侵害專利權有關財產權爭議等
智慧財產法院(民事),民專訴字,98年度,99號
IPCV,98,民專訴,99,20100630,3

智慧財產法院民事判決
　　　　　　　　　　　　　　　　　　98年度民專訴字第99號
原　　　告　甲○○○○○○○
訴訟代理人　陳芳俞律師
　　　　　　饒桂綾律師
複 代 理人　劉汗曦律師
訴訟代理人　戊○○
被　　　告　新世紀光電股份有限公司
兼
法定代理人　乙○○
上二人共同
訴訟代理人　周延鵬律師
　　　　　　徐嘉男律師
　　　　　　張淑貞律師
複 代 理人　丁○○
被　　　告　旭明光電股份有限公司
兼
法定代理人　丙○○○○ ○○○
上二人共同
訴訟代理人　金蘭芳律師
　　　　　　陳啟桐律師
上列當事人間侵害專利權有關財產權爭議等事件，本院於99年6
月9日言詞辯論終結，判決如下：
主 文
原告之訴及假執行之聲請均駁回。
訴訟費用由原告負擔。
事實及理由
壹、程序方面：
依智慧財產案件審理法第7 條規定，智慧財產法院組織法第 3 條第1 款、第4 款所定之民事事件，由智慧財產法院管轄 。本案既屬因專利法所保護之智慧財產權益所生之第一審民 事案件，符合智慧財產法院組織法第3 條第1 款規定，本院 依法自有管轄權。
貳、實體方面：
一、原告主張：
㈠原告甲○○○○○○○ ○○○○○○○○○ ○○○○○○○○○○ 乃美國籍人，為中華 民國發明專利第141136號「寬帶隙半導體的晶體摻雜方法」 （下稱系爭專利）之專利權人，專利期間自西元1990年9 月 1 日起至2009年8 月15日止。系爭專利申請專利範圍第1 項 係「一種寬帶隙半導體晶體內非平衡添加摻雜劑之方法，包



括步驟為，在不同活動性的第一和第二補償摻雜劑存在內處 理晶體，在晶體至少一部份內引進實質上等量的二摻雜劑， 使二摻雜劑當中較不具活動性者在該部份晶體內之濃度，超 過較不具活動性的摻雜劑在二摻雜劑當中較具活動性者不存 在下，於其內之溶解度，然後由此優先除去二摻雜劑中較具 活動性者，因而在該部份晶體內留下較不具活動性摻雜之非 平衡濃度者。」。而系爭專利係說明一種寬帶隙半導體內添 加摻雜劑之方法，其中該寬隙帶半導體晶體進行摻雜時易於 被補償，且該摻雜劑之濃度超過該半導體在缺乏次要摻雜劑 之下該摻雜劑之平衡濃度，該方法係將主要摻雜劑連同次要 摻雜劑（作為補償劑）共同引入一半導體晶體，再利用次要 摻雜劑具有較高的活動能力的特點，將次要摻雜劑移除。而 摻入適當高濃度之摻雜劑乃製造傳導性佳之LEDs或LDs 之必 要條件。
㈡有關系爭專利申請專利範圍部分：系爭專利申請專利範圍第 1 項所謂之「活動性」係指摻入物質之原子在材料內之移動 性或移動能力；所謂「第一和第二補償摻雜劑」、「二摻雜 劑」僅在表達第一及第二（主要及次要）摻雜劑此二成對之 補償摻雜劑之意；所謂「實質上等量」係指摻雜劑之濃度近 乎相同或大致相符，彼此差距約在一次方內；所謂「存在內 處理晶體」係指將互為補償之二摻雜劑幾近同時加入該半導 體晶體內；所謂「使二摻雜劑當中較不具活動性者在該部分 晶體內之濃度，超過較不具活動性的摻雜劑在二參雜劑當中 較具活動性者不存在下，於其內之溶解度，然後由此優先除 去二摻雜劑中較具活性者，因而在該部分晶體內留下較不具 活動性摻雜劑之非平衡濃度者。」係指「於晶體內添加成對 相輔之摻雜劑，第一（主要）摻雜劑之目的在提供半導體材 料帶電裁體，第二（次要）摻雜劑在提高第一（主要）摻雜 劑之溶解度，使得相較於第二（次要）補償摻雜劑不存在時 ，能有更多第一（主要）摻雜劑之原子加入晶體中。」。又 系爭專利申請專利範圍第1 項所稱之「寬帶隙半導體」並不 限於「二六族化合物」、「四族化合物」之寬帶隙半導體。 且系爭專利申請專利範圍第一項之「摻雜劑」是否在有意識 下添加，並非所問。再者，系爭專利內容並未限制晶體成長 方式，如LPE 液相磊晶成長法、MOCVD 有機金屬化學汽相沉 積法、或MBE 分子束磊晶生長法等均屬之。且系爭專利之申 請專利範圍並未提及或區別刻意或非刻意添加，被告自不得 不當限縮系爭專利申請專利範圍。
