發明專利舉發
智慧財產法院(行政),行專訴字,102年度,35號
IPCA,102,行專訴,35,20130807,3

智慧財產法院行政判決
102年度行專訴字第35號
民國102年7月3日辯論終結
原 告　群成科技股份有限公司
代　表　人　卓恩民　　　
輔 佐 人　邱伯縣　　　
訴訟代理人　江國慶專利師
　黃宜婷律師
被 告　經濟部智慧財產局
代　表　人　王美花（局長）
訴訟代理人　簡信裕　　　
參 加 人　米輯電子股份有限公司
代　表　人　麥瑞達 　　
訴訟代理人　張哲倫律師
　陳佳菁律師
　蕭輔寬專利代理人
上列當事人間因發明專利舉發事件，原告不服經濟部中華民國10
2 年1 月10日經訴字第10106116160 號訴願決定，提起行政訴訟
，本院判決如下：
　　主 文
原告之訴駁回。
訴訟費用由原告負擔。
　　事實及理由
一、事實概要：訴外人○○○○○○○○○○前於民國90年12月 31日以「晶片封裝結構及其製程」向被告申請發明專利，經 被告編為第90133195號審查，准予專利，並於公告期滿後， 發給發明第503496號專利證書（下稱系爭專利，主要圖式如 附圖一所示），嗣經申准將系爭專利讓與參加人。其後訴外 人○○○○○○○○○○（下稱○○公司）以系爭專利有違 核准時專利法第20條之1 規定，不符發明專利要件，對之提 起舉發，參加人遂於101年4月6日提出系爭專利申請專利範 圍更正本，經被告審認該更正本應准予更正，且舉發證據不 足以證明系爭專利更正本有違前揭規定，乃以101年8月17日 （101）智專三（二）04069字第10120840210號專利舉發審 定書對○○公司為「舉發不成立」之處分，○○公司不服， 提起訴願，並於訴願期間之101年10月15日向被告陳報其已 於101年5月31日與原告合併，原告為存續公司等情。而後經 濟部於102年1月10日就上揭訴願仍以經訴字第10106116160 號為「訴願駁回」之決定，原告不服該訴願決定，遂向本院 提起行政訴訟。本院認本件判決之結果，將影響參加人之權



利或法律上之利益，依職權命參加人獨立參加本件訴訟。二、原告主張：
（一）系爭專利已為中華民國發明第531854號專利（下稱原證4 ，主要圖式如附圖二所示）（卷附原證5至原證9得作為證 明、建構系爭專利申請時之通常知識；原證12則為原證4 說明書第6頁所載之先前技術）所揭示而擬制喪失新穎性 ：
１、系爭專利之「晶片(120)、金屬墊(126)、導電插塞(142b) 、圖案化導電層(144)、貫孔(142a)、介電層(146)」技術 特徵已為原證4之「晶粒(2a)、鋁墊(4)、銲錫(12)、銅導 線(14)、第三開口(15)、環氧樹脂(16)」所揭露，而系爭 專利申請專利範圍第1、2項（第1E圖）與原證4（圖11） 所附說明書或圖式載明之內容相同。
２、系爭專利申請專利範圍第1、2項之銅質圖案化導線層及導 電插塞已被原證4的銅導線及銲錫所揭示：
　⑴系爭專利申請專利範圍第1、2項並未界定銅為貫孔內之材 料：
　更正後系爭專利申請專利範圍第1 、2 項僅界定「圖案化 導線層……穿過該介電層之該些貫孔」和「該圖案化導線 層之材質為銅」，惟並未界定圖案化導線層如何穿過介電 層。而依系爭專利說明書第11頁第12至18行所載「亦可在 第1C圖之貫孔142a內預先填入導電材料，例如填入導電膠 而形成導電插塞142b，故無論是利用部分圖案化導線層14 4之導電材料直接填入貫孔142a之內，或是預先在貫孔142 a填入導電材料而形成導電插塞142b之後，再形成圖案化 導線層144，均可使得圖案化導線層144將可電性連接至晶 片120上的金屬墊126」等語，可知系爭專利之圖案化導線 層也可能是透過一導電膠穿過介電層，亦即系爭專利申請 專利範圍第1項之貫孔內部分（導電插塞）的材料可以是 一導電膠。因此，系爭專利申請專利範圍第1項並未界定 貫孔內材料之差異，而與原證4在貫孔內材料上並無差異 。此外，不論銅與錫之特性是否不同又是否互為上下位概 念，在半導體封裝領域中，圖案化導線層及貫孔內的導電 插塞之功能本在電性連接，為所屬技術領域之習知技術， 不論使用銅材料，抑或錫，均以達成電性連接為其技術目 的，而銅與錫均為所屬技術領域習知之電性連接材料。因 此，不論以銅或以銲錫作為圖案化導線層或作為貫孔內的 導電插塞的材料，皆為所屬技術領域所習知。
