發明專利舉發
最高行政法院(行政),判字,101年度,556號
TPAA,101,判,556,20120621,1

最　高　行　政　法　院　判　決
101年度判字第556號
上 訴 人　美商柯林研發公司 Lam Research Corporation
代　表　人　George M. Schisler Jr.
訴訟代理人　陳世杰　律師
　陳博建　律師
被 上訴 人　經濟部智慧財產局
代　表　人　王美花
參 加 人　新加坡商中微半導體設備有限公司
代　表　人　朱新萍
訴訟代理人　范曉玲　律師
　汪家倩　律師
複 代理 人　吳雅貞　律師
上列當事人間發明專利舉發事件，上訴人對於中華民國100年12
月29日智慧財產法院100年度行專訴字第70號行政判決，提起上
訴，本院判決如下：
　　主 文
上訴駁回。
上訴審訴訟費用由上訴人負擔。
　　理 由
一、上訴人之前身美商泛林股份有限公司（下稱美商泛林公司） 於民國88年6月23日以「於電漿處理室中大量消除未侷限電 漿之聚焦環配置」向被上訴人申請發明專利，並聲明其已於 西元1998年6月26日向美國提出第09/105,547號申請案，以 該案主張優先權。經編為第88110578號審查，准予專利，並 於公告期滿後，核發發明第126873號專利證書（下稱系爭專 利）。參加人嗣於98年2月13日以系爭專利違反核准時83年1 月21日修正公布之專利法第20條第1項第1款及第2項規定， 對之提起舉發，上訴人旋於98年5月14日申准變更專利權人 公司名稱為美商科林研發公司，並於99年1月4日之舉發答辯 時提出系爭專利申請專利範圍更正本。參加人主張系爭專利 更正申請專利範圍後，仍有違核准時專利法第20條第1項第1 款及第2項規定。案經被上訴人審查結果，認上訴人於99年1 月4日提出之系爭專利申請專利範圍更正本，符合現行專利 法第64條第1項第1款及第2項之規定，應准予更正，並依該 更正本審查，以系爭專利違反核准時專利法第20條第1項第1 款及第2項之規定，並於100年1月20日以(100)智專三（二） 04128字第10020051640號專利舉發審定書為「舉發成立，應 撤銷專利權」之處分。上訴人不服原處分，提起訴願，經遭 駁回，向原審提起行政訴訟，經原審法院裁定命參加人獨立



參加本件被上訴人之訴訟後，亦遭駁回，上訴人仍不服，乃 提起本件上訴。
二、上訴人起訴主張：系爭專利因聚焦環之存在，使等電位場線 可在晶圓表面大致均勻分佈，可改良蝕刻過程中越過晶圓表 面之場線均勻性。美國第5474649號專利、第2010/0000000 號申請案之先前技術中，均有論及典型之聚焦環，其實質上 可延伸晶圓之邊緣，而在所有舉發證據中，均無此技術特徵 。且因電漿密度與活動性於基材表面上不均勻，在靠近晶圓 邊緣及晶圓中心處不同，正離子不會均勻撞擊基材表面，故 證據2（即1996年3月26日公告之美國第5,502,355號「PLASM A PROCESSING APPARATUS FOR PRODUCING HIGH DENSITY PL ASMA」專利案，下稱證據2，圖式如原判決附圖2所示）所揭 示之結構，無法提供全部基材表面上之均勻場線，不具備聚 焦環之基本要件。而證據2為抑制在全部狹縫(4)中所產生之 放電，設置環狀延伸部(12b)以驅趕在狹縫中之等電位場線 ，以獲得極低之電漿密度，進而壓制狹縫中所產生之放電。 證據2之圖3顯示，環狀延伸部非常靠近晶圓(5)之邊緣，此 靠近晶圓邊緣之設置，將顯著擠壓晶圓邊緣之等電位場線， 造成通過晶圓邊緣之等電位場線分佈不均勻，此結構顯非聚 焦環。而在聚焦環之限制條件下，系爭專利「聚焦環組件」 之凸緣部(304b)，並不會如證據2之延伸部緊鄰晶圓邊緣， 故系爭專利之「聚焦環組件」，不必再額外界定「凸緣部之 長度或是否接近晶圓」，證據2無法證明系爭專利請求項1「 聚焦環組件」，不具新穎性。其次，證據3（即1993年9月3 日公開之日本特開平第5-226293號「高頻電漿處理器」專利 案，下稱證據3，圖式如原判決附圖3所示）之電力線被設計 為不可膨脹到晶圓之外，所有等電位線需穿過接地罩(10)與 晶圓邊緣之狹小間隙，等電位線在晶圓邊緣將無法均勻。