最高法院民事判決 一○三年度台上字第二四○九號
上 訴 人 美商羅門哈斯研磨材料控股公司（Rohm and Haas
Electronic Materials CMP Holdings, Inc.）
法定代理人 Blake T.Biederman
訴訟代理人 黃麗蓉律師
馮達發律師
參 加 人 經濟部智慧財產局
法定代理人 王美花
被上訴人 美商奈平科技股份有限公司（NexPlanar Corpora-
tion）
法定代理人 黃衛
訴訟代理人 林秋琴律師
王仁君律師
徐瑞毅律師
上列當事人間侵害專利權有關財產權爭議等事件，上訴人對於中
華民國一○三年一月二十九日智慧財產法院第二審判決（一○二
年度民專上字第四六號），提起上訴，本院判決如下：
主 文
上訴駁回。
第三審訴訟費用由上訴人負擔。
理 由
本件上訴人主張：伊為證書號第一七六○七八號「化學機械平面化之拋光襯墊」（下稱系爭○七八專利）、證書號第○七五二二四號「用於磨光工作件表面之磨光片及其製造及使用方法」（下稱系爭二二四專利）發明專利之專利權人，專利權期間分別自民國九十二年四月二十一日起至一一○年五月二十四日止、八十四年十二月一日起至一○二年六月二十日止。被上訴人自一○○年九月九日起製造並販賣侵害系爭○七八專利申請專利範圍第一項及二二四專利申請專利範圍第一、八、十一、十三、十七、二十三項之S-Groove型、SXR-Groove型、E-Groove型及A-Groove型之研磨墊產品（下稱系爭四產品）；系爭二專利均無應撤銷之原因等情。爰依九十二年二月六日修正公布之專利法第八十四條第一項、一○○年十二月二十一日修正公布之專利法第九十六第一、二項規定，求為命被上訴人不得自行或委請他人製造、為販賣之要約、販賣、使用或為上述目的而進口系爭四產品；並應給付上訴人新台幣（下同）一千萬元及法定遲延利息之判決。被上訴人則以：系爭四產品並未侵害系爭二專利；系爭二專利有應撤銷之原因等語，資為抗辯。
原審以：本件涉訟之當事人，均為依美國法律設立之法人，本件為涉外民事事件，我國法院對之有國際裁判管轄權；系爭二專利
依我國專利法享有專利權，本件屬關於由侵害專利權行為而生之債，依涉外民事法律適用法第四十二條第一項規定，本件之準據法，應依我國之法律。
系爭○七八專利部分：
該專利之發明係關於在半導體元件製造期間用來拋光和／或平面化基板，特別是金屬或含金屬基板的拋光襯墊，係針對習知之用來拋光半導體元件或其先質表面的襯墊為改良對象。申請專利範圍共十項，其中第一、八項為獨立項，其餘為附屬項。被證十為西元一九九五年刊載於 Thin Solid Films 270（1995）WeidanLi. 等人之論文影本；被證十一為西元一九八三年出版之 JohnAklonis. et.al,「Introduction to Polymer Viscoelasticity」,Secibd Edition 之封面、版權頁及內頁第七至九頁影本。被上訴人於本件以「被證十、十一之組合」主張系爭○七八專利申請專利範圍第一項不具「進步性」，與訴外人智勝科技股份有限公司於該專利舉發N01 案，係以引證十九（即本件被證十）為獨立證據，並以引證十九之一（即本件被證十一）為補強證據，主張該專利申請專利範圍第一項不具「新穎性」，非屬同一事實及同一證據，法院應就此一爭點自為判斷，不受最高行政法院一○○年度判字第二二二三號確定判決之拘束。系爭○七八專利申請專利範圍第一項：「一種用來平面化一半導體元件或其先質表面之拋光襯墊，該襯墊之特徵為：一用來平面化該表面之拋光層，該層具有一在30℃到90℃時約為一到三. 六的E'比」。因記載於該專利說明書中與實施例有關之實驗數值，均以「在30℃和90℃」界定，故該專利申請專利範圍第一項之實質內容及主要技術特徵在於界定「在30℃和90℃時所測得之模數E'比」。