智慧財產法院民事判決
103年度民專訴字第59號
原 告 樂金股份有限公司
法定代理人 蔡幸樺
訴訟代理人 謝佩玲律師
何娜瑩律師
被 告 光大應用材料科技股份有限公司
法定代理人 陳李賀
訴訟代理人 陳群顯律師
許凱婷律師
童沈源
輔 佐 人 陳翠華
上列當事人間侵害專利權有關財產權爭議等事件，本院於104 年
6月18日言詞辯論終結，判決如下：
主 文
原告之訴及假執行之聲請均駁回。
訴訟費用由原告負擔。
事 實
壹、程序方面：
按「當事人喪失訴訟能力或法定代理人死亡或其代理權消滅 者，訴訟程序在有法定代理人或取得訴訟能力之本人，承受 其訴訟以前當然停止」、「第一百六十八條至第一百七十二 條及前條所定之承受訴訟人，於得為承受時，應即為承受之 聲明」，民事訴訟法第170 條、第175 條第1 項分別定有明 文。查被告光大應用材料科技股份有限公司法定代理人原為 林○○，嗣於民國104 年4 月17日變更法定代理人為陳李賀 ，茲據陳李賀於104 年5 月26日具狀聲明承受訴訟，有被告 光大應用材料科技股份有限公司登記資料查詢表、民事聲明 承受訴訟狀各1 件在卷可稽（見本院卷4 第20、30-33 頁） ，核無不合，應予准許。
貳、實體方面：
一、原告起訴主張：
（一）原告為中華民國第I384082 號「合金線材及其製造方法」 發明專利（下稱：系爭專利）之專利權人，專利期間自10 2 年2 月1 日起至121 年6 月19日為止。被告所製造、銷 售之銀合金線產品與系爭專利之銀合金線功能相當，原告 經由訴外人興華電子工業股份有限公司（下稱：興華電子 ）分別於102 年8 月7 日及102 年8 月19日，取得被告所 製造、銷售之型號「AG0E」及「AG0F」之銀合金線產品2 批（下稱：系爭「AG0E」銀合金線產品、系爭「AG0F」銀
合金線產品），嗣經原告以專業儀器分析，發現被告之系 爭「AG0E」及「AG0F」銀合金線產品，均落入系爭專利請 求項1 、2 之文義範圍，其理由分述如下：
1.被告主張之「孿晶密度(twin density)」之定義與原告 主張之「孿晶比例(twin percentage) 」之定義並不相 同，兩者在定量分析上並無關連性：.
⑴晶粒(grain) 和晶界(grain boundary)之材料結構、 物理性質並不相同：
將金屬材料表面拋光、腐蝕後，在高倍率顯微鏡下可 觀察到許多具有不規則形狀之粒子，這些粒子稱為晶 粒，因各晶粒內之結晶方位不一致，故個別晶粒在顯 微鏡底下會呈現不同灰階色彩之變化，得以因此辨識 出，而晶粒與晶粒間之界面則稱為晶界，在顯微鏡底 下，得以經由晶粒間之深黑線辨識出來，晶粒被晶界 所包圍，在晶界面上，晶粒內原子排列從一個取向過 渡到另一個取向，阻斷晶粒內原子之規則排列，故將 相鄰晶粒分開，是晶界對於金屬材料性質影響重大， 例如材料領域人士均已知晶粒生長會受到晶界能量之 影響。因此，晶粒與晶界之材料結構及物理意義實不 相同，兩者不可混為一談。
⑵系爭專利請求項所關注對象為「晶粒」，而非「晶界 」，被告主張之「孿晶密度(twin density)」與系爭 專利定義不相符：
依系爭專利請求項1 之記載：「具有退火孿晶的晶粒 的數量，佔該合金線材所有晶粒數量的20% 以上」、 系爭專利說明書第10頁第3 段之記載：「如第1B圖所 示，此合金線材的縱切面為面心立方晶相的多晶結構 而具有複數個晶粒，且大部分為等軸晶粒12，各等軸 晶粒12之間是以高角度晶界14為界，其中退火孿晶的 晶粒的數量，佔該合金線材所有晶粒數量的20% 以上 」、系爭專利說明書第14頁第2 段之記載：「欲顯現 上述特性，在本發明之合金線材的所有晶粒中，至少 20% 的數量以上的晶粒含有退火孿晶組織時，才會具 有上述特性」及系爭專利各實施例等可知，系爭專利 所關注者為「晶粒」，而非材料結構及物理意義與晶 粒截然不同之「晶界」。又「孿晶比例」係指「具有 退火孿晶的晶粒的數量」佔「所有晶粒的數量（＝具 有退火孿晶的晶粒的數量＋不具有退火孿晶的晶粒的 數量）」，惟被告主張「孿晶密度」係指「孿晶晶界 數/ 總晶界數」，兩者定義並不相同。再者，以截線
