其中碲玻璃料係含有25至90莫耳%之氧化碲」、第7頁第2至3行亦清楚揭示「其中碲玻璃料係含有以下之成分：氧化碲25至90莫耳%」。上述內容均已具體指明氧化碲含量係以「碲玻璃料」為基礎，可作為請求項1莫耳比例係指氧化碲在「碲玻璃料」中所佔比例之佐證。陽能電池電極之導電糊時，所使用之原料玻璃料係以玻璃粉（玻璃粒子）之型態與其他原料（如銀粉、有機媒液）混合
及滾磨。而系爭專利說明書第8頁第12至17行揭示「在用於本發明之碲玻璃中，氧化碲本身不形成玻璃，而為形成玻璃主要結構的網路形成成分，及其含量相對全部玻璃料為25至90莫耳%（氧化物）…含量範圍較佳為30至80莫耳%…」。根據該段上下文，發明所屬技術領域中具有通常知識者可清楚得知該段全部內容係關於「碲玻璃（料）」，因此該段所述「玻璃」及「玻璃料」係指「碲玻璃」及「碲玻璃料」，也因此，「全部玻璃料」係指「全部碲玻璃料」；就單顆玻璃粒子而言，即指該玻璃粒子之全部（整體）。故該段落提供系爭專利中「碲玻璃」之定義，亦即其含有25至90莫耳%氧化碲，較佳含有30至80莫耳%氧化碲，上述範圍以外之氧化碲莫耳比例之玻璃粒子則非屬系爭專利
17之碲玻璃。
之元素與氧原子重新鍵結所形成之非晶形網路結構。玻璃料之製備方式係將固態玻璃敲碎、導碎成較小顆粒，以不同網目過篩後而得，所篩選出來之玻璃粉末即為「玻璃料」。因此，理論上，單顆玻璃料與整片玻璃之組成相同。系爭專利第8頁倒數第7行至第9頁第10行說明何以使用碲玻璃料可達成容易控制燒穿並形成歐姆接觸：「…申請人推論其乃由於Te玻璃與氧化矽之低反應性、及Te玻璃非常容易地將銀容於固態溶液中之性質所造成。由於Te玻璃之性質…」。由上述內容可知，系爭專利之功效係藉由該Te玻璃之特性達成。因此，就系爭專利之發明而言，以該Te玻璃為基礎界定Te玻璃之組成具有實質意義。單顆Te玻璃符合系爭專利說明書之定義時，複數顆Te玻璃亦會符合系爭專利說明書之定義。
使用一群玻璃粒子（玻璃粉）。在系爭專利之定義下，「碲玻璃」中的各粒子均具有上述界定之氧化碲含量（例如，更正後請求項1所載之「30至90莫耳%」）。因此，縱以全部碲玻璃料進行計算該群粒子之氧化碲含量，所得結果亦會符合上述界定之氧化碲含量。基上，根據最廣泛、合理且與說明書一致之解釋原則，系爭專利請求項1之「…其中該玻璃料含有具有30至90莫耳%氧化碲…之碲玻璃料」之要件中，氧化碲含量應以該「碲玻璃料」為基礎計算。等所辯係斷章取義，逕為利己之解釋，其解釋方式已逸脫系爭專利說明書之真意，並無理由：
等逕行將系爭專利說明書第6頁第11至14行與第8
18頁第12至14行組合，稱「由此上下文，系爭專利所謂『
玻璃料』係指『構成導電糊之全部玻璃料』」。然而，系爭專利說明書第6頁第11至14行及第8頁第12至14行係各自獨立且意思完整之段落，被告等將不同段落強行組合已有不當，況若要論及不同段落間的「上下文」關係，系爭專利說明書第8頁第12至14行之前一段落（被告等竟刻意視而不見）反而更清楚載明，系爭專利所謂「玻璃料」也可以是「碲玻璃」：「本發明特徵為使用包含氧化碲作為網路形成成分之碲玻璃作為電極形成導電糊中之玻璃料…」（系爭專利說明書第8頁第7至11行）。，於系爭專利說明書第8頁第7至17行更已明確揭示系爭專利之技術特徵即在於利用「具特定氧化碲含量之碲玻璃」作為電極形成導電糊中之玻璃料，以達成上述目的。在系爭專利優先權日之前，技術領域中並未有任何使用如系爭專利（更正後）請求項1所界定之「具有30至90莫耳%氧化碲含量之碲玻璃」之導電糊之技術公開在案。換言之，在系爭專利申請（優先權日）之前，本發明所屬技術領域中具有通常知識者尚不知使用「具特定氧化碲含量之碲玻璃」於製備太陽能電池電極之導電糊中，可避免過度燒穿及獲得良好歐姆接觸。也因此，技術領域具有通常知識者無任何動機，在導電糊中（不論是以任何量）添加
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