上開「該層具有一在30℃到90℃時約為一到三. 六的E'比」，應解釋為「該層具有一在30℃和90℃時所測得之E'比值約為一到三. 六」。被證十第六○一頁「1.Introduction」左欄第一至六行、右欄第四至六行揭示有ICl000及SUBA IV研磨墊為最常被使用於VLSI（very large scale integrated circuits）的化學機械研磨（Chemical-mec hanical polishing, CMP）之研磨墊，揭露系爭○七八專利申請專利範圍第一項「一種用來平面化一半導體元件或其先質表面之拋光襯墊該襯墊之特徵」之「用途限定」技術特徵；被證十一係關於介紹聚合物黏彈性力學（Polymer Viscoelasticity）之教科書，於第七至九頁教示張力模數（tensile modulus,E）、剪力模數（shear modulus, G）及蒲松比（Poisson's ratio,μ）（註：有關「蒲松比」之符號，有使用「μ」者《如被證十一》，亦有使用「σ」者《如DMA983儀器》，並無特定）之定義及其間關係，雖被證十一未教示特別用於研磨墊，惟系爭○七八專利之研磨墊說明書第二一頁第一至四行記載：「儘管熱塑性
聚胺基甲酸酯（TPU'S ）實例被用來舉例說明本發明，但本發明並不限於TPU'S ，其他熱塑性或熱固性聚合物，諸如耐龍、聚酯、聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸酯等也都可以應用，只要可達成關鍵性質標準即可…」，亦即熱塑性聚胺基甲酸酯、聚酯等材料均為聚合物，可認該專利適用於被證十一所教示之聚合物黏彈性力學領域。故被證十、十一與系爭○七八專利均屬相關技術領域，是熟習化學機械研磨拋光墊技術者如欲解決拋光襯墊之問題時，有合理動機參考並組合被證十、十一所揭露之技術內容。有關將G'值換算成E'值之通常知識，被證十係使用TA公司之動態機械分析儀DMA983儀器，由被上訴人所提美國海軍大衛泰勒研究中心（David Taylor Research Center）於西元一九九○年一月出具之研究報告中圖二、六、八、十一亦揭示DMA983儀器之測試結果可以E'的型式呈現。又依上訴人所提之「美國陸軍研究、開發及工程中心（US Army Research,Development and Engineering Center） 」於西元一九九六年一月所出具之研究報告，其中第二頁揭露DMA983儀器所計算之E'、E"、G'、G"數值，第一七頁附錄（APPENDIX）亦記載「E'=2(1+σ)G' 」。另由上訴人所提TA 公司於西元一九九一年十二月發行之DMA983軟體使用操作手冊第A-8 頁明確記載G'之公式（其中以β為參數）及E'=2(1+σ)G'，且第A-7頁記載參數β的定義即包含蒲松比σ，是DMA983 儀器之軟體程式在以量測數值計算樣品G'值時，已包含預設的蒲松比（σ），在計算樣品G'值時，亦同時可計算出樣品的E'值。此外，TA公司於西元一九九○年就DMA983儀器之應用說明資料記載使用DMA983儀器可獲得E'值，且上證一、上證一之一第二頁所載之DMA983儀器計算獲得E'、E"、G'、G"數值，是以使用動態機械分析儀（如DMA983儀器）量測聚合物之E'或G'值，乃系爭○七八專利申請前的通常知識。因此，被證十使用DMA983儀器對IC1000拋光墊、SUBA Ⅳ 拋光墊量測G'，並將其蒲松比假設為○. 五，故熟習該項技術者就被證十所揭示之G'值，參酌上述該領域申請前的通常知識，可以換算出得到E'值。又被證十第六○三頁第3.3 節溫度效應（The temperature effect）第一段第八至十一行揭示當溫度自30℃升高至90℃時之G'，IC1000 拋光墊降低約三倍，SUBA IV拋光墊則僅降低約一. 