法計算得出之「孿晶密度（twin density）」之分析 方法，與系爭專利請求項之定義不同，且因截線選取 遺漏孿晶之分析，導致「具有孿晶的晶粒」被判定為 「不具有孿晶的晶粒」之錯誤結果，因此，被告主張 之截線法不能用於分析系爭專利。
⑶截線法是以統計「晶界」數量為基礎，而原告之直接 清點晶粒分析法是以統計「晶粒」數量為基礎，依據 原告分析方法，不論單一晶粒內孿晶數量及分布如何 ，均視為一個具有退火孿晶的晶粒，但以統計「晶界 」數量作為基礎之分析方法，受到孿晶數量及分布之 影響，導致分析比例不當降低，故被告主張之「孿晶 密度(twin density)」與原告主張之「孿晶比例」在 定量分析上並無關連性，兩者間不具數學、邏輯上之 公式可以換算，故兩者分析結果之差異不能視為單純 「誤差」，倘被告仍主張以截線法分析所得之「孿晶 密度」定量分析結果等於原告主張之「孿晶比例」之 定量結果時，依據民事訴訟法第277 條規定，應由被 告舉證以實其說。
⑷被告主張被證5 （系爭專利發明人西元2013年11月於 The Minerals, Metals & Materials Society and ASM International 2013所共同發表之文章「Surfac e Reconstruction of an Annealing Twinned Ag-8A u-3Pd Alloy Wire Under Current Stressing」）第 5107頁第三段明確以孿晶晶界截點數/ 晶界截點數來 計算孿晶密度，並主張原告在原證19（西元2012年6 月發表於Scripta Materialia期刊之「Thermal stab ility of grain structure and material properti es in an annealing-twinned Ag-8Au-3Pd alloy wi re」）和原證20（西元2012年9 月發表於Journal of ELECTRONIC MATERIALS期刊之「Effects of Anneali ng Twins on the Grain Growth and Mechanical Pr operties of Ag-8Au-3PD Bonding Wires」）中，也 一再確認「退火孿晶密度」、「退火孿晶百分比」、 「具有退火孿晶晶粒的數量的比例」為同義詞，惟原 證19第607 頁第1 欄第2 段第9 至19行以及原證20第 4 至7 行記載：「The specific grains containing annealing twins were also counted asaration to the total number of grains in the FIB microgra ph. （計算在FIB 照片中含有退火孿晶之特定晶粒相 對於所有晶粒之比值）」等語，可知，原告發明人於
原證19和20中所稱之「Twin Grain Percentage 」均 係指在「含有退火孿晶的晶粒數相對於全部晶粒數之 比值」，故原告發明人關注於「晶粒」，而非材料結 構及物理意義與「晶粒」實不相同之「晶界」，縱使 原告發明人在原證19和20中偶一使用「twin density 」，但材料領域人士在研讀原證19及20後，亦可清楚 知悉原證19及20所研究主題「孿晶粒」不是材料結構 及物理意義和「孿晶粒」截然不同之「孿晶界」，且 原證19和20已發表於國際性材料領域之專業期刊已久 ，該等文章之審查委員及讀者，也從未就原證19及20 所研究、分析之主題以及文章內「twin density」乙 詞提出質疑。因此，材料領域人士可以清楚理解原證 19及20中「twin density 」係指「孿晶粒密度」， 不會誤認為「孿晶界密度(twinboundary density)」 。