排除侵害專利權
智慧財產法院(民事),民專上字,98年度,58號
IPCV,98,民專上,58,20100120,2

智慧財產法院民事判決
　　　　　　　　　　　　　　　　　　98年度民專上字第58號
上　訴　人　美商科林研發公司（Lam Research Corp.）
法定代理人　George M. Schisler Jr.
訴訟代理人　陳彥希律師
　　　　　　范銘祥律師
　　　　　　林哲誠律師
複代理人　　林聖剛
被上訴人　　新加坡商中微半導體設備股份有限公司
兼　　　上
法定代理人　朱新萍
被上訴人　　中微半導體設備（上海）有限公司
兼　　　上
法定代理人　尹志堯
共　　　同
訴訟代理人　范曉玲律師
　　　　　　汪家倩律師
　　　　　　王孟如律師
複代理人　　郭雨嵐律師
　　　　　　黃惠敏律師
　　　　　　陳建銘
上列當事人間請求排除侵害專利權事件，上訴人對於中華民國98
年9 月8 日本院98年度民專訴字第10號第一審判決提起上訴，本
院於99年12月9 日言詞辯論終結，判決如下：
主 文
上訴駁回。
第二審訴訟費用由上訴人負擔。
事實及理由
甲、程序方面：
一、按民事事件涉及外國人或外國地者，為涉外民事事件，內國 法院應先確定有國際管轄權，始得受理。依內國法之規定或 概念，就爭執之法律關係予以定性後，決定應適用之準據法 ，因涉外民事法律適用法並無明文規定國際管轄權，應類推 適用民事訴訟法之規定。因侵權行為涉訟者，得由行為地之 法院管轄，為民事訴訟法第15條第1 項所明定。所謂行為地 ，凡為一部實行行為或其一部行為結果發生之地皆屬之（最 高法院98年度臺上字第2259號判決、56年臺抗字第369 號判 例要旨參照）。本件上訴人美商科林研發公司、被上訴人新 加坡商中微半導體設備股份有限公司（原名稱為新加坡商中 微半導體設備有限公司，嗣於99年11月3 日變更名稱為新加



坡商中微半導體設備股份有限公司，見本院卷㈤第170 頁， 下稱新加坡商中微公司）均為外國法人，而被上訴人中微半 導體設備（上海）股份有限公司（下稱大陸中微公司）為大 陸地區法人，且被上訴人尹志堯具有美國國籍，故具有涉外 因素，而為涉外民事事件。上訴人主張其為中華民國第1367 06號「電漿反應器中之多孔的電漿密封環」發明專利（下稱 系爭專利）之專利權人，因被上訴人新加坡商中微公司、朱 新萍、大陸中微公司及尹志堯等人販賣及進口型號為「Prim o D-RIE 」之電漿蝕刻機至我國係侵害系爭專利權，故起訴 請求排除與防止侵害，惟涉外民事法律適用法並無明文規定 侵權行為損害賠償事件之國際管轄權，因上訴人主張侵權行 為地在我國境內，自應類推適用我國民事訴訟法第15條第1 項規定，認定行為地之我國法院有國際管轄權。另依專利法 所保護之智慧財產權益所生之第一、二審民事訴訟事件，為 本院管轄案件，智慧財產法院組織法第3 條第1 款、智慧財 產案件審理法第7 條亦定有明文，故本院自得就本件民事事 件為審理。
二、次按，關於由侵權行為而生之債，依侵權行為地法，但中華 民國法律不認為侵權行為者，不適用之。侵權行為之損害賠 償及其他處分之請求，以中華民國法律認許者為限，涉外民 事法律適用法第9 條定有明文，又侵權行為依損害發生地之 規定。但臺灣地區之法律不認其為侵權行為者，不適用之。 臺灣地區與大陸地區人民關係條例50條亦定有明文。故關於 涉外侵權行為之準據法，應適用「侵權行為地」及「法庭地 法」，查上訴人主張被上訴人等之侵權行為係發生在我國境 內，依上開規定，本件涉外事件之準據法，自應依中華民國 之法律。
乙、實體方面：
一、上訴人之主張：