　 ⑵系爭專利申請專利範圍第1、2項貫孔內的銅可被原證4之 銲錫(12)直接置換：




　被告認定系爭專利申請專利範圍第1 項已界定「銅為貫孔 內之材料」，是依據系爭專利說明書第11頁第9至12行記 載「部分圖案化導線層144之導電材料將直接填入貫孔142 a之內，用以形成導電插塞（Via）142b，其中例如以銅（ Cu）作為圖案化導線層144之材質」等語，然被告亦承認 系爭專利說明書中仍有其他「導電膠為貫孔內之材料」的 態樣，則依據系爭專利申請專利範圍第1項的敘述參酌說 明書既然有可能得出「導電膠為貫孔內之材料」，證明「 銅為貫孔內之材料」實質上未界定於系爭專利申請專利範 圍第1項中，自不能作為系爭專利區別於原證4的技術特徵 。又在不具有此一技術特徵的情況下，系爭專利申請專利 範圍第1項已被原證4所揭示。且系爭專利說明書舉出「導 電膠為貫孔內之材料」和「銅為貫孔內之材料」2種態樣 ，證明導電膠和銅可互相替換，又其共通性僅在於「能導 電」，證明只要是具有導電性的材質皆可直接置換銅。因 此，原證4之銲錫能導電，即能直接置換系爭專利申請專 利範圍第1項之銅，而不論是否具有不同的特性或不同的 導電性。
　⑶原證4發明背景所列之美國專利U.S.Patent No.0000000 　，發明名稱為Metal Ball Grid Array Package with　 Improved Thermal Conductivity 已揭示銅作為貫孔內之 材料：
上開美國專利為原證4 之參考文件，自應視為引證文件之 一部分，屬單一文件所揭露之先前技術。而參酌該美國專 利圖15及其說明已明白揭示「A conductive via 148 is formed through the base 122.…The hole is then filled with a conductive material such as a solder ,silver filled polymer or a copper terminal pin. 」等語，亦即銅可作為貫孔內之材料，顯見原證4 確可證 明系爭專利申請專利範圍第1、2項擬制喪失新穎性。 ３、系爭專利申請專利範圍第1、2項之被動元件已被原證4所 揭示：
　⑴系爭專利申請專利範圍第1、2項未界定「被動元件不是相 　對於圖案化導線層本身之一外加元件」：
　　①被告將系爭專利申請專利範圍第1、2項之更正「該被動 元件係由該圖案化導線層之部分結構所構成」解讀為「 被動元件係由圖案化導線層本身之部分結構所構成，並 非一外加元件」，此與系爭專利說明書的內容不同。參 照系爭專利說明書第23至24頁所載「接著請同樣參考第 6圖，外部線路642更包括至少一被動元件（Passive



Device）644，例如電容（Capacitor）、電感（ Inductor）及電阻（Resistor）等元件，而被動元件64 4係可配置於單層圖案化導線層642a上，或兩層相鄰之 圖案化導線層642a之間。……可將被動元件644（如電 阻材料）利用印刷或其他方式，配置於圖案化導線層64 2a之兩接點間」等語，可知系爭專利說明書僅說明被動 元件配置於圖案化導線層之上，並未敘明被動元件不是 相對於圖案化導線層本身之一外加元件。