系 爭專利未要求電力線不可膨脹至晶圓之外。而證據3因電漿 僅被限制在晶圓(4)區域中，固不會越過晶圓邊緣，然此非 聚焦環應有之基本特性，證據3亦有一接近晶圓邊緣之階差 ，此階差定義為一緊靠晶圓邊緣之「垂直壁」，接地罩延長 部(10a)極接近晶圓，緊靠晶圓邊緣之壁及延長部造成場線 不均勻性，亦與聚焦環之特性不符，是證據3並未揭露系爭 專利之聚焦環。參加人雖將SiO2當作一元件或實體，惟證據 3未將SiO2當作獨立元件，SiO2本質上應為接地罩延長部之 一部，SiO2之形狀由接地罩延長部之形狀決定，並非實體物 ，接地罩延長部不可能內藏於非實體中，故證據3之接地罩 延長部在絕緣物延長部(9a)上，且被覆蓋在SiO2或SiN之下 ，應僅揭露含SiO2或SiN塗層之接地罩延長部，係放置在絕



緣物延長部上，未揭露含SiO2或SiN塗層之接地罩延長部係 內藏於絕緣物延長部之中，是證據3未揭露系爭專利「環形 介電體」及「內藏」之特徵。再者，證據3之操作原理，包 括不同電場(11a、11b)，如將證據3圖3之接地罩(10)加至證 據4（即1993年11月5日公開之日本特開平第5-291194號「電 漿處理方法及裝置」專利案，下稱證據4，圖式如原判決附 圖4所示）之圖2，將產生證據4之電極覆蓋與晶圓齊平，則 證據3圖3之接地罩，因位於基板下方而無法依原先預定方式 運作；或使得證據4之電極覆蓋位於晶圓上方，則證據4之電 極覆蓋將不再與晶圓齊平，而產生階差。此階差將造成晶圓 表面缺乏處理之均勻性，故證據3、4之組合，無法達成系爭 專利請求項1之可提供晶圓表面上處理均勻性聚焦環之功能 。另倘將證據3圖3之接地罩加至證據5（即1997年12月29日 公開之歐洲第0814495A2號「Adjusting DC bias voltage i n plasma chamber」專利案，下稱證據5，圖式如原判決附 圖5所示）之圖1，將產生證據5之石英介電環仍與晶圓齊平 ，則證據3圖3之接地罩，因將位於基板下方而無法依原先預 定方式運作；或證據5之石英介電環位於晶圓上方，則證據5 之石英介電環，將不再與晶圓齊平而產生階差。此階差將造 成晶圓表面上缺乏處理之均勻性，故證據3及證據5之組合， 無法達成系爭專利請求項1之可提供晶圓表面上處理均勻性 聚焦環之功能。又組合證據6（即1994年5月17日公告之美國 第5,312,778號「METHOD FOR PLASMA PROCESSING USING MA GNETICALLY ENHANCED PLASMA CHEMICAL VAPOR DEPOSITION 」專利案，下稱證據6，圖式如原判決附圖6所示）未電氣接 地之導電筒(54)與證據3之電氣接地之接地罩延長部將造成 證據3、6之組合無法運作。組合證據5之陰極遮蔽(12)與證 據7（即1997年10月3日公開之日本特開平第9-260475號「半 導體晶圓座裝置以及半導體晶圓之玻璃方法」專利案，下稱 證據7，圖式如原判決附圖7所示）之元件(B)，將造成氣流 被改變或阻擋，則證據5、7之組合將無法運作。又訴願決定 及被上訴人之理由沿用參加人之主張，固認系爭專利請求項 1之技術特徵已可單獨被證據2或3揭露，則證據2組合證據3 ；證據4、5、6之一與證據3之組合；證據4、5、6之一與證 據2、證據3之組合；證據2、3之一與證據5、7之組合，足以 證明系爭專利請求項1為運用申請前既有技術或知識，而為 熟習該項技術者所能輕易完成。然參加人、訴願決定及被上 訴人之原處分，均未說明可輕易組合此等證據而完成系爭專 利之理由。訴願決定及被上訴人審定顯缺乏依據，有理由不 備之違法。再者，訴願決定及被上訴人由「證據2及證據3分