又原告發明人關注於「孿晶粒」之研究，迄今所發 表之文章亦關注於「孿晶比例」，僅有被證5 是分析 「孿晶晶界比例」，故原告發明人於被證5 中針對「 孿晶晶界比例」給予定義為「孿晶密度(Twin Densit y)」之定義為：「The(NT/NG) were also estimated f rom the fractions of the intersections acro ss the twin boundaries(NT) to those of the who le grain boundaries(NG).（計算在FIB 照片中計算 截線通過孿晶之孿晶晶界數與全部晶界數的比值）」 ，是被告僅單憑被證5 、原證19與20出現「twin den sity」文字，並未探究其實質技術內涵，為不當之連 結主張原告已在被證5 、原證19及20中一再確認「退 火孿晶密度」、「退火孿晶百分比」、「具有退火孿 晶晶粒的數量的比例」等為同義詞，並分析「孿晶界 」為對象之「孿晶晶界比例=(孿晶晶界數/ 總晶界數 ) 」為原告主張之「孿晶比例」，洵非可採。
2.被告以截線法作為估算系爭專利晶粒數量比例，並無根 據：
⑴被告主張被證6 （西元1996年4 月發表於Acta Metall urgica Inc. 期刊之「FORMATION OFANNEALINGTWINS IN f.c.c. CRYSTALS」）結合ASTME112外，又主張以 被證6 結合被證6 註12（即附件21；西元1953年1 月 發表於Journal of Metals 之「Measurement of Int ernal Boundaries in Three-Dimensional Structur es By Random Sectioning 」）作為計算比例的方法 云云。惟不論是ASTM E112-13或是註12（即附件21）
文獻，均與分析系爭專利晶粒數量無關。蓋ASTME112 -13 所記載之截線法僅用於估算均勻晶粒材料之晶粒 尺寸，未曾使用於計算晶粒數量比例，且亦不適用於 估算經過大量冷加工後之材料，由ASTME112-13 標題 及前言：「Standard Test Methods for Determinin g Average Grain Size（測定平均晶粒尺寸之標準試 驗方法）」、「The test methods of determinatio n of average grain size in metallic materials are primarily measuring procedures and,because of their purely geometric basis,are independen t of the metalor alloy concerned….The interce pt and planimetric methods are always applicab le for determining average size.（測定金屬材料 平均晶粒尺寸的試驗方法主要與測量程序有關，由於 純粹以幾何圖形為基礎，與待測量金屬和合金本身無 關。…。常用之測定平均晶粒尺寸為截點法和平面法 。）」記載等語，可知，ASTME112-13 係測定平均晶 粒尺寸之標準試驗方法，只適用於量測平均晶粒大小 ，並未記載規範以截線法計算晶粒數量與比例。又依 據ASTME112-13 第1.1 節：「1.1These test method s cover the measurement of average grain size and include the comparison procedure,the plain imetric(or Jeffries) procedure,and the interce pt procedures.These test methods may also be a pplied to nonmetallic materials with structure s having appearances similar to those of the m etallic structures shown in the comparison cha rts.These test methods applychiefly to single phase grain structures but they can be applied to determine the average size of aparticular t ype of grain structure inamultiphase or multic onstituent specimen.