㈢有關專利法第87條規定部分：專利法第87條所稱「所製造之 物品」不限於消費市場上之終端產品，而原告依系爭專利製



造方法所製成之物為「寬帶隙半導體晶體」，其在原告將該 製造方法申請專利前為國內外未見，已符合專利法第87 條 規定。另由原告委請美籍舒克立．久瑞斯．蘇立博士所出具 如原證15所示之專家聲明書及我國國立交通大學光電研究所 所長郭浩中教授所出具如原證47所示之專家證人意見書可知 ，原告已說明專利法第87條規定之各項要件。然被告新世紀 光電股份有限公司（下稱新世紀公司）及旭明光電股份有限 公司（下稱旭明公司）所生產之LEDs及（或）LDs ，係實施 系爭專利之方法而製造，或其方法可能經特定製造商作細微 之調整。且被告所製造之物為「屬於寬帶隙半導體種類之一 之應用於LED 之GaN 」，依被告網站等公開可取得之資料及 一般公眾所知之材料及方法推知，被告有實施系爭專利之範 圍而侵害原告系爭專利。
㈣有關系爭專利之新穎性及進步性部分：
⒈系爭專利之發明目的係於難以摻雜之寬帶隙半導體材料（即 容易在摻雜時受補償之材料，例如p 型GaN 、p 型ZnSe、n 型ZnTe或p 型AlGaInP 等）內達到主要摻雜劑之非平衡濃度 ，其技術特徵主要有四，包括：⑴將成對補償之二摻雜劑引 入半導體晶體（於長成期間或之後）內，使半導體材料中主 要摻雜劑之溶解度，高於其在次要摻雜劑不存在時之溶解度 ，而形成主要摻雜劑之非平衡濃度。⑵使用實質等量之二種 互相補償之摻雜劑於晶體中。⑶兩種摻雜劑中，次要摻雜劑 之活動性大於主要摻雜劑（在晶體之內及散至晶體之外）。 ⑷在晶體內留下主要摻雜劑非平衡濃度的條件下，將次要摻 雜劑自晶體內移除。亦即，爭專利利用此前所未見之摻雜技 術加上移除步驟，主要摻雜劑將可提供較從前更具活性之導 電載體（例如Ｐ型材料中之受體），進而增加材料之導電性 。
⒉就被告新世紀公司部分：被告新世紀公司提出被證12係針對 「易於摻雜」之Ｐ型碲化鋅（P-type ZnTe ），與系爭專利 所揭露者為申請時「難以摻雜」之寬帶隙半導體（包括ｎ型 碲化鋅）顯有不同。且被證12並未揭示系爭專利之「次要摻 雜劑之活動性大於主要摻雜劑」、「將次要摻雜劑自晶體內 移除」、「第一摻雜劑之溶解度因為第二摻雜劑之存在而增 加」之技術特徵。又被證13之技術並未揭示系爭專利「使用 實質等量之二種互相補償之摻雜劑於晶體中」、「將次要摻 雜劑自晶體內移除」等技術特徵。而被證14與被證12、被證 13之組合及被證16與被證12、被證13之組合，無從證明系爭 專利欠缺進步性，而被證15與被證12、被證13之組合，無從 證明系爭專利欠缺進步性。




⒊就被告旭明公司部分：被告旭明公司所提出被證1 之技術乃 針對「易於摻雜」之Ｐ型碲化鋅（P-type ZnTe ），與系爭 專利所揭露者為申請時「難以摻雜」之寬帶隙半導體（包括 ｎ型碲化鋅）顯有不同。被證1 並未揭示系爭專利之「次要 摻雜劑之活動性大於主要摻雜劑」、「將次要摻雜劑自晶體 內移除」、「第一摻雜劑之溶解度因為第二摻雜劑之存在而 增加」等技術特徵。被證2 並未揭示系爭專利之「將次要摻 雜劑自晶體內移除」、「將成對補償之二摻雜劑引入半導體 晶體（於長成期間或之後）內，使半導體材料中主要摻雜劑 之溶解度，高於其在次要摻雜劑不存在時之溶解度，而形成 主要摻雜劑之非平衡濃度」等技術特徵。被證3 並未揭示系 爭專利「使用實質等量之二種互相補償之摻雜劑於晶體中」 、「將次要摻雜劑自晶體內移除」等技術特徵。是以，被證 1至被證3均無法證明系爭專利欠缺新穎性與進步性。至被證 4 因其為研究、實驗而發表或使用，並於發表或使用之日起 六個月內申請專利，而非屬先前技術之規範範圍，自無從證 明系爭專利欠缺新穎性與進步性，且被證4之實質內容而言 ，被告雖已承認被證4並未揭露系爭專利「使用實質等量之 二種互相補償之摻雜劑於晶體」之技術特徵，惟仍辯稱該部 分已被被證1、被證2及被證3所揭露，故系爭專利不具進步 性。