㈠上訴人起訴主張其為系爭專利權人，被上訴人新加坡商中微 公司為被上訴人大陸中微公司在新加坡所設立之海外據點， 專門從事半導體設備銷售與售後支援服務。被上訴人新加坡 商中微公司業經我國主管機關認許，並成立分公司經登記在 案，負責在我國之業務，而以國內之半導體製造商或晶圓廠 為其行銷、業務及服務之對象。被上訴人大陸中微公司主要 負責設備之開發、製造及出口，其負責人即董事長兼CEO 尹 志堯（Gerald YIN）及若干高層人員，曾任職於上訴人公司 。詎被上訴人大陸中微公司竟剽竊使用系爭專利之技術，而 運用於其所製造之型號為「Primo D-RIE 」電漿蝕刻機（下 稱「系爭機器」），除公開於其網站上陳列、銷售系爭機器



外，並私下提供系爭機器之技術簡報等行銷資料予其潛在客 戶。再者，被上訴人新加坡商中微公司為販賣、販賣之要約 及使用等目的，已進口至少二部系爭機器，分別於97年4 月 間將其中一部系爭機器引入第三人臺灣積體電路製造股份有 限公司（下稱臺積電公司）新竹晶圓廠內，嗣被上訴人又於 97年8 月間將另一部系爭機器引入第三人華邦電子股份有限 公司（下稱華邦公司）之臺中廠區內使用，嗣經上訴人向本 院聲請保全證據，經本院97年度民全字第47號裁定准許，並 於97年12月19日至華邦公司實施證據保全，就系爭機器與系 爭專利進行分析比對，系爭機器已落入系爭專利申請專利範 圍第1 至4 、6 至9 、11、12、14、19、20、21及23項而構 成專利侵害，此有國立中山大學出具專利侵害鑑定報告可稽 ，被上訴人等確有販賣、為販賣之要約、使用及為上述目的 而進口系爭機器，而侵害系爭專利權，爰依專利法第84條第 1 項中段及後段之規定請求排除及防止其侵害。系爭機器係 由被上訴人大陸中微公司製造出口至我國，被告朱新萍、尹 志堯分別為新加坡商中微公司、大陸中微公司負責人，為此 爰依民法第184 條第2 項、第185 條、公司法第23條第2 項 、專利法第56條第1 項提起本件訴訟，並聲明求為判決：被 上訴人新加坡商中微公司、朱新萍、大陸中微公司及尹志堯 不得自行或使他人直接或間接為製造、販賣、販賣之要約、 使用或為上述目的而進口型號為「Primo D-RIE 」之電漿蝕 刻機或其他一切侵害上訴人中華民國第136706號發明專利之 物品，或為其他一切相關侵害前述專利之行為，並願供擔保 請准宣告假執行。
㈡系爭專利申請專利範圍第1、7、9、14、21項具新穎性： ⒈被證13未揭露系爭專利「該絕緣罩是架構以電浮接於處理過 程中」之技術特徵，在絕緣罩架構以電浮接之狀態下，電漿 邊緣得以較接近絕緣罩，但不會產生較大之電位差而導致離 子衝撞絕緣罩，故可放大電漿產生區域降低電漿之密度，且 使該絕緣罩之使用壽命增長。系爭專利之絕緣罩必須與處理 室內具有限定電位的部分不接觸或僅有最小電性接觸，是以 系爭專利所稱「該絕緣罩是架構以電浮接於處理過程中」係 要求非面向電漿的那一面不應與接地或具固定電位之處理室 壁相接觸，而被證13之絕緣板有一側面係接地，而另一側面 電位係浮動的情況下，該絕緣層應係接地，即非電浮接，而 無法達成系爭專利絕緣罩的功效。
⒉被證13未揭露系爭專利「絕緣罩刻畫出該處理室的內部」技 術特徵，被證13係揭示可動的石英絕緣筒，當石英絕緣筒在 上升位置時，至少內部之一部分並未被石英絕緣筒刻畫出來



。另依據被證13號圖2 、圖3 之揭示，當屏蔽環19於下降位 置時，真空室中段周圍無法由絕緣物所涵蓋，當屏蔽環19於 上升位置時，真空室下段周圍無法由絕緣物所涵蓋，故無論 在其升、降位置均無法刻畫出真空室的內部。因此，以被證 13之頂部石英板22、屏蔽環20、屏蔽環19中之其一或甚至任 何組合，皆僅涵蓋真空室內壁之某一部分區域而無法刻畫出 真空室的內部。
