智慧財產法院行政判決
105年度行專訴字第52號
原 告 日月光半導體製造股份有限公司
代 表 人 張虔生
訴訟代理人 簡秀如律師
吳詩儀律師
蔡亦強專利師
被 告 經濟部智慧財產局
代 表 人 洪淑敏（局長）
訴訟代理人 黃本立
上列當事人間因發明專利申請事件，原告不服經濟部中華民國10
5 年5 月25日經訴字第10506305550 號訴願決定，提起行政訴訟
，本院判決如下：
主 文
訴願決定及原處分均撤銷。
被告應就第099104458 號「半導體封裝件及其製造方法」發明專利申請案，作成准予專利之審定。
訴訟費用由被告負擔。
事實及理由
壹、程序方面：
一、本件原告起訴時，被告代表人原為王美花，嗣於本件訴訟程 序進行中變更為洪淑敏，茲據新任代表人具狀聲明承受訴訟 ，核無不合，應予准許。
二、被告於106 年1 月17日準備程序庭提出「天線理論及設計」 （antenna theory and design ）教科書（1981年版，第5 頁）部分內容佐證平板天線可為任意形狀係通常知識，惟原 告則主張被告提出該文獻係補充引證1 之不足，實質上係與 引證1 組合，而為新證據之組合，又本件訴訟並非撤銷專利 權之訴訟，被告自不得於行政訴訟提出上開新證據。經查原 處分業已敘明系爭專利不予專利事由係基於引證1 及習知平 面天線技術之組合，被告所提上開教科書內容係在補強其以 平面天線技術作為通常知識之根據，而為補強證據，要與智 慧財產案件審理法第33條第1 項之新證據有別，自應准許其 提出。惟按，就專利申請案不應准許之事由，依法應由被告 負舉證之責，是以據以核駁專利申請案之先前技術，自應由 被告於專利審查階段提出，至於通常知識則應由被告於審查 意見通知或審定書具體敘明其內容，俾使申請人得據以申復 及救濟，如申請人已就通常知識是否為習知或普遍使用之資 訊或經驗法則所能瞭解之事項有所爭執，被告宜儘速提出相 關證明文件以資佐證，避免通常知識之判斷淪於主觀之恣意
。
貳、實體方面：
一、事實概要：
緣原告前於民國99年2 月11日以「半導體封裝件及其製造方 法」向被告申請發明專利，並聲明以西元2009年9 月3 日申 請之美國第12/553,628號專利案主張國際優先權，經被告編 為第099104458 號審查，不予專利（下稱系爭專利）。原告 不服，申請再審查，案經被告依本案103 年1 月7 日申請專 利範圍修正本併同申請時之說明書及圖式審查，核認本案有 違專利法第22條第2 項之規定，以104 年12月18日（104 ） 智專三（二）04066 字第10421711090 號專利再審查核駁審 定書為「本案應不予專利」之處分（下稱原處分）。原告不 服，提起訴願，惟遭駁回（105 年5 月25日經訴字第105063 05550 號），遂向本院提起行政訴訟。
二、原告主張：
（一）引證1 不僅未揭露系爭專利之特徵及功效，甚且為相反之 教示，被告論斷系爭案不具進步性，顯有違法： 1.被告於104 年7 月24日再審查階段審查意見通知函第四（ 三）1 點及原處分第八（五）1 點已說明：「引證1 雖未 明確接露一遮蔽元件24可作為電感或天線元件使用」；又 引證1 之金屬板係用以遮蔽電磁波，與系爭專利中用以發 射電磁能量至空間中或從空間中接收電磁能量之天線不同 ，由原處分第八（五）1 點中之說明「引證1 雖未明確接 露一遮蔽元件24可作為電感或天線元件使用，因為金屬板 接地使得等電位為0 ，因此金屬板具有遮蔽電磁波之功效 」等語觀之亦明，顯見被告明知引證1 然並未揭露系爭案 請求項1 之電感元件或天線之特徵，且系爭專利請求項1 之「電感元件或天線」之功效（用以發散電磁波）亦屬引 證1 之「屏蔽元件24」（用以遮蔽電磁波）所無法達成或 預期之功效，因引證1 第3 欄第29-32 行僅記載金屬元件 24接地並作為電磁遮蔽元件）未揭露「此一金屬板不接地 」之特徵，因天線若接地則電位成為0 並無法輻射出電磁 波。