㈤被告旭明公司於98年12月9 日向鈞院陳述系爭專利之美國對 應案US 0000000專利案（見被證39）曾繫屬在美國國際貿易 委員會（USITC ），後因該委員會之委員之聽證前陳述不利 於該US 0000000專利案之可專利性及侵權主張（見被證40： USITC Inv. No. 337-TA-674, Order No. 23 ），故原告於 聽證前即無條件撤回控訴，以避免該委員會之行政法官作出 對原告不利之決定。惟原告係因被控廠商已承認侵權或經和 解，於權益已獲得保障之情況下而撤回該案，是被告旭明公 司顯係扭曲事實。
㈥至被告稱原告逾時提出攻擊防禦方法及證據資料，而生失權 之效果。惟原告提出之民事補充理由四、五、六狀，係於98 年12月9日開庭後45日內所提出，且僅爰用先前證據為補充 說明，且無任何重大過失或妨礙訴訟進行之情狀。原告爰依 專利法第56條第2項、第84條第1項規定，請求被告負損害賠 償責任。並聲明：⒈被告等不得使用為中華民國第141136號 發明專利及使用、為販賣之要約、販賣及出口侵害原告系爭 專利之產品。⒉被告新世紀公司及其法定代表人乙○○應連 帶給付原告新台幣（下同）3,300萬元，並自起訴狀繕本送 達之翌日起至清償日止，按週年利率5%計算之利息。⒊被告



旭明公司及其法定代表人丙○○○○ ○○○ ○○○○應連帶給付原告3, 300萬元，並自起訴狀繕本送達之翌日起至清償日止，按週 年利率5%計算之利息。⒋訴訟費用由被告負擔。⒌原告願供 擔保，請准宣告假執行。
二、被告則以：
㈠被告新世紀公司部分：
⒈原告主張本件適用專利法第87條第1 項規定，應對系爭專利 所製成物品為何、被告製造何等物品與系爭專利所製成之物 品相同及系爭專利製成之物品，在該製造方法申請專利前是 否為國內外所未見等要件負舉證責任，否則即無專利法第87 條第1 項規定之適用。又系爭專利申請專利範圍第1 項之技 術特徵所製成之物，係以系爭專利所述製造方法所製成之硒 化鋅（ZnSe）、碲化鋅（ZnTe）、硫化鋅（ZnS ）、硫化鎘 （CdS ）、硒化鎘（CdSe）、氧化鋅（ZnO ）等二六族化合 物半導體及金剛鑽（SiC ）四族化合物半導體，除此之外其 他化合物半導體，非屬系爭專利所製成之物，然原告主張被 告新世紀公司之產品「GaN （氮化鎵）藍綠光LED 磊晶片」 ，係屬三五族化合物，與系爭專利權申請專利範圍第1 項不 同，且非系爭專利所製成之物。另系爭專利申請範圍第1 項 所涵蓋之技術手段，僅能使用液相磊晶之製法達成，而無法 使用MOCVD 之氣相磊晶法達成，蓋MOCVD 之氣相磊晶法其摻 雜過程乃以氣體中之原子或離子從氣態環境直接被吸附累積 在固態晶圓表面，並無任何液體，亦無需考量摻雜劑溶解度 之情形，是系爭專利並不包括MOCVD 製程。另原告提出原證 15之蘇立博士專家聲明，其內容乃屬無據臆測，並不足採。 而原告提出原證47之郭浩中教授專家證人意見書，顯係抄襲 蘇立博士意見書，亦為無據之臆測，自不足採。至原告提出 其他相關書證，例如原證10、原證11、原證13、原證14、原 證37、原證38、原證39、原證42、原證43等，均與原告主張 專利法第87條第1 項規定之適用並無任何關聯，且無法證明 專利法第87條第1 項規定之各項要件，自不具任何證據價值 。
⒉有關系爭專利有效性部分：
⑴程序部分：原告就系爭專利有效性如有新證據資料提出，應 於99年1 月10日前履行並通知被告。詎原告於99年1 月25日 始提出系爭專利有效性之新證據，其中包括原證61之美國康 乃爾大學電資學院教授James Richard Shealy博士之專家聲 明㈠、原證62之美國專利號第4904618 號專利、原證63之G. F.Neumark , Achievement of low-resistivity p-type ZnSe and the role of twinnimg, J. Appl. Phys,65（198