五倍，第六○四頁左欄第四圖（Fig.4 ）揭示有ICl000及SUBA IV研磨墊的剪力能量儲存模數G' 與在溫度30 ℃至90℃間的關係圖，可因此得出IC1000拋光墊及SUBA IV拋光墊G'30/ G'90分別為三及一. 五。被證十一第九頁記載張力模數E、剪力模數G及蒲松比μ三者間之關係為E=2( 1+μ)G （式子2-7 ）。從而，系爭○七八專利申請專利範圍第一項與被證十之差異僅在於界定研磨墊動態機械性質參數的不同（E'、G'），熟習化學機械研磨技術者自被證十、十一，運用系爭○七八專利申
請前既有之技術或知識，即可換算推論該專利申請專利範圍第一項所請之E'值，可依設計需要或從有限的動態機械性質參數選項中而選用聚合物之E'或G'值來界定研磨墊，可輕易完成該專利申請專利範圍第一項。由於E'與G'係線性（linear）黏彈性（viscoelasticity ）力學所探究之領域，無論溫度是30℃或90℃，均應遵守線性黏彈性之理論，故被證十一所揭示之關係（E'30/E'90= [G'30× (1+μ30)] /[ G'90× (1+μ90)]，或 E'30/E'90=[G'30/G'90×[(1+μ30)/ (1+μ90)] ）仍應適用線性黏彈性之理論。對熟習該項技術者而言，在動態機械分析的試驗溫度範圍內，蒲松比（μ）雖隨溫度變化而變化，仍應介於一定的數值範圍內，始能適用線性黏彈性的理論。如原審判決附表（下稱附表）二至四所示之列表分析，在μ30與μ90均介於○～○. 五範圍時，（1+μ30）/（1+μ90 ）之值介於○. 六～一. 六七（如附表二所示），再配合上述關係式及被證十所記載之G'比值，可得出IC1000及SUBA IV拋光墊E'30/E'90分別為介於二. ○～四. 五○及一. ○～二. 二五（如附表四、三所示），在附表三、四所示之七二個可能的數值中有六十六個（以灰色網底標示者，比例高達百分之九十二）介於系爭○七八專利申請專利範圍第一項所請之一～三. 六間。因此，即使在蒲松比（μ）非為定值的情形下，熟習該項技術者為解決化學機械研磨拋光襯墊拋光後因凹化作用所發生的橫跨金屬結構厚度各處差異問題，有合理動機參酌被證十所揭示之剪力能量儲存模數G'的比值，再依被證十一所揭示之張力模數E、剪力模數G及蒲松比（μ）之關係 E=2(1+μ)G （式子2-7 ），在線性黏彈性之理論下，經由邏輯分析、推理，即可合理預期系爭○七八專利申請專利範圍第一項所請之E'的比值範圍，可輕易完成該專利申請專利範圍第一項之技術內容。參酌被證十一第七頁下方之說明（如附表六所示），應力（stress）及應變（strain）係定義在很小變形量之情形，如此受力變形後樣品的斷面積與變形前樣品的斷面積本質上應相等，亦即在小變形量之情況，始會適用被證十一於其後所推導出之E、G、蒲松比（μ）及E=2(1+μ)G 等公式。從而被證十第四圖既已在攝氏 30度至90度的溫度範圍中求得一系列G'值，即隱含其係適用被證十一所教示的小變形量情形，在小變形量情形推導出之蒲松比（μ）換算公式自亦在適用之範圍內，亦即在攝氏30度及90度時均應適用黏彈性力學之假設。被證十一已教示G(G')、E(E')、E=2(1+u)G均定義在小變形量情形，且被證十已揭示G' ，因被證十係適用小變形量情形，即可得知 E=2(1+μ)G 亦會適用於被證十。準此，被證十揭露適用於VLSI化學機械研磨之ICl000及SUBA IV 研磨墊之剪能量儲存模數G'與溫度關係圖，且被證十一所揭示之張力模數E、剪力模數G及蒲松比（μ）之關係E=2( 1+μ)G （式子