（1.1 本標準試驗方法涵蓋平 均晶粒尺寸之測量及包括比較法、平面（或Jeffries ）法及截點法。這些測試方法也可以適用於晶粒組織 形貌與標準系列評級圖相似的非金屬材料。這些方法 主要是用於單相晶粒組織，但也適用多相或多相元試 樣中特定類型組織的晶粒平均尺寸的測量。）」、第 1.2 節：「1.2 These test methods are used to d etermine the average grain size of specimens w ith a unimodal distribution of grainareas,diam
eters,or intercept lengths. These distribution are approximately log normal. These test metho ds do not cover methods to characterize the na ture of these distributions. Characterization of grain size inspecimens with duplex grain si ze distributions is described in Test Methods E1181.Measurement of individual,very coarse gr ains in a fine grained matrix is described in Test Methods E930.（1.2 本測試方法使用晶粒面積 、晶粒直徑、截線長度的單峰分布來測定試樣的平均 晶粒度。這些分布近似正態分佈。本測試方法不涵蓋 具有粒徑分布特性之方法。試樣晶粒尺寸具有雙峰分 布係描述於測試方法E1181 。測定分布在細小晶粒基 本上個別非常粗大的晶粒則見於E930。）」。可知， ASTM E112-13 係採用統計推定方法，所採取樣本必 須具備代表性，是選定範圍、晶粒大小均勻性、晶粒 型態等都必須具備代表性，故ASTM E112-13 僅適用 於晶粒尺寸大小為單峰分布的微結構，而不適用於晶 粒大小差距很大或軸距差異很大情況，惟系爭專利及 系爭「AG0E」、「AG0F」銀合金線產品均為晶粒大小 具有明顯差異之金屬材料，且系爭「AG0E」、「AG0F 」銀合金線產品更是存在晶粒尺寸小於1 微米以下之 晶粒。因此，依據ASTM E112-13教示，其所揭露之分 析方法不適用於分析系爭專利以及系爭產品之晶粒比 例，是被告以ASTM E112-13 作為分析之依據，有悖 於ASTM E112-13 教示之情形。再者，ASTM E112-13 教示該測試規範不適用作為大量冷加工後材料之晶粒 大小量測使用，而系爭專利及系爭「AG0E」、「AG0F 」銀合金線產品均為經過大量冷加工後之材料，是依 據ASTM E112-13 教示，其所揭露之分析方法不適用 於分析系爭專利及系爭產品，且ASTM E112只適用於 大小均勻、等方向性、等軸之晶粒狀態，而不適用於 分析系爭專利及系爭產品之晶粒比例。
⑵被證6 註12之文獻為分析多晶材料之晶粒稜長(grain edge length)及晶界面積(grain boundary area) 有關之期刊文獻，與分析、計算晶粒數量比例無關， 且被告以分析「孿晶界」為對象之「孿晶晶界比例=( 孿晶晶界數/ 總晶界數) 」與原告主張之「孿晶比例 」無關，無論截線如何選取，數量如何增加，皆無法 得到與系爭專利定義相符之「孿晶比例」之分析結果