別揭露系爭專利」，推及「各種證據組合可證明系爭專利為 熟習該項技術者所能輕易完成」之審定明顯有誤，且違反83 年專利法第71條第1項第1款規定。訴願決定及被上訴人之原 處分，未針對該等證據組合中各證據之揭露進行分析、比對 ，而據以論述系爭專利之進步性，僅依賴其對證據2、3之錯 誤解釋結論以認定證據4、5、6與證據2、3間組合之教示， 不符合進步性要件之審查規定。另因系爭專利請求項1具有 新穎性與進步性，請求項2、7、8、14、15各具有新穎性與 進步性。證據3之SiO2塗層及絕緣物延長部(9a)為相同介電 材料，證據3未揭露請求項3、9、16「第一環形部係由一第 一介電材料形成，第二環形部係由不同於第一介電材料之第 二介電材料形成」技術特徵，請求項3、9、16應具有新穎性 及進步性。請求項4、10、17各包含其所分別依附之請求項3 、9、16之技術特徵，故請求項4、10、17各具有新穎性與進 步性。證據3之第一介電材料之第一介電常數與第二介電材 料之第二介電常數，兩者大致相同，未揭露請求項4、10、1 7「第一介電材料具有一第一介電常數，第二介電材料具有 第二介電常數，其具有較第一介電常數接近真空之介電常數 」技術特徵，請求項4、10、17具有新穎性及進步性。請求 項5、11、18各包含其所分別依附之請求項4、10、17之可專 利性技術特徵，且證據3本身非陶瓷，未揭露請求項5、11、 18「第一介電材料是陶瓷」技術特徵，請求項5、11、18具 有新穎性及進步性。請求項6、12、19各包含其所分別依附 之請求項4、10、17之技術特徵，故請求項6、12、19各具有 新穎性及進步性。而請求項13包含系爭專利請求項1之技術 特徵，且請求項13另包含「一侷限環係安置於該聚焦環組件 上」技術特徵，倘結合證據2與系爭專利之侷限環先前技術 ，將增加上、下電極間之距離，造成電漿自侷限環漏出，熟 悉該項技術者，無動機再將系爭專利之侷限環先前技術加入 證據2或證據3中，故請求項第13具有進步性。請求項1具有 新穎性，而請求項7係一種包含請求項1之聚焦環組件之電漿 處理室；請求項14係一種形成電漿處理室之聚焦環組件之方 法，其中包含提供請求項1之聚焦環組件。準此，系爭專利 請求項7及14均具有新穎性。另訴願機關及被上訴人明顯忽 略系爭專利「聚焦環」限制條件，錯誤解釋系爭專利「環形 介電體」、「內藏」技術特徵，亦漏未審酌上訴人無法組合 各證據之主張，致作出錯誤認定等語。求為判決將原處分及 原決定均撤銷。
三、被上訴人則以：系爭專利請求項第1、7、14項之管形部及凸 緣部，均為「導電屏蔽」之一部，並未限定應為個別獨立之



構件，亦可為一體成型。至於證據2中之圓柱部(12a)及環狀 延伸部(12b)，亦未限定應一體成形，而證據2之圖1顯示圓 柱部及環狀延伸部相交於圓柱部之上邊緣，可直接得知請求 項1、7、14界定「其中平面與管形部相交於管形部之上邊緣 」特徵。又系爭專利請求項未限定「管形部」與「凸緣部」 應為個別獨立之構件或必須為一體成型，而請求項第2、8、 15項則進一步界定「管形部」與「凸緣部」之連接關係，即 其中平面與管形部之縱軸形成一90度角，系爭專利未要求兩 部分相交之角度應為精確之90度角。而證據2之圖1顯示圓柱 部及環狀延伸部相交於圓柱部之上邊緣，且相交平面與管形 部之縱軸呈現90度角，已揭露請求項2、8、15所界定「其中 平面與該管形部之縱軸形成一90度角」技術特徵。準此，被 上訴人所為原處分並無違法等語，資為抗辯。求為判決駁回 上訴之訴。
四、參加人則以：（一）系爭專利更正後請求項第1至19項或原 獨立項1、8、16之技術特徵，均未提及，亦未要求聚焦環應 與基材間「無階差」，上訴人對系爭專利「聚焦環」之解釋 ，顯係為維護系爭專利有效性所為之主張，自無根據。況系 爭專利說明書從未揭露、教示或探討聚焦環與基材間之「階 差」問題，而由上訴人申請之他件第US6,039,836號專利第2 欄第51至57行之記載可知上訴人顯然瞭解聚焦環達到使等位 場線均勻之功效因素，係與聚焦環之材質有關，而與基材間 之高度差，並無必然關連，上訴人一再以證據2、3有「階差 」云云，宣稱其必非系爭專利之「聚焦環組件」云云，顯有 誤導之嫌。（二）上訴人援引之論文索引，其附圖竟無一與 上訴人行政訴訟起訴狀第6頁所附圖面相同，況該論文僅係 在探討不同幾何性質對等位線均勻性之影響，從未表示「有 階差者即非聚焦環」或「聚焦環不能有階差」，亦不可能以 該論文獲致上訴人所稱「證據2及證據3所揭示之結構並非聚 焦環」結論。上訴人係擴大解釋系爭說明書中「幾何因素」 ，逕行主張舉發證據所揭示者，並非聚焦環。（三）參加人 於舉發程序中，已提出系爭專利所屬技術領域諸多技術文件 ，顯示「聚焦環」與「基材、基板」間常有階差，熟悉該項 技術者不會以「階差」之有無或程度，以認定某結構是否為 「聚焦環」構件。由上訴人申請之他件第US20070032081號 專利，可知「聚焦環」與「邊緣環」係相同概念，且可高於 基材表面，而瞭解聚焦環使等電位線均勻之功效，其因素通 常與聚焦環、邊緣環之材料有關，其與基材間之高度差無關 。在工業界真正使用之電漿處理室中，在電漿蝕刻過程，聚 焦環、邊緣環亦會隨被處理之基材遭電漿逐漸蝕刻掉，屬於



