侵害專利權有關財產權爭議等
智慧財產法院(民事),民專訴字,103年度,50號
IPCV,103,民專訴,50,20150922,2

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智慧財產法院民事判決
103年度民專訴字第50號
原   告  Toshiba Corporation (東芝股份有限公司;株式
會社東芝)
法定代理人  Hideo Kumagai (熊谷英夫)
訴訟代理人  黃章典律師
簡秀如律師
湯舒涵律師
游象敏
被   告  華上光電股份有限公司
兼法定代理人 李森田   
共 同
訴訟代理人  徐念懷律師
彭國洋律師
李世章律師
鄭資頡  
複代理人   劉晏慈律師
上列當事人間侵害專利權有關財產權爭議等事件,本院於104 年
8 月17日言詞辯論終結,判決如下:
主 文
原告之訴及其假執行之聲請均駁回。
訴訟費用由原告負擔。
事實及理由
一、原告主張:
原告為發明第I315588 號「半導體發光元件及其製造方法, 以及半導體發光裝置」專利之專利權人,專利權期間自民國 98年10月1 日起至115 年10月2 日(下稱系爭專利)。系爭 專利共計20個請求項,其中請求項1 、12及17項為獨立項, 其餘均為附屬項。原告就系爭專利曾提出更正,經經濟部智 慧財產局(下稱智慧局)於102 年11月11日核准公告(下稱 102 年更正公告本),嗣原告再於103 年9 月1 日提出更正 本,並於智慧局尚未審定時,又於同年11月21日再提另一更 正本(103 年11月21日所提之更正本下稱103 年更正本), 現於智慧局審查中,103 年更正本符合專利法第67條規定, 顯應准許。被告華上光電科技股份有限公司(下稱被告華上 公司)未經原告同意或授權,其所製造並販售之附表1 所示 產品(下稱系爭產品),落入系爭專利103 年更正本請求項 1 、3 至7 而侵害系爭專利權。原告曾於101 年5 月14日、 102 年10月21日及同年12月30日致函予被告公司,惟被告公 司至今仍繼續製造、販賣系爭產品,顯有侵權故意,爰分別



依各侵權行為時之專利法及公司法第23條第2 項規定,就被 告之故意侵權行為請求損害賠償額之3 倍,並暫依民事訴訟 法第244 條第4 項請求被告等連帶賠償最低金額新台幣(下 同)48,000,000元,及請求命被告公司排除侵害並銷毀侵權 物品。並聲明:⑴被告等應連帶給付原告48,000,000元,及 自起訴狀繕本送達翌日起至清償日止,按年息5 %計算之利 息。⑵被告華上公司不得製造、販賣、為販賣之要約、使用 或為上述目的而進口如附表1 所示各型號系列之發光二極體 (LED )產品及其他一切侵害中華民國證書號第I315588 號 發明專利之產品。⑶被告華上公司應回收並銷毀侵害上開專 利權之產品。⑷訴訟費用由被告等連帶負擔。⑸就第一項及 第二項之聲明,原告願以現金或同額之兆豐商業銀行安和分 行可轉讓定期存單供擔保,請准宣告假執行。
二、被告等則以下列等語置辯:
系爭專利103 年更正本及102 年更正公告本,均違反現行專 利法第67條第1 、2 項之規定,不應准許更正。再者,系爭 產品之反射層的材質為「包含Ga、P 原子與Au金屬之合金」 ,不該當系爭專利103 年更正本請求項1 所述「反射層」, 故系爭產品不落入系爭專利103 年更正本請求項1 、3 至7 之範圍,又系爭產品於系爭專利優先權日前已有銷售之事實 ,而不為系爭專利權效力所及,且有先前技術阻卻之適用, 故系爭產品並未侵害系爭專利。此外,被告所提之證據分別 可證明系爭專利各請求項不具新穎性或不具進步性,且系爭 專利說明書亦違反充分揭露並可據以實施之規定,故系爭專 利有撤銷事由存在,原告不得對被告主張權利。並聲明:⑴ 原告之訴駁回。⑵訴訟費用由原告負擔。⑶如受不利判決, 被告願供擔保請准宣告免為假執行。