⒊被證13未揭露系爭專利「多孔的電漿密封環，配置在下電極 的外周圍的外側，該多孔的電漿密封環上表面是配置在基板 上表面的下方並架構以電接地於該處理過程中」之技術特徵 。系爭專利之多孔電漿密封環係一具有相當厚度之環，且藉 由環之厚度、接地、材料及穿孔之尺寸、數量、形狀、開口 區域百分比等之技術手段，而能同時達到排氣效率及密封電 漿兩功效，並有將電子自處理室中被移除，進而降低了電漿 的密度，使得電漿中離子的能量增加之功效，而被證13之說 明書與圖式僅揭示衝切金屬件26係接地，但並未揭露具體之 結構，是以系爭專利所屬技術領域中具有通常知識者，基於 被證13所記載之技術內容，無法直接與無歧異推知系爭專利 「多孔的電漿密封環，配置在下電極的外周圍的外側」技術 特徵，故系爭專利申請專利範圍第1 項相較被證13具新穎性 。
⒋被證13亦未揭露系爭專利「其中該第二頻率約為2MHz」、「 其中該絕緣罩是在該處理過程中以藉由存在於該處理室內的 電漿實質抗蝕之材料形成」、「其中該多孔的電漿密封環的 外直徑是大於該絕緣罩的內直徑」、「其中該多孔的電漿密 封環具有數個穿孔，其架構以使來自該處理過程的副產品氣 體通過，同時使電漿實質地受限於至少由該絕緣罩、該基板 及該多孔的電漿密封環所界定的容積」、「其中該多孔的電 漿密封環上表面是配置在該基板上表面的下方小於4 吋的位 置」等技術特徵，故系爭專利申請專利範圍第7 、9 、11、 14 、21 項相較被證13具新穎性。
㈢系爭專利申請專利範圍第1 至4 、6 至9 、11、12、14、19 、20、21及23項具進步性：
⒈系爭專利圖2 所載之先前技術以及被證14至少俱未揭露系爭 專利「絕緣罩，刻畫出該處理室的內部，該絕緣罩是架構以 電浮接於處理過程中」、「多孔的電漿密封環，配置在下電 極的外周圍的外側，該多孔的電漿密封環上表面是配置在基 板上表面的下方並架構以電接地於該處理過程中」之特徵， 且被證14之電漿處理裝置係使用低的鞘區電壓而導致離子能 量降低，此與系爭專利之電漿密封環可移除電子、降低電漿



密度而提高離子能量之作用，以利提供高鞘區電壓、適度的 電漿密度、對晶圓提供高能量離子的結果正好相反，被證14 對於系爭專利係一種反向教示，是以系爭專利申請專利範圍 第1 項無法由系爭專利圖2 所載之先前技術及被證14的組合 所輕易完成而具進步性。
⒉系爭專利圖2 所載之先前技術以及被證15至少俱未揭露系爭 專利「絕緣罩，刻畫出該處理室的內部，該絕緣罩是架構以 電浮接於處理過程中」、「多孔的電漿密封環，配置在下電 極的外周圍的外側，該多孔的電漿密封環上表面是配置在基 板上表面的下方並架構以電接地於該處理過程中。」之特徵 ，且被證15揭露之電漿處理室係利用一垂直於電場之磁場， 其在兩電極間產生的垂直磁場感應電漿中電子之ExB 漂移， 使得電漿密度變的非常大，而系爭專利的裝置並無磁場，也 無所謂的「電子之ExB 漂移」，因此被證15與系爭專利的電 漿行為完全不同，而且其增加電漿密度之內容亦與系爭專利 降低電漿密度之目的完全相反，被證15對於系爭專利亦係反 向教示，是以系爭專利申請專利範圍第1 項無法由系爭專利 圖2 所載之先前技術及被證15的組合所輕易完成而具進步性 。
⒊被證14及被證16至少俱未揭露系爭專利「絕緣罩，刻畫出該 處理室的內部，該絕緣罩是架構以電浮接於處理過程中」、 「多孔的電漿密封環，配置在下電極的外周圍的外側，該多 孔的電漿密封環上表面是配置在基板上表面的下方並架構以 電接地於該處理過程中」之特徵，且被證16係關於使用高電 漿密度之電漿處理裝置，但高電漿密度會導致離子能量降低 ，此與系爭專利之電漿密封環因移除電子、降低電漿密度而 提高離子能量之作用正好相反。因此，被證16對於系爭專利 係一種反向教示，且與被證14電漿處理操作頻率（被證16號 為射頻，被證14號為VHF/UHF 頻率）等等實質技術內容不同 ，是以系爭專利申請專利範圍第1 項無法由被證14及被證16 的組合所輕易完成而具進步性。