消耗品，故業內技術人員通常會在基材邊緣放置具有比基材 表面更高之聚焦環、邊緣環。上訴人主張舉發證據僅揭露聚 焦環與基材間有階差，而未揭露系爭專利「聚焦環組件」云 云，顯無所據。（四）證據3揭示SiO2為具體構件，SiO2顯 然為物理型態上之固體與實體物，SiO2既係覆蓋在接地罩延 長部(10a)上，則由電漿處理室之配置及證據3揭露之圖式可 知，接地罩延長部乃環形構件，則接在其上之「SiO2」亦係 環形構件。至於證據3已揭示接地罩延長部在絕緣物延長部 之上，且被覆蓋在SiO2或SiN之下，亦已揭露接地罩延長部 「內藏」於絕緣物延長部(9a)與「SiO2或SiN」間之技術特 徵。系爭專利之內藏技術特徵，係向內突出部(304b)覆蓋在 第一環介電部(302a)下，上訴人僅空言稱證據3已揭露之SiO 2，為非獨立元件或實體，顯與證據3所載具體內容不符。又 系爭專利說明書無任何記載以「嵌入」結構以設置凸緣部， 上訴人之主張不為說明書所支持。而上訴人主張內藏凸緣部 邊緣與晶圓邊緣「彼此不可太接近」云云，更無所據，且與 系爭專利所載內容相悖。至於上訴人另主張系爭專利具有避 免內藏凸緣部腐蝕之保護結構設計、有減少內藏凸緣部發弧 效應之結構設計云云，均與系爭專利請求項所載之結構性技 術特徵無關，無庸審酌，況證據2之環狀覆蓋環(13)及證據3 之SiO2係為介電材料，熟悉該項技藝者可知，其具有避免內 藏凸緣部腐蝕及減少內藏凸緣部發弧效應之效果。（五）上 訴人不否認舉發證據已揭露系爭專利之構件，上訴人固主張 者乃證據之組合因「具有不同操作原理」而「無法運作」。 然參加人所提出之各舉發證據，均為電漿領域之技術文件， 對所屬技術之人士，並無不易暸解之問題。證據6未說明導 電筒(54)不可電氣接地，足見上訴人所稱「無法運作」、「 不可預知之結果」，均係本於其自行臆測之詞。而舉發證據 均屬電漿領域，其基本構件相同，僅因結構略有不同而有差 異，並非電漿操作原理上有何差異，此不影響先前技術即舉 發證據所提供之教示，亦不影響所屬技術領域者將舉發證據 予以組合，且無上訴人所稱證據之組合無法運作之問題。又 系爭專利請求項第1至19項相較於舉發證據，可知系爭專利 請求項第1至19項確實不具可專利要件。而SiO2係陶瓷材料 之一種，熟悉該項技術領域之人對此無爭議，上訴人悖於事 實、據此主張系爭專利第5、11、18項相較於證據3所揭示之 SiO2技術特徵有新穎性及進步性，即無可採。（六）自系爭 專利請求項第1、7、14項之用語可知，請求項第1、7、14項 「管形部」及「凸緣部」，係一導電屏蔽之組成部分，並未 限定為個別獨立之構件，可為一體成型，亦可為可分之部件



。準此，系爭專利請求項第1、7、14項「凸緣部形成一與管 形部相交之平面，其中平面與管形部相交於管形部之上邊緣 」，其意義指明導電屏蔽「凸緣部」與「管形部」兩個部分 相連接，且凸緣部位於管形部之上方，即兩個部分相連接之 處在管形部上邊緣。證據2說明書第4欄第56至60行記載其所 載實施例之圓柱部(12a)及環狀延伸部(12b)可為一體成型， 亦可為個別獨立之構件。且系爭發明領域具有通常知識者， 可由證據2之圖1得知，無論圓柱部及環狀延伸部為個別獨立 之構件或為一體成型，環狀延伸部應與圓柱部相交於一平面 ，且平面與圓柱部相交於圓柱部之上邊緣。證據2之圖1、說 明書之圓柱部及環狀延伸部，已揭露系爭專利請求項第1、7 、14項「其中平面與管形部相交於管形部之上邊緣」技術特 徵甚明，是系爭專利請求項第1、7、14項欠缺新穎性。