三、經查下列事實,有各該證據附卷可稽,且為兩造所不爭執, 自堪信為真實:
㈠原告於95年10月3 日向智慧局申請「半導體發光元件及其製 造方法,以及半導體發光裝置」號之發明專利專利,經該局 審查核准後,發給第I315588 號專利證書(即系爭專利), 專利權期間自98年10月1 日起至115 年10月2 日止(見本院 卷一第16至17頁)。
㈡系爭專利申請專利範圍共計20項,其中第1 、12及17項為獨 立項,其餘均為附屬項。原告曾提出更正,經智慧局核准更 正並於102 年11月11日公告(即102 年更正公告本),嗣原 告於103 年9 月1 日提出更正本,並於智慧局尚未審定時, 又於同年11月21日再提另一更正本(即103 年更正本),現 於智慧局審查中(見本院卷二第208 至216 頁、卷三第9 至



12 頁)。
㈢附表1 產品(即系爭產品)為被告華上公司所製造、銷售( 見本院卷二第254 至255 頁)。
㈣原告曾於101 年5 月14日發函予被告公司,並於101 年6 月 11日與被告公司人員進行會談,會後被告公司雖曾指派特定 人員為聯絡人,惟並無共識,原告復於102 年10月21日及同 年12月30日再次致函予被告公司(見本院卷一第233 至240 頁),惟被告公司至今仍繼續製造、販賣系爭產品(見本院 卷一第233 至240 頁)。
四、本件爭點如下:
㈠系爭專利103 年更正本是否有顯然不應准許或依更正後之請 求範圍不構成權利之侵害或有應撤銷事由存在之情形? ㈡倘系爭專利103 年更正本不予更正,而應適用102 年更正公 告本:
⒈系爭專利102 年更正公告本請求項3 、4 、5 是否有現行 專利法第67條第2 項不應准許更正之情形?
⒉系爭專利102 年更正公告本請求項1 「半導體層積體」、 「凹凸」、「電極對向」,請求項7 之「設於GaAs層或Ga p 層之上」,應如何解釋?
⒊侵權部分:
⑴系爭產品是否落入系爭專利102 年更正公告本請求項1 至7?
⑵系爭產品於系爭專利優先權日前是否已有銷售之事實, 而不為系爭專利權效力所及?
⑶本件是否有先前技術阻卻之適用?
⒋有效性部分:
⑴下列證據可否證明系爭專利102 年更正公告本各請求項 不具新穎性?
①第1項:被證4;被證7;被證10。
②第2項:被證4;被證7;被證10。
③第3項:被證4。
④第4項:被證4。
⑤第5項:被證4。
⑵下列證據組合可否證明系爭專利102 年更正公告本各請 求項不具進步性?
①第1 至2 項:被證4 、1 ;被證5 、1 ;被證7 、1 ;被證10、1 之組合。
②第3 至5 項:被證4 、1 ;被證5 、1 、4 ;被證7 、1 、4 ;被證10、1、4之組合。
③第6 項:被證4 、1 ;被證5 、1 ;被證7 、1 ;被



證10、1 之組合。
④第7 項:被證5 、1 ;被證4 、1 、5 ;被證7 、1 、5 ;被證10、1 、5 之組合。
⑶系爭專利說明書是否違反核准時專利法第26條第2 項規 定?
㈢倘系爭專利103 年更正本准予更正,而應適用103 年更正本 :
⒈系爭專利103 年更正本請求項1 「半導體層積體」、「凹 凸」、「電極對向」、「可遮光之金屬」,請求項7 之「 設於GaAs層或Gap 層之上」,應如何解釋? ⒉侵權部分:
⑴系爭產品是否落入系爭專利103 年更正本請求項1 、3 至7 ?
⑵系爭產品於系爭專利優先權日前是否已有銷售之事實, 而不為系爭專利權效力所及?
⑶本件是否有先前技術阻卻之適用?
⒊有效性部分:
⑴被證7 或被證10可否證明系爭專利103 年更正本請求項 1不具新穎性?