9）4589及原證64之美國康乃爾大學電資學院教授James Ric hard Shealy博士之專家聲明㈡等新證據資料，則原告已不 得於本件訴訟執此新證據資料進行相關主張。
⑵實體部分：
①被證12係於西元1969年間，由IBM Walson Research Center 之Billy L.Crowder, R.S. Title 與G.D Pettit所提出EPR and Luminescence Studies of Er+3 inAcceptor-Doped Zn Te論文，而系爭專利申請日為1989年8 月16日，足見系爭專 利於申請前已見於刊物。又被證12已揭露系爭專利申請專利 範圍第1 項之「一種寬帶隙半導體晶體內非平衡添加摻雜劑 之方法」、「在不同活動性的第一和第二補償摻雜劑存在內 處理晶體，在晶體至少一部份內引進實質上等量的二摻雜劑 ，使二摻雜劑當中較不具活動性者在該部分晶體內之濃度， 超過較不具活動性的摻雜劑在二摻雜劑當中較具活動性者不 存在下，於其內之溶解度。」等技術特徵，且係運用申請前 之習知技術、知識顯而易知未能增進功效，是系爭專利已違 反專利法第2 條第1 項及第5 項規定，故不具新穎性。 ②被證13係於西元1987年間，由日本Imaging Science and En gineering Laboratory 之T. Yasuda,I Mitsuishi 及H.Kuk imoto 提出之Metalorganic vapor phase epitaxy of low- resistivity p-type ZnSe 論文，足見系爭專利於申請前即 已見於刊物。又被證13已揭露系爭專利範圍第1 項之「一種 寬帶隙半導體晶體內非平衡添加摻雜劑之方法」、「在不同 活動性的第一和第二補償摻雜劑存在內處理晶體，在晶體至 少一部份內引進實質上等量的二摻雜劑，使二摻雜劑當中較 不具活動性者在該部分晶體內之濃度，超過較不具活動性的 摻雜劑在二摻雜劑當中較具活動性者不存在下，於其內之溶 解度」及「然後由此優先除去二摻雜劑中較具活動性者，因 而在該部分晶體內留下較不具活動性摻雜劑之非平衡濃度者 。」等技術特徵，且係運用申請前之習知技術、知識顯而易 知未能增進功效，是系爭專利已違反專利法第2 條第1 項及 第5 項規定，故不具新穎性。
③被證14係西元1975年間，由Zenith Radio Corporation 之 Robert J. Robinson及Zoltan K. Kun 所提出之p-n juncti on zinc sulfo-selenide and zinc selenidelight-emitti ng diodes論文。又被證14係揭露一種使用摻雜與擴散的方 式製造Ｐ型寬帶隙半導體（ZnSe）之方法。被證14與被證12 、被證13之結合，可知系爭專利係運用申請前此等習知技術 、知識顯而易知未能增進功效，已違反專利法第2 條第1 項 及第5 項規定，故不具新穎性。




④被證15係西元1983年間，由英國Royal Signals and Radar Establishment 之P.J Dean, W. Stutius, G.F. Neumark, B.J.Fitzpatrick 及R.N Bhargava提出Ionization energy of the shallow nitrogen acceptor in zinc selenide 論 文。由被證15與被證12、被證13之結合，可知系爭專利申請 專利範圍第1項之「在不同活動性的第一和第二補償摻雜劑 存在內處理晶體，在晶體至少一部份內引進實質上等量的二 摻雜劑，使二摻雜劑當中較不具活動性者在該部分晶體內之 濃度，超過較不具活動性的摻雜劑在二摻雜劑當中較具活動 性者不存在下，於其內之溶解度。」技術特徵，係運用申請 前之習知技術、知識顯而易知未能增進功效，是系爭專利已 違反專利法第2條第1項及第5項規定，故不具新穎性。 ⑤被證16係西元1981年間，由Westinghouse R&D Center 之Zo lt anK.Kun 提出The variation of residual impurities in ZnSe crystals used in light-emitting diode fabric ations論文。由被證16與被證12、被證13之結合，可知系爭 專利申請專利範圍第1項之「然後由此優先除去二摻雜劑中 較具活動性者，因而在該部分晶體內留下較不具活動性摻雜 劑之非平衡濃度者。」技術特徵，係運用申請前之習知技術 、知識顯而易知未能增進功效，是系爭專利已違反專利法第 2 條第1項及第5項規定，故不具新穎性。
⑥被證18係於西元1989年7 月25日公告，專利權人為Nakagawa et al.，專利號為第4,851,302號之「Functional ZnSe：H deposited films」專利。又被證18已揭露系爭專利申請專 利範圍第1項之「一種寬帶隙半導體晶體內非平衡添加摻雜 劑之方法」、「在不同活動性的第一和第二補償摻雜劑存在 內處理晶體，在晶體至少一部份內引進實質上等量的二摻雜 劑，使二摻雜劑當中較不具活動性者在該部分晶體內之濃度 ，超過較不具活動性的摻雜劑在二摻雜劑當中較具活動性者 不存在下，於其內之溶解度。」之技術特徵，足見系爭專利 於申請前即已見於刊物，且係運用申請前之習知技術、知識 顯而易知未能增進功效，是系爭專利已違反專利法第2條第1 項及第5項規定，故不具新穎性。
⒊原告以原證61專家聲明第5-9 點，主張被證12所教示之技術 乃針對「易於摻雜」之P 型碲化鋅（P-type ZnTe ），與系 爭專利所揭露者為申請時「難以摻雜」之寬帶隙半導體顯有 不同，惟該「易於摻雜」或「難以摻雜」，並非系爭專利申 請專利範圍第1 項所載之內容。原告以原證61專家聲明第13 點，主張被證12與系爭專利所欲解決之技術課題毫不相關， 惟被證12已完全揭露系爭專利申請專利範圍第1 項之全部技



術手段，且審查新穎性之判斷基準，與系爭專利及引證文件 是否為解決相同技術課題無關。原告引用原證61專家聲明第 18點，主張被證12並非將鉺（Er）作為系爭專利定義下之主 要摻雜劑，惟系爭專利申請專利範圍並未界定寬帶隙半導體 為Ｐ型或ｎ型半導體，亦未界定何種元素為主要摻雜，且被 證12已完全揭露系爭專利申請專利範圍第1 項之全部技術手 段。原告引用原證61專家聲明第21點，主張被證12未揭示系 爭專利「次要摻雜劑之活動性大於主要摻雜劑」之技術特徵 ，惟請求項所載之發明與引證文件中所載之先前技術，若其　　差異僅在於文字之記載形式，或能直接且無歧異得知之技術　 特徵，專利即不具新穎性。原告援引原證61專家聲明第20點 ，主張被證12並未揭示系爭專利「將次要摻雜劑自晶體內移 除」之技術特徵，惟被證12所使用「Remove」即移除之意， 即指將摻雜自晶體內任何位置加以移動或移出晶體外。原告 援引原證61專家聲明第15、16點，主張被證12未揭示系爭專 利「第一摻雜劑之溶解度因為第二摻雜劑之存在而增加」之 技術特徵，惟被證12已完全揭露系爭專利申請專利範圍第1 項之全部技術手段。是原告上述所言，均不足為採。 ⒋原告援引原證61專家聲明第25點，主張被證13並未揭示系爭 專利「使用實質等量之二種互相補償之摻雜劑於晶體中」、 「使半導體晶體中第一摻雜劑達到非平衡濃度」、「第二摻 雜劑之活動性大於第一摻雜劑」之技術特徵，惟被證13所摻 雜劑來源包括從一氮化三鋰（Li3N）分解之鋰離子與氮離子 ，鋰與氮分解後濃度為「3:1 」，屬實質等量，足見被證13 已完全揭露系爭專利申請專利範圍第1 項之技術手段。原告 引用原證61專家聲明第31點，主張被證13並未揭示系爭專利 「將次要摻雜劑自晶體內移除」之技術特徵，並主張被證13 揭露「藉由退火處理達到電極與半導體晶體歐姆接觸」，並 非「藉由退火處理移除鋰」等內容，惟被證13已揭露寬帶隙　　半導體製程之退火程序，而退火程序即有將次要摻雜劑自晶 體內移除之效果，足見被證13已完全揭露系爭專利申請專利 範圍第1 項之技術手段。原告援引原證61專家聲明第26-30 點及第33-35 點，主張被證13不具備判斷系爭專利有無新穎 性、進步性之先前技術適格，惟依當時專利法第2 條規定， 符合在發明申請前已見於刊物或已公開使用之文獻，即得作 為先前技術引證文獻。至被證14-16 乃結合被證12及被證13 以證明系爭專利不具進步性，原告將被證14-16 各自單獨與 系爭專利比對，顯無理由。並答辯聲明：⑴原告之訴駁回。　　⑵訴訟費用由原告負擔。⑶如受不利判決，被告願供擔保， 請准免為假執行。