2.被告已明確指出「引證1 之一金屬元件24因為金屬板接地 使得等電位為0 ，因此金屬板具有遮蔽電磁波之功效」， 倘認此一揭露可使所屬技術領域中具有通常知識者基於引 證1 的內容而輕易思及與其相反（「該金屬板即可以具有 一平面天線之功效」）的技術內容，即應為充分說明具體 理由。
（二）被告不僅對於系爭專利所屬技術領域為何，存有錯誤認知
，又基於錯誤選定的「具有通常知識者」作為虛擬判斷主 體，並忽略引證1 之技術並無法促使所屬技術領域具有通 常知識者，將其置換成系爭專利技術，其進步性之認定顯 有違法：
1.系爭專利所屬領域為半導體封裝技術，並非傳統電磁學技 術領域；而半導體封裝技術領域中之通常知識者於進行封 裝設計時所需考量之技術面向，與傳統電磁學技術領域顯 然有所不同，被告所指，電磁學技術領域具有通常知識者 在一般情況下確實具備有關「當一金屬板不接地，而於其 任一金屬點施加一饋入時變電壓訊號，即可以具有一平面 天線（patch antenna ）之功效」，顯有疑問；況「將接 地之遮蔽元件改變成不接地，進而於任一金屬點施加一饋 入時變電壓訊號，完成一平面天線」，則屏蔽功效全然喪 失，且會造成能量之浪費。再者，引證1 之相關設計本即 做遮蔽電磁波之用，並無施加一饋入時變電壓訊號之教示 ，亦無相關之設計；而半導體元件極小，任何元件設計之 異動均需耗費巨大之研發與成本始可能達成，倘欲於引證 1 施加一饋入，封裝工程之通常知識者必然考量之問題甚 多，非電磁學知識者得有動機輕易將之完成。
2.美商RFMD公司（現已併入美商Qorvo 公司）就如何在封裝 尺度對射頻元件進行屏蔽技術之白皮書，與系爭專利的技 術領域高度相關。該白皮書介紹三種在封裝體尺度下提供 屏蔽體至射頻元件的方式：噴塗（sputtering）、塗佈（ painting）、鍍膜（plating ），不論哪一種方式，屏蔽 體都有接地，可知「屏蔽元件均需接地」之事實，確屬系 爭專利技術領域之通常知識。又美國第5,557,142 號專利 ，其發明名稱為「受遮蔽的半導體裝置封裝件」，揭露 「 該金屬一般是連接至基板的至少一導體以將金屬屏蔽與 半導體裝置的接地電路互連」（原文：the metal is nor mally connected to at least one conductor of the s ubstrate in order to interconnect the metal shield with the grounding circuit of the semiconductor de vice）、「藉保住屏蔽的一部份而使金屬屏蔽19連接至封 裝件接地處」（The metal shield 19 is connected to the package ground 23 by leaving a portion of the shield intact ）；美國第5,639,989 號專利，其發明名 稱為「受遮蔽的半導體零件組裝體及其製造方法」，亦揭 露數種在半導體封裝件中屏蔽半導體晶粒的方式；儘管其 揭露多種方式，其屏蔽體皆接地。
3.降低電容性耦合雜訊之方式中，最簡單有效的方法即為使
用屏蔽體，但屏蔽體必須接地。基於屏蔽體必須接地之普 遍知識，不但封裝技術領域中具有通常知識者不會有動機 任意將接地之遮蔽元件改變成不接地的天線，被告所稱「 傳統電磁學技術領域」中具有通常知識者，亦不會有動機 任意將接地之遮蔽元件改變成不接地的天線。被告雖強調 「電磁學領域是較上位的領域」，但「上位」表示其包含 「下位」的全部，故倘「電磁學領域較封裝領域上位」一 說果能成立，無異表示通曉電磁領域知識之人必亦通曉封 裝領域的全部知識，但此顯與事實不符。
（三）引證1 之「金屬片元件」與引證2 之「旋繞金屬線」不僅 形狀不同、其技術領域、所欲解決之問題、功能或作用均 不具關連性，專利內容亦欠缺系爭案發明之教示，故系爭 專利所屬技術領域中具有通常知識者，自無結合兩引證案 之動機：
