智慧財產法院行政判決
104年度行專訴字第33號
原 告 三星SDI股份有限公司（SAMSUNG SDI CO. LTD.）
代 表 人 趙南成（CHO, NAMSEONG ，CEO執行長）
訴訟代理人 劉法正律師
複 代理 人 歐政儒律師
被 告 經濟部智慧財產局
代 表 人 王美花（局長）
訴訟代理人 葉獻全
參 加 人 美商卡博特微電子公司（Cabot Microelectronics
Corporation）
代 表 人 凱羅柏斯登（H. Carol Bernstein，副總裁，法律
總顧問兼秘書長）
訴訟代理人 陳群顯律師
陳翠華專利師
上列當事人間發明專利舉發事件，原告不服經濟部中華民國104
年1 月21日經訴字第10406300240 號訴願決定，提起行政訴訟，
本院依職權裁定參加人獨立參加被告之訴訟，本院判決如下︰
主 文
原告之訴駁回。
訴訟費用由原告負擔。
事實及理由
甲、程序方面
本件原告起訴聲明為：原處分及原訴願決定均撤銷；被告就 第86117775號「化學機械磨光組合物與淤漿以及其用途」發 明專利舉發事件，應作成「舉發成立，撤銷專利權」之處分 ，嗣於民國104 年7 月23日準備程序當庭更正為：「原處分 （第86117775號發明專利舉發事件）關於第396201號『化學 機械磨光組合物與淤漿以及其用途』發明專利（下稱系爭專 利）請求項1 至2 、4 至17、21至48部分及訴願決定均撤銷 ；被告應就系爭專利請求項1 至2 、4 至17、21至48為舉發 成立應予撤銷之審定」，被告及參加人均無意見（本院卷第 108 頁），核之原告所為係本於同一請求基礎為請求，使聲 明更加明確，非屬訴之變更或追加，而無行政訴訟法第111 條第1 項規定之適用，予以准許。
乙、實體方面
壹、事實概要：
參加人美商卡博特微電子公司之前手美商客寶公司於86年11 月26日以「用於金屬CMP 之組合物及淤漿」向被告改制前之 中央標準局（88年1 月26日改制）申請發明專利，並以西元
1996年11月26日申請之美國第08／753,482 號、1997年4 月 8 日申請之美國第08／827,918 號、1997年7 月11日申請之 美國第08／891,468 號專利案主張優先權，其申請專利範圍 計有48項，經被告編為第86117775號審查，嗣於88年12月6 日向被告申請修正專利名稱為「化學機械磨光組合物與淤漿 以及其用途」，並於89年7 月12日申請將專利權讓與參加人 。案經被告審定准予專利，並發給發明第116769號（公告號 396201）專利證書。訴外人第一毛織股份有限公司於96年12 月6 日以系爭專利違反核准時專利法第20條第1 項第1 款及 第2 項規定，不符發明專利要件，對之提起舉發。參加人分 別於97年3 月31日、101 年11月29日及另案（即系爭專利N0 2 舉發案）99年7 月6 日、102 年5 月24日提出系爭專利申 請專利範圍更正本，經被告審查，認參加人102 年5 月24日 提出之系爭專利申請專利範圍更正本與其公告本相較，或為 申請專利範圍之減縮，或為不明瞭記載之釋明，或為請求項 之刪除，且未超出原說明書所揭露之範圍，亦未實質擴大或 變更公告時之申請專利範圍，應准予更正，更正後系爭專利 之請求項有48項（請求項3 、18至20刪除，但仍保留項次序 號，實則僅有44項）。原告（與第一毛織股份有限公司合併 後之存續公司）於102 年9 月18日就該更正後內容提出舉發 補充理由書，參加人亦於102 年12月30日提出舉發補充答辯 。案經被告依該更正本內容及當事人所提出之書證資料審查 ，於103 年5 月28日以（103 ）智專三（五）01021 字第10 320734480 號專利舉發審定書為「102 年5 月24日更正事項 ，准予更正。請求項1 至2 、4 至17、21至48舉發不成立。 請求項3 、18至20舉發駁回」之處分。原告針對原處分關於 舉發不成立部分提起訴願，經濟部以104 年1 月21日經訴字 第10406300240 號訴願決定駁回，原告不服，遂向本院提起 行政訴訟。本院認為本件判決之結果將影響參加人之權利或 法律上之利益，依職權命參加人獨立參加本件被告之訴訟（ 本院卷第96至97頁）。
