發明專利舉發
智慧財產法院(行政),行專訴字,101年度,63號
IPCA,101,行專訴,63,20130530,4

智慧財產法院行政判決
101年度行專訴字第63號
民國102年5月2日辯論終結
原 告　韓國商查姆股份有限公司
代　表　人　韓仁洙　　　
訴訟代理人　張慧明律師
李文賢專利師
被 告　經濟部智慧財產局
代　表　人　王美花（局長）
訴訟代理人　葉獻全 　　
參 加 人　歐姆龍雷射先進科技股份有限公司
代　表　人　小林 光生 　
訴訟代理人　陳初梅律師
李文傑律師
林宗宏專利師
上列當事人間因發明專利舉發事件，原告不服經濟部中華民國10
1年5月14日經訴字第10106104680號訴願決定，提起行政訴訟，
並經本院裁定命參加人獨立參加本件被告之訴訟。本院判決如下
：
　　主 文
原告之訴駁回。
訴訟費用由原告負擔。
事實及理由
一、事實概要：原告之前身韓商查姆工程股份有限公司前於民國 93年1月16日以「鍍膜裝置和鍍膜方法及該鍍膜裝置專用的 鍍膜室」向被告申請發明專利，並以西元2003年8月8日申請 之韓國第00-0000-0000000號專利案主張優先權，經被告編 為第93101117號審查准予專利後，發給發明第Ｉ251623號（ 以下稱系爭專利）專利證書。原告旋於95年6月27日向被告 申請變更其公司中譯名稱為「韓商查姆股份有限公司」，並 經被告於95年7月14日核准公告該專利權人名稱變更為「韓 商查姆股份有限公司」。嗣參加人於95年10月2日以該第931 01117號發明專利案違反專利法第22條及第26條之規定，不 符發明專利要件，對之提起舉發。其後，原告於96年1月15 日舉發答辯階段申請更正系爭專利之申請專利範圍：復於99 年9月30日補充答辯時，再次申請更正系爭專利之申請專利 範圍，其後參加人於99年12月17日就99年9月30日更正本提 出補充舉發理由，主張系爭專利違反專利法第22條第4項、 第26條第2項及第3項之規定。案經被告審認系爭專利99年9 月30日更正本為申請專利範圍之減縮，未超出申請時原說明



書及圖式所揭露之範圍，且未實質擴大或變更申請專利範圍 ，准予更正。本舉發案依系爭專利更正後之申請專利範圍內 容予以審查，認系爭專利有違專利法第22條第4項、第26條 第2項及第3項之規定，於100年11月25日以（100）智專三㈤ 01021字第10021067350號專利舉發審定書為「舉發成立，應 撤銷專利權」之處分。原告不服，提起訴願，經訴願機關決 定駁回，原告猶未甘服，遂向本院提起行政訴訟。本院因認 本件訴訟之結果，參加人之權利或法律上利益將受損害，乃 依行政訴訟法第42條第1項規定，依職權裁定命參加人獨立 參加本件被告之訴訟。
二、本件原告主張：
㈠訴願決定及原處分解釋申請專利範圍有誤
原處分將系爭專利之申請專利範圍「金屬微粒」記載解釋為 製程氣體或原料氣體之一。惟查「金屬微粒」為「細微顆粒 之金屬」，既呈顆粒狀，當然為固體。系爭專利之說明書記 載：「從而可以阻止金屬微粒及氣體等的泄露」「其優點是 ，在更短的時間內均勻地排出更多的金屬微粒、高壓氣體、 及空氣中的氣體。」，系爭專利說明書中「金屬微粒」與「 氣體」多次並列出現，亦可佐證「金屬微粒」絕非氣體。原 處分認定「金屬微粒」為「製程氣體或原料氣體之一」，其 解釋申請專利範圍有誤，違反專利法第56條第3 項規定。證 據4 既未揭示金屬微粒，當然未揭示系爭專利之「金屬供給 部分，通過所述鍍膜室將特定的金屬微粒提供給所述鍍件」 「金屬通道，設置於所述鍍膜室，將所述金屬供給部分提供 的所述金屬微粒運送到所述鍍件」技術特徵，訴願決定及原 處分錯誤認定證據4 揭示前述技術特徵所作進步性判斷即有 違誤。被告辯稱：「原告僅自行認定證據4 之鍍膜原料氣體 『金屬氣體』並非系爭專利之鍍膜原料氣體「金屬微粒」， 卻未能具體說明比較其兩者有何差異，其起訴理由不可採」 。經查原告於專利舉發答辯理由書已具體說明：「本案以金 屬微粒形成金屬膜，證據4 則是將金屬加熱形成金屬蒸氣並 於溫度較低的鍍件上凝結成膜，相較之下，本案將可省去將 金屬加熱由固態轉換為氣態所花費的時間以及加熱設備等成 本，係達到無法預期之功效，此部分已於99年8 月31日面詢 時說明，並非舉發人所言無預期之功效。」，被告解釋申請 專利範圍既有誤，對於為何不採前述理由於原處分亦無隻字 片語提及，已違反說明理由義務。其答辯理由書顯不可採。 ㈡訴願決定及原處分認定事實有誤