。
⑶被告主張之截線法係藉由統計截線經過之「晶界數」 以及「孿晶界數」，作為計算「孿晶密度(twin dens ity)」之數據來源，惟截線係屬一維資訊，只有截線 劃過的孿晶界、晶界才納入分析內，而截線未劃過的 晶界、孿晶便排除在外，截線法的分析範圍不能涵蓋 合金金相圖中所有晶粒，所得分析結果客觀性不足， 惟系爭專利係採直接清點合金金相圖中之晶粒，分析 範圍能夠涵蓋合金金相圖中所有晶粒，相較於截線法 而言，系爭專利分析方法自然較為客觀可採，且不會 受到晶粒內孿晶數量以及分佈之影響，又截線法與直 接清點晶粒法，兩者在定量分析上不存在任何邏輯或 數學上關連性，今不論是遍查被證六、被證六註12文 獻或是ASTME112-13 之全文，均未揭示以截線法作為 估算系爭專利晶粒數量比例，被告以截線法作為估算 系爭專利晶粒數量比例，乃是被告憑空自創，毫無任 何根據，且容易達到刻意規避、遺漏孿晶分析之目的 ，因此，被告主張以被證六結合ASTM E112-13 以及 被證六結合註12文獻作為分析之依據，毫無可採。 3.系爭「AG0E」及「AG0F」銀合金線產品之「孿晶比例」 之分析，係採隨機抽樣銀合金線材，取得合金線材截面 之金相圖，直接清點金相圖中「具有退火孿晶的晶粒之 數量」和「不具有退火孿晶之晶粒之數量」後，再予以 統計計算「孿晶比例」：
⑴選取適當倍率觀察材料微結構乃是材料領域通常知識 ，系爭「AG0E」、「AG0F」銀合金線產品中之晶粒組 織，不論是大晶粒或細小晶粒均得在適當倍率顯微鏡 下觀察其微結構，以進一步判定其是否具有退火孿晶 組織，在分析、觀察合金材料微結構時，為取得涵蓋 材料橫剖面及縱剖面之最大視野成像，以較低倍率之 SEM 拍攝，惟SEM 無法觀察到其孿晶結構之細小晶粒 ，則以較高倍率之顯微鏡如TEM 觀察，所需之實驗操 作程序較為複雜，耗費數日實驗時間，原告發明人所 發表之原證34（西元2014年7 月發表於Journal of Alloys and Compounds之「Thermal stability of grainstructure and material properties in an annealing twinned Ag-4Pd alloy wire 」）之期刊 論文中，已經揭露在Ag-4Pd銀合金線中，在晶粒尺寸 小於0.05微米以下時仍然存有大量孿晶，以及原證38 （系爭「AG0E」、「AG0F」銀合金線之TEM 分析報告
）證明系爭「AG0E」、「AG0F」銀合金線產品，在晶 粒尺寸小於1 微米時仍然存有大量孿晶，倘若將尺寸 小於一微米之細小晶粒一併納入計算，則所得分析結 果實際上會大於未納入小晶粒分析之結果，故忽略尺 寸1 微米以下之細小晶粒之分析實際上對被告而言， 是有利於被告且公平之分析方法，對於這些晶粒尺寸 小於1 微米之晶粒既不判定為「具有退火孿晶的晶粒 」，也不判定為「不具有退火孿晶的晶粒」，僅是單 純迫於現實情況之考量，並非不能分析，故忽略尺寸 1 微米以下之細小晶粒之分析與系爭專利說明書主張 之「直接清點晶粒」之分析方法並未有衝突存在，亦 未有超出系爭專利說明書或圖式揭露範圍之情形。 ⑵系爭專利直接清點晶粒之方法以及系爭專利「孿晶比 例」之定義均為系爭專利申請前通常知識，依原證28 （西元2001年1 月，由AASHISH ROHAGI等人發表於 "Metallurgical and Materials Transactions"期刊 第136 頁右欄第27-31 行記載：「The fraction of grains exhibiting deformation twins was determ ined by observing more than 100 grains for eac h quasi-statically deformed sample under a Nik on Ephiphot(NikonInc.,Melville,NY00000-0000)00 