2-7 ），熟習該項技術者有合理組合被證十、十一之動機，運用系爭○七八專利申請前既有之有關技術或知識，予以邏輯分析、推理或試驗，可合理預期由被證十之G'比值而得該專利申請專利範圍第一項所請之E'比值範圍，促使熟習該項技術者組合被證十、十一，輕易完成該專利申請專利範圍第一項之技術內容。經整體技術特徵比對，系爭○七八專利申請專利範圍第一項之主要結構與技術已為被證十、十一之組合所揭示，係運用申請前既有之技術或知識，而為熟習該項技術者所能輕易完成，不具有進步性。
系爭二二四專利部分：
該專利係有關浸注著聚合微體的聚合物基質及其製備和使用方法，係針對習知之聚合物磨光片為改良對象。申請專利範圍共三十五項，其中第一、八項為獨立項，其餘為附屬項。相關圖式如原審判決附圖（下稱附圖）一所示。被證二十為Rodel 公司型錄，右上方載有「ROdeL」字樣，右下方載有「12/91」、電話及傳真號碼，左下方載有「Ⓒ1991 Rodel」字樣，為Rodel 公司於西元一九九一年發行，其公開日早於系爭二二四專利之申請日（八十二年六月二十一日）；被證二十二為西元一九九○年九月十四日公開之日本平0-000000「研磨バツド」專利暨中譯文；被證二十三為西元一九九三年五月二十五日公開之美國第5,212,910號「Composite polishing pad for semiconductor process 」專利暨中譯文。被證二十二雖為系爭二二四專利舉發N01 案之舉發證據，經審查確定舉發不成立，惟被上訴人於本件民事訴訟，係以IC1000拋光墊（被證二十）、被證二十二之組合；IC1000拋光墊（被證二十）、被證二十二、被證二十三之組合等引證，主張系爭二二四專利申請專利範圍第一、八、十一、十三、十七、二十三項不具進步性，不同於原審定之單獨被證二十二。系爭二二四專利申請專利範圍第一項：「一種用以磨光一工作件之表面的磨光片，該磨光片包含浸漬有多數個大體上為撓性之聚合微體的聚合物基質，各聚合微體內部都具有中空空間，該磨光片具有一操作表面及一緊貼該操作表面的次表面，該聚合微體之一部分係在該操作表面上且曝露於一操作環境中，該聚合微體之另一部分係嵌在該磨光片中而未曝露於該操作環境中，其中當該磨光片與該操作環境接觸時，由於在該操作表面上之該聚合微體的該部分之曝露於該操作環境中，在該磨光片操作表面之該聚合微體會比嵌在該次表面內的聚合微體較不堅硬，導致該操作表面比該次表面更軟，且在該操作表面中之該基質與該聚合微體二者皆使該工作件完成磨光」。被證二十第一至八行載有型號「IC」產品為具有微孔之聚胺基甲酸酯研磨墊，其係被設計成具有適當硬度及最小壓縮性之研磨墊，特別適用於製造平坦、精密磨光表面需求的產
品，其微孔可以有效地搭配研磨粒子進行研磨來減少工作件表面刮傷，且提供最佳之拋光效果，並於中央的產品內容表（IC TYPICAL PROPERTIES）揭示有型號「IC」系列之產品（包含型號「IC1000」 之產品）的厚度、蕭式硬度（Shores hardness）及比重，是被證二十之「型號為IC1000之研磨墊產品」，已揭露系爭二二四專利申請專利範圍第一項之「一種用以磨光一工作件之表面的磨光片」技術特徵。又該專利說明書第十頁第三段第三至四行記載：磨光片之聚合基質14可用聚胺基甲酸酯樹脂、聚酯等，而被證二十之聚胺基甲酸酯研磨墊相當於該專利申請專利範圍第一項之「聚合基質」。被證二十二說明書第四五五頁左上欄第十行至右上欄第十四行揭示研磨墊製法：「將發泡聚胺基甲酸酯材料中填充微粒…藉由混練機或分散機使該微粒均勻分散，最後將製得之含有微粒之發泡聚胺基甲酸酯樹脂塊體加工切成片狀，形成厚度○. 三～二毫米之片料，作成研磨墊」，是被證二十二填充有「微粒」之「發泡聚胺基甲酸酯」所構成之研磨墊，可對應於系爭二二四專利申請專利範圍第一項所請浸漬有「聚合微體」之「聚合物基質」所構成之磨光片。系爭二二四專利申請專利範圍第一項所請為具有中空空間聚合微體，且說明書第十一頁第十一行明確揭示：「…適當的聚合微體包括無機鹽類，糖類和水溶性膠與樹脂。…」。