⒈對證據6之認定事實有誤
⑴證據6之圖1多處違反製圖規則，例如：開口內為視線所及之



下緣應為實線，證據6卻畫為虛線。證據6既未遵守製圖規則 ，即無法證明右斜線所示部分與左斜線所示部分為相鄰的不 同元件，更無法證明沿著板面方向彼此可拆分的結合。專利 審查基準規定：「引證文件中包括圖式者，若無文字說明， 僅圖式明確揭露之技術特徵始屬於引證文件的一部分，而由 圖式推測的內容，例如從圖式直接量測之尺寸，則不屬於引 證文件的一部分。」，「上下可拆分」於證據6既無文字說 明，亦無圖式明確揭露，原處分由證據6之圖1推測右斜線所 示部分與左斜線所示部分為上下可拆分顯然違反前揭專利審 查基準規定，亦違反行政程序法第43條規定之說明理由義務 。被告反覆主張「製圖規則」，惟如前述證據6違反製圖規 則，各國核准公告專利之圖式中違反製圖規則者亦屢見不鮮 ，原處分之推測自屬率斷，答辯理由顯不可採。 ⑵系爭專利公告說明書謂「如圖2、圖3a及圖3b、和圖4所示， 鍍膜室10是本發明的核心裝置」而在申請專利範圍第1項中 ，就鍍膜室的結構特別載明為「鍍膜室，安裝在鍍件的上方 一定間距處，其中，所述鍍膜室係由上部鍍膜室和下部鍍膜 室組成，其是沿著所述上部鍍膜室和所述下部鍍膜室的板面 方向彼此可拆分的結合。」雖然原處分認為：「然『相鄰的 不同零件以不同方向的斜線繪示』，乃繪製剖面圖時之製圖 規則。由該圖所示氣體導入部（10）之剖視圖可見，該氣體 導入部（10）係由上部鍍膜室（右斜線所示部分）與下部鍍 膜室（左斜線所示部分）所構成，因此，證據6已揭示系爭 專利中之『上下可拆分之鍍膜室』。」姑不論被告此一解讀 是否正確，惟查證據6之說明書中並未論及此一技術特徵， 而且也沒有揭示任何特定管道必須設置於特定上鍍膜室或下 鍍膜室之相對位置關係。反觀系爭專利說明書，一再論及金 屬通道、高壓氣體通道或排氣通道與特定上下鍍膜室之相對 位置關係。甚至在系爭專利請求範圍，例如第4項記載「如 申請專利範圍第3項所述之鍍膜裝置，其特徵在於：所述第 一金屬傳送區域設置於所述下部鍍膜室；當所述上部鍍膜室 和所述下部鍍膜室由四角平面部分和部分圓弧部分組成時， 所述第二金屬傳送區域設置於所述圓弧部的軸心，並且所述 第二金屬傳送區域的中部向軸內側呈酸漿果狀彎曲。」第5 項記載「如申請專利範圍第4項所述之鍍膜裝置，其特徵在 於：窗玻璃防污染用排氣區域設置於所述第二金屬傳送區域 上方的所述上部鍍膜室，用於阻止所述第一金屬傳送區域及 所述第二金屬傳送區域提供的所述金屬微粒逆流；氣體供給 通道設置於所述下部鍍膜室，用於將特定的氣體提供給所述 排氣區域。」皆提及特定通道設置於特定鍍膜室之技術特徵



，此均為各引證案所未揭露。再者，系爭專利要達到「沿著 所述上部鍍膜室和所述下部鍍膜室的板面方向彼此可拆分的 結合」之目的，也必須其相關通道之設置有所特定，否則相 關通道無法銜接，根本無從達到上、下鍍膜室可拆分結合之 功能。在證據6未有任何論及相關通道與上、下鍍膜室之位 置關係情形下，顯然無從得知證據6之鍍膜室是否確分為可 拆合之上、下鍍膜室，及其意義何在，原處分逕為認定，顯 屬率斷。
⒉對證據3之認定事實有誤
⑴證據3之發明名稱為「無鍍膜室之雷射CVD裝置」已表明沒有 鍍膜室，原處分以證據3之氣體導入部10比對系爭專利之鍍 膜室，顯然有誤。