　　②至於系爭專利說明書第24頁所述之「如第10B 圖所示，　　　　在兩層圖案化導線層642a之板狀接點間配置一絕緣材料　　　　646，因而形成被動元件644（如電容），其中可以原先 的介電層（未繪示）來代替絕緣材料646」等語可知，　　　 由於被動元件644所含的絕緣材料646或介電層係不同於　　　　圖案化導線層642a的導電材料，推知被動元件在製程中 必須外加，因此被動元件應為一外加元件。
　⑵系爭專利說明書未敘明被動元件是在何處形成，就無法證 　明被動元件不是「外加元件」：
系爭專利說明書第24頁所述之「如第10A 圖所示，直接利 用單一圖案化導線層642a之梳狀結構來形成被動元件644( 如梳狀電容) ……或如第11A 圖所示，利用單層圖案化導 線層642a之圓形螺旋狀結構或方形螺旋結構（未繪示）來 形成被動元件644（如電感），或如第11B圖所示，利用雙 層圖案化導線層642a之斜線結構及多根導電插塞642b來包 覆並環繞一絕緣材料646，而形成柱狀之被動元件644（如 電感），或如第11C圖所示，同樣利用雙層圖案化導線層 之斜線結構及多根導電插塞來包覆並環繞一絕緣材料646 ，而形成環狀之被動元件644（如電感），故可利用上述 等結構，將原本銲接於晶片封裝結構上的被動元件，加以 整合至晶片封裝結構之內部」等語，其中並未說明梳狀結 構或方形螺旋狀結構是在何處形成，亦未說明其如何將被 動元件整合至晶片封裝結構之內部，因此梳狀結構或螺旋 狀結構亦可能是在外部另外形成後才移置於圖案化導線層 上，即使其可稱為圖案化導線層之部分，但仍屬於外加元 件。
　⑶由前述可知，被告及參加人對於系爭專利申請專利範圍第 　1、2項「被動元件係由圖案化導線層之部分結構所構成」 之解讀，並未獲得系爭專利說明書所支持，由此可知被動 元件仍為圖案化導線層之外加元件，故系爭專利申請專利 範圍第1、2項「被動元件」之技術特徵已為原證4所揭示 而擬制喪失新穎性。何況，系爭專利申請專利範圍第1、2



項之積層線路層配置於晶片時有可能繞線至晶片之側邊， 被動元件因而有可能位於晶片之側邊，未必一定位於晶片 上方，況被動元件位於晶片之上方或側邊等不同之相對位 置，並不因此有任何功效之改變。是以，該發明所屬技術 領域者皆可依通常知識將晶片位置進行置換，但不因此置 換而對於整體技術產生不同功效，仍屬直接且無岐異之置 換，系爭專利申請專利範圍第1、2項擬制喪失新穎性，仍 屬無疑。
（二）聲明：
１、訴願決定及原處分均撤銷。
２、被告應作成舉發成立撤銷系爭專利之處分。三、被告抗辯如下：
（一）原證4與系爭專利申請專利範圍第1、2項之差異： １、系爭專利申請專利範圍第1、2項之圖案化導線層之材質為 銅，而原證4之圖案化導線層係由銅導線(14)與銲錫(1 2) 所構成：
系爭專利申請專利範圍第1、2項已載明「……其中該積層 電路層至少包括一圖案化導線層及一介電層，而該介電層 係配置於該陶磁基板及該晶片上，其中該介電層具有複數 個貫孔，且該圖案化導線層係配置於該介電層之上，並穿 過該介電層之該些貫孔而電性連接該晶片之該些金屬墊， 其中該圖案化導線層係構成外部線路及形成外部線路接合 墊，該外部線路更包含至少一被動元件，其中該被動元件 係由圖案化導線層之部分所構成，其中該圖案化導線層之 材質為銅」等語，故由系爭專利上開申請專利範圍記載， 可知其中圖案化導線層包含配置於介電層之上並穿過貫孔 而連接至晶片金屬墊之結構，且該結構之材質均為銅，此 可見於系爭專利圖式第1D圖及說明書第11頁第6至13行所 記載之實施態樣，故系爭專利申請專利範圍第1、2項之圖 案化導線層係配置於介電層之上並穿過貫孔而連接至晶片 金屬墊之材質均為銅，與原證4所揭示之圖案化導線層係 由銅導線14透過銲錫12連接至鋁墊4所構成之線路層，兩 者之材質即有不同，因原證4未揭示以銅作為貫孔內之材 料，故系爭專利申請專利範圍第1、2項非發明所屬技術領 域中具通常知識者依據原證4能直接且無歧異得知，且銅 與銲錫兩者間亦非上下位概念。再者，原證4之銲錫可當 作一緩衝區，減少不同層之間不同材質所引發的應力不平 衡問題，益證原證4之銲錫與系爭專利之銅金屬具有不同 特性，導電性亦不同，故申請專利範圍第1、2項之銅亦非 由原證4之銲錫所能直接置換。