⒋被證15及被證16至少俱未揭露系爭專利「絕緣罩，刻畫出該 處理室的內部，該絕緣罩是架構以電浮接於處理過程中」、 「多孔的電漿密封環，配置在下電極的外周圍的外側，該多 孔的電漿密封環上表面是配置在基板上表面的下方並架構以 電接地於該處理過程中」之特徵，且被證16係關於使用高電 漿密度之電漿處理裝置，對於系爭專利係一種反向教示，被 證15與系爭專利的電漿行為完全不同，而且其增加電漿密度 之內容亦與系爭專利降低電漿密度之目的完全相反，被證15 對於系爭專利亦係反向教示，更何況被證15之排氣環並未揭



露其接地之作用、目的，並不存在動機將被證15與被證16結 合而完成系爭專利申請專利範圍第1 項，是以系爭專利申請 專利範圍第1 項無法由被證15及被證16的組合所輕易完成而 具進步性。
⒌被證33及被證17至少俱未揭露系爭專利「絕緣罩，刻畫出該 處理室的內部，該絕緣罩是架構以電浮接於處理過程中」、 「多孔的電漿密封環，配置在下電極的外周圍的外側，該多 孔的電漿密封環上表面是配置在基板上表面的下方並架構以 電接地於該處理過程中」之特徵，且被證33之電漿散佈防止 構件16並未接地，是被證33係設計適用於特定非接地結構， 又被證17係揭露一接地的排氣環25，故被證17係設計適用於 特定接地結構，二者之實質內容及設計理念等等皆相反，技 術內容上互為反向教示，被證33提高電漿密度之內容亦與系 爭專利降低電漿密度之目的完全相反，是以系爭專利申請專 利範圍第1 至4 、6 至9 、14、19、20、23項無法由被證17 及被證33的組合所輕易完成而具進步性。
⒍被證36及被證17至少俱未揭露系爭專利「絕緣罩，刻畫出該 處理室的內部，該絕緣罩是架構以電浮接於處理過程中」、 「多孔的電漿密封環，配置在下電極的外周圍的外側，該多 孔的電漿密封環上表面是配置在基板上表面的下方並架構以 電接地於該處理過程中」之特徵，且被證36之擋板14並未接 地，顯然被證36號係設計適用於特定非接地結構，被證17係 揭露一接地的排氣環25，故被證17係設計適用於特定接地結 構，二者之實質內容及設計理念等等皆相反，技術內容上互 為反向教示，且被證36係關於使用高電漿密度之電漿處理裝 置，對於系爭專利係一種反向教示，是以系爭專利申請專利 範圍第1 、11項無法由被證17及被證36的組合所輕易完成而 具進步性。
⒎被證13與被證17至少俱未揭露系爭專利申請專利範圍第2 項 之「絕緣罩，刻畫出該處理室的內部，該絕緣罩是架構以電 浮接於處理過程中」、「多孔的電漿密封環，配置在下電極 的外周圍的外側，該多孔的電漿密封環上表面是配置在基板 上表面的下方並架構以電接地於該處理過程中」、「集中環 ，其配置在該下電極的該外周圍，並鄰接該多孔的電漿密封 環」等要件，被證17排氣環25本身作為陽極之一部份，與電 漿的形成關聯性大，並無教示或建議該排氣環在密封電漿上 具有任何功能，故不可能接合移植於被證13之處理室，故系 爭專利申請專利範圍第2 、4 、6 、7 項相較被證13與被證 17之組合具有進步性。
⒏被證13與被證36至少俱未揭露系爭專利申請專利範圍第2 項



之「絕緣罩，刻畫出該處理室的內部，該絕緣罩是架構以電 浮接於處理過程中」、「多孔的電漿密封環，配置在下電極 的外周圍的外側，該多孔的電漿密封環上表面是配置在基板 上表面的下方並架構以電接地於該處理過程中」、「集中環 ，其配置在該下電極的該外周圍，並鄰接該多孔的電漿密封 環」等要件，被證36係設計適用於特定非接地結構，被證13 係設計適用於特定接地結構，二者之技術內容上互為反向教 示，故系爭專利申請專利範圍第2 至4 、6 項相較被證13與 被證36之組合具有進步性。