⑵依據系爭專利申請專利範圍第1項記載：供給金屬微粒與供 給高壓氣體為兩條不同路徑，其中供給金屬微粒之路徑包含 「金屬供給部分」與「金屬通道」，「金屬供給部分」通過 鍍膜室將特定金屬微粒提供鍍件，「金屬通道」設置於鍍膜 室，將金屬供給部分提供的金屬微粒運送到鍍件；供給高壓 氣體之路徑包含「高壓氣體供給部分」與「高壓氣體通道」 。可知：系爭專利之「金屬供給部分」「金屬通道」與「高 壓氣體供給部分」為三個不同元件，分屬於兩條路徑。原處 分將證據3之氣體通道同時對應於系爭專利申請專利範圍第 1項之「金屬供給部分」「金屬通道」與「高壓氣體供給部 分」，係將證據3之氣體通道對應至系爭專利之分屬於兩條 路徑的三個不同元件，其比對顯然有誤。且僅謂證據3揭示 氣體通道，既未說明何處供給金屬微粒、運送金屬微粒，亦 未說明何處供給高壓氣體，違反行政程序法第43條規定之說 明理由義務。
⑶被告答辯理由僅重抄原處分理由，主張證據3之[0016]段、 圖1、圖2可對應於系爭專利之金屬供給部分、金屬通道、高 壓氣體供給部分。惟查原處分已將證據3之氣體導入部（10 ）對應於鍍膜室、證據3之排氣單元（13）對應於排氣部分 ，圖1及圖2並無對應於系爭專利「金屬供給部分」「金屬通 道」「高壓氣體供給部分」之其他元件，答辯理由顯不可採 。
㈢結合證據3 、4 、6 或結合證據2 、4 、6 無法證明系爭專 利申請專利範圍第1 至14項、第17至27項不具進步性： ⒈結合證據3、4、6無法證明系爭專利申請專利範圍第1至14項 、第17至27項不具進步性
⑴證據3之氣體導入部10導入原料氣體，證據4之氣體儲存單元 9提供金屬蒸氣，證據6之氣體導入部10導入氣體，並非提供



或運送金屬微粒，證據3、4、6均未揭示系爭專利之「金屬 供給部分，通過所述鍍膜室將特定的金屬微粒提供給所述鍍 件」「金屬通道，設置於所述鍍膜室，將所述金屬供給部分 提供的所述金屬微粒運送到所述鍍件」技術特徵。證據3之 發明名稱已表明沒有鍍膜室，證據4之真空容器21為一體， 證據6之結構近似於證據3，且未揭示左斜線所示部分與右斜 線所示部分沿著板面方向上下可拆分，證據3、4、6均未揭 示系爭專利之「其中，所述鍍膜室係由上部鍍膜室和下部鍍 膜室組成，其是沿著所述上部鍍膜室和所述下部鍍膜室的板 面方向彼此可拆分的結合」技術特徵。所屬技術領域中具有 通常知識者縱使強行結合證據3、4、6，亦無法輕易完成系 爭專利申請專利範圍第1項之鍍膜裝置，當然無法輕易完成 依附於申請專利範圍第1項之第2至14項。因此，結合證據3 、4、6不足證明第1至14項不具進步性。
⑵證據3 、4 、6 均未揭示系爭專利申請專利範圍第17項「所 述金屬通道包括一從所述金屬供給部分通過所述上部鍍膜室 或所述下部鍍膜室傳送所述金屬微粒之第一金屬傳送區域與 一設置於所述下部鍍膜室並將所述金屬微粒從所述第一金屬 傳送區域運送到所述鍍件之第二金屬傳送區域」、「且所述 上部鍍膜室和所述下部鍍膜室由四角平面部分和部分圓弧部 分組成，所述第二金屬傳送區域設置於所述圓弧部的軸心， 並且所述第二金屬傳送區域的中部向軸內側呈酸漿果狀彎曲 」技術特徵。所屬技術領域中具有通常知識者縱使強行結合 證據3 、4 、6 ，亦無法輕易完成系爭專利申請專利範圍第 17項之鍍膜裝置，當然無法輕易完成依附於第17項之第18至 27項。因此，結合證據3 、4 、6 不足證明第17至27項不具 進步性。
⑶原處分關於進步性比對缺漏系爭專利之「且所述上部鍍膜室 和所述下部鍍膜室由四角平面部分和部分圓弧部分組成，所 述第二金屬傳送區域設置於所述圓弧部的軸心，並且所述第 二金屬傳送區域的中部向軸內側呈酸漿果狀彎曲」等技術特 徵，違反進步性審查應以每一請求項中所載之發明的整體為 對象之基本原則，顯有違誤。原處分認定結合證據3 、4 、 6 使系爭專利不具進步性，係以錯誤解釋系爭專利之申請專 利範圍、錯誤認定證據3 、4 、6 之技術內容為基礎。認定 基礎有誤，進步性判斷亦有誤。