貳、原告聲明請求原處分關於系爭專利請求項1 至2 、4 至17、 21至48部分及訴願決定均撤銷；被告應就系爭專利請求項1 至2 、4 至17、21至48為舉發成立應予撤銷之審定。主張略 以：
一、訴願決定認定證據5 無法證明系爭專利請求項1 至2 、4 至 17、21至48不具新穎性及進步性，不符合專利法及專利審查 基準規定：
㈠證據5 是有關金屬層用的化學機械拋光淤漿（Chemical mechanical polishing slurry for metal layers），其揭
露一種用於金屬層化學機械拋光的淤漿，含有均勻分散在穩 定的含水介質中的純度高、細的金屬氧化物粒子。證據5 主 要係揭露關於研磨顆粒的製造與選用的技術內容。由證據5 第5 欄第8 至31行內容清楚顯示，證據5 不僅揭示單一一種 氧化物使用，亦揭示較佳的氧化物之混合物群組。此內容已 明確且無歧異地揭示「鐵鹽與過氧化物或過硫化物相組合而 成之混合物」亦可使用來與證據5 所揭示之研磨劑相組合， 並作為CMP 組合物之成分，故「鐵鹽與過氧化物之組合」在 證據5 中已有清楚揭示，應堪認定。
㈡關於鐵鹽與過氧化物之組合動機，乃在於鐵鹽本身具有對過 氧化物催化（扮演觸媒）之固有化學特性，故即使證據5 未 揭示「觸媒」用語，皆無法改變前述鐵鹽能催化過氧化物之 事實。換言之，將鐵鹽與過氧化物予以組合時，自會發生此 二者在一起之任何反應，包含系爭專利所稱之觸媒反應。訴 願決定以系爭專利請求項內有鐵觸媒作為技術特徵而具備可 專利性，顯未考量到「鐵觸媒」或「鐵氧化劑」只是不同文 字形式表達，二者皆同指「鐵離子」而無分別，故鐵觸媒實 不應視為用來與證據5 揭示內容區別之技術特徵。 ㈢系爭專利所揭示之技術手段僅在特定的物質（過氧化氫與鐵 ）可以相互組合。只要特定物質組合（即系爭專利之技術手 段）被揭示於習知技術，此技術手段具有的任何效益皆是必 然會達成者。證據5 已明示將使用於CMP 較佳的氧化劑予以 組合，由證據5 揭示使用氧化物之混合物的內容，就已清楚 的顯示出，該項技術人士會將過氧化物與過硫化物與鐵鹽組 合，一旦組合就直接發揮出該組合會具有之效益與效果，此 即自然會有被告所稱之相乘效益。因此，在證據5 明確揭示 之過氧化物與鐵鹽組合而應用到CMP 組合物中，相乘效果也 就一定會產生。被告所稱之相乘效益實與系爭專利的可專利 性無涉，也不能作為系爭專利具有專利性之依據。 ㈣縱將鐵離子作為CMP 組合物中「鐵觸媒」予以考量，依然有 所違誤，因鐵離子（鐵鹽）作為過氧化物之觸媒乃是一般常 識，且用以增強氧化作用，證據5 既已揭示較佳的氧化劑， 加上CMP 中氧化反應提高的重要性，以及鐵鹽與過氧化氫皆 可適用於CMP 中作為氧化劑，熟習技術人士由證據5 之揭示 內容自當會有組合氧化劑的動機。特別是在所列組合中，只 有鐵鹽是既具有氧化作用，又對過氧化物具有觸媒催化作用 ，則鐵鹽與過氧化氫的搭配是顯而易見的組合方式。況證據 5 業已揭示於鎢金屬處理上用來與CMP 之磨料組合的較佳的 氧化劑種類，加上鐵鹽是一種可作為氧化劑且是習知技術中 廣知用來催化過氧化物或過硫化物氧化反應的物質，以證據
5 所揭示之較佳氧化劑作為出發點來強化CMP 之氧化作用， 進而增高研磨作用，當然具有組合動機。因為熟悉CMP 之技 術領域者基於鐵本身對於過氧化物與過硫化物具有觸媒的效 用，為了強化CMP 反應中必需的氧化作用，就只能選擇鐵鹽 與過氧化物或過硫化物的組合。
㈤鐵可以催化過氧／過硫化物，進而提高氧化反應效果，此乃 該技術人士所熟知的習知技術。鐵與過氧化合物或過硫化合 物組合使用，因鐵為過氧化物觸媒而會催化氧化反應乃是一 般知識，據此會有加乘氧化反應以及因而造成在CMP 之移除 鎢上具有加乘性效果，此是屬該項技術人士基於其所具有之 一般知識即可推知與預期到者，此亦由鐵在習知技術即被稱 作為過氧化物之觸媒得以佐證。系爭專利與證據5 二者的磨 光速率是不相上下的，此事實可由原告在舉發補充理由書中 多次列舉的內容得以佐證，以系爭專利的磨光速率與功效與 證據5 相仿，更佐證說明系爭專利根本就不存在有被告所稱 無法預期的功效。