⑵下列證據或證據組合可否證明系爭專利103 年更正本各 項請求項不具進步性?
①第1 項:被證4 、1 ;被證5 、1 ;被證7 、1 ;被 證10、1 之組合。
②第2項:刪除。
③第3 至5 項:被證4 ;或被證4 、1 ;被證5 、1 、 4 ;被證7 、1 、4 ;被證10、1 、4 之組合。 ④第6 項:被證4 、1 ;被證5 、1 ;被證7 、1 ;被 證10、1 之組合。
⑤第7 項:被證5 、1 ;被證4 、1 、5 ;被證7 、1 、5 ;被證10、1 、5 之組合。
⑶系爭專利說明書是否違反核准時專利法第26條第2 項規 定?
㈣被告有無侵害系爭專利之故意、過失存在?
㈤本件損害賠償金額應如何計算?
㈥原告請求命被告公司排除、防止侵害並回收、銷毀侵害專利 權物品,是否有據?
五、本院之判斷:
㈠申請專利範圍更正部分:
⒈系爭專利103 年更正本應准予更正:
⑴按同一舉發案審查期間,有二以上之更正案者,申請在



先之更正案,視為撤回,103 年3 月24日施行之專利法 (下稱現行專利法)第77條第2 項定有明文。查系爭專 利雖於102 年間曾更正並經智慧局核准於102 年11月11 日公告(即102 年更正公告本),然原告於系爭專利00 000000N01 舉發案審查期間(該舉發案於103 年5 月28 日提起),先於103 年9 月1 日提出更正,並於智慧局 尚未審定時,又於同年11月21日再提更正,揆諸上開規 定,103 年9 月1 日之更正案視為撤回,是本件僅審酌 103 年11月21日所提之更正(即103 年更正本)是否應 予准許,合先敘明。
⑵又按「發明專利權人申請更正專利說明書、申請專利範 圍或圖式,僅得就下列事項為之:一、請求項之刪除。 二、申請專利範圍之減縮。三、誤記或誤譯之訂正。四 、不明瞭記載之釋明。」、「更正,除誤譯之訂正外, 不得超出申請時說明書、申請專利範圍或圖式所揭露之 範圍。」、「更正,不得實質擴大或變更公告時之申請 專利範圍。」現行專利法第67條第1 、2 、4 項定有明 文。又申請專利範圍有過廣之情形時,得予以減縮,但 仍不得超出申請時說明書或圖式所揭露之範圍,且不得 實質擴大或變更公告時之申請專利範圍。另所謂「誤記 事項」,指該發明所屬技術領域中具有通常知識者依據 其申請時的通常知識,不必依賴外部文件即可直接由說 明書、申請專利範圍或圖式的整體內容及上下文,立即 察覺有明顯錯誤的內容,且不須多加思考即知應予訂正 及如何訂正而回復原意,該原意必須是說明書、申請專 利範圍或圖式已明顯記載,於解讀時不致影響原來實質 內容者;所謂「不明瞭記載」,指公告專利之說明書、 申請專利範圍或圖式所揭露之內容因為敘述不充分而導 致文意仍不明確,但該發明所屬技術領域中具有通常知 識者自說明書、申請專利範圍或圖式所記載之內容能明 顯瞭解其固有的涵義,允許對該不明瞭之記載作釋明, 藉更正該不明確的事項,使其原意明確,俾能更清楚瞭 解原發明之內容而不生誤解者。
⑶本件原告主張系爭產品侵害系爭專利請求項1 至7 ,經 對應系爭專利103 年更正本請求項1 至7 與系爭專利10 2 年更正公告本請求項1 至7 ,其更正之處在於請求項 1 、2 ,請求項3 至7 並未更正。其中103 年更正本請 求項1 係將「設於前述半導體層積體之前述第一主面上 的電極」更正為「設於前述半導體層積體之前述第一主 面上的第一電極,其係由可遮光之金屬所構成」,將「