1.引證1 金屬元件24是罩蓋狀，是立體的且其各面皆以片狀 為主；引證2 的旋繞金屬線則呈螺旋狀，非片狀，兩者間 即具有極大之差異；且引證1 的製程中利用現成的罩蓋狀 金屬元件直接連接於載體上，之後再灌以封膠材料（引證 1 摘要：「A shield element is attached to at least one of the leadframe portions. A package mold surr ounds the semiconductor die and the shield element 」），用以隔絕電磁輻射干擾，若有太多空隙，隔絕效果 理應較差。又引證1 第3 欄第40-44 行也明確記載金屬元 件24上的孔洞26需要足夠小以確實屏蔽晶粒12，且宜小於 主要需要屏蔽的電磁波長的十二分之一（「Holes 26 are appropriately sized relative to the wavelength of the radiation from which semiconductor die 12 is to be shielded. For example, holes 26 may have a diameter no greater than one-twelfth the predomina nt wavelength in the spectrum of electromagnetic interference. 」）。因此不可能利用引證2 之製程來製 作引證1 之罩蓋狀金屬元件24。另外，引證1 的罩蓋狀金 屬元件24一旦變為螺旋狀，則形同在罩蓋上打出無數孔洞 ，致其電磁遮蔽功能盡失，顯見兩先前技術所欲解決之問 題之不同、功能或作用上亦不具關連性。在罩蓋上打出無 數孔洞必然會損害電磁遮蔽功能，致使系爭專利所屬技術 領域中具有通常知識者不具結合動機。遑論引證1 的技術 領域為「封裝」（引證1 第1 欄第6-9 行），引證2 的技 術領域為「半導體裝置」（引證2 【發明所屬之技術領域 】），特指「射頻積體電路」（引證2 【先前技術】第3
段第1 行），顯然有別。
2.屏蔽體上的開孔越長則L 值越大，屏蔽效力即越低。故倘 若引證1 所揭露之遮蔽元件24具有開孔需求，系爭專利所 屬技術領域通常知識者在盡力維持屏蔽效果的情況下應會 採用圓孔或方孔以縮短L 值（開孔尺寸），而不是採用細 長形開孔，更不會將遮蔽元件24修改為螺旋狀。 3.引證1 的技術問題係「如何有效地替封裝結構中的晶片提 供電磁遮蔽效果」，顯然異於提供電感元件，也異於引證 2 的技術問題「隨著寄生電容增加，電感之效率和使用頻 帶降低」；而引證1 的技術手段「在封裝結構10中以接地 遮罩24覆蓋晶片12」亦迥異於引證2 的技術手段「以圖案 化製程形成螺旋狀金屬線125 作為電感元件」；且從結構 上論，引證1 的接地遮罩24為片狀，引證2 的金屬線125 為螺旋狀。又引證1 之遮罩24在打孔後以機械方式被拾起 並擺到晶片12上方，24頂部中央區域中沒有孔洞，可以在 封裝件組裝過程中讓真空拾取頭拾取並置放遮罩24。但引 證2 的電感是由半導體工程之圖案化方式形成，引證1 的 製程是機械式的，引證2 則是半導體式的，兩種製程完全 不同。系爭專利所屬技術領域中具有通常知識者，並無可 能具有動機結合兩引證案。
（四）被告於行政訴訟首次提出「無法據以實施」之新核駁理由 ，於法不合：
1.被告於系爭專利審查過程中從未曾就「明確性」、「可據 以實施」等要件，通知原告表示意見。其在102 年2 月6 日初審審查意見通知函、102 年11月13日初審核駁審定書 中所持審查意見，皆僅與新穎性或進步性相關；及至再審 查階段中所發之104 年7 月24日再審審查意見通知函，甚 至104 年12月18日再審核駁審定書（即原處分），亦只論 及進步性。於本件進入訴願程序後，被告在105 年3 月18 日訴願答辯書中也僅就進步性問題提出答辯。依據專利法 第46條第2 項、行政程序法第114 條第1 及2 項等規定， 前揭新核駁理由不得於行政訴訟中提出。