㈡被告旭明公司部分：
⒈程序部分：
⑴兩造於98年12月9日與鈞院約定，原告就系爭專利之有效性 若有新證據資料，應於一個月內，即於99年1 月9 日前提出 並通知對造，逾時提出即生失權之效果。然原告卻遲至99年 1 月26日，始以民事訴訟補充理由六狀提出攻擊防禦方法及 原證59至原證74之證據，已超出約定期限17日，顯有重大過 失，且剝奪被告旭明公司之訴訟權益及程序正義，而有礙訴 訟之終結，依智慧財產案件審理細則第33條及民事訴訟法第 196 條第2 項規定，民事訴訟補充理由六狀及原證59至原證 74之證據，應不予審酌。
⑵鈞院於98年10月14日指示先就專利有效性進行審理，則已不 涉及被告等之方法、技術、製程、設計等許多營業上之秘密 ，詎原告以涉及營業秘密為由，未將討論系爭專利之有效性 之民事補充理由二狀、四狀、五狀、七狀副知被告旭明公司 ，致被告旭明公司無法對上開民事補充理由狀之內容為實體 辯論，且被告旭明公司縱可經由閱卷取得上開民事補充理由 狀，然其取得之日期亦已逾鈞院所訂之一個月期限，則上開 民事補充理由狀對被告旭明公司而言，已生失權效果。自不 能對被告旭明公司有所主張。
⒉實體部分：
⑴有關申請專利範圍之解釋原則部分：
①系爭專利核准時所適用之75年12月26日起施行之專利法及其 施行細則雖未明確規定申請專利範圍之解釋原則，且當時亦 尚未制定專利審查基準及專利侵害鑑定要點，惟現行專利法 及其施行細則關於申請專利範圍之記載方式事實上與系爭專 利核准時所適用之75年12月26日起施行之專利法及其施行細 則相同，是關於系爭專利申請專利範圍第1 項之解釋，應參 酌現行專利法、專利法施行細則、專利審查基準及專利侵害 鑑定要點之相關規定。系爭專利核准時所適用之專利法及其 施行細則與現行專利法及其施行細則關於申請專利範圍之記 載方式實質上為相同。專利法第56條第3 項規定所揭櫫之「 發明說明及圖式雖可解釋申請專利範圍，但不得將其讀入申 請專利範圍而增加或減少申請專利範圍所載的限定條件」之 基本解釋原則亦明確記載於專利審查基準、專利侵害鑑定要 點，且最高行政法院歷年來均維持此一貫之法律見解。 ②系爭專利申請專利範圍第1 項係「一種寬帶隙半導體晶體內 非平衡添加摻雜劑之方法，包括步驟為，在不同活動性的第 一和第二補償摻雜劑存在內處理晶體，在晶體至少一部分內 引進實質上等量的二摻雜劑，使二摻雜劑當中較不具活動性



者在該部分晶體內之濃度，超過較不具活動性的摻雜劑在二 摻雜劑當中較具活動性者不存在下，於其內之溶解度，然後 由此優先除去二摻雜劑中較具活動性者，因而在該部份晶體 內留下較不具活動性摻雜劑之非平衡濃度者。」，依系爭專 利申請專利範圍第1 項之記載，以其所載之文字意義及發明 所屬技術領域中具有通常知識者所認知或瞭解該文字在相關 技術及在發明說明或圖式中通常所總括的範圍予以解釋。 ⑵有關系爭專利之有效性部分：
①原告係於78年8 月16日提出系爭專利申請，而於79年9 月1 日公告，是系爭專利應適用核准審定時（即75年12月26日公 布施行）之專利法。則系爭專利是否具有得撤銷之原因，應 以其核准審定時所適用之75年12月26日起施行之專利法為斷 。