⒐被證33與被證13至少俱未揭露系爭專利請求項第2 項之「絕 緣罩，刻畫出該處理室的內部，該絕緣罩是架構以電浮接於 處理過程中」、「多孔的電漿密封環，配置在下電極的外周 圍的外側，該多孔的電漿密封環上表面是配置在基板上表面 的下方並架構以電接地於該處理過程中」、「集中環，其配 置在該下電極的該外周圍，並鄰接該多孔的電漿密封環」等 要件，被證33係設計適用於特定非接地結構，被證13係設計 適用於特定接地結構，技術內容上互為反向教示，故系爭專 利申請專利範圍第2 至4 、6 、8 、12、19、20、23項相較 被證33與被證13之組合具有進步性。
⒑就熟習該項技術者而言，亦無法藉由組合被證13號與系爭專 利圖2 所載之先前技術，而輕易完成系爭專利申請專利範圍 第3 項，故系爭專利申請專利範圍第3 、4 項相較被證13與 系爭專利圖2 所載之先前技術之組合具有進步性。 ⒒被證15環構件17非揭露為接地，被證13係揭露一接地的以虛 線表示之衝切金屬件26，二者之實質內容及設計理念等等皆 不同，故對熟習該項技術者而言，無法藉由組合被證15與被 證13而輕易完成系爭專利申請專利範圍第3 項。 ⒓被證16揭露一不需電漿密封環之處理室，被證13係揭露一接 地的以虛線表示之衝切金屬件26，二者之實質內容及設計理 念等等皆不同，故對熟習該項技術者而言，是無法藉由組合 被證16與被證13，而輕易完成系爭專利申請專利範圍第3 、 4 、6 、7 項。
⒔被證20之擋板118 未揭露為接地，而被證13係揭露一接地的 以虛線表示之衝切金屬件26，二者之實質內容及設計理念等 等皆相反，故對熟習該項技術者而言，是無法藉由組合被證 20與被證13，而輕易完成系爭專利申請專利範圍第3 、4 、 6 項。
⒕被證14歧管用篩24作為傳輸線以及電流傳送路徑的一部分， 不可能獨立拆解，被證15製程刻意地以離子轟擊處理室壁而 使得處理室壁材料披附在基材上，被證16揭露不需電漿密封



環之處理室，二者之實質內容及設計理念等等皆不同，且被 證14歧管用篩24或被證15環構件17均非揭露為接地，故不可 能置換為功能迥異之系爭專利密封環，故系爭專利申請專利 範圍第9 、14項相較被證14或被證15與系爭專利圖2 所載之 先前技術之組合具有進步性，系爭專利申請專利範圍第9 項 相較於被證16及被證14、被證15之組合亦具有進步性。 ⒖被證38之排氣環66係為了使電漿維持在電漿產生區域59，電 漿產生區域59係被分隔以於電漿產生區域59與排氣區域68之 間保持壓力差，系爭專利之多孔的電漿密封環係被建構為允 許盡可能高的氣體傳導性，又被證38之排氣環66係絕緣，且 未揭示接地之記載，顯然被證38係設計適用於特定非接地結 構，被證13係設計適用於特定接地結構，技術內容上互為反 向教示，故系爭專利申請專利範圍第12項相較被證13與被證 38之組合具有進步性。
⒗被證37教示一種相對於陰極減少反應器陽極與接地面之有效 面積的方法，以減少在陰極上的直流偏壓並因此減小離子能 量，完全相反於系爭專利在於增加離子能量之主要目的，而 為相反教示，且被證37之「腔體內襯」44與處理室壁接觸， 非電浮接，因此，被證37並未揭示系爭專利之「絕緣罩，刻 畫出該處理室的內部，該絕緣罩是架構以電浮接於處理過程 中」、「一多孔的電漿密封環，配置在下電極的外周圍的外 側，該多孔的電漿密封環之上表面配置在基板上表面的下方 並架構以電接地於該處理過程中」，被證37揭示一未接地之 電漿篩，被證13係設計適用於特定接地結構，技術內容上互 為反向教示，故對熟習該項技術者而言，是無法藉由組合被 證37與被證13，而輕易完成系爭專利申請專利範圍第19項。二、被上訴人則以：被上訴人新加坡商中微公司登記設立於開曼 群島，為跨國性之集團企業，以新加坡商中微公司為總公司 ，大陸中微公司乃設於上海負責研發製造之生產據點，受新 加坡總公司指揮控制，被上訴人新加坡商中微公司非大陸中 微公司之海外據點。