⒉結合證據2 、4 、6 無法證明系爭專利申請專利範圍第1 至 14項、第17至27項不具進步性：
⑴證據2 之製程氣體供應系統16供應製程氣體，證據4 之氣體 儲存單元9 提供金屬蒸氣，證據6 之氣體導入部10導入氣體



，並非提供或運送金屬微粒，證據2 、4 、6 均未揭示系爭 專利之「金屬供給部分，通過所述鍍膜室將特定的金屬微粒 提供給所述鍍件」「金屬通道，設置於所述鍍膜室，將所述 金屬供給部分提供的所述金屬微粒運送到所述鍍件」技術特 徵。證據2 之成膜室3 、證據4 之真空容器21均為一體，證 據6 未揭示左斜線所示部分與右斜線所示部分沿著板面方向 上下可拆分，證據2 、4 、6 均未揭示系爭專利之「其中， 所述鍍膜室係由上部鍍膜室和下部鍍膜室組成，其是沿著所 述上部鍍膜室和所述下部鍍膜室的板面方向彼此可拆分的結 合」技術特徵。所屬技術領域中具有通常知識者縱使強行結 合證據2 、4 、6 ，亦無法輕易完成系爭專利申請專利範圍 第1 項之鍍膜裝置，當然無法輕易完成依附於第1 項之第2 至14項。因此，結合證據2、4、6 不足證明申請專利範圍第 1 項至第14項不具進步性。
⑵證據2 、4 、6 均未揭示系爭專利申請專利範圍第17項「所 述金屬通道包括一從所述金屬供給部分通過所述上部鍍膜室 或所述下部鍍膜室傳送所述金屬微粒之第一金屬傳送區域與 一設置於所述下部鍍膜室並將所述金屬微粒從所述第一金屬 傳送區域運送到所述鍍件之第二金屬傳送區域」「且所述上 部鍍膜室和所述下部鍍膜室由四角平面部分和部分圓弧部分 組成，所述第二金屬傳送區域設置於所述圓弧部的軸心，並 且所述第二金屬傳送區域的中部向軸內側呈酸漿果狀彎曲」 技術特徵。所屬技術領域中具有通常知識者縱使結合證據2 、4 、6 ，亦無法輕易完成系爭專利申請專利範圍第17項之 鍍膜裝置，當然無法輕易完成依附於第17項之第18至27項。 因此，結合證據2 、4 、6 不足證明第17至27項不具進步性 。
⑶原處分關於進步性比對缺漏系爭專利之「且所述上部鍍膜室 和所述下部鍍膜室由四角平面部分和部分圓弧部分組成，所 述第二金屬傳送區域設置於所述圓弧部的軸心，並且所述第 二金屬傳送區域的中部向軸內側呈酸漿果狀彎曲」等技術特 徵，違反進步性審查應以每一請求項中所載之發明的整體為 對象之基本原則，顯有違誤。原處分認定結合證據2 、4 、 6 使系爭專利不具進步性，係以錯誤解釋系爭專利之申請專 利範圍、錯誤認定證據2 、4 、6 之技術內容為基礎。認定 基礎有誤，進步性判斷亦有誤。
⒊參諸被告公布之專利審查基準揭示：「技術內容的組合，在 請求項的申請日，對於該發明所屬技術領域中具有通常知識 者而言，必須是明顯（obvious ）的情況下，始得為之。」 、「若兩技術內容所揭露之必要技術特徵先天即不相容，則



其技術內容的組合並非明顯。」換言之，若兩技術內容所揭 露之必要技術特徵先天即不相容，即不得結合作為引證案。 系爭專利依公告之說明書謂「但是，以鍍金技術為原理的鍍 膜裝置都需要有一個形成真空環境的真空槽（稱之為真空箱 ），操作時將被鍍物體如半導體或平板顯示器（稱之為鍍件 ）等裝入真空箱後，利用鐳射吹進金屬（Metal ），從而形 成微細金屬導線薄膜。該方法缺點是必需有一個所謂真空箱 的部分，但因為真空箱容積固定，故很難適用於體積較大的 鍍件，並且因需要在真空箱內製造真空環境，這不僅在技術 上有一定難度，而且製造成本也很高。」因此，謂「本發明 的目的在於，提供不使用形成真空環境的真空箱，也能在空 氣中有效鍍膜的鍍膜裝置和鍍膜方法以及該鍍膜裝置專用的 鍍膜室。」，也因此，舉發所提的證據2 、3 、6 ，先姑不 論其構造如何，至少其主要技術特徵也是在於不使用真空箱 的情形下進行鍍膜。惟證據4 ，即日本特開平0-000000號公 開特許資料，依其圖1 所示，其鍍膜過程顯然係在「21真空 容器」中進行。既然，證據2 、3 、6 之技術內容在於不使 用真空箱的情形下進行鍍膜，而證據4 之鍍膜技術則必須在 真空容器中進行，二者先天技術顯然即不相容，參諸前揭專 利審查基準之規定，證據2 、3 、6 與證據4 之結合，對所 屬技術領域中具有通常知識者而言，即非明顯，應不得結合 作為引證前案。因此，原處分及訴願決定以結合證據2 、4 ，或結合證據3 、4 ，或結合證據2 、4 、6 ，或結合證據 3 、4 、6 作為引證案，認定系爭專利不具進步性，顯屬違 法。