（七 ）系爭專利請求項第2、8、15項進一步界定「管形部」與「 凸緣部」之相對位置與相連接之位置，為「其中平面與該管 形部之縱軸形成一90度角」，其意義在表示「管形部」與「 凸緣部」之相對位置及相交之位置，約略形成倒L形，而非 要求兩部分相交之角度應為精確之90度角。證據2與說明書 所載實施例之圓柱部(12a)及環狀延伸部(12b)已揭露一具有 管形部及凸緣部，管形部與凸緣部相交，而相交處在管形部 上邊緣，相交處與管形部之縱軸呈現90度角之導電屏蔽，顯 見系爭專利請求項第2、8、15項不具新穎性。（八）上訴人 準備（二）狀所為「系爭專利申請專利範圍第1項之解釋」 ，並非判斷系爭專利是否具備專利要件之程序，且其所為「 解釋」不為系爭專利說明書所支持，甚至與系爭專利說明書 之實施例相違，原處分及訴願決定已審酌系爭專利及各舉發 證據，「舉發成立，應撤銷專利權」及「訴願駁回」之審定 ，均無違誤等語。
五、原審斟酌全辯論意旨及調查證據之結果，以：（一）證據2 無法證明系爭專利請求項1、2、7、8、14及19不具新穎性： 1.證據2無法證明系爭專利請求項1不具新穎性：證據2之絕 緣構件(11)、接地罩及環狀覆蓋環(13)所構成之結構，亦與 先前技術之窄間隙成形元件，同樣可使得放電現象均勻地集 中在電極之上，即證據2之絕緣構件、接地罩及環狀覆蓋環 所構成之結構，係為一種聚焦環組件。又證據2之真空處理 腔室(1)，等同系爭專利請求項1之電漿處理室，證據2之電 極，等同系爭專利請求項1之吸盤，係用以承載晶圓(5)，且 證據2之絕緣構件、接地罩及環狀覆蓋環所構成之結構係包 圍電極，故系爭專利請求項1「一種聚焦環組件，架構以實 際包圍一電漿處理室之吸盤」技術特徵，已為證據2所揭露



。且證據2之絕緣構件及環狀覆蓋環所構成之結構，等同系 爭專利請求項1之環形介電體，故系爭專利請求項1「一環形 介電體」技術特徵，已為證據2所揭露。其次，證據2之接地 罩，係架構以電氣接地於真空處理腔室內，等同系爭專利請 求項1之導電屏蔽，係包圍絕緣構件及環狀覆蓋環，故系爭 專利請求項1「一導電屏蔽包圍環形介電體，導電屏蔽係架 構以電氣接地於電漿處理室內」技術特徵，已為證據2所揭 露。再者，證據2之接地罩12包含圓柱部(12a)，等同系爭專 利請求項1之管形部，而環狀延伸部(12b)，等同系爭專利請 求項1的凸緣部，其中證據2之圓柱部安置於絕緣構件外側， 並包圍絕緣構件，即絕緣構件及環狀覆蓋環所組成結構之一 部，而證據2之接地罩既由導電材料製成，則環狀延伸部與 圓柱部係為電氣相接，證據2之圓柱部及環狀延伸部可各自 分別方式形成，即在以各自分別方式形成時，環狀延伸部形 成一與圓柱部相交之平面，且環狀延伸部係內藏於絕緣構件 及環狀覆蓋環所組成結構內。故系爭專利請求項1「導電屏 蔽包含一管形部安置於環形介電體外側，並包圍環形介電體 之一部，暨一向內突出凸緣部，其與管形部電氣相接，凸緣 部形成一與管形部相交之平面，凸緣部係內藏於環形介電體 內」技術特徵，已為證據2所揭露。另圓柱部之上邊緣位於 環狀覆蓋環之上表面及絕緣構件之下表面間，是系爭專利請 求項1「管形部之上邊緣係定位於環形介電體之上表面及環 形介電體之下表面間」技術特徵，已為證據2所揭露。又圓 柱部及環狀延伸部可各自分別方式形成，然證據2未明確揭 露圓柱部及環狀延伸部相交之平面位置關係，故證據2之圓 柱部及環狀延伸部相交之平面，存在有相交於圓柱部之「上 邊緣」或「側邊緣」；反觀，系爭專利請求項1係明確界定 「其中平面與管形部相交於該管形部之上邊緣」，無法由證 據2揭示「圓柱部及環狀延伸部可以各自分別方式形成」， 可直接得知「平面與圓柱部相交於圓柱部之上邊緣」，是證 據2無法證明系爭專利請求項1不具新穎性。2.證據2無法證 明系爭專利請求項2不具新穎性：證據2未明確揭露圓柱部及 環狀延伸部相交平面之位置關係，故證據2之圓柱部及環狀 延伸部相交之平面，存在有平面與圓柱部之縱軸形成90度角 或180度角；反觀，系爭專利請求項2明確界定「其中平面與 管形部之縱軸形成一90度角」，難謂由證據2揭示「圓柱部 及環狀延伸部可各自分別方式形成」，可直接得知「平面與 圓柱部之縱軸形成一90度角」，故系爭專利請求項2「其中 平面與管形部之縱軸形成一90度角」技術特徵，非為證據2 所揭露，是證據2無法證明系爭專利請求項2不具新穎性。3.