而被上訴人尹志堯早在18年前，即西元 1991年即已自上訴人公司離職，斷無可能以此推論被上訴人 新加坡商中微公司之技術與上訴人有任何關連。系爭機器之 相關業務均由新加坡商中微公司負責處理，被上訴人尹志堯 及朱新萍從未以其個人身分從事系爭機器任何相關業務，上 訴人依公司法第23條第2 項及民法第185 條規定主張渠等應 負排除及防止侵害之責，實無權利保護必要。相較於系爭專 利自承之先前技術，系爭專利所欲解決之問題在於附著於密 封環上之微粒掉落可能造成基板污染，而系爭專利用以解決 上述問題之技術手段，乃在於將密封環「配置在下電極的外



周圍的外側，該多孔的電漿密封環上表面是配置在基板上表 面的下方」，且系爭專利申請專利範圍第1 至4 、6 至9 、 11、12 、14 、19至21、23項之技術特徵分別為如附表所示 之證據所揭露，故不具新穎性或進步性。上訴人主張系爭機 器侵害系爭專利，無非係以其於原審提出之國立中山大學鑑 定報告、上訴人員工Rajinder Dhindsa聲明書及上訴人自製 系爭專利申請專利範圍第1 項侵權分析比對表為據，惟上開 鑑定報告僅就系爭專利申請專利範圍第1 項作成侵害判斷， 而未就附屬項為任何判斷，上開聲明書並非系爭產品之客觀 紀錄，而上訴人員工根據其對被上訴人美國專利文件之主觀 解讀而寫成之主觀意見，上訴人之侵權分析比對表則未依全 要件原則進行比對，均不足以採為判斷本件侵權與否之依據 ，系爭機器之上電極是接地，並不符合系爭專利「上電極架 構以連接至具有第一射頻頻率的第一射頻電源」之技術特徵 ，其技術手段、功能及效果亦不均等，並無侵害系爭專利之 情事等語，資為抗辯。
三、原審判決上訴人全部敗訴，上訴人聲明不服，提起上訴，其 上訴聲明為：㈠原判決廢棄；㈡被上訴人新加坡商中微公司 、朱新萍、大陸中微公司及尹志堯不得自行或使他人直接或 間接為製造、販賣、販賣之要約、使用或為上述目的而進口 型號為「Primo D-RIE 」之電漿蝕刻機或其他一切侵害上訴 人中華民國第136706號發明專利之物品，或為其他一切相關 侵害前述專利之行為。被上訴人等答辯聲明均為：上訴駁回 。
四、兩造不爭執之事項（見本院卷㈡第23頁）：　㈠上訴人為我國第136706號「電漿反應器中之多孔的電漿密封　 環」發明專利之專利權人。
　㈡被上訴人新加坡商中微公司進口二部型號「Primo D-RIE」 電漿蝕刻機設備，分別於97年4月間安裝於臺積電公司位於 新竹科學工業園區新竹市○○○路8號，即臺積電公司總部 及晶圓12廠內；暨於97年8月間安裝於華邦公司位於中部科 學工業園區臺中縣大雅鄉○○○路8號晶圓6B廠現址之N08E 廠區內。
㈢系爭機器為被上訴人大陸中微公司在大陸地區製造後，而以 被上訴人新加坡商中微公司之名義進口至我國。　㈣被上訴人新加坡商中微公司、大陸中微公司為不同之法人主　 體。
五、本院依民事訴訟法第463 條準用第270 條之1 規定與兩造整 理並協議簡化爭點如下（見本院卷㈡第23、24頁）： ㈠被上訴人新加坡商中微公司進口之系爭機器是否落入系爭專



利申請專利範圍第1 至4 、6 至9 、11至12、14、19至21及 23項，而構成侵害？
㈡系爭專利申請專利範圍第1 至4 、6 至9 、11至12、14、19 至21及23項，是否有如附表所示得撤銷之原因？ ㈢倘被上訴人等進口之系爭機器落入系爭專利申請專利範圍， 上訴人為本件請求是否有據？
六、系爭機器未落入系爭專利申請專利範圍第1 、2 、3 、4 、 6 、7 、8 、9 、11、12、14、19、20、21及23項，而不構 成侵害：