2.智慧財產案件審理法第33條第1 項雖然規定「關於撤銷、 廢止商標註冊或撤銷專利權之行政訴訟中，當事人於言詞 辯論終結前，就同一撤銷或廢止理由提出之新證據，智慧 財產法院仍應審酌之」，惟前揭條文僅適用於撤銷專利權 之行政訴訟，再者「『就同一撤銷理由提出之新證據』， 解釋上即指撤銷專利權理由，而未含專利申請理由」。因 此，本案並無智慧財產案件審理法第33條第1 項之適用， 被告依法已不得於行政訴訟程序中再行主張，所提文獻「
antenna theory and design 」（中譯：天線理論與設計 ），不足為憑。況該文獻天線與引證1 之「遮蔽元件」有 極大差異；且功效不同，天線與遮蔽元件連接之訊號亦不 同，難謂「通常知識者可輕易思及及完成本發明」。（五）台大電機系陳士元教授出具專家意見書說明相關領域之人 不易由引證1 之遮蔽元件聯想到系爭案之天線，並指出引 證2 之半導體製程與引證1 之封裝製程在技術本質上差異 甚鉅。「在學科分類上，半導體製程屬於奈米電子領域， 封裝製程則屬於電子構裝領域。以台大電機系之研究領域 分組為例，前者屬於奈米電子組，後者則屬於積體電路與 系統組或電波組，學生分屬不同之研究所組別，畢業後所 得選擇的公司及產業亦完全不同。」，足認「半導體製程 」及「封裝製程」各自衍生出完全不同的產業聚落，兩者 在技術內容本質上確有顯著差異。
（六）聲明：①原處分及訴願決定均撤銷。②被告應就第099104 458 號「半導體封裝件及其製造方法」發明專利申請案作 成准予專利之審定。
三、被告辯稱：
（一）引證1之金屬元件24接地使得等電位為0，該金屬板具有遮 蔽電磁波之功效，然對於熟悉電磁學理論具有通常知識者 均知當此一金屬板不接地，而於其任一金屬點施加一饋入 時變電壓訊號，即可以具有一平面天線（patch antenna ）之功效，換言之，該金屬板不接地，饋入時變電壓訊號 即可以產生具有一平面天線之功效，原告所述引證1 未能 教示遮蔽元件可作為一天線使用，為熟悉電磁領域具有通 常知識者所能輕易由引證1 教示之遮蔽金屬元件組合習知 平面天線技術所能輕易完成。此外，基於微電子電路設計 整合至單晶片之趨勢而言，RF系統電路設計者會有將RF發 射端之被動元件（天線、電感元件）整合至單晶片封裝之 動機。綜上，引證1 所揭露之金屬板接地係產生屏蔽電磁 波之功效，但對於熟悉天線技術具有通常知識者，將天線 整合至封裝晶片之動機，將引證1 所揭露之金屬板上任一 點饋入時變電壓訊號，即可作為一平面天線，達成系爭專 利晶片封裝之功效。另查系爭專利請求項1 所載「該金屬 片係為一電感元件或天線」，可知該金屬片可為天線或電 感二者之一，又引證2 揭露該晶片最上層金屬層形成金屬 電感結構（第1 圖），因此，對於熟悉晶片封裝技術領域 具有通常知識者顯然可以由引證1 該晶片上金屬層元件（ 第2 圖24），組合引證2 最上層之電感結構，即可完成系 爭專利之封裝結構。起訴理由另稱引證2 揭露之旋繞電感
結構係平面狀，與系爭專利所形成金屬片之電感為立體狀 不同，惟查系爭專利請求項1 所載技術特徵，未有進一步 限定該金屬片電感為立體狀，此外，引證2 說明書第7 頁 揭露「可透過提供空氣層於矽基板和電感之金屬線之空間 而降低寄生電容，從而使得擴展電感可用頻率之範圍變為 可能。」由此可知，引證2 所形成金屬線電感並非限於平 面。