㈥以系爭專利說明書所揭示請求項實施例內容考量，實施例至 少皆是一種含有三種成分之組合物（淤漿），即含有氧化劑 、觸媒與磨料，但請求項第1 至2 、4 至9 與48項之組合物 省略磨料的界定，根本不含有磨料，且請求項第1 至2 、4 至9 與48項亦沒有對觸媒濃度作限定，系爭專利說明書內容 根本無法佐證此等請求項所界定之發明具有可實施性。亦即 系爭專利請求項第1 至2 、4 至9 與48項之組合物根本無法 同時發揮出既有機械磨光作用又可以展現的金屬離子之低污 染作用的二種功效。故在缺少磨料作用且沒有金屬濃度之限 制下，第1 至2 、4 至9 與48項所界定的發明是無法達成在 低金屬離子濃度下具高磨光速率。訴願決定所強調之技術特 徵與其所達成之功效不足佐證第1 至2 、4 至9 與48項所界 定之發明具有可專利性，自不能援為判斷系爭專利可專利性 之依據。
二、訴願決定認定證據5 與一般通常知識之組合或是證據5 與證 據3 、6 或13之組合，均無法證明系爭專利請求項1 至2 、 4 至17、21至48不具新穎性及進步性，不符合專利法及專利 審查基準規定：
訴願決定未考量證據5 的國際分類號：「B24B 1／00；H01L 21／00」。其中「B24B 1／00」的分類說明為「磨削或拋光 之工藝，與此工藝有關的所用輔助設備（以使用專用機床或 裝置為特徵之工藝，見與此等機床或裝置相關的位置）」， 至於「H01L 21 ／00」的分類說明是「適用於製造或處理半 導體或固體裝置或部件之方法或設備（儘限用於製造或處理
列入31／00至51／00各目之裝置及其部件之方法或設備見上 述各組，列入其他次類之單工序工藝方法各見有關次類，如 C23C、C30B；花紋面或表面圖形之照相製版，其材料或原版 及專用設備，一般見G03F）」。從證據5 在國際分類號的分 類說明中，均可導引技術領域至證據3 （國際分類號為G03F 7 ／02；G03C 5／00）、證據6 ( 國際分類號為G03C 7／00 ；G03C 5／32）及證據13（國際分類號為H01L 21 ／208 ） ，訴願決定顯然未審酌此節，而違反專利審查基準。三、美國專利公告第4,491,500 號（下稱原證3 ）核屬依法提出 系爭專利不具創作性之新證據而未經審酌：
㈠依智慧財產案件審理法第33條第1 項規定，當事人基於同一 撤銷專利理由所提出之新證據原證3 ，應予審酌，依訴願決 定理由五之㈦所示顯未審酌之。原證3 在1985年1 月1 日公 告，屬於系爭專利之有效前案，此案是有關於精製化金屬表 面的方法（method for refinement of metal surfaces ） ，此案乃有關對於金屬表面的拋光，如其摘要中所顯示，該 金屬表面精製化包含有加入液體物質處理金屬，以生成轉換 層，再利用該研磨作用使其所形成的軟質層去除，此即已清 楚顯示此案亦是涉及金屬表面的CMP 處理，就其中所使用液 體物質，在第3 欄第12至17行揭示內容可知，原證3 亦進一 步佐證說明，過氧化氫與諸如磷酸與草酸的組合在鐵存在的 環境下具有磨光的效用。故系爭專利即使將該組成物使用於 CMP 中，如將原證3 納入考量，即認系爭專利確實不具有新 穎性與進步性。
㈡被告及參加人認原證3 未揭露鐵觸媒乙事，顯有違誤： ⒈被告稱原證3 未提到使用鐵觸媒磨光云云，參加人指稱原證 3 第3 欄第12至17行意涵為「含有磷酸根與草酸根的溶液與 過氧化物結合通常對於含鐵金屬表面的精製特別有效」為移 除「鐵」並非使用「鐵」云云。惟原證3 固然能移除鐵，但 磨光的對象不限於鐵，而是指整體金屬表面，並不是只移除 鐵，熟習技藝人士參考原證3 上述內容，即可理解含鐵金屬 的磨光效率特別好，是源自於磨光過程產生鐵離子的自我催 化反應（autocatalysis ）提升磨光的效率。換言之，含有 磷酸根與草酸根的溶液與過氧化物結合，以含鐵金屬磨光過 程所產生的鐵離子作為鐵觸媒催化，即可增加磨光速率。是 以，被告及參加人顯然遺漏熟習技藝人士在原證3 所教示的 鐵觸媒自我催化反應（autocatalysis ），故被告及參加人 所言，殊無可採。