47-3064)optical microscope. （具有變形孿晶的晶 粒之比例的測量，是藉由在Nikon Ephiphot(Nikon I nc.,Melville,NY00000-0000)光學顯微鏡下，對每個 擬靜態之變形樣本觀察超過100 個晶粒）」及圖1 之 縱軸顯示「%Grains with Deformation Twins（具有 變形孿晶的晶粒的比例）」等語，可知，原證28是採 用隨機取樣合金線材，利用顯微鏡觀察合金材料微結 構，直接清點所觀測之全部晶粒，再計算、分析孿晶 比例對於合金性能之影響。又依原證30（西元1997年 ，由S.ASGARI等人發表於"Metallurgical and Mater ials Transactions"期刊第1789頁表一第2 欄記載： 「Number of Grain Examined（所觀察晶粒數量）」 、第3 欄記載：「Number of Grains Containing De formation Twins （含變形孿晶之晶粒的數量）」、 第4 欄記載：「Extensive twin in seven grains… Extensive twining in eight grains …（在七個晶 粒中具有外延孿晶…在八個晶粒中具有外延孿晶）」 以及同頁第2 欄記載：「The TEM investigation wa s mainly focused on MP35N.（對MP35N 以TEM 觀察
）。」、第1791頁倒數第二行記載：「From our dat a(TableI), we have also plotted in Figure15 th e evolution of fraction of grains with extensi ve primary twins as a function of the imposed strain. （由吾等數據（表I ），吾等已經在圖15中 描繪具有外延孿晶之晶粒的比例與所施加應力之函數 ）」、第15圖縱軸記載：「Fraction of Grains Sho wing Extensive Twiming（具有外延孿晶的晶粒的比 例）」等語，可知，原證30也是關於隨機抽樣合金線 材，利用顯微鏡技術，取得合金線材剖面金相圖，接 著直接清點所觀測全部晶粒數目，再計算、分析孿晶 比例對於合金性能之影響。再者，ASTME112有關以面 積法測定晶粒尺寸，也是基於直接清點顯微照片中之 晶粒來分析晶粒尺寸，可證系爭專利直接清點晶粒之 方法以及系爭專利「孿晶比例」之定義均為申請前通 常知識，而非新參數。故不論是我國，或是其他國家 專利及商標局，關於金屬材料晶粒所佔比例之計算方 法是否應列入專利說明書內，一如合金成份比例之分 析方法，因為為習知之分析方法，故未有列入專利說 明書內容之必要性。因此，系爭專利直接清點晶粒之 方法以及系爭專利「孿晶比例」之定義均為系爭專利 申請前通常知識，原告所採用之分析方法乃是材料領 域人士所習知分析方法。
4.系爭「AG0E」、「AG0F」銀合金線產品落入系爭專利請 求項1、2之文義範圍：
⑴系爭「AG0E」及「AG0F」銀合金線產品之「具有退火 孿晶的晶粒」之比例均大於20%：
經直接清點系爭「AG0E」及「AG0F」銀合金線產品之 縱剖面和橫剖面金相圖中之晶粒後，系爭「AG0E」及 「AG0F」銀合金線產品之「具有退火孿晶的晶粒的數 量佔合金線材所有晶粒的數量」之比例均大於20% ， 而落入系爭專利請求項1 所界定之數值範圍內，縱將 被告附件19所標示共42處未納入計算之細小晶粒併入 計算，具有退火孿晶的晶粒的比例仍大於20% ，落入 系爭專利請求項1 ，而屬侵權。
⑵系爭「AG0E」及「AG0F」銀合金線產品之組成，均落 入系爭專利請求項2 之範疇：
系爭「AG0E」銀合金線產品之組成：Ag>96%、Pd<4% ；系爭「AG0F」銀合金線產品之組成：Ag>97%、Au<0 .2% 、Pd為2%可證系爭「AG0E」及「AG0F」銀合金線