被證二十二說明書第四五五頁左上欄第十至十六行記載「…高純度合成二氧化矽材料，如空心（中空）球狀二氧化矽…」，揭示微粒子的狀物的例示選用材料，其中高純度合成氧化矽之中空球狀氧化矽微粒亦可視為聚合微體之一種，自可對應系爭二二四專利申請專利範圍第一項之「內部具有中空空間聚合微體」技術特徵。被證二十二之研磨墊係由含有微粒之發泡聚胺基甲酸酯樹脂塊體加工切成片狀後所製得，是該片狀體之表面即相當於系爭二二四專利申請專利範圍第一項之「操作表面」，且被證二十二之片狀體表面以下的部分（下稱「次表面」）即相當於系爭二二四專利申請專利範圍第一項之「緊貼操作表面之次表面」，故被證二十二具有與系爭二二四專利相同之「在該操作表面中之該基質與該聚合微體二者皆使該工作件完成磨光」技術特徵。有關「該操作表面比該次表面更軟」之技術特徵，系爭二二四專利說明書第二十頁第十八至二十一行記載：「…緊貼操作面18的至少一部份聚合微體16之一部份殼層20可能經由削片，磨蝕，切割和穿刺一部份的殼層20或將一部份殼層20經由化學變更或軟化等而使得操作面18上的一部份聚合微體比次表面24中的微體16較不堅硬。…」；第二十一頁第二十至二十四行亦記載：「…將緊貼操作面18的至少一部聚合微體16的至少一部份殼層20打開之步驟，使得打開的微體16' 比在次表面24內的微體16較不堅硬。打開聚合微體的步驟可包括將一部份該微體16的每個殼
層20予以削片，磨蝕，切割和穿刺等中的至少一種方式。…」。而被證二十二說明書第四五六頁「發明の效果」段明確揭示該發明之拋光墊與工作件接觸表面的磨耗微小，且可增加工作件平坦度等功效。此外，依被證二十二說明書第四五五頁左上欄第十行至右上欄第十四行所述之製造方法，於發泡聚胺基甲酸酯樹脂塊體加工切片過程中，位於片狀體表面之中空球狀氧化矽微粒之殼層結構自會受破壞，是相較於次表面之氧化矽微粒（完整狀），位於表面者（破開狀）自然較不堅硬。是被證二十二之製作過程中，不論係在經過加工切成片狀的過程，或在用以實施研磨工作件之表面過程，該微粒必然會有磨蝕，均符合系爭二二四專利說明書上述之過程，自可獲得該專利說明書及申請專利範圍第一項所載較不堅硬之結果。再者，參酌系爭二二四專利說明書第十三頁第十六至二十二行明確揭示：「本發明的一項優點為在物件10與操作環境接觸時，位於物件10操作表面18的聚合微體16' 會比包埋在次表面24內的聚合微體16較不堅硬。此外，較不堅硬的聚合微體16' 對於聚合物基質14中包圍較不緊固的微體之部份15提供較少支撐，因而減低包圍住該聚合物基質部份15的基質之有效堅硬度。因此，在物件10中創造出至少兩種硬度水平，操作表面18通常比次表面24較為軟」，是以該專利之操作表面比次表面較為軟之原因，在於聚合微體變得較不堅硬，因此減低對包圍其之聚合物基質的支撐，故減低對包圍其之聚合物基質的有效堅硬度。被證二十二如上所揭示之中空球狀氧化矽微粒在經過加工切成片狀或是實施研磨工作的過程中，均會遭破壞而變得較不堅硬，自亦使得包圍在其周圍之基質變軟。因此，被證二十二雖未明確揭示位於表面者較不堅硬之結果，但其在加工或是實施研磨的過程中微粒亦遭破壞，相同於系爭二二四專利說明書所述打開聚合微體之步驟，被證二十二自亦可以達到該專利申請專利範圍第一項所載之較不堅硬及操作表面比該次表面更軟之目的、功效及結果。從而，熟習該項技術者由被證二十二研磨墊之製法自可得知被證二十二之研磨墊具有同於系爭二二四專利申請專利範圍第一項所界定之「在該操作表面上之該聚合微體的該部分之曝露於該操作環境中，在該磨光片操作表面的該聚合微體會比嵌在該次表面內的聚合微體較不堅硬，而導致該操作表面比該次表面更軟」技術特徵。準此，被證二十係被設計成具有適當硬度及最小壓縮性的研磨墊，特別適用於製造平坦、精密磨光表面需求之產品，被證二十二之發明名稱即為「研磨墊」，系爭二二四專利之發明名稱為「磨光片」，故三者之技術領域屬於相同的用於磨光工作件表面的磨光墊之技術領域，而系爭二二四專利申請專利範圍第一項「聚合微體」、「聚合物基質」、「操作表面」及「次表面」共構之磨光片結構已見於被證二十二之研磨墊，被證二十亦已