具導電性及對前述發光層所釋出之光之反射性,且設於 前述半導體層積體之前述第二主面側的反射層」更正為 「具導電性及對前述發光層所釋出之光之反射性,且設 於前述半導體層積體之前述第二主面側的反射層,其中 前述反射層係由第一金屬層及第二金屬層經層積並藉由 擴散接合接合所構成,前述第二金屬層係提供於導電基 板之上;提供於前述導電基板內面之第二電極」,並刪 除請求項2 。其中,將請求項1 進一步界定「設於前述 ... 第一電極,其係由可遮光之金屬所構成」技術特徵 部分,依系爭專利之說明書第10頁第23行、第12頁第8 行、第17頁第15行及圖式第1 、16、23、27圖可知,其 皆有揭露第一電極22係由可遮光之金屬所構成,因此上 開更正乃使申請專利範圍更加清楚明確,且未超出申請 時原說明書、申請專利範圍或圖式所揭露之範圍,該更 正進一步界定電極的構成,亦未改變申請專利之發明所 欲解決的問題,而未實質擴大或變更申請專利範圍,應 認符合專利法第67條第2 、4 項之規定。再者,將請求 項1 進一步界定「其中前述反射層係由第一金屬層及第 二金屬層經層積並藉由擴散接合接合所構成」技術特徵 ,係將原請求項2 之「前述反射層係由2 個金屬層經層 積並接合所構成」併入於請求項1 中,「其中前述反射 層係由第一金屬層及第二金屬層經層積所構成」技術特 徵確屬「申請專利範圍之減縮」,而「擴散接合」可使 2 個金屬層的接合方式更加清楚明瞭,符合專利法第67 條第1 項第2 、4 款規定,又系爭專利之說明書第15頁 第7 行至第10行、第20頁第3 行至第6 行及圖式第1 、 16 、23 、27圖皆有揭露反射層25包含第一金屬層14以 及第二金屬層18,且兩金屬層係以擴散接合接合,因此 未超出申請時原說明書、申請專利範圍或圖式所揭露之 範圍,其更進一步界定反射層的構成,未改變申請專利 之發明所欲解決的問題,而未實質擴大或變更申請專利 範圍,亦符合專利法第67條第2 、4 項之規定,另刪除 請求項2 之部分,符合現行專利法第67條第1 項第1 款 規定,且未實質擴大或變更公告時之申請專利範圍,應 予准許。因此,系爭專利103 年更正本之更正符合現行 專利法第67條第1 項第2 、4 款以及第2 、4 項之規定 ,應准予更正。
⒉被告雖辯稱:依系爭專利說明書第10頁倒數第2 行記載「 電極22係由金屬(亦含合金)所構成」、第12頁倒數第8 行以及第17頁第15行記載「遮光體之電極」,可知「金屬



」應為完全不透光,「遮光體」亦為完全不透光,因此系 爭專利103 年更正本請求項1 更正為「可遮光金屬」,應 指「完全不透光」,但「可遮光」之文義卻可能包含「部 分透光」,因此該更正已超出申請時說明書或圖示所揭露 之範圍云云。惟查,系爭專利103 年更正本請求項1 之「 可遮光之金屬」,其可見於系爭專利說明書第12頁第8 行 至第9 行、第17頁第15行至第16行以及第10頁第23行中, 其前後文義尚無將「可遮光」限制為「完全遮光」之意, 再者,系爭專利之目的在於「減少多重全反射」以提高光 的取出率,其電極並無須達到「完全遮光」之程度,且當 其金屬材料厚度小於一定厚度時(例如:100 埃),亦會 透光,是系爭專利有關「可遮光之金屬」依系爭專利說明 書之記載,實無從理解為完全不透光之意,被告據此主張 系爭專利103 年更正本超出申請時說明書或圖示所揭露之 範圍云云,並不足採。