（二）引證1為封裝技術，引證2為射頻積體電路，一般而言，將 射頻積體電路晶片與導線架，導線及電路板等藉由膠體封 裝即為封裝技術，雖二者沒有直屬封裝技術領域，惟二者 間有不可分之連結關係，換言之，引證2 射頻積體電路形 成單晶片，必需由引證1 完成封裝後方能與其他電子元件 電性連結達成功效，並非如原告所稱不具任何關聯性而無 法結合。再者，原處分係以引證2 揭露電感證明系爭專利 「電感」技術特徵已為公知電子元件，應用於引證1 置換 金屬片仍可達成引證1 之目的及功效，此外，原告指稱二 者尺寸上的差異致使引證1 、2 無法結合，但如前所述， 引證2 係為證明電感已為公知電子元件，所屬該項技術者 在知悉電感元件之電性後，自會設計變更尺寸。綜上，將 引證2 揭露電感應用於引證1 後，即無法達成引證1 之目 的及功效。
（三）引證1 摘要已載明一種半導體封裝包括複數個導線架及一 晶片固定於其中之一導線架上，一屏蔽元件連接於一導線 架上，再予以封裝。引證2 所屬之技術領域特別著於半導 體製程中製作電感元件，於說明書第7 頁記載「尤其重的 是電感佔據最大的晶片面積」，顯然在半導體製程領域中 ，在晶片製作電感是成本較高的方式。因此，在引證2 之 教示，所屬技術領域具有通常知識者自有將引證1 所揭金 屬片形成引證2 之電感結構，達成系爭案相同目的及功效 。另就引證1 國際分類號為H01L23/552，引證2 國際分類 號，主分類號為H01L27/04 ，次分類號為H01F17/00 ，與 系爭案國際分類號H01L23/58 ，H01F17/00 大致相同。綜 上所述，引證1 、2 間製程並無不同，具有技術關聯性， 與系爭專利亦屬相同技術領域，是以，所屬技術領域具有 通常知識者視引證1 、2 所揭技術自有組合之動機，難謂 引證1 、2 之組合不能證明系爭專利不具進步性。（四）系爭專利所屬技術領域通常知識者確實應指封裝領域，惟 原處分所指係電磁學並非狹義應用，而排除封裝技術領域 ，再者，隨著製程發展，電子元件微小化，應用頻率日趨 高頻，當封裝技術應用於封裝高頻元件時，電磁效應是封
裝設計及製作時須考慮重要因素，因此，原告將封裝技術 領域與電磁學應用解讀為不同技術領域，顯與事實不符。 此外，電磁學領域的通常知識者將引證1 所揭露屏蔽功能 之屏蔽元件係以金屬片接地吸收電磁波消除電磁干擾效應 ，同理，一端饋入電流該金屬片即產生輻射電磁波變成天 線，僅是電路學上之考量，非屬原告所稱二者分屬不同技 術領域。
（五）引證1 係將該金屬片接地，而系爭專利則是將該金屬片連 結兩個金屬墊與封裝晶片電性連結而形成電感、或形成天 線，惟此差異技術特徵僅在於電路連結不同且屬具電磁、 電路學之通常知識。且引證1 已揭露該晶片封裝藉以金屬 片接地形成屏蔽效應，避免靜電或電磁干擾，引證2 係揭 露電感形狀，就半導體封裝技術領域具有通常知識者將最 接近系爭案之先前技術引證1 金屬片改採引證2 教示之電 感形狀，亦仍產生引證1 屏蔽效應之目的及功效，故將引 證1 、2 組合實屬簡單變更並無困難。是以，引證1 、2 之組合可證明系爭專利不具專利要件。
（六）就電子產品設計者於設計電路時，就該電路為無需要大電 感值之電感，直接以半導體製程提供電感設計該電路。此 外，天線形狀、尺寸則更是與電子產品操作頻率有關。單 就高頻天線尺寸而言，通常會是在厘米等級，與晶片設計 以微米等級，封裝採毫米等級者，尺度上有明顯差異，故 電子產品設計者考量製作成本，多採外接天線，不會將電 路所需天線直接整合在晶片或封裝件上，即系爭專利所請 並非所屬技術領域具有通常知識者無法輕易思及。（七）聲明：原告之訴駁回。
四、兩造不爭執事項：
（一）原告於民國99年2 月11日以「半導體封裝件及其製造方法 」向被告申請發明專利，經被告編為第099104458 號發明 專利申請案審查後，於102 年11月13日以（102 ）智專二 （一）04255 字第10221548360 號專利核駁審定書，作成 「本案應不予專利」之處分（原處分卷第67至68頁）。（二）原告於103 年1 月7 日申請再審查並提出申請專利範圍修 正本，被告依上開修正本進行審查，於104 年12月18日以 （104 ）智專三（二）04066 字第10421711090 號專利再 審查核駁審定書，作成「本案應不予專利」之處分（本院 卷第32至33頁）。