⒉原證3 第3 欄第1 至12行內容已說明磨光含鐵金屬通常在酸 性環境且有氧化劑尤佳，以提供磨光含鐵金屬所需要的催化
反應的環境條件，恰好符合原證3 第3 欄第12至17行所述的 鐵金屬催化反應。在原證3 第5 欄第15至27行之內容也提到 磷酸鐵（ironphosphates）和過氧化氫（peroxides ）分別 得以催化劑和氧化劑的組合方式混合，作為磨光材料，熟習 技藝人士據此即可認同系爭專利不具可專利性。參、被告聲明請求駁回原告之訴。答辯略以：
一、證據5 為美國專利第5527423 號專利案，係有關金屬層用的 化學機械拋光淤漿（Chemical mechanical polishing slurry for metal layers ），其揭露一種用於金屬層化學 機械拋光的淤漿，含有均勻分散在穩定的含水介質中的純度 高、細的金屬氧化物粒子。證據5 主要係揭露關於研磨顆粒 的製造與選用的技術內容，僅第5 欄第8 至31行簡單提及可 添加使用的氧化劑，其內容完全未述及觸媒的使用，僅提及 已知可用之氧化劑，更未針對氧化劑之組合作進一步探討， 尤其根本未如原告所宣稱之已明示使用過氧化氫與鐵離子之 組合，更未教導、建議或暗示任何氧化劑之組合可以提供如 系爭專利1+1 ＞2 的相乘效益（其相乘效益可見系爭專利說 明書表1-淤漿4 及5 之鎢磨光速率），縱使所屬技術領域中 具有通常知識者藉由證據5 亦無法輕易推知系爭專利之發明 ，更何況證明系爭專利不具新穎性。由於系爭專利之請求項 均包含CMP 鐵觸媒之技術特徵，故由前述理由所述，證據5 不足以證明系爭專利請求項1 至2 、4 至17、21至48不具新 穎性及進步性。依證據5 所揭示內容即知原告自行任意截取 證據5 之片段內容拼湊而推斷論定，並無根據，其主張自不 可採。又如參加人答辯所述：「基於證據5 之教導，一般CM P 技術領域之人士，至多僅能思及可選用特定磨料於CMP 漿 液中，且使用含量高達5 ％硝酸鐵以提供高磨光速率（4850 埃／分鐘）（即，依循一般業界之認知，以金屬氧化劑來提 供較高的磨光速率）。根本不會如原告所言，由證據5 而輕 易思及於CMP 漿液中同時使用過氧化氫與鐵鹽作為氧化劑， 更無法輕易推知被舉發案併用氧化劑與鐵觸媒所達，可以少 量金屬提供與證據5 實施例所例示之最高磨光速率相當的效 益（參見被舉發案說明書表3 淤漿6 ，併用3.0 ％過氧化氫 與0.05％硝酸鐵；以及表5 淤漿4 ，併用5.0 ％過氧化氫與 28ppm 鐵），從而減緩、甚至免除業界所不欲之金屬污染問 題。證據5 之實施例，實乃進一步突顯被舉發案發明之不可 預期增進效益。」，由前揭比較說明即可知悉系爭專利不但 可提供較高的磨光速率，且免除業界所不欲之金屬污染問題 ，與證據5 比較，自具無法預期的功效，原告主張系爭專利 不具無法預期的功效云云應不可採。另依系爭專利之實施例
或原告所提系爭專利實施例表5 之淤漿4 與證據5 二者的磨 光速率比較表所示，均證明系爭專利在低金屬離子濃度下具 有高磨光速率，亦應無庸置疑，原告僅自行認定並無任何證 據佐證系爭專利無法達成「在低金屬離子濃度下具高磨光速 率」之功效，其主張自不可採。