２、原證4之晶粒電容係外加於晶片之側邊，該晶粒電容係外 加於圖案化導線層之元件，與系爭專利申請專利範圍第1 、2項之被動元件係由圖案化導線層之部分結構所構成， 兩者之位置分佈及技術手段及結構均不同：
依據申請專利範圍第1 、2 項所載：「該外部線路更包含 至少一被動元件，其中該被動元件係由圖案化導線層之部 分所構成」等語，並參酌說明書第24頁第15至25頁第10行 揭示「被動元件644 可配置於單層圖案化導線層642a上， 或兩層相鄰圖案化642a之間，如第9A、9B圖所示，可將被 動元件644(如電阻材料) 利用印刷或其他方式，配置於圖 案化導線層642a之兩接點，或是如第10A 圖所示，直接利 用單一圖案化導線層642a之梳狀結構來形成被動元件，… …或如第11A圖所示是利用單層圖案化導線層642a之圓形 螺旋狀結構或方形螺旋結構來形成被動元件」等語，可知 系爭專利申請專利範圍第1、2項之被動元件係由圖案化導 線層本身或由圖案化導線層本身結合介電層來達成，因圖 案化導線層係位於晶片之上，故系爭專利之被動元件係位 於晶片之上。而原證4揭示之晶粒電容係外加於晶片之側 邊，兩者之被動元件之配置位置即有差異，且原證4之該 晶粒電容係一外加元件，並非由圖案化導線層之部分所構 成，故原證4之晶粒電容與系爭專利申請專利範圍第1、2 項被動元件係由圖案化導線層之部分結構所構成（即被動 元件係由圖案化導線層本身之部分結構所構成，並非一外 加元件），兩者之技術手段及結構亦不同，非參酌引證文 件即能直接置換。
３、綜上，原證4尚難證明系爭專利申請專利範圍第1、2項擬 制喪失新穎性。
（二）聲明：原告之訴駁回。
四、參加人則辯稱：
（一）系爭專利所請發明相較於原證4具新穎性： １、系爭專利所請封裝結構中之圖案化導線層及介電層貫孔內 之材質（插塞）俱為銅材料，並且同時成形；原證4 則係 採用銅、銲錫分層結構，並且在銅、銲錫之間存在鎳/ 銅 或鈦銅層（銅種子層）：
　⑴系爭專利所請封裝結構係包含一積層線路層，該積層線路 　層至少包括一圖案化導線層及一介電層，而該介電層係配 置於矽基板及晶片之上，其中該介電層具有複數個貫孔， 且該圖案化導線層係配置於該介電層之上，並穿過該介電 層之該些貫孔而電性連接該晶片之該些金屬墊，其中該圖 案化導線層係構成外部線路及形成該外部線路之接合墊，



該外部線路更包括至少一被動元件，其中該被動元件係由 該圖案化導線層之部分結構所構成，其中該圖案化導線層 之材質為銅。
　⑵由系爭專利說明書第11頁記載「其中部分圖案化導線層　 144之導電材料將直接填入貫孔142a之內，用以形成導電 插塞（Via）142b，其中例如以銅（Cu）作為圖案化導線 層144之材質。另外，亦可在第1C圖之貫孔142a內預先填 入導電材料，例如填入導電膠而形成導電插塞142b」等語 ，明顯可知系爭專利說明書揭示2種不同實施態樣。而更 正後系爭專利申請專利範圍第1項及第2項係記載「圖案化 導線層係配置於該介電層之上，並穿過該介電層之該些貫 孔而電性連接該晶片之該些金屬墊」等語，此即為系爭專 利說明書所揭示之態樣「其中部分圖案化導線層144之導 電材料將直接填入貫孔142a之內，用以形成導電插塞(via )142b，其中例如以銅(Cu)作為圖案化導電層144之材質」 。是以，由於系爭專利所請積層線路層係由銅金屬材質之 圖案化導線層直接穿過介電層中銅材質（插塞）之貫孔電 性連接至晶片之金屬墊，因此系爭專利所請封裝結構中之 圖案化導線層及介電層貫孔內之材質（插塞）俱為銅材料 ，並且同時成形。然而，原證4結構中之積層線路層係由　　　銅導線與銲錫所構成（如原證4第13、14圖所示），其中　　　銅導線係經由銲錫電性連接至晶粒上之鋁墊，核與系爭專　 利前述之技術特徵並不相同。