㈠按發明專利權範圍，以說明書所載之申請專利範圍為準，於 解釋申請專利範圍時，並得審酌發明說明及圖式，專利法第 56條第3 項定有明文。判斷被控侵權對象是否侵害專利權， 首先應依專利說明書所載之申請專利範圍為準，倘申請專利 範圍之文字已臻明確時，應以其所載文字在該發明所屬技術 領域中具有通常知識者於申請專利時所認知或瞭解支持該文 字之通常習慣總括之意義予以解釋，自不得以申請專利範圍 所未記載卻揭示於發明說明及圖式之限制條件讀入申請專利 範圍；反之，倘申請專利範圍之文字有不明瞭或疑義時，自 得審酌發明說明及圖式用以輔助解釋申請專利範圍中既有之 限制條件，若申請人自己作為文字編彙者，在發明說明中就 該文字賦予特定之定義，即應依該定義解釋申請專利範圍， 如申請人無明顯意圖賦予該文字其他意義，該文字被推定為 具有通常知識者所認知或瞭解的通常習慣意義，並審酌說明 書整體內容中該文字之用法，確定申請專利範圍所載之發明 內涵，進而適切地界定專利權範圍。
㈡系爭專利申請專利範圍之解釋：
⒈系爭專利為關於一種用以處理基板之半導體用電漿處理反應 器裝置，此裝置包含處理室、上電極及下電極，其如附圖二 所示系爭發明電漿處理反應器簡圖。上電極是架構以連接至 具有第一射頻頻率之第一射頻電力源，下電極是架構以連接 至具有第二射頻頻率之第二射頻電力源，而第二射頻頻率是 低於第一射頻頻率。此裝置包含絕緣罩，其標示出處理室的 內部，絕緣罩是架構以便在處理過程中電浮接。此裝置包含 多孔電漿密封環，其配置在下電極之外周圍外側，此多孔電 漿密封環是配置在基板上表面之下方，並在處理過程中電接 地。系爭專利之主要技術特徵為絕緣罩是架構係電浮接，以 防止電漿免於經由處理室而接地（見系爭專利說明書第18頁 第2 行以下）。多孔電漿密封環係接地使電子自處理室中移 除，故降低電漿的密度，電漿密度的降低傾向於使電漿中離 子的能量增加（見系爭專利說明書第15頁第3 行以下）。多



孔的電漿密封環是配置在處理室中的一個位置，其中多孔的 電漿密封環可有效地排出副產品氣體而不會造成基板的污染 。多孔的電漿密封環安裝在基板上方的結構可能使所吸附的 材料剝落在基板，造成微粒狀污染，較佳地，多孔密封環應 被安裝在基板的下游，多孔的電漿密封環是配置在基板上表 面的下方，以降低污染量，如果位在基板上的上方，將會發 生污染，以此方式配置多孔的電漿密封環，亦對蝕刻的均勻 性有所貢獻（見系爭專利說明書第13頁倒數第7 行以下、第 17頁倒數第10行以下）。
⒉「絕緣罩，刻畫出該處理室的內部」之解釋： ⑴系爭專利說明書有關「絕緣罩」之空間敘述如下： ①系爭專利說明書第6 頁第8 行至第9 行「此裝置另包含 絕緣罩，其標示出處理室的內部」。
②系爭專利說明書第13頁第11行至第12行「絕緣罩220 刻 畫出處理室的內部」。
③系爭專利說明書第14頁第16行「自圖式頁中突出的絕緣 罩220 刻畫出平行板反應器200 的內部」。 ④系爭專利說明書第15頁第15行至第16行「藉由使電漿受 限於約由上電極、絕緣罩、下電極與多孔的電漿密封環 所界定的容積內側」。
⑤系爭專利說明書第18頁第3 行至第5 行「絕緣罩亦具有 使電漿受限於處理室中特定容積之目的，並可具有依據 所需容積之尺寸」。
⑥系爭專利申請專利範圍第14項「同時使電漿實質地受限 於至少由該絕緣罩、該基板及該多孔的電漿密封環所界 定的容積。」。
⑵依據系爭專利說明書第15頁第15行至第16行「藉由使電漿 受限於約由上電極、絕緣罩、下電極與多孔的電漿密封環 所界定的容積內側」、系爭專利申請專利範圍第14項「時 使電漿實質地受限於至少由該絕緣罩、該基板及該多孔的 電漿密封環所界定的容積。」及系爭專利圖式第3 圖可知 ，系爭專利絕緣罩僅是界定處理室內部容積之眾多構件之 一，故「刻畫出」僅是說明該絕緣罩本身所「覆蓋」之處 理室內部容積，並非是絕緣罩「完全覆蓋」處理室內部。 準此，系爭專利申請專利範圍第1 項之技術特徵「絕緣罩 ，刻畫出該處理室的內部」之解釋，應為絕緣罩係覆蓋處 理室之內部。