二、依原告之舉發理由、原處分及訴願決定均指「證據5 與一般 通常知識之組合或是證據5 與證據3 、6 或13之組合，均無 法證明系爭專利請求項1 至2 、4 至17、21至48不具進步性 」，並無新穎性之主張或論述。又原告主張之舉發理由所稱 證據5 與一般通常知識之組合，指鐵可以催化過氧／過硫化 物，進而提高氧化反應效果，此乃是此技術人士所熟知的習 知技術，該項技術人士若為求得CMP 上好的氧化作用，由證 據5 教示之氧化劑出發，只能單一且惟一一種選項組合，即 將鐵離子與過氧化物／過硫化物相組合，進而獲致系爭專利 之發明云云。惟依證據5 揭示內容僅單純提及已知包括鐵鹽 、過氧化物…等可用之氧化劑，完全未提及有關CMP 觸媒之 技術特徵內容，而原告從證據5 所述之諸多氧化物中單獨選 取過氧化物再自行推斷拼湊鐵離子組合，明顯為不當而有後 見之明，故證據5 與一般通常知識之組合，亦不足以證明系 爭專利請求項1 至2 、4 至17、21至48不具進步性。三、證據3 、證據6 與證據13皆與CMP 技術無涉，與證據5 金屬 層用的化學機械拋光淤漿並非相同之技術領域，縱使所屬技 術領域中具有通常知識者亦無動機思及與證據5 組合。其中 ，證據3 與證據6 皆關於蝕刻液技術，蝕刻技術與CMP 技術 存在實質上的差異，彼此根本無法輕易套用。證據13亦完全 與CMP 技術無涉，其係關於如光電晶體之半導體裝置之改良 ，係藉由將光電晶體浸漬於一含有過氧化氫與金屬離子之溶 液中，以形成穩定之鈍化層，從而降低漏電流（見證據13， 摘要與第2 圖）。因此，於CMP 技術領域中具有通常知識者 ，於面臨CMP 操作之問題時，根本不會輕易參考證據3 、證 據6 或證據13，縱使無意間觀得該等證據之內容，仍無將其 內容應用於CMP 技術之動機且無法輕易完成系爭專利所請發 明，更遑論與證據5 組合應用，原告主張顯為觀得系爭專利 說明書內容後拼湊各證據的片段內容所作之後見之明。故證 據5 與證據3 、證據6 或證據13任一者之組合，亦不足以證 明系爭專利請求項1 至2 、4 至17、21至48不具進步性。原 告雖主張證據5 與證據3 、證據6 或證據13之國際分類號具 有關聯性，而認訴願決定未審酌此節，惟證據3 與證據6 皆 關於蝕刻液技術，蝕刻技術與CMP 技術存在實質上的差異， 彼此根本無法輕易套用。而證據13亦完全與CMP 技術無涉，
其係關於如光電晶體之半導體裝置之改良，證據3 、證據6 或證據13所揭露之技術內容已是不爭之事實，原告另再爭執 國際分類號，對前述不爭之事實而言，實無意義。四、原告所提原證3 新證據一節，誠如訴願決定所示，該專利案 與舉發階段所提證據並不具同一基礎事實之關聯性，核屬新 證據，其既未經被告審查，要非本件訴願所得審究。由於原 告所提原證3 新證據係於訴願階段所提，被告自亦未便審究 。又事實上，原證3 第3 欄第12至17行所揭示「Solutions containing phosphate and oxalate radicals…refining ferrous metal surfaces」之內容，亦非原告所指「過氧化 氫與諸如磷酸與草酸的組合在鐵存在的環境下具有磨光的效 用」，併予指明。
肆、參加人聲明請求駁回原告之訴。並陳述略以：一、系爭專利更正後申請專利範圍所請發明具新穎性與進步性： ㈠證據5 並未揭露或建議系爭專利之發明
⒈系爭專利係關於在CMP 操作中併用「過氧基氧化劑」與「鐵 觸媒」所提供不可預期之磨光速率增進效果的發現，尤其該 鐵觸媒之效益，更是遠遠超越一般技藝人士之認知。基於該 磨光速率上的顯著增進效果，系爭專利可以相對低之金屬用 量提供高的磨光速率，從而提供減低甚至避免先前技術使用 金屬氧化劑以提供高磨光速率所造成之金屬污染問題的附加 效益。系爭專利於CMP 操作併用「過氧基氧化劑」與「鐵觸 媒」之技術手段，確實未經任何前案資料揭露，該併用於磨 光速率上所提供之顯著增進效益，更未經任何先前技術建議 或教導。
⒉證據5 雖亦關於CMP 技術之改良，但係著眼於CMP 淤漿所使 用之磨料，尤其針對該磨料顆粒性質對金屬層之磨光效果的 改善，根本與系爭專利所關切之CMP 磨光速率的增進無涉。 證據5 對於所揭露之詳細說明係提供於第3 欄至第6 欄，其 中，有高達四分之三的篇幅係關於研磨顆粒的製造與選用的 記載，僅第5 欄第8 至31行簡單提及可添加使用的氧化劑。 前述揭露內容之分配，益證證據5 之技術重點在於研磨顆粒 ，而非研磨顆粒以外之其他成分。又詳閱證據5 前述關於氧 化劑之有限篇幅的教導可知，該內容完全未述及觸媒的使用 ，僅提及已知可用之氧化劑，更未針對氧化劑之組合作進一 步的探討，尤其根本未如原告宣稱般已明確且無歧異地揭示 「鐵鹽與過氧化物或過硫化物」之組合，更未教導、建議或 暗示任何氧化劑之組合可以提供1+1 ＞2 的效益。 ⒊至於原告所引述證據5 第5 欄第15至21行的內容，其中「 and mixtures thereof」實乃專利文件所慣用之馬庫西形式