⒊按關於專利權侵害之民事訴訟,當事人主張或抗辯專利權 有應撤銷之事由,且專利權人已向智慧財產專責機關申請 更正專利範圍者,除其更正之申請顯然不應被准許,或依 准許更正後之請求範圍,不構成權利之侵害等,得即為本 案審理裁判之情形外,應斟酌其更正程序之進行程度,並 徵詢兩造之意見後,指定適當之期日,智慧財產案件審理 細則第32條定有明文。上開有關得即為本案審理裁判之情 形,屬例示規定,倘依准許更正後之申請範圍,系爭專利 仍有應撤銷之事由,則法院亦無須斟酌更正程序之進行程 度而可為本案裁判。查系爭專利103 年更正本符合專利法 之規定而應予准許更正,已如前述,惟本院認為本件訴訟 結果,系爭專利103 年更正本有應撤銷事由存在(詳後述 ),揆諸上開說明,本院即無須斟酌智慧局更正程序進行 程度而得為本案裁判,又原告於本件訴訟係以系爭專利10 3 年更正本作為其專利權範圍主張被告侵權,基於處分權 主義,本院以下即依103 年更正本為系爭專利之申請專利 範圍而審理,合先敘明。
㈡申請專利範圍解釋部分:
⒈按發明專利權範圍,以說明書所載之申請專利範圍為準, 於解釋申請專利範圍時,並得審酌發明說明及圖式,系爭 專利審定時專利法第56條第3 項定有明文。解釋申請專利 範圍固得參考發明說明及圖式,但應就專利說明書整體觀 察,以瞭解該發明之目的、作用及效果。專利說明書所載 之實施例僅該專利案所載實施方式之例示,不能據以增加 或限制該專利之申請專利範圍,否則無異將申請專利範圍



未記載之事項或限制條件,依據實施例之內容予以增加或 減少,致變動申請專利範圍對外所表現的客觀專利範圍( 最高行政法院103 年度判字第533 號判決參照)。又對於 申請專利範圍之解讀,應將據以主張權利之該項申請專利 範圍文字,原原本本地列述(recite),不可讀入(read into)詳細說明書或摘要之內容,亦不可將任何部分之內 容予以移除。如有含混或未臻明確之用語,可參酌發明說 明、圖式,以求其所屬技術領域中具有通常知識者得以理 解及認定之意涵(100 台上字第986 號參照)。再者,申 請專利範圍一經公告,即具有對外公示之功能及效果,為 使公眾有一致之信賴,因此解釋申請專利範圍應以「客觀 合理方式」解釋其文字的客觀意義,非探求申請人之主觀 意圖。又解釋申請專利範圍既在探知申請人於申請當時記 載於申請專利範圍之客觀意義,自應以該發明所屬技術領 域中具有通常知識者就該文字於系爭專利申請時於相關技 術領域中所被認知或了解之範圍予以解釋,以該虛擬之人 之角度出發,始不會流於主觀,除非申請人於說明書中賦 予該文字特定之定義,否則應以該發明領域中之通常知識 者通常習慣之意義作為申請專利範圍中之文字意義。又解 釋申請專利範圍時,故得參酌發明說明及圖式,然應避免 將發明說明及圖式所揭露之實施方式或限制條件不當讀入 請求項,而限縮其範圍,藉以正確解釋請求項記載之的文 字用語義涵,方可合理界定申請專利範圍。
⒉兩造就系爭專利103 年更正本請求項1 「半導體層積體」 、「凹凸」、「電極對向」、「可遮光之金屬」,請求項 7 之「設於GaAs層或Gap 層之上」等用語應如何解釋有所 爭執,而申請專利範圍用語應如何解釋,涉及系爭專利權 之範圍為何,亦即原告所得向他人主張之權利範圍,是在 進行專利侵權及有效性判斷前,自應先就申請專利範圍解 釋部分為認定。又系爭專利申請專利範圍之用語應如何解 釋,乃法院應依職權認定之事項,無辯論主義之適用,故 本院不受兩造主張之拘束,茲就上開用語應如何解釋,分 述如下:
⑴請求項1 「半導體層積體」用語應解釋為「複數半導體 層層積而成之物體,其包含發光層、第一主面及第二主 面,且不排除其他半導體層存在之可能,而可包含接觸 層」:
就系爭專利103 年更正本請求項1 「半導體層積體」之 用語,原告主張應解釋為「由複數半導體層層積而成之 物體,其包含發光層、第一主面及第二主面,且不排除