⒊「絕緣罩是架構以電浮接於處理過程中」之解釋： ⑴系爭專利說明書有關「浮接」、「電浮接」、「接地」、 「電接地」之描述如下：




①系爭專利說明書第6 頁第9 行「絕緣罩是架構以便在處 理過程中電浮接」。
②系爭專利說明書第11頁第5 行至第6 行「絕緣罩是架構 以電浮接的，其防止電漿經由處理室壁而接地」。 ③系爭專利說明書第11頁第10行至第11行「處理室壁102 具有連接至接地或浮接之選擇」。
④系爭專利說明書第12頁第2 行：「密封環122 是浮接且 以絕緣材料製成」。
⑤系爭專利說明書第12頁第15行至第16行「處理室壁202 具有連接至接地或浮接的選擇」。
⑥系爭專利說明書第13頁第10行至第11行「絕緣罩220 是 電浮接，且在基板214 的蝕刻時，藉由存在於處理室中 的電漿，是由抗蝕的材料製成。」。
⑦系爭專利說明書第18頁第2 行至第3 行「絕緣罩是架構 為電浮接，此防止電漿免於經由處理室壁而接地。」。 ⑧系爭專利說明書第18頁第6 行至第9 行「絕緣罩較佳地 是以一種藉由存在於處理室內的電漿而實質抗蝕之材料 形成。要注意到，此材料可以是導體或絕緣體，因為其 為電浮接。」。
⑵依據系爭專利說明書有關「浮接」或「電浮接」、「接地 」或「電接地」之相關描述，就電學領域之通常知識者而 言，系爭專利說明書有關之「浮接」係指「電浮接」，「 接地」係指「電接地」，依據系爭專利說明書第12頁第15 行至第16行記載：「處理室壁202 具有連接至接地或浮接 的選擇。」可知，系爭專利所謂之「電接地」或「電浮接 」所指皆為該物體之電位狀態，至於如何達到「電接地」 或「電浮接」等之結構則未限定。系爭專利說明書第18頁 第6 行至第9 行揭示「絕緣罩較佳地是以一種藉由存在於 處理室內的電漿而實質抗蝕之材料形成。要注意此材料可 以是導體或絕緣體，因為其為電浮接。」（見原審卷㈠第 58頁），故系爭專利申請人已在說明書中明確界定系爭專 利之「絕緣罩」之材料可為「導體」或「絕緣體」，而有 別於該領域中具有通常知識者所瞭解認知「絕緣」之習知 字義。另依系爭專利說明書第18頁第2 行以下記載：「絕 緣罩是架構係電浮接，以防止電漿免於經由處理室而接地 （見原審卷㈠第58頁），則系爭專利可由導體或絕緣體之 材料所構成之「絕緣罩」，為使其電位狀態為「電浮接」 ，並藉此達成「防止電漿免於經由處理室壁而接地」之效 果，則該絕緣罩須未與具導電能力之物件接觸。準此，系 爭專利申請專利範圍第1 項之技術特徵「絕緣罩是架構以



電浮接於處理過程中」之解釋，應指於產生電漿而進行蝕 刻之期間，該絕緣罩若為絕緣體，則無固定電位，倘為導 體則其需未與具導電能力之物件接觸，且無固定電位。 ⒋「多孔的電漿密封環」之解釋：
⑴若申請專利範圍之用語僅為一般性描述，不得將該用語限 制在說明書中之數值範圍，亦不得限制在說明書中之特定 次結構，而應為說明書中支持該用語之所有技術特徵。又 解釋申請專利範圍時，每一項請求項都代表不同的權利範 圍而各有其意義，是以獨立項與其附屬項之權利範圍應有 差異，則附屬項之限制條件倘係就已記載於獨立項之構件 為進一步限定，則該獨立項之構件應推定為該限制條件所 隸屬之上位概念，此即請求項差異原則。
⑵系爭專利說明書第15頁倒數第2 行至倒數第1 行僅揭示「 較佳地，多孔的電漿密封環應具有效數量的穿孔以使副產 品氣體排出，並實質地使電漿受限。」另參照系爭專利申 請專利範圍第12項係進一步限定申請專利範圍第1 項密封 環之厚度，申請專利範圍第19項係進一步限定申請專利範 圍第1 項密封環之穿孔是同心環穿孔，且上訴人認為「環 」係指圍繞狀物體（見本院卷㈥第51頁），被上訴人亦認 為「環」係指具有封閉迴路輪廓之物體，且該封閉迴路不