五、本件發明專利申請事件，兩造爭點為：
（一）引證1與引證2之組合，是否足以證明系爭專利請求項1至 14不具進步性？
（二）引證1 是否揭露天線之技術特徵？
（三）引證1、引證2是否具有結合動機？
六、系爭專利與引證之技術分析：
（一）系爭專利技術內容（主要圖式如附圖）： 1.為縮小配置有電感等元件之半導體封裝件尺寸，提出一種 半導體封裝件，其包括一載體、一晶片、一金屬片及一封 膠，而該金屬片可為天線或電感元件。簡言之，系爭專利 之技術手段係將金屬片所構成之電感或天線元件橫跨於晶 片上方，使之與晶片一同封裝為一半導體封裝件，以縮減 半導體封裝件之尺寸（參系爭專利說明書第3 至9 頁）（二）系爭專利申請範圍：
原告曾於103年1月7日提出申請專利範圍修正本（參原處 分卷第70至82頁) ，經被告審查後，為應不予專利之處分 。是系爭專利申請專利範圍應以修正本為依據。系爭專利 請求項共14項，其中第1 、11項為獨立項，其餘為附屬項 。各請求項內容如下：
1.一種半導體封裝件，包括：一載體；一晶片，配置於該載 體上；一金屬片，具有一第一部份及一第二部份，其中該 第一部份及該第二部份係定義一容置空間，該第一部份及 該第二部份係設置於該晶片之同一側，該金屬片係為一電 感元件或一天線；以及一封膠，覆蓋該金屬片及該晶片， 且至少部分之該封膠係填充於該容置空間中，該金屬片嵌 入於該封膠中。
2.如申請專利範圍第1項所述之半導體封裝件，其中該第一 部份具有複數個金屬條，兩個相鄰之該些金屬條間的一角 度係小於180°，且該些金屬條係實質上共平面。 3.如申請專利範圍第1項所述之半導體封裝件，其中該第一 部份係為一螺旋狀金屬條。
4.如申請專利範圍第1項所述之半導體封裝件，其中該第一 部份係位於該晶片的上方。
5.如申請專利範圍第1項所述之半導體封裝件，其中該金屬 片係配置於該載體上，且位於該晶片旁。
6.如申請專利範圍第1項所述之半導體封裝件，其中該第一 部份係實質上垂直於該第二部份。
7.如申請專利範圍第1項所述之半導體封裝件，其中該載體 具有一接墊，且該第二部份之一端部係連接於該接墊。 8.如申請專利範圍第7項所述之半導體封裝件，其中該載體 係為一導線架，且該接墊之一表面係鍍銀。
9.如申請專利範圍第7項所述之半導體封裝件，其中該載體 係為一基板，且該接墊之一表面係鍍鎳/金。
10.如申請專利範圍第1項所述之半導體封裝件，其中該第一 部份與該晶片之一上表面的距離係大於4密爾(mil)。 11.一種半導體封裝件之製造方法，包括：形成一金屬片，該 金屬片具有一第一部份及一第二部份，其中該第一部份及 該第二部份係定義一容置空間，該金屬片係為一電感元件 或一天線；配置該金屬片於一載體上，且電性連接該第二 部份於該載體，該載體具有一晶片配置於其上；以及形成 一封膠，以覆蓋該金屬片及該晶片且填充該容置空間，該 金屬片嵌入於該封膠中。
12.如申請專利範圍第11項所述之方法，其中形成該金屬片之 該步驟包括：移除一金屬板之一部分，以形成該第一部份 及該第二部份；以及彎折該第金屬板，以形成由該第一部 份及該第二部份所定義之該容置空間。
13.如申請專利範圍第12項所述之方法，其中該第一部份具有 複數個金屬條，兩個相鄰之該些金屬條間的一角度係小於 180°，且該些金屬條係實質上共平面。
14.如申請專利範圍第11項所述之方法，其中該載體具有一接 墊配置於其上，且於配置該金屬片之該步驟中，該金屬片 係配置以連接該金屬片之該第二部份的一端部於該接墊。（三）引證分析：
1.引證1（主要圖式如附圖）