其他半導體層存在之可能,而可包含接觸層」(見本院 卷五第197 頁),被告主張應解釋為「即半導體層6 」 (見本院卷五第112 頁背面)。經查,由字面意義觀之 ,「半導體層積體」已有「複數半導體層的層積體」之 意,自然不能排除其他半導體層存在之可能。再參酌系 爭專利說明書及圖式,系爭專利說明書第7 頁第10行雖 記載:「半導體層6 ,如圖3 所示般,係包含例如包覆 層7 、發光層(活性層)8 、包覆層9 、以及電流擴散 層10之半導體層積體」,然該段敘述僅為對於圖3 之半 導體層6 之描述,目的係為說明半導體層6 之一種具體 例示情況(即圖3 所示之結構),並非對於「半導體層 積體」下定義,自難以此即認「半導體層積體」應解釋 為「半導體層6 」。再者,若將「半導體層積體」解釋 為「半導體層6 」,則反射層需設於半導體層上且此二 層間不能含有其他任何層狀結構,然如此一來會與系爭 專利說明書及圖式之敘述或例示之絕大部分態樣矛盾, 例如系爭專利說明書圖式第1 、15、16、22、27圖,已 揭示半導體層6 與凹凸面間有其它的層狀結構(如接觸 層12),且亦會使得系爭專利請求項6 之「前述半導體 層積體之前述第二主面係經粗糙面化」以及系爭專利請 求項7 之「粗糙面化之面係設於GaAs層或GaP 層之上」 有不合理之結果,以上,均可認被告所稱「半導體層積 體應解釋為半導體層6 」為不可採,本院認應解釋為「 複數半導體層層積而成之物體,其包含發光層、第一主 面及第二主面,且不排除其他半導體層存在之可能,而 可包含接觸層」。
⑵請求項1「凹凸」用語應解釋為「凹陷和凸起」: ①就系爭專利103 年更正本請求項1 「凹凸」之用語, 原告主張應解釋為「反射層與電極對向之表面(上表 面)之部分表面或整面上的凹陷與凸起,其能造成有 效散射」(見本院卷五第196 頁),被告主張應解釋 為「具有規則或不規則形狀的離散分佈凹陷或凸起」 ,並限定其應具有「高度、間距具有整體性」、「高 度、間距清楚可區分」、「凹凸可具有多種形狀」三 大特性(見本院卷四第95頁、卷五第113 頁)。 ②查系爭專利說明書第11頁第22行至第12頁第11行揭露 「藉由接觸層12之粗糙面化,反射層25(第一金屬層 14)中半導體層6 之第二主面側之面與接觸層12的界 面,由於形成有凹凸,因此從發光層8 朝第二主面側 所釋出之光,即於接觸層12與反射層25之界面散亂並



反射(散亂反射)」、系爭專利說明書第17頁第5 行 至第18行揭露「於反射層25(第一金屬層14)中透明 電極層33側之面與透明電極層33之界面,由於形成有 凹凸,因此從發光層8 釋出至第二主面之光,即於透 明電極層33與反射層25之界面,散亂並反射(散亂反 射)」以及系爭專利說明書第22頁第1 行至第3 行揭 露「此種接觸層12與絕緣膜80之界面中,從發光層8 朝接觸層12側所釋放之光的反射率較高,與粗糙面之 散亂反射相輔相成,即可更提升往元件外部之光取出 效率。」由上可知,系爭專利藉由接觸層12與反射層 25間形成凹凸(參系爭專利圖式1 、5 至7 、23、27 )或透明電極層33與反射層25間形成凹凸(參系爭專 利圖式16),當光經過接觸層12(或透明電極層33) 與反射層25的界面時,由於該界面設有凹凸而可使光 達到散亂並反射之目的,因此,以該發明所屬技術領 域中具有通常知識者於系爭專利申請時之相關技術領 域中所得認知或了解之客觀意義,系爭專利103 年更 正本請求項1 之「凹凸」應解釋為「凹陷及凸起」。 ③原告雖謂:「凹凸」應解釋為「反射層與電極對向之 表面(上表面)之部分表面或整面上的凹陷與凸起, 其能造成有效散射」,蓋因發明所屬技術領域中具有 通常知識者於參酌系爭專利說明書之內容後,均可理 解無效散射的凹凸並不在系爭專利範圍內,如此解釋 並無不明確之疑慮云云。惟查,由系爭專利之說明書 內容可知,系爭專利透過在接觸層與反射層間形成有 凹凸,亦即表示在不同的介質間形成凹凸而使光散亂 並反射,該發明所屬技術領域中具有通常知識者均知 若將散射波長和粒子直徑大小區分,散射作用可為瑞 利散射、米氏散射以及幾何散射,在不同的範圍中有 不同的散射作用,所以當光在不同界面的傳遞時,一 定會發生散射作用,原告欲以「有效」二字排除「無 效散射」,實難可採。再者,系爭專利說明書第9 頁 第4 至7 行、第11頁倒數第1 行至第12頁第5 行以及 第12頁倒數第5 行至第13頁第3 行僅說明接觸層12與 第一金屬層14(即反射層25)之界面設有凹凸可使光 散亂並反射,系爭專利無關於凹凸必須為「其可造成 『有效的』光線散射」之描述。再者,系爭專利之「 凹凸」用語,以該發明所屬技術領域中具有通常知識 者之角度,已能明確瞭解其為「凹陷和凸起」,而系 爭專利說明書第8 頁第19至23行之記載僅能得知粗糙



面化後的凹凸可以有各種的形狀、高度以及間距,但 無關於當改變凹凸的形狀、高度以及間距時究竟光散 亂並反射的強度增加多少,而該領域中具有通常知識 者均知當光經過不同的介質間時,光會產生散射,至 於散射的強度多寡則與入射的波長、界面的粒子直徑 大小有關,原告欲以「有效的」光線散射解釋以凹凸 ,此種解釋將會使該發明所屬技術領域中具有通常知 識者無法瞭解何謂有效?何謂無效?此解釋將使申請 專利範圍有不明確之疑慮,亦有違客觀解釋原則,因 此原告上開所述,並不足採。
④至被告雖謂:「凹凸」應解釋為「具有規則或不規則 形狀的離散分佈凹陷或凸起」,並限定其應具有「高 度、間距具有整體性」、「高度、間距清楚可區分」 、「凹凸可具有多種形狀」三大特性云云。惟查,系 爭專利第一實施型態以及第三實施型態之凹凸係設置 於接觸層12與第一金屬層14間(參系爭專利圖式1 、 23),系爭專利第二實施型態之凹凸係設置於透明電 極33與第一金屬層14間(參系爭專利圖式16),系爭 專利第四實施型態之凹凸係設置於接觸層12與絕緣膜 80以及部分的第一金屬層14間(參系爭專利圖式27) ,由系爭發明專利說明書內容僅說明接觸層12與第一 金屬層1 之界面設有凹凸可使光散亂並反射,並未揭 示凹凸必須為「具有規則或不規則形狀的離散分佈」 ,況所謂「離散分佈」為何並不明確,系爭專利之內 部證據既未揭示「凹凸」須「離散分佈」,被告上開 解釋方式有違客觀解釋原則,自不足採。
⑶請求項1 「電極對向」用語應解釋為「面對電極之面」 :
①就系爭專利103 年更正本請求項1 「電極對向」之用 語,原告主張應解釋為「與電極對向(之表面)」( 見本院卷五第196 頁背面),被告主張應解釋為「至 少包含電極正下方之部分」(見本院卷三第132 頁背 面)。
②查依系爭專利說明書第21頁第14至18行揭露之「於接 觸層12與第一金屬層14之間,選擇性設有絕緣膜80。 絕緣膜80係形成於接觸層12之經粗糙面化之面的整面 ,此後即選擇性除去。第一金屬層14係以覆蓋絕緣膜 80之方式形成於接觸層12之經粗糙面化的面。」可知 ,絕緣膜80係部分的設置於反射層25與接觸層12之間 ,當有絕緣膜80時,絕緣膜80與反射層25間則不具有