　⑶原證4 與系爭專利所請發明之另一差異在於原證4 使用銲 　錫作為貫孔材質，而系爭專利所請發明之相對應技術特徵 係於介電層貫孔( 插塞) 中使用銅金屬。銲錫金屬與銅金 屬的特性非常不同，無論在導電性、電阻值及熔點都具有 相當大的差異性。因此，原證4 並未揭露或建議在相對應 於系爭專利所請封裝結構之介電層貫孔中可以使用其他材 料取代銲錫。
　⑷原證4之說明書第15至16頁載明「本發明能將環氧樹脂中 　之銲錫當作緩衝區（buffer zone），在後續製程中，減 少不同層之間，由於材質使用的不同所引發的應力不平衡 問題，增加其可靠度（reliability）」等語，且原告於 專利舉發補充理由書中再三強調原證4之所以另聲明銅之 下有銲錫，乃欲增進與下層金屬墊物理接合之功效。銲錫 可當作一緩衝區，減少不同層之間不同材質所引發的應力 不平衡的問題，以增加可靠度，此為該技術領域工作者所 具之通常知識等情，益證原證4之銲錫與系爭專利所使用 之銅材料具有不同特性，實無法由銅所能直接置換。準此



，基於銲錫金屬與銅金屬不同的特性、銲錫金屬在原證4 中所具有之特定功能及原證4揭露之技術特徵對系爭專利 使用銅金屬之內容並未有任何教示或指導，應認該發明所 屬技術領域中具有通常知識者在參閱原證4之說明書後， 無法直接且無岐異地得知原證4之銲錫可以被銅所取代。 ２、系爭專利所請封裝結構中之被動元件係由該圖案化導線層 之部分結構所構成，並且所形成之被動元件位置在晶片之 上方；原證4之被動元件（電容）係外加擺放於晶片側邊 ：
　⑴原證4之第16、17圖揭示將晶粒電容2b設置在底座6上，利 　用該銅導線14及銲錫12而電性連接該晶粒電容2b，然而系 爭專利之結構與原證4之結構或形成方法完全不相似。系 爭專利所請求之發明「該外部線路更包括至少一被動元件 ，其中該被動元件係由該圖案化導線層之部分結構所構成 」，係可被系爭專利說明書第23頁第24行至第24頁第19行 所記載之內容所支持，並且依據上述內容可知，系爭專利 所請之被動元件係由圖案化導線層本身或圖案化導線層本 身結合介電層來達成，與原證4之外加的晶粒電容2b完全 不同。
　⑵由於系爭專利的被動元件係由圖案化導線層之部分結構所 　構成（因為圖案化導線層係配置於晶片上），其位置一定 在晶片之上方；即使封裝結構中僅有一層圖案化導線層時 ，系爭專利之被動元件之位置仍在晶片之上方。然而，原 證4之被動元件(電容2b)係外加擺放於晶片2a側邊，是該 發明所屬技術領域中具有通常知識者在參酌原證4之教示 後，不會也不可能將被動元件(2b)擺放於原證4之封裝結 構中晶片2a上方。
　⑶據上，原證4 並未教示或建議被動元件由圖案化導線層之 　部分結構所構成，並且依據原證4 之教示，被動元件係被 外加至原證4 之封裝結構中，並且擺放在晶片側邊，該被 動元件不會也不可能被擺放於晶片上方。因此，系爭專利 之封裝結構與原證4 之封裝結構實不相同。
３、綜上所述，系爭專利所請封裝結構相較於原證4（原證5至 原證9 僅為用以證明系爭專利申請時熟習該項技術者之通 常知識之佐證資料）具有擬制新穎性。
（二）聲明：原告之訴駁回。
五、得心證之理由：
本件兩造所爭執之處應在於原證4是否足以證明系爭專利申 請專利範圍第1、2項擬制不具新穎性？茲分述如下：（一）經查，系爭專利係於91年8 月26日審定准予專利，是系爭