揭露系爭二二四專利申請專利範圍第一項之「聚合物基質」，且熟習該項技術者將被證二十二所揭示之具中空球狀氧化矽之技術，組合IC1000拋光墊（被證二十）具微孔之聚胺基甲酸酯研磨墊，可以獲得被證二十所教示之減少工作件表面刮傷，且提供最佳的拋光效果，以及如被證二十二說明書第四五六頁「發明の效果」所教示之拋光墊與工作件接觸表面的磨耗微小及增加工作件平坦度等功效。雖系爭二二四專利申請專利範圍第一項進一步界定其聚合微體「大體上為撓性」，惟該差異並未產生無法預期之功效，亦無法具體區隔與先前技術之差異，難謂該專利申請專利範圍第一項非運用申請前既有之技術或知識，而為熟習該項技術者所能輕易完成者。是IC1000拋光墊（被證二十）、被證二十二之組合足以證明該專利申請專利範圍第一項不具進步性。系爭二二四專利申請專利範圍第八項為直接依附於第一項獨立項之附屬項：「如申請專利範圍第一項所述之磨光片，其中該聚合微體各具有小於一五○微米的平均直徑」。因IC1000拋光墊（被證二十）、被證二十二之組合足以證明系爭二二四專利申請專利範圍第一項不具進步性，且被證二十二揭示之微粒直徑為三○○微米以下，而該專利申請專利範圍第八項係界定平均粒徑小於一五○微米，二者界定方式雖有不同，然在同屬數百微米級範圍內改變微粒直徑大小，對熟習該項技術者而言並無困難。況該專利並未說明或以實施例佐證在該聚合微體平均粒徑範圍，對磨光片之功效及影響是無法預期的等情，故IC1000拋光墊（被證二十）、被證二十二之組合亦可證明該專利申請專利範圍第八項不具進步性。系爭二二四專利申請專利範圍第十一項為直接依附於第一項獨立項之附屬項：「如申請專利範圍第一項所述之磨光片，其中該聚合微體之至少一部份之形狀大體上為球形」。因IC1000拋光墊（被證二十）、被證二十二之組合足以證明系爭二二四專利申請專利範圍第一項不具進步性，且被證二十二已揭露中空球狀氧化矽微粒，可知其亦應大體上呈球形。故IC1000拋光墊（被證二十）、被證二十二之組合亦可證明該專利申請專利範圍第十一項不具進步性。系爭二二四專利申請專利範圍第十三項為直接依附於第一項獨立項之附屬項：「如申請專利範圍第一項所述之磨光片，其中該聚合微體之至少一部份具有可穿透的殼層使得該中空空間可開放於該操作環境」。因IC1000拋光墊（被證二十）、被證二十二之組合足以證明系爭二二四專利申請專利範圍第一項不具進步性，且被證二十二之加工切片過程，即其說明書即被證二十二說明書第四五五頁左上欄第十行至右上欄第十四行所揭示之研磨墊製法：「將發泡聚胺基甲酸酯材料中填充微粒…藉由混練機或分散機使該微粒均勻分散，最後將製得之含有微粒之發泡聚胺基甲酸酯樹脂塊體加工切成片狀，形成厚度○. 三～二毫米之片料，
作成研磨墊」。是以被證二十二使用之材料（中空狀聚合微體），經過相同的加工程序步驟（即切片），可以推知其能產生與系爭二二四專利相同之結果。故IC1000拋光墊（被證二十）、被證二十二之組合亦可證明該專利申請專利範圍第十三項不具進步性。系爭二二四專利申請專利範圍第十七項為直接依附於第一項獨立項之附屬項：「如申請專利範圍第一項所述之磨光片，其中該操作表面更包含一與該磨光片成一體的微型組織，該微型組織內含具有寬度小於一千微米之人造點」。因IC1000拋光墊（被證二十）、被證二十二之組合足以證明系爭二二四專利申請專利範圍第一項不具進步性，且被證二十三說明書第五欄第四十二至四十七行已揭示：拋光墊（polishing pad ），亦已揭示利用鋸刀或化學蝕刻等方法於拋光墊上形成一人造點組織（ tiles pattern），包含相距一厘米寬之通道（channel）26及被通道26 所區隔之人造點（tiles ）25。