證據2無法證明系爭專利請求項7不具新穎性：證據2未明確 揭露圓柱部及環狀延伸部相交之平面位置關係，故證據2之 圓柱部及環狀延伸部相交之平面，存在有相交於圓柱部之「 上邊緣」或「側邊緣」；反觀，系爭專利請求項7明確界定 「其中平面與管形部相交於管形部之上邊緣」，難謂由證據 2揭示之「圓柱部及環狀延伸部可各自分別方式形成」，可 直接得知「平面與圓柱部相交於圓柱部之上邊緣」。職是， 系爭專利請求項7「其中平面與管形部相交於管形部之上邊 緣」技術特徵，非為證據2所揭露。4.證據2無法證明系爭專 利請求項8不具新穎性：證據2未明確揭露圓柱部及環狀延伸 部相交之平面位置關係，故證據2之圓柱部及環狀延伸部相 交之平面，存在有平面與圓柱部之縱軸形成90度角或180度 角；反觀，系爭專利請求項8明確界定「其中平面與管形部 之縱軸形成一90度角」，難謂由證據2揭示「圓柱部及環狀 延伸部可各自分別方式形成」，可直接得知「平面與圓柱部 之縱軸形成一90度角」，故系爭專利請求項8「其中平面與 管形部之縱軸形成一90度角」技術特徵，非為證據2所揭露 ，是證據2無法證明系爭專利請求項8不具新穎性。5.證據2 無法證明系爭專利請求項14不具新穎性：證據2未明確揭露 圓柱部及環狀延伸部相交之平面位置關係，故證據2之圓柱 部及環狀延伸部相交之平面，存在有相交於圓柱部「上邊緣 」或「側邊緣」；反觀，系爭專利請求項14明確界定「其中 平面管形部相交於管形部之上邊緣」，難謂由證據2揭示「 圓柱部及環狀延伸部可各自分別方式形成」，可直接得知「 平面與圓柱部相交於圓柱部之上邊緣」，故系爭專利請求項 14「其中平面管形部相交於管形部之上邊緣」技術特徵，非 為證據2所揭露，是證據2無法證明系爭專利請求項14不具新 穎性。6.證據2無法證明系爭專利請求項15不具新穎性：證 據2未明確揭露圓柱部及環狀延伸部相交之平面位置關係， 故證據2之圓柱部及環狀延伸部相交之平面，存在有平面與 圓柱部之縱軸形成90度角或180度角；反觀，系爭專利請求 項15明確界定「其中平面與該管形部之縱軸形成一90度角」 ，難謂由證據2揭示「圓柱部及環狀延伸部可各自分別方式 形成」，可直接得知「平面與圓柱部之縱軸形成一90度角」 ，故系爭專利請求項15「其中平面與該管形部之縱軸形成一 90度角」技術特徵，非為證據2所揭露，是證據2無法證明系 爭專利請求項15不具新穎性。（二）證據2可證明系爭專利 請求項3至6、9至12、16至19不具新穎性：1.證據2可證明系 爭專利請求項3不具新穎性：系爭專利請求項3具有與請求項 1相同之技術特徵，而由系爭專利請求項1與證據2比對可知



，技術特徵已為證據2所揭露，故系爭專利請求項3之技術特 徵，亦為證據2所揭露。又證據2由環狀覆蓋環(13)，等同系 爭專利請求項3之第一環形部），暨相鄰於環狀覆蓋環之絕 緣構件(11)，等同系爭專利請求項3之第二環形部，兩者組 成之結構等同系爭專利請求項3之環形介電體，而絕緣構件 之一部分係被接地罩(12)之圓柱部(12a)所包圍，且證據2說 明書揭示環狀覆蓋環，係由氧化鋁陶瓷之介電材料形成，等 同系爭專利請求項3之第一介電材料，證據2說明書揭示絕緣 構件，係由不同於氧化鋁陶瓷之聚四氟乙烯之介電材料形成 ，等同系爭專利請求項3之第二介電材料，故系爭專利請求 項3「其中環形介電體由第一環形部及相鄰於第一環形部之 第二環形部形成，至少第二環形部之一部分係被導電屏蔽之 管形部所包圍，第一環形部係由一第一介電材料形成，第二 環形部係由不同於第一介電材料之第二介電材料形成」技術 特徵，已為證據2所揭露，是證據2可證明系爭專利請求項3 不具新穎性。2.證據2可證明系爭專利請求項4不具新穎性： 證據2說明書揭示環狀覆蓋環係由氧化鋁陶瓷之介電材料形 成，絕緣構件係由聚四氟乙烯之介電材料形成，介電材料均 具有一介電常數，且聚四氟乙烯或鐵弗材料具有較氧化鋁陶 瓷材料之介電常數，等同系爭專利請求項4之第一介電常數 ，接近真空之介電常數，等同系爭專利請求項4之第二介電 常數，此為鐵弗龍材料本身特性，故系爭專利請求項4之附 屬技術特徵為證據2所揭露，是證據2可證明系爭專利請求項 4不具新穎性。