㈣結合證據3 、4 或結合證據2 、4 無法證明系爭專利申請專 利範圍第15至16項不具進步性：
⒈結合證據3 、4 無法證明系爭專利申請專利範圍第15至16項 不具進步性
證據3 之氣體導入部10導入原料氣體，證據4 之氣體儲存單 元9 提供金屬蒸氣，既不是提供或運送金屬微粒，也不是以 金屬微粒在鍍件上形成薄膜，證據3 、4 均未揭示系爭專利 之「第二步驟，通過設置於所述鍍膜室的金屬通道將特定的 金屬微粒提供給所述鍍件」「第四步驟，提供的所述金屬微 粒在所述鍍件上形成特定的薄膜」技術特徵。證據3 、4 既 沒有運送金屬微粒之金屬通道，也不是在金屬通道的徑向外 側沿著圓周方向安裝高壓氣體通道，證據3 、4 均未揭示系 爭專利之「第三步驟，通過在所述金屬通道的徑向外側沿著 圓周方向安裝的高壓氣體通道，與所述第二步驟一起將高壓 氣體提供給所述鍍件」技術特徵。所屬技術領域中具有通常



知識者縱使強行結合證據3 、4 ，亦無法輕易完成系爭專利 申請專利範圍第15項之鍍膜方法，當然無法輕易完成依附於 第15項之第16項。因此，結合證據3 、4 不足證明第15至16 項不具進步性。
⒉結合證據2 、4 無法證明系爭專利申請專利範圍第15至16項 不具進步性
證據2 之製程氣體供應系統16供應製程氣體，證據4 之氣體 儲存單元9 提供金屬蒸氣，既不是提供或運送金屬微粒，也 不是以金屬微粒在鍍件上形成薄膜，證據2 、4 均未揭示系 爭專利之「第二步驟，通過設置於所述鍍膜室的金屬通道將 特定的金屬微粒提供給所述鍍件」「第四步驟，提供的所述 金屬微粒在所述鍍件上形成特定的薄膜」技術特徵。證據2 、4 既沒有運送金屬微粒之金屬通道，也不是在金屬通道的 徑向外側沿著圓周方向安裝高壓氣體通道，證據2 、4 均未 揭示系爭專利之「第三步驟，通過在所述金屬通道的徑向外 側沿著圓周方向安裝的高壓氣體通道，與所述第二步驟一起 將高壓氣體提供給所述鍍件」技術特徵。所屬技術領域中具 有通常知識者縱使結合證據2 、4 ，亦無法輕易完成系爭專 利申請專利範圍第15項之鍍膜方法，當然無法輕易完成依附 於第15項至第16項。因此，結合證據2 、4 不足證明第15至 16 項 不具進步性。
㈤系爭專利並無違反專利法第26條第2 項及第3 項規定： ⒈系爭專利申請專利範圍第3 項記載：「3.如申請專利範圍第 1 項所述之鍍膜裝置，其特徵在於，所述金屬通道包括：第 一金屬傳送區域，從所述金屬供給部分通過所述上部鍍膜室 或所述下部鍍膜室傳送所述金屬微粒；第二金屬傳送區域， 設置於所述下部鍍膜室，並將所述金屬微粒從所述第一金屬 傳送區域運送到所述鍍件。」原處分認定：「惟如舉發理由 所指，縱觀其實施方式與圖4 等，皆僅記載其於下部鍍膜室 之狀況，完全未記載其於上部鍍膜室之實施方式，況且被舉 發人亦僅簡略答辯稱『請求項3 中所述之金屬傳送區域可設 置的位置，係已揭示於圖式，為發明說明與圖式所支持者。 』，但卻未指明揭示於何圖式，故系爭專利之請求項3 無法 為說明書充分支持。再者，系爭專利之說明書通篇皆未提及 前述第一金屬傳送區域若於上部鍍膜室時，該如何與設於下 部鍍膜室中的第二金屬傳送區域相連。因此，系爭專利申請 專利範圍第3 項不但不能為說明書所充分支持，且說明書及 圖式內容亦有未充分揭露而無法據以實施之嫌，以致第3 項 之記載違反專利法第26條第3 項之規定，而說明書及圖式之 揭露違反專利法第26條第2 項之規定」惟查系爭專利說明書