被證二十三名稱為「供半導體製程之複合拋光墊」，與被證二十、二十二、系爭二二四專利係屬相同的用於磨光工作件表面的磨光墊之技術領域，對熟習系爭二二四專利技術者而言，組合上述相同技術領域之先前技術（被證二十、二十二、二十三）而完成系爭二二四專利申請專利範圍第十七項之發明應無困難。故IC1000拋光墊（被證二十）、被證二十二、二十三之組合可證明該專利申請專利範圍第十七項不具進步性。系爭二二四專利申請專利範圍第二十三項與第一項技術內容之差異僅在於第二十三項更包含有「該組織化之操作表面與該磨光片及在該操作表面上之該聚合微體之該部分成一體且包括一人造點」之技術特徵。因IC1000拋光墊（被證二十）、被證二十二之組合足以證明系爭二二四專利申請專利範圍第一項不具進步性，而熟習該項技術者得運用系爭二二四專利申請前既有之技術或知識（即IC1000拋光墊《被證二十》、被證二十二），能輕易完成系爭二二四專利申請專利範圍第二十三項中與第一項相同之技術特徵。另被證二十三說明書第五欄第四十二至四十七行亦已揭示：拋光墊，以及利用鋸刀或化學蝕刻等方法於拋光墊上形成一人造點組織，包含相距一厘米寬之通道26、及被通道26所區隔之人造點25。被證二十、二十二、二十三與系爭二二四專利係屬相同的用於磨光工作件表面的磨光墊之技術領域。對熟習系爭二二四專利技術者而言，組合上述相同技術領域之先前技術（IC1000拋光墊《被證二十》、被證二十二、二十三），完成系爭二二四專利申請專利範圍第二十三項之發明應無困難。故IC1000拋光墊（被證二十）、被證二十二、二十三之組合亦可證明該專利申請專利範圍第二十三項不具進步性。經整體技術特徵比對，系爭二二四專利申請專利範圍第一、八、十一、十三、十七、二十三項之主要結構與技術已分別為IC1000拋光墊（被證二十）、被證二十二
之組合；IC1000拋光墊（被證二十）、被證二十二、二十三之組合所揭示，係運用申請前既有之技術或知識，而為熟習該項技術者所能輕易完成，不具有進步性。綜上所述，系爭○七八專利申請專利範圍第一項有違九十年十月二十四日修正公布之專利法第二十條第二項規定；二二四專利申請專利範圍第一、八、十一、十三、十七、二十三項有違八十三年一月二十一日修正公布之專利法第二十條第二項規定，均有應撤銷之原因，依智慧財產案件審理法第十六條第二項規定，上訴人於本件民事訴訟中不得對於被上訴人主張系爭二專利之權利。故上訴人依九十二年二月六日修正公布之專利法第八十四條第一項、一○○年十二月二十一日修正公布之專利法第九十六第一、二項規定，請求被上訴人不得自行或委請他人製造、為販賣之要約、販賣、使用或為上述目的而進口系爭四產品，並請求被上訴人應給付一千萬元本息，均無理由，不應准許。原審因而維持第一審所為上訴人敗訴判決，駁回其上訴。經核於法並無違誤。上訴意旨，徒就原審取捨證據、認定事實之職權行使，指摘原判決違背法令，聲明廢棄，非有理由。末查當事人在第三審不得提出新攻擊防禦方法，上訴人上訴論旨謂：因被證十一僅適用於等向性材料（isotropi csolid ），而被證十並未揭示IC1000拋光墊及SUBA IV 拋光墊為等向性材料，無從適用被證十一之公式云云，核係新攻擊方法，本院依法不得予以斟酌，併此敘明。
據上論結，本件上訴為無理由。依民事訴訟法第四百八十一條、第四百四十九條第一項、第七十八條，判決如主文。中 華 民 國 一○三 年 十一 月 十九 日
最高法院民事第一庭
審判長法官 劉 福 來
法官 高 孟 焄
法官 李 文 賢
法官 詹 文 馨
法官 邱 瑞 祥
本件正本證明與原本無異
書 記 官
中 華 民 國 一○三 年 十二 月 二 日
Ｑ
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