引證1 係美國第US6614102B1 號「Shielded semiconducto r leadframe package 」（屏蔽半導體導線架封裝）專利 案，公告日為92年9 月2 日，較系爭專利申請日98年9 月 3 日早，為系爭專利之先前技術。其揭露一種半導體晶片 封裝（semiconductor chip package）10，該半導體晶片 封裝10具有晶片墊（die pad ）14、半導體晶片（semico nductor die ）12、屏蔽元件（shield element）24以及 封裝模（package mold）22，該屏蔽元件24內設有容置空 間放置該半導體晶片12，該屏蔽元件24設有洞（holes ） 26，可使該封裝模22通過該等洞26而覆蓋該屏蔽元件24以 及該半導體晶片12（參引證1 說明書第2 、3 欄及第1 圖 ）。
2.引證2（主要圖式如附圖）
引證2 為我國第200910575 號「半導體裝置及其製造方法 」發明專利案，公開日為98年3 月1 日，較系爭專利申請 日98年9 月3 日早，為系爭專利之先前技術。其揭露一種 半導體裝置，該半導體裝置中包含有連接線121 、金屬線 125 等，而金屬線125 可為彈簧形狀或線圈形狀之電感。 特別地，金屬線125 可被形成為單個繞線元件（wound el
ement ），並且在電感的線中沒有縫隙，並且可具有彈簧 或線圈形狀。金屬線125 可具有螺旋形狀或者可包含若干 彎頭（參引證2 說明書第8 頁及圖式第1 圖）。七、本院判斷：
（一）按進步性的審查，包含下列步驟：確定申請專利之發明的 範圍；確定相關先前技術所揭露之內容；確定該發明所屬 技術領域中具有通常知識者之技術水準；確認該發明與相 關先前技術所揭露之內容間的差異；該發明所屬技術領域 中具有通常知識者參酌相關先前技術所揭露之內容及申請 時之通常知識，是否能輕易完成申請專利之發明。又審查 進步性之先前技術應為相關先前技術，其通常與申請專利 之發明屬相同或相關之技術領域，但若不相同或不相關之 技術領域中之先前技術與該發明具有共通的技術特徵時， 則該先前技術亦屬相關先前技術。
（二）引證1 主要揭露一種半導體晶片之封裝結構，其描述晶片 封裝結構中，在部分導線架上設有一屏蔽元件，使晶片與 屏蔽元件一同為封膠所包覆等相關技術內容。引證2 係關 於半導體裝置及其製造方法，其主要在描述如何在晶片中 形成適當之電感結構。而系爭專利所揭露之半導體封裝結 構，其主要技術內容係將金屬片所構成之電感或天線元件 橫跨於晶片上方，使之與晶片一同封裝為一半導體封裝件 ，以縮減半導體封裝件之尺寸。引證1 與系爭專利均在描 述如何將半導體元件或積體電路晶粒與外殼材料予以組裝 或灌封為一體，進而保護晶粒之相關技術，應屬半導體封 裝之技術領域。又依現今半導體產業技術之分工，引證1 、2 之技術內容雖在產業鏈中有中、下游之分，然二者均 為半導體製造之相關技術，且製程時有共通之處，例如晶 圓級封裝（Wafer-levelpackaging），其分類上雖屬下游 之半導體封裝技術領域，但其凸塊製程或重佈線路製程中 採取的蝕刻、沉積等步驟，即與中游之積體電路製程相同 ，難謂二者毫無關聯，況為因應半導體晶片高性能及高集 積化之需求發展，半導體產業界亦不乏有將中、下游製程 垂直整合之情形，是以引證1 之半導體「封裝」技術領域 及引證2 之半導體「製程」技術領域，自屬相關之技術領 域，得為系爭專利之相關先前技術。
（三）引證1 、2 之組合不足以證明系爭案請求項1 至10不具進 步性：
1.引證1 第1 圖揭示之半導體晶片封裝（semiconductor ch ip package）10，係對應於系爭專利請求項1 之「半導體 封裝件」技術特徵；而其揭示之半導體晶片（semiconduc