產品之組成均落入系爭專利請求項2 所界定組成比例 之範疇。
⑶系爭「AG0E」、「AG0F」銀合金線產品之文義比對分 析：
①系爭專利請求項1 之技術特徵為：一種合金線材， 其材質是選自銀- 金合金、銀- 鈀合金、銀- 金- 鈀合金所組成之族群的其中之一，該合金線材為面 心立方晶相的多晶結構而具有複數個晶粒，該合金 線材的線材中心部位具有長條形晶粒或等軸晶粒、 其餘部位由等軸晶粒構成，其中具有退火孿晶的晶 粒的數量，佔該合金線材所有晶粒數量的20% 以上 。系爭專利請求項2 之技術特徵為：該銀- 金合金 的金含量為0.01至30.00 wt% ，餘量為銀；該銀- 鈀合金的鈀含量為0.01至10.00wt%，餘量為銀；以 及該銀-金-鈀合金的金含量為0.01至30.00 wt% 、 鈀含量為0.01至10.00wt%，餘量為銀。 ②系爭「AG0E」銀合金線產品之技術特徵為：一種合 金線材其材質為銀- 鈀合金，該合金線材為面心立 方晶相的多晶結構而具有複數個晶粒，該合金線材 的線材中心部位具有長條形晶粒，其餘部位由等軸 晶粒構成，其中具有退火孿晶的晶粒的數量，佔該 合金線材所有晶粒數量的20% 以上。該銀- 鈀合金 的鈀含量為<4wt %，其餘為銀。是系爭「AG0E」銀 合金線產品之技術特徵皆為系爭專利請求項1 、2 之文義所讀取。
③系爭「AG0F」銀合金線產品之技術特徵為：一種合 金線材其材質為銀- 鈀合金，該合金線材為面心立 方晶相的多晶結構而具有複數個晶粒，該合金線材 的線材中心部位具有等軸晶粒，其餘部位由等軸晶 粒構成，其中具有退火孿晶的晶粒的數量，佔該合 金線材所有晶粒數量的20% 以上。該銀- 金- 鈀合 金的金含量為<0.2% 、鈀含量為2%，餘量為銀。是 系爭「AG0F」銀合金線產品之技術特徵皆為系爭專 利請求項1 、2 之文義所讀取。
（二）系爭專利並無應予撤銷事由：
1.系爭專利請求項1、2具進步性：
⑴系爭專利所欲解決技術問題是關於克服習知純金線、 純鋁線、純銅線、銅線鍍金等接合線因存在大量兩高 角度晶界造成習知合金線材性能不佳等問題。又系爭 專利採用技術手段是經由銀合金線材中至少20% 數量
以上的晶粒含有退火孿晶的組織來克服，如此可以展 現較佳的抗氧化性與耐腐蝕性，較佳可靠度、導電性 和導熱性以及機械性質等，相較於傳統合金線、純金 合金線和銅鍍鈀合金線等，顯示較優性能並可通過一 系列可靠度之試驗，故系爭專利所請相較於先前技術 具備進步性。
⑵被證2 （2010年12月22日公開之中國大陸專利第CN10 1925992 號「半導體用接合線」專利案）第「0026」 段落：「以往的單層結構的接合線（下稱：單層線） ，為了改善抗拉強度、接合部的強度、可靠性等，添 加合金化元素是有效的，但擔心特性的提高存在極限 。呈多層結構的接合線（下稱：多層線），可期待比 單層線可加提高特性，提高附加值」、第「0029」段 落：「在包含Pd被披覆層和芯材的，由機械特性不同 的材料構成的多層線的製造中，在加工和退火的工序 中，發生Pd被覆層的剝離、脫落等，這成為問題」及 第「0035」段落：「本發明者們為了解決上述問題而 潛心研究多層線的結果發現，使接合線中所含有的氫 濃度適當化是有效的」，可知，因先前技術中單層結 構接合線之特性受到限制，便有批覆Pd之多層結構之 接合線之提出，惟多層結構接合線在加工和退火過程 中，會面臨Pd批覆層之剝離、脫落等缺失，進而產生 氧化、接合性降低等品質問題，是被證2 技術領域是 關於多層結構接合線，所欲解決技術問題是克服多層 結構接合線中Pd批覆層之剝離、脫落之問題，所採用 技術手段是使多層結構接合線中所含有氫濃度適當化 。惟系爭專利請求項1 、2 係關於單層結構接合線， 不涉及氫溶解，系爭專利係藉由具有退火孿晶的晶粒 的數量佔該合金線材所有晶粒數量的20% 以上等技術 手段，來達到相較於習知線材具有較佳品質和可靠度 等功效。是被證2 在所欲解決技術問題、所採用技術 手段及所達成之功效方面，均與系爭專利無關。 ⑶在多層結構接合線中，因為批覆外層的晶格特性與塊 狀合金特性並不相同，因而接合線之熱處理條件便須 配合其多層結構及氫擴散性而定，而由於氫在材料內 部溶解及擴散需要時間（遲滯效應），故被證2 建議 使用低溫且長時間之熱處理條件，以達成調整氫濃度 之目的。又被證2 所教示之熱處理條件與形成孿晶無 關，被證2 所教示以低溫長時間之熱處理條件，並不 適於形成孿晶，系爭專利是在高溫、數秒鐘之退火條