凹凸(參系爭專利圖式27),反射層25與電極22對向 係單純指反射層25與電極22對向之面,故系爭專利「 電極對向」用語應解釋為「面對電極之面」。
③被告雖稱:「電極對向」應解釋為「至少包含電極正 下方之部分」云云。惟無論就該用語客觀字面解釋、 系利專利之內部證據或外部證據,均無法導出「電極 對向」須「至少包含電極正下方」之結論,況系爭專 利「於前述反射層之至少與前述電極對向之一部分形 成有凹凸」,其目的在於減少在半導體層積體之全反 射以增加光的取出效率,因此只需反射層上至少部分 形成凹凸,如此光經過反射層的凹凸介面時即可改變 光的行進角度以增加光的取出效率,而非一定要在電 極的「正」下方形成凹凸不可,再者,系爭專利說明 書第21頁第14至18行說明絕緣膜80係部分的設置於反 射層25與接觸層12之間,絕緣膜80與反射層25間則不 具有凹凸(參系爭專利圖式27),由於絕緣膜80僅載 於第四實施型態中,若依被告之解釋,此時絕緣膜80 將無法被系爭專利請求項3 所涵蓋,此益證反射層25 與電極22對向僅單純指反射層25與電極22對向之面, 而無電極正下方之意,故被告上開所述並不足採。 ④被告又稱:請求項每一特徵均有作用,若解釋為「面 對電極之面」,則請求項1 只要載明「於前述反射層 之一部分形成有凹凸」即可,無須記載「至少與前述 電極對向」之文字云云。惟查,反射層具有接近第一 電極的面以及遠離第一電極的面(即接近基板16之面 ),惟系爭專利欲形成凹凸之位置係接近第一電極之 反射層面,而非接近基板之反射層面,是系爭專利有 關「至少與前述電極對向」之技術特徵有界定反射層 形成凹凸之位置作用在內,是被告上開所述亦不足採 。
⑷請求項1 「可遮光之金屬」用語應解釋為「部分或完全 遮光之金屬」:
①就系爭專利103 年更正本請求項1 「可遮光之金屬」 之用語,原告主張應解釋為「可以遮光之金屬」(見 本院卷五第197 頁背面),被告主張應解釋為「完全 不透光之金屬」(見本院卷三第132頁背面)。 ②查依系爭專利說明書第12頁第5 行至第9 行揭露之「 例如於發光層8 之中使從電極22之下側部分朝下方( 基板16之方向) 所釋出之光,於接觸層12與反射層25 之界面的凹凸,朝橫或斜方向散亂,藉此可降低朝成



為遮光體之電極22之方向反射的比例,亦可增加往外 部取出的比例」,系爭專利說明書第17頁第12行至第 16行揭露之「例如於發光層8 之中使從電極22之下側 部分朝下方(基板16之方向)所釋出之光,於透明電 極層33與反射層25之界面的凹凸,朝橫或斜方向散亂 ,亦可藉此可降低朝成為遮光體之電極22之方向反射 的比例,而增加取出至外部的比例」,以及系爭專利 說明書第10頁第23行揭露之「第一電極22係由金屬( 亦含合金)所構成」可知,第一電極22係為遮光的金 屬所構成,然並未界定為完全透光,是由上開說明書 所揭露之內容,應理解為「部分透光」以及「完全不 透光」之態樣,且系爭專利之主要目的在於降低朝遮 光體之電極22之方向反射的比例,增加取出至外部的 比例,與電極是否遮光無涉。又系爭專利說明書之電 極為「遮光體之電極22」,並未說明是「完全遮光體 之電極22」,因此系爭專利「可遮光之金屬」用語應 解釋為「部分或完全遮光之金屬」,被告認為應解釋 為「完全不透光之金屬」,並不足採。
②又原告雖曾稱:系爭專利「可遮光之金屬」應「不含 透明電極」云云(見本院卷三第129 頁背面)。惟查

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參考資料
華上光電股份有限公司 , 台灣公司情報網