專利有無撤銷之原因，應以核准審定時有效之90年10月24 日修正公布之專利法（下稱90年專利法）為斷。又按凡利 用自然法則之技術思想之高度創作，而可供產業上利用者 ，固得依90年專利法第19條暨第20條第1項之規定申請取 得發明專利。惟如「申請專利之發明，與申請在先而在其 申請後始公開或公告之發明或新型專利申請案所附說明書 或圖式載明之內容相同者，不得取得發明專利」，復為同 法第20條之1本文所明定。而對於獲准專利權之發明，任 何人認有違反前揭專利法第20條之1本文規定之情事者， 依同法第72條第1項規定，得附具證據，向專利專責機關 舉發之。從而，系爭專利有無違反前揭專利法之情事而應 撤銷其發明專利權，依法應由舉發人附具證據證明之，倘 其證據不足以證明系爭專利有違前揭專利法之規定，自應 為舉發不成立之處分，合先敘明。
（二）系爭專利技術分析：
１、系爭專利係一種晶片封裝結構及其製程，係將晶片貼附於 一矽基板上，並在晶片及矽基板上形成一積層線路層，其 中此積層線路層具有一外部線路，其電性連接晶片上之金 屬墊，且部分之外部線路係延伸至晶片之主動表面上方以 外的區域，用以將晶片之金屬墊扇出。此外，晶片之主動 表面上更具有一內部線路及多個主動元件，訊號係可從一 主動元件經由內部線路，而傳遞到外部線路，接著再從外 部線路經由內部線路，而傳遞至其他的主動元件。另外， 更可將功能相同或不同的晶片整合於同一封裝體內，並經 由外部線路使晶片之間得以相互電性連接。
２、系爭專利申請專利範圍（101年4月6日更正、101年9月1日 公告）共77項，其中第1、2、3、4、41為獨立項，其餘為 附屬項。本件兩造所爭執之申請專利範圍為其中之第1、2 項部分，均為獨立項，其內容如下：
⑴第1項：一種晶片封裝結構，至少包括：一矽基板；一晶 片，該晶片具有一主動表面及對應之一背面，且該晶片更 具有複數個金屬墊，其配置於該主動表面上，而該晶片係 以該背面貼附於該矽基板上；以及一積層線路層，配置於 該矽基板及該晶片上，該積層線路層具有一外部線路，其 中該些外部線路係電性連接該晶片之該些金屬墊，且至少 部分該外部線路係延伸至該晶片之該主動表面上方以外的 區域，並且該外部線路具有複數個接合墊，其位於該積層 線路層之表層，而每一該些接合墊係分別電性連接至該晶 片之部分該些金屬墊之一，其中該積層線路層至少包括一 圖案化導線層及一介電層，而該介電層係配置於該矽基板



及該晶片之上，其中該介電層具有複數個貫孔，且該圖案 化導線層係配置於該介電層之上，並穿過該介電層之該些 貫孔而電性連接該晶片之該些金屬墊，其中該圖案化導線 層係構成該外部線路及形成該外部線路之該些接合墊，該 外部線路更包括至少一被動元件，其中該被動元件係由該 圖案化導線層之部分結構所構成，其中該圖案化導線層之 材質為銅。
⑵第2 項：一種晶片封裝結構，至少包括：一矽基板；複數 個晶片，每一該些晶片分別具有一主動表面及對應之一背 面，且每一該些晶片更分別具有複數個金屬墊，其配置於 對應之該主動表面上，而每一該些晶片係分別以該背面貼 附於該矽基板上；以及一積層線路層，配置於該矽基板及 該些晶片上，該積層線路層具有一外部線路，其中該些外 部線路係電性連接該些晶片之該些金屬墊，且至少部分該 外部線路係延伸至該晶片之該主動表面上方以外的區域， 並且該外部線路具有複數個接合墊，其位於該積層線路層 之表層，而每一該些接合墊係分別電性連接至該些晶片之 部分該些金屬墊之一，其中該積層線路層至少包括一圖案 化導線層及一介電層，而該介電層係配置於該矽基板及該 些晶片之上，其中該介電層具有複數個貫孔，且該圖案化 導線層係配置於該介電層之上，並穿過該介電層之該些貫 孔而電性連接該些晶片之該些金屬墊，其中該圖案化導線 層係構成該外部線路及形成該外部線路之該些接合墊，該 外部線路更包括至少一被動元件，其中該被動元件係由該 圖案化導線層之部分結構所構成，其中該圖案化導線層之 材質為銅。