第12頁：「金屬通道20包括：第一金屬傳送區域20a ，從金 屬供給部分2 通過下部鍍膜室10b 傳送金屬微粒；以及第二 金屬傳送區域20b ，設置於下部鍍膜室10b 並將金屬微粒從 第一金屬傳送區域20a 運送到鍍件5 。」，已揭示第二金屬 傳送區域20b 設置於下部鍍膜室10b ，圖3a雖揭示第一金屬 傳送區域20a 設置於下部鍍膜室10b 之實施態樣，然其並非 用以限定本發明，第一金屬傳送區域20a 設置於上部鍍膜室 10a 或下部鍍膜室10b 屬於從發明說明所揭露的內容直接得 到的或總括得到的技術手段。因此，所屬技術領域中具有通 常知識者能瞭解其內容並可據以實施，且系爭專利申請專利 範圍第6 項為發明說明及圖式所支持，並無違反專利法第26 條第2 項及第3 項規定。原處分竟因系爭專利申請專利範圍 第3 項「說明書及圖式內容亦有未充分揭露而無法據以實施 之嫌」即認定違反專利法第26條第2 項規定，此種懷疑猜測 式論理顯屬率斷。
⒉系爭專利申請專利範圍第5 項記載：「5.如申請專利範圍第 4 項所述之鍍膜裝置，其特徵在於：窗玻璃防污染用排氣區 域設置於所述第二金屬傳送區域上方的所述上部鍍膜室，用 於阻止所述第一金屬傳送區域及所述第二金屬傳送區域提供 的所述金屬微粒逆流；氣體供給通道設置於所述下部鍍膜室 ，用於將特定的氣體提供給所述排氣區域。」原處分認定： 「然而，對照圖3b，可見系爭專利之請求項5所 述之氣體供 給通道25，係設置於上部鍍膜室。因此，系爭專利請求項5 與圖式之內容不一致，導致記載不明確，無法據以實施，違 反專利法第26條第2 項及第3 項之規定。」惟查系爭專利說 明書：「因此，本發明通過設置於下部鍍膜室10b 的氣體供 給通道25將氣體提供給用25a 標記的部分即排氣區域25a ， 防止金屬微粒的逆流。」，已揭示氣體供給通道25設置於下 部鍍膜室10b 的實施態樣，屬於從發明說明所揭露的內容直 接得到的或總括得到的技術手段。因此，所屬技術領域中具 有通常知識者能瞭解其內容並可據以實施，且系爭專利申請 專利範圍第5 項為發明說明及圖式所支持，並無違反專利法 第26條第2 項及第3項 規定。
⒊系爭專利申請專利範圍第6 項記載：「6.如申請專利範圍第 1 項所述之鍍膜裝置，其特徵在於，所述高壓氣體通道包括 ：第一氣體傳送區域，從所述高壓氣體供給部分通過所述上 部鍍膜室或所述下部鍍膜室傳送所述高壓氣體；第二氣體傳 送區域，設置於所述上部鍍膜室，並與所述第一氣體傳送區 域的端部相連；第三氣體傳送區域，設置於所述下部鍍膜室 ，並與所述第二氣體傳送區域相連。」原處分認定：「然而



，參酌圖3b與圖4 ，可知第一氣體傳送區域倘若設於下部鍍 膜室，第二氣體傳送區域即不存在，因此，系爭專利申請專 利範圍第6 項本身即有自相矛盾之敘述。而且系爭專利之說 明書中並無記載第一氣體傳送區域設置於下部鍍膜室之實施 方式，未完全支持系爭專利申請專利範圍第6 項之記載，故 亦違反專利法第26條第2 項及第3 項之規定。」惟查系爭專 利說明書：「高壓氣體通道30包括：傳送從高壓氣體供給部 分3 通過下部鍍膜室10b 提供的高壓氣體的第一氣體傳送區 域30a ，設置於上部鍍膜室10a 並與第一氣體傳送區域30a 的端部相連的第二氣體傳送區域30b ，設置於下部鍍膜室10 b 並與第二氣體傳送區域30b 相連的第三氣體傳送區域30c 。」，已揭示第二氣體傳送區域30b 設置於上部鍍膜室10a ，圖3b雖揭示第一氣體傳送區域30a 設置於上部鍍膜室10a 之實施態樣，然其並非用以限定本發明，第一氣體傳送區域 30a 設置於上部鍍膜室10a 或下部鍍膜室10b 屬於從發明說 明所揭露的內容直接得到的或總括得到的技術手段。若第一 氣體傳送區域30a 設置於上部鍍膜室10a ，第二氣體傳送區 域30b 仍可設置於上部鍍膜室10a 並與第一氣體傳送區域30 a 的端部相連，與第二氣體傳送區域30b 是否存在無必然關 係，處分書所謂「第二氣體傳送區域即不存在」毫無依據。 