3.證據2可證明系爭專利請求項5不具新穎性 ：系爭專利請求項5係依附於請求項4之附屬項，其附屬技術 特徵為「其中第一介電材料是陶瓷」，而證據2說明書揭示 ，環狀覆蓋環係由氧化鋁陶瓷之介電材料形成，故系爭專利 請求項5之附屬技術特徵為證據2所揭露，是證據2可證明系 爭專利請求項5不具新穎性。4.證據2可證明系爭專利請求項 6不具新穎性：系爭專利請求項6係依附於請求項4之附屬項 ，其附屬技術特徵為「其中第二介電材料是鐵弗龍」。而證 據2揭示，絕緣構件係由聚四氟乙烯之介電材料形成，聚四 氟乙烯俗稱為鐵弗龍，故系爭專利請求項6之附屬技術特徵 為證據2所揭露，是證據2可證明系爭專利請求項6不具新穎 性。5.證據2可證明系爭專利請求項9不具新穎性：系爭專利 請求項9具有與請求項7相同之技術特徵，而由系爭專利請求 項7與證據2比對可知，技術特徵已為證據2所揭露，故系爭 專利請求項9之技術特徵，已為證據2所揭露。證據2由環狀 覆蓋環(13)，等同系爭專利請求項9之第一環形部，暨相鄰 於環狀覆蓋環之絕緣構件(11)，等同系爭專利請求項9之第



二環形部，其組成之結構等同系爭專利請求項9之環形介電 體，而絕緣構件之一部分係被接地罩(12)之圓柱部(12a)所 包圍，且證據2說明書揭示環狀覆蓋環，由氧化鋁陶瓷之介 電材料形成，等同系爭專利請求項9之第一介電材料，證據2 說明書揭示絕緣構件，由不同於氧化鋁陶瓷之聚四氟乙烯之 介電材料形成，等同系爭專利請求項9之第二介電材料，故 系爭專利請求項9「其中環形介電體由第一環形部及相鄰於 第一環形部之第二環形部形成，至少第二環形部之一部分被 導電屏蔽之管形部所包圍，第一環形部由一第一介電材料形 成，第二環形部由不同於第一介電材料之第二介電材料形成 」技術特徵，亦為證據2所揭露，是證據2可證明系爭專利請 求項9不具新穎性。6.證據2可證明系爭專利請求項10不具新 穎性：系爭專利請求項10係依附於請求項9之附屬項，證據2 說明書揭示環狀覆蓋環13係由氧化鋁陶瓷之介電材料形成， 絕緣構件(11)由聚四氟乙烯之介電材料形成，介電材料均具 有一介電常數，且聚四氟乙烯材料具有較氧化鋁陶瓷材料之 介電常數，等同系爭專利請求項10之第一介電常數，接近真 空之介電常數，等同系爭專利請求項10之第二介電常數，乃 為鐵弗龍材料本身特性，故系爭專利請求項10之附屬技術特 徵為證據2所揭露。而系爭專利請求項10所依附之請求項9之 所有技術特徵為證據2所揭露，是證據2可證明系爭專利請求 項10不具新穎性。7.證據2可證明系爭專利請求項11不具新 穎性：系爭專利請求項11係依附於請求項10之附屬項，證據 2說明書揭示環狀覆蓋環(13)由氧化鋁陶瓷之介電材料形成 ，故系爭專利請求項11之附屬技術特徵為證據2所揭露。系 爭專利請求項11所依附之請求項10之所有技術特徵為證據2 所揭露，是證據2可證明系爭專利請求項11不具新穎性。8. 證據2可證明系爭專利請求項12不具新穎性：系爭專利請求 項12係依附於請求項10之附屬項，而證據2說明書揭示絕緣 構件，係由聚四氟乙烯之介電材料形成，而聚四氟乙烯為鐵 弗龍，故系爭專利請求項12之附屬技術特徵為證據2所揭露 。系爭專利請求項12所依附之請求項10之所有技術特徵，已 為證據2所揭露，是證據2可證明系爭專利請求項12不具新穎 性。9.證據2可證明系爭專利請求項16不具新穎性：系爭專 利請求項16具有與請求項14相同之技術特徵，而由系爭專利 請求項14與證據2比對可知，技術特徵已為證據2所揭露，故 系爭專利請求項16之技術特徵，亦為證據2所揭露。又證據2 由環狀覆蓋環(13)，等同系爭專利請求項16之第一環形部， 暨相鄰於環狀覆蓋環之絕緣構件(11)，等同系爭專利請求項 16之第二環形部，其組成之結構係等同系爭專利請求項16之