界定方式，於列出可使用選項之後，在句末並列混合物的態 樣，詳閱證據5 全文，除習慣性並列混合物態樣的敘述內容 （僅僅3 個英文字）以外，根本未見任何針對使用二種或多 種氧化劑之教導，尤其未區分說明併用二種或多種氧化劑與 單獨使用一種氧化劑的差異，遑論相較於單獨使用一種氧化 劑，併用鐵觸媒與過氧基氧化劑於CMP 可達到的顯著增進效 益之相關說明。況證據5 實施例所提供之best mode 僅著眼 於所使用磨粒之顆粒性質對淤漿使用效果之影響的討論，所 例示之淤漿均以5 ％硝酸鐵作為單一氧化劑，並無任何以過 氧化氫或過硫化物為氧化劑之具體實施例，更無併用過氧化 氫或過硫化物與鐵鹽之例示實施例，在此情況下，本領域具 通常知識者根本不生採用特定氧化劑組合之動機。 ⒋原告一方面已確認，於證據5 所提氧化劑之廣泛群組中，並 非每種組合皆可提供系爭專利發明之效益，且無法清楚指出 ，在證據5 之揭露內容中，有何處有提供區分如系爭專利之 組合與其他組合之優劣說明，或有提供必須選用如系爭專利 之組合之必要性的教導，另一方面卻空言證據5 已清楚揭示 系爭專利組合、所提供之功效乃為應用該組合就一定會產生 的結果，原告之主張為後見之明。
⒌原告引用系爭專利實施例與證據5 之實施例所述比較，實進 一步顯示系爭專利於磨光速率的改良功效，彰顯系爭專利的 非顯而易見性。由系爭專利說明書實施例2 表1 中之淤漿2 （0.2 重量％硝酸鐵，291 埃／分鐘）與淤漿3 （5.0 重量 ％過氧化氫，385 埃／分鐘）之結果可知，單位重量之硝酸 鐵所提供的磨光速率本遠優於過氧化氫。然針對證據5 實施 例3 淤漿1 中採用高達5 重量％硝酸鐵所提供之磨光速率（ 4850埃／分鐘），系爭專利透過組合「鐵觸媒」與「過氧基 氧化劑」，即可於僅採用28ppm 鐵含量之情形下提供（參系 爭專利說明書表5 之淤漿4 ）。清楚地，證據5 之實施例實 進一步證實，系爭專利的顯著功效（即透過併用「鐵觸媒」 與「過氧基氧化劑」，於CMP 磨光速率上提供顯著增進效益 ，且基於該效益，可提供減低甚至避免金屬污染問題之附加 效益），凸顯系爭專利的非顯而易見性。
⒍綜上，證據5 因著重於CMP 淤漿所使用之磨料性質之改良， 而對於CMP 淤漿所使用之氧化劑僅以馬庫西形式廣泛提及多 種氧化劑種類，完全未強調應併用二或多種氧化劑，並僅例 示使用硝酸鐵作為單一氧化劑以符合Best Mode 規定的情況 下，CMP 技術領域之人士，至多僅能思及可於CMP 漿液中選 用特定磨料，且使用含量高達5 ％之硝酸鐵作為單一氧化劑 以提供高的磨光速率，根本沒有動機輕易嘗試如系爭專利之
併用「鐵觸媒」與「過氧基氧化劑」，更無法輕易預期該併 用所可提供之效益，所述效益並可由證據5 之實施例進一步 證實，系爭專利相較於證據5 確實具有新穎性與進步性。 ㈡證據5 與證據3 、證據6 、證據13或原證3 無法輕易推知系 爭專利發明及其效益
⒈證據3 及證據6 皆關於蝕刻液技術，確與CMP 技術無涉 ⑴蝕刻技術與CMP 技術存在本質上的差異，無法輕易套用，此 由參加人於舉發階段所提呈之證據9 （Geonja Lim等人所著 之Oxidation Behavior of Tungsten in H2O2- and Fe （ NO3 ）3-Base Aqueous Slurries ，其中Geonja Lim登記之 住所即為第一毛織股份有限公司之營業住址，下稱附件3 ， 本院卷第83至84頁反面）或證據3 之內容皆可清楚窺見。 ⑵附件3 顯示硝酸鐵及過氧化氫兩種氧化劑於靜態蝕刻（蝕刻 液技術）與於CMP 技術中，所展現之迥異行為。