②系爭專利申請專利範圍第1 項之「在晶體至少一部分內引進 實質上等量」技術特徵，並未明確定義「實質上等量」之意 義。然依系爭專利說明書第5 頁倒數第2 行至第1 行之記載 「應充分提供實質上相等濃度的鋰和氮，範圍宜在10之17次 方和10之18次方/cc3」之間。」，似認為二摻雜劑之範圍在 10之17次方和10之18次方/cc3之間均為「實質上等量」，惟 二摻雜劑之濃度將差異達10倍，實難認定係「實質上等量」 ，故系爭專利說明書之記載與系爭專利申請專利範圍第1項 之記載相抵觸。
③系爭專利申請專利範圍第1 項之「第一和第二補償摻雜劑存 在內處理晶體」技術特徵，並未明確定義「補償摻雜劑」之 意義，且系爭專利說明書中亦無此兩種補償摻雜劑之記載。 惟由系爭專利說明書第7 頁第6 行記載「以氯為主要摻雜劑 ，鋰為補償或次要摻雜劑」可知，「補償摻雜劑」係指「次 要摻雜劑」，其與「主要摻雜劑」不同且相對應，即有第一 次要摻雜劑及第二次要摻雜劑，然系爭專利說明書並無兩種 補償摻雜劑同時存在之記載。系爭專利申請專利範圍第1 項 除記載「第一和第二補償摻雜劑」外，尚記載「二摻雜劑」 之技術特徵，解釋上與上開「第一和第二補償摻雜劑」不同 ，足見系爭專利申請專利範圍第1 項解釋上共有「第一和第 二補償摻雜劑」及「二摻雜劑」共四種摻雜劑，然系爭專利 說明書卻無此記載。是系爭專利說明書顯有故意不載明如何 實施申請專利範圍第1 項「第一和第二補償摻雜劑」及「二 摻雜劑」之必要事項之情事，使發明所屬技術領域中具有通 常知識者無法實施申請專利範圍第1 項「第一和第二補償摻 雜劑」及「二摻雜劑」之技術特徵。
④系爭專利申請專利範圍第1 項之「使二摻雜劑當中較不具活



動性者在該部分晶體內之濃度，超過較不具活動性的摻雜劑 在二摻雜劑當中較具活動性者不存在下，於其內之溶解度。 」技術特徵中有「非平衡添加摻雜劑」之用語。然系爭專利 說明書未記載應藉由何種技術手段始能達成系爭專利申請專 利範圍第1 項最重要之技術特徵，則發明所屬技術領域中具 有通常知識者無法實施系爭專利申請專利範圍第1 項之技術 特徵。
⑶有關系爭專利之新穎性及進步性部分：
①被告所提出之被證1 係於1969年5 月10日公開於「Physical Review 」第181 卷第2 號之「EPR and Luminescence Stud ies of Er+3 in Acceptor-Doped ZnTe」論文。被證1已揭 露系爭專利申請專利範圍第1項之所有技術特徵，是系爭專 利申請專利範圍第1項在被證1之先前技術之基礎下並不具新 穎性。且縱認為被證1未完全揭露系爭專利申請專利範圍第1 項之所有技術特徵，然在被證1之基礎下，系爭專利申請專 利範圍第1項亦應為運用申請前之被證1之習用技術、知識顯 而易知未能增進功效者，已違反系爭專利核准時之專利法第 2條第5款規定，故不具進步性。
②被告所提出之被證2 係於1989年7 月25日公告之美國專利第 0000000 號「Functional ZnSe:Hdeposited films」。被證 2 已揭露系爭專利申請專利範圍第1 項之所有技術特徵，是 系爭專利申請專利範圍第1 項在被證1 之先前技術之基礎下 並不具新穎性。且縱認為被證1 未完全揭露系爭專利申請專 利範圍第1 項之所有技術特徵，然在被證2 或被證2 結合被 證1 之基礎下，系爭專利申請專利範圍第1 項亦應為運用申 請前之被證2 之習用技術、知識顯而易知未能增進功效者， 已違反系爭專利核准時所適用之專利法第2 條第5 款規定， 故不具進步性。
③被告所提出之被證3 係於1988年1 月4 日公開於「Applied Physical Letters」第52卷第1 號之「Metalorganic vapor phase epitaxy of low-resistivity p-type ZnSe」論文。 被證3 已揭露系爭專利申請專利範圍第1 項之所有技術特徵 ，是系爭專利申請專利範圍第1 項在被證1 之先前技術之基 礎下並不具新穎性。且縱認為被證3 並未完全揭露系爭專利 申請專利範圍第1 項之所有技術特徵，然在被證3 之基礎下 或在被證3 結合被證1 或被證2 之基礎下，系爭專利申請專 利範圍第1 項亦應為運用申請前之習用技術、知識顯而易知 未能增進功效者，已違反系爭專利核准時所適用之專利法第 2 條第5 款規定，故不具進步性。