（三）原告主張系爭專利申請專利範圍第1、2項擬制喪失新穎性 ，所引用之證據為原證4，至於卷附原證5至原證9，原告 則係用來證明、建構系爭專利申請時熟悉該項技術之通常 知識之佐證資料，而卷附原證12則為原證4說明書第6頁所 載之先前技術，其等內容茲分述如下：
１、原證4為90年9月25日申請、92年5月12日公告之中華民國 發明第531854號「晶圓型態擴散型封裝之製程」專利案， 其申請日早於系爭專利申請日（90年12月31日），而公告 日則晚於系爭專利申請日，可執為系爭專利核准審定時所 適用之90年專利法第20條之1規定的先前技術。又原證4係 一種半導體封裝技術，特別是有關於利用擴散型（fan out）晶圓型態封裝製程製作封裝之方法。該發明包含切 割晶粒後，經過篩選，將晶粒黏著於玻璃底座上，再將黏 於晶粒上的金屬墊的I/O接頭透過特殊材質與方式，將I/



O 接頭植球的位置，以擴散型（fan out）方式，將接觸 點往外擴散到晶粒的邊緣甚至晶粒的外圍，此種接觸點往 外擴散，由於有較大的範圍來植入I/O植球，因此，一來 可以增加I/O植球的數目，增加更多I/O接觸點，二來可以 減少由於接觸點距（pitch）過於接近所造成的訊號干擾 （signal coupling）及銲錫接頭過於接近時造成的銲錫 橋接（solder bridge）問題。該發明的特徵是延用原來 之封裝機台，不需額外花費，同時，該發明可以應用到8 吋與12吋晶圓的封裝過程，又可以包含到晶粒與電容以及 多晶粒（multi-chip）或多種被動元件，例如中央處理器 、DRAM、SRAM等等在封裝底座的封裝過程。此外，由於所 選用的底座為玻璃底座，不會產生減少不同層之間，由於 材質使用的不同所引發的應力不平衡問題，增加其可靠度 。
２、原證5為1979年出版、JACOB MILLMAN 所著之「MICRO ELECTRONIC：Digital and Analog Circuits and Systems 」第115 頁及第167 頁部分影本（參本院卷第88 至90頁），其公開日早於系爭專利申請日（90年12月31日 ），得為證明、建構系爭專利申請時之通常知識。又原證 5第115頁記載整體電路佈局（monolithic-circuit layout）之設計規則（參本院卷第89頁）；第167頁則記 載常見之封裝：雙列直插式（dual-in-line，塑膠或陶瓷 ）封裝，其具有14個引線（leads），7個輸出（brought out）至積體電路（IC）之每一邊（參本院卷第90頁）。 ３、原證6為1997年出版、Rao R. Tummala,Eugene J. Rymaszewski 以及Alan G. Klopfenstein所合著之「 MICROELECTRONICS PACKAGING HANDBOOK」第Ⅰ-12、Ⅰ-1 3、Ⅰ-64、Ⅰ-65、Ⅰ-82至87頁及第Ⅱ-133頁部分影本（ 參本院卷第91至97頁），其公開日早於系爭專利申請日， 得為證明、建構系爭專利申請時之通常知識。又原證6第1 33頁第17至21行記載具有多層線路之晶片表面已經成為導 體與絕緣體結構之微觀結構圖，該結構普遍形成於先前的 多層印刷電路板上與多層陶瓷封裝上。
４、原證7為1999年出版、John H.Lau以及S. W. Ricky Lee 所合著之「Chip Scale Package」第157至161頁部分影本 （參本院卷第98至101頁），其公開日早於系爭專利案申 請日，得為證明、建構系爭專利申請時之通常知識。又原 證7第160頁第1至3行記載第二種型態差不多為具有扇出電 路與墊外接晶片區域之晶片尺寸封裝。
　５、原證8為1989年出版之「Electronic Materials handbook