其係調配三 種淤漿以進行靜態蝕刻及CMP 移除的實驗，分別為「不含氧 化劑（R ）」、「含5 重量％硝酸鐵（FN）」與「含5 重量 ％過氧化氫（OH）」。由附件3 表I 及第B172頁可知，在CM P 程序中，「含5 重量％硝酸鐵」的淤漿係提供優於「含5 重量％過氧化氫」的淤漿的鎢移除速率，前者達844 埃／分 鐘而後者僅為246 埃／分鐘。然如附件3 第B170頁所述，將 鎢表面分別浸漬於三種淤漿歷時30分鐘後，發現於「含5 重 量％過氧化氫」之淤漿的靜態蝕刻結果較強（所形成的氧化 物層係多孔性結構），「含5 重量％硝酸鐵」之淤漿的靜態 蝕刻結果反而較弱（所形成的氧化物層則相對緻密）（見附 件3 第3 圖）。由此可知，含硝酸鐵之淤漿與含過氧化氫之 淤漿於靜態蝕刻與於CMP 移除中的表現大不相同，其中於蝕 刻情況中含過氧化氫之淤漿效果優於含硝酸鐵之淤漿，而於 CMP 情況中，含硝酸鐵之淤漿效果則優於含過氧化氫之淤漿 。此無疑顯示，熟習CMP 之技藝人士即使以系爭專利申請多 年後之技術水平，仍無法輕易推知蝕刻液成分於CMP 技術中 所可達成之結果的事實。
⑶證據3 更顯示，即使同為蝕刻液，其組成亦因處理對象之不 同而大不相同，欲自蝕刻液輕易思及CMP 淤漿之合宜組成， 自然更非易事。例如，於證據3 中，所採用以移除未經覆蓋 之親水性金屬層的蝕刻液，與所用以清洗銀影像之蝕刻／清 潔溶液，其組成即大不相同，無法輕易自其中一者推及另一 （參證據3 第11欄第33至42行及第13欄第22至54行）。 ⑷以上事實再再顯示，蝕刻技術與CMP 技術存在本質上的差異 ，無法輕易套用，於面臨CMP 操作之問題時，根本不會輕易 參考關於蝕刻液技術之證據3 與證據6 ，縱使無意間觀得該
等證據之內容，仍無法由其內容而輕易預期於CMP 操作使用 的結果且無法輕易完成系爭專利所請發明，更遑論與證據5 組合應用。
⒉證據13著眼於鈍化層之形成，確與CMP技術無涉 ⑴證據13係關於在半導體裝置中形成一穩定鈍化層從而降低漏 電流之技術，而非關於物料之磨光移除的CMP 技術（參證據 13，摘要與第2 圖），尤其與金屬層之磨光移除無關。一般 CMP 技屬領域之人士，於面臨系爭專利發明所欲解決之問題 時，根本不會輕易參考證據13內容。
⑵根據證據13之教導，其於過氧化氫水溶液中添加金屬離子， 該金屬離子之催化作用為，使過氧化氫的分解反應進行（參 見證據13，第6 欄第65至67行、以及第8 欄第31至35行）。 基於該教導，根本無從得知或輕易推知該組合於CMP 操作中 ，應用鐵觸媒可加速物料磨光移除的結果。
⑶根據證據13之揭露，使用過氧化氫與金屬離子之組合，除氧 化所處理之表面以外，另產生該金屬之氧化物與氫氧化物沉 澱物，從而提供一包括氧、金屬元素以及半導體裝置之構成 元素、且實際上為雙層結構之穩定鈍化層（參見證據13，摘 要、第2 欄第15至27行、第6 欄第65行至第7 欄第14行、以 及第8 欄第31至44行）。然如系爭專利說明書說明，於CMP 操作中使用氧化劑，金屬污染乃業界所亟欲避免者，金屬沉 澱物當然更非所欲。
⑷綜上，CMP 技術領域之人士於面臨系爭專利發明所欲解決之 問題（即提供優異磨光移除速率，進而避免金屬污染）時， 根本不會輕易參考證據13（關於穩定鈍化層之形成）；即使 無意間觀得證據13，亦無法輕易預期於CMP 操作中併用鐵觸 媒與過氧基氧化劑，可達顯著提升磨光移除速率之結果。相 反地，證據13關於該併用會產生沉澱物之教導，根本將打消 CMP 領域之人士嘗試該併用的念頭。一般CMP 技術領域之人 士，縱使同時參考證據5 與證據13（然事實上不會），亦無 法輕易完成系爭專利之發明，且無法輕易推知系爭專利發明 於CMP 操作併用過氧基氧化劑與鐵觸媒，於磨光移除速率所 提供之協乘效果。
⒊國際分類結果更顯證據3 、證據6 及證據13之技術領域異於 證據5