tor die ）12置於晶片墊（chip pad）14上，則對應於系 爭專利請求項1 之「一載體」及「一晶片，配置於該載體 上」技術特徵。又引證1 第1 圖揭示之屏蔽元件24係由金 屬所構成（見引證1 第3 欄第20至32行），係對應於系爭 專利請求項1 之「金屬片」，其中屏蔽元件24設有第一部 分（即與晶片墊14平行之部分）以及第二部分（即與晶片 墊14垂直之部分），該第一部分以及該第二部分形成一容 置空間，該第一部分、該第二部分與半導體晶片12均設置 於同一側，乃對應於系爭專利請求項1 「一金屬片，具有 一第一部份及一第二部份，其中該第一部份及該第二部份 係定義一容置空間，該第一部份及該第二部份係設置於該 晶片之同一側」之技術特徵。另引證1 第1 圖所揭示之封 裝模22，覆蓋屏蔽元件24及半導體晶片12，且至少部分之 封裝模22係填充於容置空間中，屏蔽元件24嵌入於封裝模 22中（另參引證1 第3 圖及第3 欄第33至38行），即對應 於系爭專利請求項1 之「一封膠，覆蓋該金屬片及該晶片 ，且至少部分之該封膠係填充於該容置空間中，該金屬片 嵌入於該封膠中」技術特徵。由上可知，引證1 與系爭專 利請求項1 之差異在於：引證1 之屏蔽元件24雖為金屬所 製成，然引證1 說明書第3 欄第28至31行揭示屏蔽元件24 被接地而提供電磁波干擾屏蔽，並非用作接收或發射電磁 波之天線，亦非作為抵抗電流改變之電感元件，換言之， 引證1 並未揭示系爭專利請求項1 之「該金屬片係為一電 感元件或一天線」技術特徵。
2.如前所述，引證1 並未揭示系爭專利請求項1 之「該金屬 片係為一電感元件或一天線」技術特徵，且引證2 亦無任 何關於「天線」之技術內容。被告雖以熟悉電磁學理論具 有通常知識者均知當金屬板（屏蔽元件24）不接地，而於 其任一金屬點施加饋入時變電壓訊號，即可具有平面天線 之功效（見原處分第4 、5 頁），另基於微電子電路設計 整合至單晶片之趨勢而言，RF（射頻）系統電路設計者會 有將RF發射端之被動元件（天線、電感元件）整合至單晶 片封裝之動機（105 年8 月17日答辯書第1 至2 頁）為由 ，認系爭專利請求項1 之發明係熟習電磁領域具有通常知 識者由引證1 教示之屏蔽元件組合習知平面天線技術所能 輕易完成，而不具進步性，並於106 年1 月17日準備程序 庭提出「天線理論及設計」（antenna theory and desig n ）教科書（1981年版，第5 頁）部分內容佐證平板天線 可為任意形狀係通常知識；惟系爭專利屬半導體封裝技術 領域，該領域中具有通常知識者，並非熟悉電磁學理論之
具有通常知識者，亦非RF系統電路設計者，況引證1 所揭 示屏蔽元件24需接地以提供有效的電磁干擾屏蔽（Shield element 24…is grounded to provide an effective el ectromagnetic interference shield ），與平面天線需 饋入時變電壓訊號之電路連接方式（亦即要將金屬片作為 天線時不能接地）不同，且為達有效屏蔽電磁波之目的， 屏蔽元件在結構上必須完整包覆晶片（見引證1 第3 、4 、9 圖），與天線結構以接收或發射電磁波之功能大不相 同，如將引證1 之屏蔽元件24變更為天線，明顯將使其喪 失電磁屏蔽之作用，故半導體封裝技術領域中具有通常知 識者由引證1 教示電磁屏蔽之相關技術內容，尚難思及將 之變更為天線。又如將引證1 之屏蔽元件變更為天線，需 考量電磁波之波長、天線之長度/ 寬度、饋入方式等因素 ，並非將任意金屬片予以饋入時變電壓訊號後即能成為一 有效的天線，且引證1 之重點在於提供電磁屏蔽，並無提 及任何關於天線之建議或教示，衡酌引證1 所解決之問題 係在避免電磁干擾、引證1 之屏蔽元件之功能或作用與系 爭專利之天線截然不同，以及引證1 並無任何建議或教示 等考量因素，半導體封裝技術領域具有通常知識者參酌引 證1 所揭露之內容及申請時之通常知識，應無動機將引證
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