Volume 1 Packaging」第104至111頁部分影本（參本院卷 第102至106頁），其公開日早於系爭專利申請日，得為證 明、建構系爭專利申請時之通常知識。又原證8為一半導 體封裝技術領域之工具書，提供所有封裝技術領域者之相 關半導體封裝之技藝與資料，適用於所有該項技術領域者 使用。其中電子材料之物理特性一節中已說明，基板（ substrate）作為一微電子電路之支持結構，主要為放置 各種微電子電路，例如導電元件、介電質、被動元件、電 阻材等，且基板必為絕緣體，以隔電路之導電通路，且必 須有良好的熱傳導性。
５、原證9為88年出版、郭嘉龍編譯之「半導體封裝工程」第 9-5頁部分影本（參本院卷第107至108頁），其公開日早 於系爭專利案申請日，得為證明、建構系爭專利申請時之 通常知識。又原證9為一半導體封裝技術領域之教科書， 主要適用大專院校學生作為教科書使用。其中第9-5頁表 9.1已揭露通常使用在封裝之主要材料，包含有各類絕緣 物，如氧化矽、碳化矽、氮化矽、氮化鋁、石英玻璃、聚 醯亞胺，環氧樹脂化合物等。
６、原證12為1997年5月13日公告之美國第5629835號「METAL BALL GRID ARRAY PACKAGE WITH IMPROVED THERMAL CONDUCTIVITY」專利案，其係原證4說明書第6頁所載之先 前技術。又原證12係關於一種具有整合凸塊（integral bumps）的電子封裝產品，當具整合凸塊元件為封裝基板 時可以減少焊球疲勞破壞(fatigue)。（四）原證4不足以證明系爭專利申請專利範圍第1項擬制喪失新 穎性：
１、原證4第12圖及說明書第10頁第12行揭示：一種晶圓型態 封裝；說明書第11頁第12至13行揭示：將進行封裝之晶圓 2 正面（或第一表面）具有做為輸入輸出之金屬墊，例如 是鋁墊；說明書第12頁第5至6行揭示：將晶粒2a擺置於玻 璃底座6上面，並透過黏著劑7黏著於玻璃底座6上面；說 明書第10頁第17至18行揭示：底座可以是玻璃、陶瓷或矽 晶。其中「晶圓型態封裝」、「玻璃底座6」、「晶粒2a 」及「鋁墊4」，可分別對應至系爭專利申請專利範圍第1 項之「晶片封裝結構」、「矽基板」、「晶片」及「金屬 墊」，故原證4已揭示系爭專利申請專利範圍第1項之「一 種晶片封裝結構，至少包括：一矽基板(6)；一晶片(2a) ，該晶片具有一主動表面及對應之一背面，且該晶片更具 有複數個金屬墊(4)，其配置於該主動表面上，而該晶片 係以該背面貼附於該矽基板上」技術特徵。




２、原證4 第12圖及說明書第12頁第7 行至第14頁第2 行揭示 ：於矽基板6及該晶片2a上，由下而上依序形成有第一環 氧樹脂(EPOXY)10、銲錫(solder)12及鈦/銅(Ti/Cu)19、　　　銅導線14、第二環氧樹脂(epoxy)16，其中銲錫12係電性 　　連接該晶片之該些金屬墊4，銅導線14延伸至該晶片2a之 　該主動表面上方以外的區域，並且具4個接合墊（圖12焊 錫球18的下方銅導線）位於第一環氧樹脂(EPOXY)10之表 層，而每一接合墊分別電性連接至晶片2a之金屬墊4。其 中「第一環氧樹脂(EPOXY)10、銲錫(solder)12和鈦/銅 (Ti/Cu)19、銅導線14及第二環氧樹脂(epoxy)16之堆疊」 、「電性連接金屬墊4的銲錫12、鈦/銅(Ti/Cu)19及延伸 至該晶片2a之該主動表面上方以外區域的銅導線14」，和 「焊錫球18的下方的銅導線部分」，係分別可對應至系爭 專利申請專利範圍第1項之「積層線路層」、「外部線路 」及「接合墊」，故原證4已揭示系爭專利申請專利範圍 第1項之「以及一積層線路層(10,12,19,14,16)，配置於 該矽基板及該晶片上，該積層線路層具有一外部線路(12, 19,14)，其中該些外部線路係電性連接該晶片之該些金屬 墊，且至少部分該外部線路係延伸至該晶片之該主動表面 上方以外的區域，並且該外部線路具有複數個接合墊（焊