因此，所屬技術領域中具有通常知識者能瞭解其內容並可據 以實施，且系爭專利申請專利範圍第6 項為發明說明及圖式 所支持，並無違反專利法第26條第2 項及第3 項規定。 ⒋系爭專利申請專利範圍第13項記載：「13. 如申請專利範圍 第12項所述之鍍膜裝置，其特徵在於，所述吸入口的直徑比 所述氣體噴射口的直徑大。」原處分認定：「又查，系爭專 利申請專利範圍第13項之依附關係為『請求項13→12→11→ 10→1 』，然僅請求項7 始有提及『氣體噴射口』之構造， 而第1 、10、11、12項中，皆完全未揭示『氣體噴射口』此 一構造，故系爭專利申請專利範圍第13項中『所述氣體噴射 口』之記載內容似為不明確記載，亦違反專利法第26條第3 項之規定。」惟查申請專利範圍應明確，指申請專利範圍每 一請求項之記載應明確，且申請專利範圍所有請求項整體之 記載亦應明確，使該發明所屬技術領域中具有通常知識者從 申請專利範圍之記載，參酌申請時的通常知識，即可明確瞭 解其意義，而對其範圍不會產生疑義，解釋申請專利範圍時 並得審酌發明說明及圖式。系爭專利申請專利範圍第13項之 記載限定吸入口的直徑比氣體噴射口的直徑大，所屬技術領 域具有通常知識者，無論審酌發明說明及圖式或參酌申請時 的通常知識，均可明確瞭解其意義，而對其範圍不會產生疑



義。因此，系爭專利申請專利範圍第13項符合明確性，並無 違反專利法第26條第3 項規定。
⒌另就系爭專利申請專利範圍第17項，原處分認定：「又依前 述，系爭專利申請專利範圍第3 項違反專利法第26條第3項 之規定，故有對應關係之第17項亦違反專利法第26條第3項 之規定。」惟查系爭專利說明書：「金屬通道20包括：第一 金屬傳送區域20a ，從金屬供給部分2 通過下部鍍膜室10b 傳送金屬微粒；以及第二金屬傳送區域20b ，設置於下部鍍 膜室10b 並將金屬微粒從第一金屬傳送區域20a 運送到鍍件 5 。」已揭示第二金屬傳送區域20b 設置於下部鍍膜室10b ，圖3a雖揭示第一金屬傳送區域20a 設置於下部鍍膜室10b 之實施態樣，然其並非用以限定本發明，第一金屬傳送區域 20a 設置於上部鍍膜室10a 或下部鍍膜室10b 屬於從發明說 明所揭露的內容直接得到的或總括得到的技術手段。因此， 系爭專利申請專利範圍第17項為發明說明及圖式所支持，並 無違反專利法第26條第3 項規定。
㈥依95年11月24日經濟部修正發布之「經濟部智慧財產局專利 案面詢作業要點」第8 條第1 項規定：「面詢時應當場製作 面詢紀錄，記載面詢之日期、時間、地點、出（列）席人員 、面詢事項及詢答重點，並由出席面詢之人員在文字紀錄內 容之後簽名或蓋章確認；其拒絕簽名或蓋章者，應將其事由 記載於面詢紀錄。」，本案99年8 月31日「第93101117N01 號舉發案專利面詢記錄表」文字記錄僅由審查人員單方製作 ，並無舉發人與被舉發人兩造之出席人員簽名或蓋章確認內 容。被告以未經兩造確認之面詢紀錄為審查依據，其認定事 實基礎即有違誤，違反行政程序法第43條規定；且未就當事 人有利及不利事項一律注意，亦違反行政程序法第9 條規定 。99年8 月31日召開面詢程序，99年9 月30日原告申請更正 系爭專利之申請專利範圍並經原處分受理，因此原處分之比 對基礎與面詢程序不同。原處分竟以未經確認且比對基礎不 同的99年8 月31日面詢記錄作為審查依據，顯然違法。 ㈦爰聲明：訴願決定及原處分均撤銷。
三、被告則以：
㈠結合證據3 、4 、6 或結合證據2 、4 、6 足以證明系爭專 利申請專利範圍第1 至14、17至27項不具進步性 ⒈原告主張證據3 之氣體導入部10導入原料氣體，證據4 之氣 體儲存單元9 提供金屬蒸氣，證據6 之氣體導入部導入氣體 ，並非提供或運送金屬微粒，證據3 、4 、6 均未揭示系爭 專利之「金屬供給部分，通過所述鍍膜室將特定的金屬微粒 提供給所述鍍件」、「金屬通道，設置於所述鍍膜室，將所