④被告所提出之被證4 係於1989年4 月10日公開於「Physical



Review Letters」第62卷第15號之「Achievement of Well Conducting Wide-Band-Gap Semiconductors: Role of Sol ubility and Nonequilibrium Impurity Incorporation 」 論文。被證4 已揭露系爭專利申請專利範圍第1 項之技術特 徵，然未揭露引進之二摻雜劑為「實質上等量」之技術特徵 ，惟此一技術特徵已為被證1 、被證2 或被證3 揭露，是系 爭專利申請專利範圍在被證1 或被證2 或被證3 及被證4 結 合之基礎下不具進步性。
⑤由上開被證1 至被證4 可知，系爭專利申請專利範圍第1 項 已違反專利核准審定時之專利法第2 條第1 款關於新穎性之 規定或第5 款關於進步性之規定，應依同法第60條第1 款規 定，撤銷其專利權。
⑥原告認為以MOCVD 方法成長GaN （或AlGaInP ）等半導體進 行摻雜時，係以氫氣作為運載氣體，故氫與所需摻雜劑形成 例如「Mg-H」綜合物，使得Mg被鈍化，而藉由退火可移除氫 ，使得Mg被活性化，並認為系爭專利申請專利範圍第1 項所 需摻雜劑（例如鎂）為較不具活動性之摻雜劑（即第一摻雜 劑），而運載氣體（例如氫）為較具活動性之摻雜劑（即第 二摻雜劑），是以MOCVD 方法成長GaN （或AlGaInP ）等半 導體即屬侵害系爭專利第1 項。然由被證6 至被證28之技術 可知，以MOCVD 方法成長半導體進行摻雜時以氫作為運載氣 體為系爭專利申請前發明所屬技術領域具有通常知識者所廣 為周知之先前技術。另由被證29至被證30之技術可知，氫之 加入將導致主要摻雜劑鈍化，因此移除氫可使主要摻雜劑活 性化而提高導電性為發明所屬技術領域具有通常知識者所廣 為周知之先前技術。復由被證31至被證32之技術可知，藉由 退火可移除氫，而使被鈍化的主要摻雜劑活性化為發明所屬 技術領域具有通常知識者所廣為周知之先前技術。且系爭專 利申請專利範圍第1項之所有技術特徵，已被前述或被證34 至被證36之先前技術之任何組合所揭露時，是系爭專利申請 專利範圍第1項不具進步性。再者，被告所提出上開證據亦 足以證明系爭專利申請專利範圍第2項至第7項不具新穎性及 （或）進步性。
⑷被告旭明公司於98年12月9 日已向鈞院陳述系爭專利之美國 對應案US 0000000專利案（見被證39）曾繫屬在美國國際貿 易委員會（USITC ），後因該委員會之委員之聽證前陳述不 利於該US 0000000專利案之可專利性及侵權主張（見被證40 ：USITC Inv. No. 337-TA-674, Order No. 23 ），故原告 於聽證前即無條件撤回控訴，以避免該委員會之行政法官作 出對原告不利之決定。並答辯聲明：①原告之訴及假執行均



駁回。②訴訟費用由原告負擔。③如受不利判決，被告願供 擔保，請准免為假執行。
三、兩造不爭執之事實：
原告甲○○○○○○○ ○○○○○○○○○ ○○○○○○○○○○ 乃美國籍人，為中華 民國發明專利第141136號「寬帶隙半導體的晶體摻雜方法」 之專利權人，專利期間自西元1990年9 月1 日起至2009年8 月15日止。
四、本件兩造之主要爭點：
㈠被告新世紀公司所提出之下列證據資料可否證明系爭專利具 有無效事由：
⒈被證十二（即旭明公司被證1 ）是否可證明系爭專利請求項 第1 項不具新穎性及進步性?
⒉被證十三（即旭明公司被證3 ）是否可證明系爭專利請求項 第1 項不具新穎性及進步性?
⒊被證十二、被證十三及被證十四之組合否可證明系爭專利請 求項第1 項不具進步性?
⒋被證十二、被證十三及被證十五之組合否可證明系爭專利請 求項第1 項不具進步性?
⒌被證十二、被證十三及被證十六之組合否可證明系爭專利請 求項第1 項不具進步性?