件下生成孿晶，是發明所屬技術領域中具有通常知識 者在參酌被證2 教示後，採用被證2 揭示之熱處理條 件後並不能形成系爭專利所請具有孿晶晶粒比例大於 20% 以上的單層接合線。再者，被證2 是要提供一種 含有氫之多層結構接合線，發明所屬技術領域中具有 通常知識者在參酌被證2 後，倘若欲採用生成孿晶的 退火條件來達成調整氫濃度目的時，則會因為氫原子 來不及溶解及擴散進入合金線材內部，而無法達成調 整氫濃度之目的。因此，被證2 與系爭專利無關，亦 未提供任何動機或建議給予發明所屬技術領域通常知 識者以完成系爭專利所請，故系爭專利請求項1 、2 具備進步性。
⑷系爭專利說明書第15頁：「鋁雖為面心立方結晶構造 材料，但其疊差能大約200erg/cm ，極少出現退火孿 晶…」可知，Al雖為FCC ，但實際上根本不易形成孿 晶，又如在原證19第3 圖中，已證明Au和Cu雖為FCC ，但並無法生成大量孿晶，故並非所有具有面心立方 體之金屬材料均可形成大量孿晶。是「可形成孿晶」 與「形成20% 以上大量孿晶」乃屬兩不同之概念，所 產生之功效亦不相同，兩者不能混為一談。故被證2 參酌附件5-7 不能證明系爭專利請求項1 、2 不具進 步性。
⑸原證20是在101 年9 月1 日公開，而系爭專利係在10 1 年6 月20日提出申請，主張國內優先權日為101 年 1 月2 日，故原證20是在系爭專利申請後始公開之文 獻，因此，依據專利法第22條第4 項之規定，原證20 不具證據能力。又原證20並未與系爭專利相違背，原 證20第5 圖清楚揭露傳統合金(conventional wire) 原料材料之孿晶比例為18% ，而發明性銀合金線原材 料之孿晶比例則大於20% ，兩者經過測試後，由第8 圖及第9 圖可證明，發明性銀合金線相較於傳統合金 線材具有優異之性能。因此，被告主張原證20第5 圖 所揭露「習知合金線材性質其退火孿晶密度大於20% 」之事實云云，顯未探究原證20實質技術內容。 ⑹被告抗辯原證37圖4-28c 所顯示之具有退火孿晶的晶 粒的數量，已達合金晶粒總數37% 云云。惟原證37圖 4-28c 所示為金- 銀合金，而為一種金合金線，但系 爭專利所請為銀合金線，兩者合金材料並不相同。又 原證37圖4-28c 僅係單純教示辨識退火孿晶，並未提 及與孿晶比例有關之記載，且原證37圖4-28c 也只是
局部合金金相圖圖式，並不具有任何代表性，亦未有 任何比例尺之記載，得以判別晶粒尺寸。因此，被告 主張援引原證37作為系爭專利無效之證據，尚非可採 。
2.系爭專利符合核准審定時即99年8 月25日修正公布，99 年9 月12日施行之專利法（下稱：修正前99年專利法） 第26條第2 、3 項之規定：
被告抗辯關於台大慶齡中心的技術意見書認為退火孿晶 跟非退火孿晶無法從外觀上去區辨的，是系爭專利無法 去認定系爭產品有無落入云云。惟原證37之退火孿晶主 要是出現在FCC 金屬材料中，係在晶粒生長過程中，因 退火而發生者，機械孿晶主要是出現在HCP 金屬材料中 ，係因機械加工後發生者，兩者形成原因不同，在顯微 鏡下所觀察之微結構樣貌亦不相同，退火孿晶在金相圖 中則是較寬、平板、長條狀，而機械孿晶相較於退火孿 晶則是非常細長、柳葉狀，故由屬於材料領域基礎教科 書之原證37可證，辨別「機械孿晶」及「退火孿晶」已 為材料領域人士的通常知識。又系爭專利發明說明已提 供明確且充分之揭露使所屬技術領域中具有通常知識者 ，依據發明說明之揭露來據以實施，並得以支持系爭專
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