⑴原告稱訴願決定欠未考量證據5 的國際分類號（B24B 1／00 ；H01L 21 ／00）相關說明均可導引技術領域至證據3 、證 據6 及證據13之事實，其相關意見有欠妥適云云，然原告並 未提供其主張之基礎，且未說明證據5 的國際分類號係如何 導引至證據3 、證據6 及證據13以實其說，原告之主張根本
空言無據。
⑵由本院100 年度民專上易字第35號判決見解可知，國際專利 分類（IPC ）僅能作為參考標準之一，仍需考量先前技術和 系爭專利該等技術之可置換性及容易性、技術內容是否顯能 輕易完成、所欲克服之問題以及達成目的之期待性、具有通 常知識者之技術水準等因素作整體性判斷。事實上，證據3 、證據6 及證據13皆非針對CMP 技術之改良，CMP 技術領域 之人士於面臨系爭專利發明所欲解決之問題（即提供優異磨 光移除速率，進而避免金屬污染）時，根本不會輕易參考證 據3 、證據6 及證據13，且證據5 之國際分類號明顯與證據 3 、證據6 及證據13皆不相同，此一事實毋寧進一步說明證 據5 之發明技術領域與證據3 、證據6 及證據13並不相同。 ⒋原告所引述原證3 第3 欄第12至17行的內容，其意涵實為「 含有磷酸根與草酸根的溶液與過氧化物結合通常對於含鐵金 屬表面的精製特別有效」，該內容所教導者係針對「鐵」的 移除，而非使用「鐵」，更非原告所指「過氧化氫與諸如磷 酸與草酸的組合在鐵存在的環境下具有磨光的效用」之意， 原告所言並不實在。
㈢基於上述事實說明，證據5 並未揭露或建議系爭專利更正後 之申請專利範圍任一請求項之整體內容。若非經由系爭專利 說明書之揭示與教導，CMP 領域中具通常知識者即使無意間 同時觀得證據5 與非關CMP 領域之證據3 、證據6 、證據13 或原證3 ，仍無法輕易完成系爭專利之發明，更無法輕易預 期於CMP 操作中併用「過氧基氧化劑」與「鐵觸媒」之技術 手段所呈現的相乘效果，系爭專利更正後申請專利範圍各請 求項之可專利性，無庸置疑。
二、我國發明第582066號專利可進一步彰顯系爭專利發明的可專 利性：
㈠查三星電子股份有限公司於系爭專利申請日／優先權日數年 之後，提出申請（申請日為89年2 月21日）並獲准專利公告 第582066號（公告說明書全文如參加人於舉發階段所提呈之 附件2 ，於本院編為附件4 ，本院卷第85至95頁）。該專利 係關於一CMP 漿體，其技術重點在於併用一第一氧化劑過氧 化物及一第二氧化物鐵化合物。其中如附件4 圖4 所示，當 以過氧化氫為該「過氧化物」且以硝酸鐵為該「鐵化合物」 ，併用過氧化氫與硝酸鐵所提供之金屬去除率，明顯高於單 獨使用過氧化氫或硝酸鐵之去除率；過氧化氫即屬於系爭專 利所涉「過氧基氧化劑」，硝酸鐵即屬於系爭專利所涉「鐵 觸媒」。
㈡前述事實說明，如三星電子股份有限公司之CMP 技術領域者
在系爭專利申請日／優先權日數年之後，仍認為如系爭專利 於CMP 操作中併用「過氧基氧化劑」與「鐵觸媒」所提供之 效益為不可預期而提出專利申請，益證系爭專利所提供之效 益，於系爭專利申請日當時為不可預期之具進步性者。三、磨料並非系爭專利組合物之必要成分：
原告雖稱系爭專利請求項1 至2 、4 至9 與48所請發明根本 不含有磨料，故所請發明無法達成在低金屬濃度下具高磨光 速率之發明功效云云。然如熟習此項技術者所周知，化學機 械磨光組合物並非單獨運作，而係透過與研磨墊合併使用， 從而提供所欲之整體研磨效益。其中當於研磨墊上併含磨料 ，即可免除CMP 組合物中對於磨料之需求。換言之，對系爭 專利所請組合物而言，磨料並非必要成分，系爭專利說明書 所例示之淤漿，僅為本發明組合物實際使用之部分態樣，本 發明組合物亦可以不含磨料之非淤漿形態與含有磨料之研磨 墊併用，故原告之主張並不實在。
伍、本院得心證之理由：
一、查系爭專利之申請日為86年11月26日，優先權日為西元1996 年11月26日、1997年4 月8 日、1997年7 月11日，於民國89 年4 月26日審定准予專利，於89年7 月1 日公告等情，有系 爭專利申請卷可參（申請卷第143 至144 頁、第167 頁、第
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