環形介電體，而絕緣構件之一部分，係被接地罩(12)之圓柱 部(12a)所包圍，且證據2說明書揭示環狀覆蓋環由氧化鋁陶 瓷之介電材料形成，等同系爭專利請求項16之第一介電材料 ，證據2說明書揭示絕緣構件，由不同於氧化鋁陶瓷之聚四 氟乙烯之介電材料形成，等同系爭專利請求項16之第二介電 材料，故系爭專利請求項16「其中環形介電體由第一環形部 及相鄰於第一環形部之第二環形部形成，至少第二環形部之 一部分係被導電屏蔽之管形部所包圍，第一環形部由一第一 介電材料形成，第二環形部由不同於該第一介電材料之第二 介電材料形成」技術特徵，已為證據2所揭露，是證據2可證 明系爭專利請求項16不具新穎性。10.證據2可證明系爭專利 請求項17不具新穎性：系爭專利請求項17係依附於請求項16 之附屬項，而證據2說明書揭示環狀覆蓋環(13)由氧化鋁陶 瓷之介電材料形成，絕緣構件(11)由聚四氟乙烯之介電材料 形成，介電材料均具有一介電常數，且聚四氟乙烯材料具有 較氧化鋁陶瓷材料之介電常數，等同系爭專利請求項17之第 一介電常數，接近真空之介電常數，等同系爭專利請求項17 之第二介電常數，乃為鐵弗龍材料本身特性，故系爭專利請 求項17之附屬技術特徵為證據2所揭露，而系爭專利請求項 17所依附之請求項16之所有技術特徵，已為證據2所揭露， 是證據2可證明系爭專利請求項17不具新穎性。11.證據2可 證明系爭專利請求項18不具新穎性：系爭專利請求項18係依 附於請求項17之附屬項，而證據2說明書揭示，環狀覆蓋環 (13)由氧化鋁陶瓷之介電材料形成，故系爭專利請求項18之 附屬技術特徵為證據2所揭露，系爭專利請求項18所依附之 請求項17的所有技術特徵為證據2所揭露，是證據2可證明系 爭專利請求項18不具新穎性。12.證據2可證明系爭專利請求 項19不具新穎性：系爭專利請求項19係依附於請求項17之附 屬項，而證據2說明書揭示絕緣構件(11)由聚四氟乙烯之介 電材料形成，系爭專利請求項19之附屬技術特徵為證據2所 揭露，系爭專利請求項19所依附之請求項17的所有技術特徵 ，已為證據2所揭露，是證據2可證明系爭專利請求項19不具 新穎性。13.證據2揭示系爭專利「聚焦環」技術特徵：系爭 專利請求項1至19並無任何界定「聚焦環」與「晶圓」間之 相對位置與幾何關係，即上訴人主張「聚焦環」與「晶圓」 間無形成「階差」，暨「凸緣部」不會緊鄰「晶圓邊緣」等 幾何關係。準此，解釋系爭專利申請專利範圍時，自不得將 系爭專利圖式揭露之內容，即上訴人主張「聚焦環」與「晶 圓」間無形成「階差」，暨「凸緣部」不會緊鄰「晶圓邊緣 」等幾何關係，加入請求項1至19所界定「聚焦環」技術特



徵中，而限縮系爭專利之申請專利範圍。又參加人於系爭專 利舉發階段補充之附件2-附件8之說明書及圖式所揭露「聚 焦環」，均與「晶圓或基材」間形成有「階差」幾何關係， 且該等專利案之申請日與公告日均早於系爭專利申請日。準 此，足可佐證系爭專利申請日時，就熟習系爭專利技術者即 電漿處理裝置技術領域，所具有之既有知識或技術而言，並 不會認為「聚焦環」與「晶圓或基材」間不存在有「階差」 幾何關係。然由證據2說明書揭示先前技術藉由窄間隙成形 元件(19)，可使得放電現象均勻地集中在電極(2)上，而證 據2係藉由改良先前技術的窄間隙成形元件及接地罩(12)結 構，以改善先前技術中之空間(16)壓力問題。故證據2之絕 緣構件(11)、接地罩(12)及環狀覆蓋環(13)所構成之結構， 亦與先前技術之窄間隙成形元件同樣可使得放電現象均勻地 集中在電極上，即電極上所承載之晶圓(5)可均勻地進行電 漿蝕刻處理，故證據2「絕緣構件、接地罩及環狀覆蓋環所 構成之結構」，其與系爭專利之「聚焦環」係同為用以於整 個基材或晶圓表面上，均勻地進行電漿蝕刻處理。是系爭專 利請求項1至19未界定「聚焦環」與「晶圓或基材」間之相 對位置與幾何關係，且證據2具有與系爭專利之「聚焦環」 同為用以於整個基材表面上均勻地進行電漿蝕刻處理之結構