述金屬供給部分提供的所述金屬微粒運送到所述鍍件」技術 特微。惟如被告舉發理由所指「有關『金屬微粒原料』之爭 點，本發明所屬技術領域中具有通常知識者皆知，半導體製 程中，不乏以CVD 裝置形成含金屬薄膜之方法，如證據4 即 教示以CVD 法形成金屬圖案膜之一例，此之原料氣體自然為 『金屬微粒』。因此，系爭專利之『金屬微粒』不過是各種 CVD 成膜中常用製程氣體或原料氣體之一，證據4 即為以金 屬作為原料氣體之一例，原告雖辯稱該證據係真空鍍膜，不 同於系爭專利之大氣鍍膜云云，然使用金屬作為鍍膜原料與 真空或大氣鍍膜並無關，故原告之答辯理由並不可採，證據 4 已揭露系爭專利之『金屬微粒原料』，應無疑義。」，原 告僅自行認定證據4 之鍍膜原料氣體「金屬氣體」並非系爭 專利之鍍膜原料氣體「金屬微粒」，卻未能具體說明比較其 二者有何差異，其起訴理由不足採。另原告訴稱證據3 、4 、6 均未揭示系爭專利之「其中，所述鍍膜室係由上部鍍膜 室和下部鍍膜室組成，其是沿著所述上部鍍膜室和所述下部 鍍膜室的板面方向彼此可拆分的結合」技術特徵。惟如被告 舉發成立之理由所指「證據6 係為『雷射CVD 裝置』，其中 ，圖1 所揭示之『氣體導入部（10）』即相當於系爭專利中 之『鍍膜室』，由該圖所示氣體導入部（10）之剖視圖可見 ，該氣體導入部（10）係由上部鍍膜室（右斜線所示部分） 與下部鍍膜室（左斜線所示部分）所構成，因此，證據6已 揭示系爭專利中之『上下可拆分之鍍膜室』。原告雖辯稱證 據6 說明書中未有上下可拆分之記載，單由圖式之左斜線與 右斜線無法看出『氣體導入部10』是否上下可拆分云云。然 『相鄰的不同零件以不同方向的斜線繪示』，乃繪製剖面圖 時之製圖規則，亦如系爭專利之圖1 中之10a 上部鍍膜室（ 左斜線所示部分）與10b 下部鍍膜室（右斜線所示部分）所 構成之鍍膜室10，因此證據6 中所示『氣體導入部10』確實 係由上部鍍膜室及下部鍍膜室所構成，洵無可議。」，清楚 指明證據6 已揭示系爭專利中之「上、下部可拆分之鍍膜室 」技術特徵，其起訴理由亦不足採。因此，結合證據3 、4 、6 即足以證明系爭專利申請專利範圍第1 至14項不具進步 性，應無疑義。
⒉原告訴稱舉發成立理由將證據3 之「氣體通道」比對系爭專 利運送金屬微粒之「金屬通道」顯有錯誤。惟如被告舉發成 立之理由所指「證據3 之氣體導入部（10）可對應於鍍膜室 ；原料氣體入口可對應於金屬供給部分；氣體通道可對應於 金屬通道；氣體通道可對應於高壓氣體供給部分；氣體供給 單元（20）可對應於高壓氣體通道及排出通道；排氣單元（



16）可對應於排氣部分」，清楚指出證據3 與系爭專利之各 對應部，證據3 之氣體通道當對應於系爭專利之金屬通道並 無誤認，其起訴理由不足採。原告稱證據3、4、6 均未揭示 系爭專利申請專利範圍第4 項之「且所述上部鍍膜室和所述 下部鍍膜室由四角平面部分和部分圓弧部分組成，所述第二 金屬傳送區域設置於所述圓弧部的軸心，並且所述第二金屬 傳送區域的中部向軸內側呈酸漿果狀彎曲」技術特徵，而認 舉發成立之理由為後見之明云云。惟如前述被告舉發成立理 由所指「‧‧‧惟如同系爭專利申請專利範圍第1 項，此上 部／下部鍍膜室之分離式構造，僅為習知技術之簡單轉用， 由系爭專利說明書中亦無法看出有任何無法預期之功效。再 者，系爭專利申請專利範圍第4 項記載，其鍍膜室由四角平 面部分和部份圓弧部分組成時，其第二金屬傳送區設於圓弧 部的軸心，說明書中對此並無記載其用意與功效，顯見其不 過為具通常知識者易於思及之單純形狀限定。系爭專利申請 專利範圍第4 項另提及其第二金屬傳送區域之形狀，亦為本 發明所屬技術領域中具通常知識者可輕易思及之形狀設計。 」，故被告舉發成立理由並非為後見之明，其起訴理由不足 採。原告稱證據2 之製程氣體供應系統16供應製程氣體，證 據4 之氣體儲存單元9 提供金屬蒸氣，證據6 之氣體導入部