智慧財產法院行政判決
99年度行專訴字第7號
民國99年6月3日辯論終結
原 告 矽創電子股份有限公司
代 表 人 甲○○（董事長）
訴訟代理人 陳森豐律師
被 告 經濟部智慧財產局
代 表 人 乙○○（局長）
訴訟代理人 丙○○
丁○○
上列當事人間因發明專利申請事件，原告不服經濟部中華民國98
年11月12日經訴字第09806121450 號訴願決定，提起行政訴訟，
本院判決如下：
主 文
原告之訴駁回。
訴訟費用由原告負擔。
事實及理由
一、程序事項：
原告經合法通知，未於言詞辯論期日到場，核無行政訴訟法 第218 條準用民事訴訟法第386 條各款所列情形，爰依被告 之聲請，由其一造辯論而為判決。
二、事實概要：
原告前於民國92年9 月23日以「防止驅動器靜電放電之方法 」向被告申請發明專利（下稱系爭專利），經被告編為第92 126134號審查，不予專利。原告不服，申請再審查，案經被 告於98年6 月15日以（98）智專三（二）04066 字第098203 58600 號專利再審查核駁審定書為「不予專利」之處分。原 告不服，提起訴願，經經濟部同年11月10日經訴字第098061 21450 號決定駁回，遂向本院提起行政訴訟。三、原告聲明求為判決：㈠原處分及訴願決定均撤銷。㈡被告對 原告92年9 月23日申請第00000000「防止驅動器靜電放電之 方法」發明專利申請事件，應作成准予發明專利之行政處分 。並主張：
㈠申請第86104141號「元件充電模式靜電放電防護電路」發明 專利（下稱引證案）之圖8 所示之電感器L 設置於晶片內部 ，且VDD 電源線與VSS 電源線並未設置電感器L ，並未揭示 系爭專利之主要技術特徵（即在VDD 電源線之中間段與VSS 電源線之中間段各設置第一螺旋線段與第二螺旋線段，以用 於阻止晶片內部進行靜電放電）。又引證案之電感器L 係用 於讓靜電放電電流經由晶片內部的輸入墊片200 進行放電，
而避免輸入級100 的閘極氧化層600 損壞，用以防止晶片內 部之充電模式的靜電放電，每一電感僅能保護少數幾個元件 ，而系爭專利主要係解決外部之靜電放電電流流入驅動器內 部進行放電，以保護晶片內所有與電源供應線VSS 和VSS 連 接的邏輯區塊與電子元件，一組電感可保護數十萬到數百萬 金屬氧化物半導體元件，其功效明顯不同於引證案之電感功 用。另引證案無法防止外部靜電放電，無法解決系爭專利所 欲解決問題，且系爭專利相較於其他靜電放電技術，可使晶 片面積較小，優於現有靜電放電技術。
㈡系爭電路結構相較於現有解決外部靜電放電的電路結構較為 簡單，且現今製程在在晶片上設置電感所佔用面積較小，系 爭專利晶片面積會明顯較小。系爭專利之第2 圖與第3 圖係 有標號32與33分別指向第一螺旋線段與第二螺旋線段，即為 系爭專利所述之電感，且系爭專利說明書亦有相關說明。 ㈢引證案圖5 與韓國LCD 某公司之電路結構，皆非利用電感作 保護電路，倘此方式為所屬技術領域具有通常知識者所皆知 的防護方式，被告並無法提出相關前案。
㈣雖系爭專利說明書並未交代數值部分，而申請專利範圍第3 項與第4 項所界定的數值，係經過種種考量與晶片整體電路 電路結構，並進行計算或模擬所得知，並無規定必須詳載如 何選定此數值，且此數值僅為系爭專利之其一實施方式的適 值。由於系爭專利確實解決外部靜電放電問題，所以採用系 爭專利所述之電感值與電容值可避免外部靜電放電影響晶片 內部所有邏輯區塊與電子元件，有別於引證案，產生不可預 期的功效，具有進步性。
四、被告聲明求為判決：駁回原告之訴，並抗辯： ㈠電感功能，就任何修習過基本電路學者而言，依電感與電流 電壓的關係式，可以明顯知道當在電感兩端施加一電壓差V ，當一個電感值增加（L 值增加），則電流隨時間的變化當 然變小，可以有效阻止外部之靜電放電電流流入驅動器內部 進行放電，此功效完全可以預期。
㈡原告稱「引證案所示之晶片的VDD 電源線與VSS 電源線並未 設置電感器L ，因此引證案並未揭露本案的主要技術特徵」 ，然此一技術特徵仍為利用VDD 電源線之中間段與VSS 電源 線之中間段增加一電感結構，以減少晶片內部放電，仍屬基 本電學中電感穩壓電流的特性，功效完全可以預期。 ㈢系爭專利的技術特徵、解決問題手段、功效均屬於基本電學 中電容與電感的基本功效，此本屬於基本電學的領域知識所 教示，引證案目的在於揭露「在積體電路製程中製造電感與 電容的技術」與作為該技術時間點的佐證。原告所述引證案
未能揭露關於電感電容所能產生的減少電壓波動、相位偏移 量、電壓差非預期交叉反轉等電路功效均已由基本電學關於 電感電容之知識所教示可得到。且電感滿占晶片的面積，並 非如原告所述，可以達到縮小晶片面積的功效，與事實上認 知不符。
㈣引證案第8 圖可看出電感接的位置，亦在VDD 與VSS 之間， 靜電放電已被引證案所揭示。又系爭專利第2 圖以下均為示 意圖，無法看出形狀，僅能看出VDD 與VSS 之接線圖，且系 爭專利說明書第10頁表示係實施示意圖，但有關配線部分， 並未詳載。
㈤系爭專利說明書並未詳載其如何選定元件最適值，亦未說明 選這個值可以產生何功效，即未交代數值部分。五、查系爭專利係於92年9 月23日申請，被告於98年6 月15日為 「不予專利」之處分，是系爭專利應否准許，應以審定時有 效之92年2 月6 日修正公布之專利法（即現行專利法）為斷 。本件爭點為原告之系爭專利有無違反專利法第22條第4 項 進步性之規定？
㈠按發明，指利用自然法則之技術思想之創作，專利法第21條 定有明文。又發明為其所屬技術領域中具有通常知識者依申 請前之先前技術所能輕易完成時，不得依專利法申請取得發 明專利，同法第22條第4 項亦有明文。
㈡系爭專利之技術內容：
⒈關於系爭專利之創作目的：
由於1.0 微米以下的互補式金氧半導體（CMOS）積體電路 使用LDD 、金屬矽化、多晶金屬矽化、自行校準矽化等製 程，以提昇積體電路的運算速度及可靠度，但CMOS元件因 上述製程技術得以縮得更小的元件尺寸，導致次微米CMOS 積體電路對靜電放電（ESD ）的防護能力下降許多。但一 般產品被使用的外界環境所產生的靜電並未減少，故CMOS 積體電路因ESD 而損傷情形更形嚴重。就算加大元件尺寸 ，ESD 耐壓度不見得成正比地提昇，且元件尺寸相對地所 佔的佈局面積亦增大，整個晶片大小亦增大，對靜電放電 的承受能力反而嚴重下降。一般電子產品由其需以手握著 之電子產品，常因人體放電藉由空氣而使產品內的驅動器 產生靜電放電的現象，將會產生大電磁場，而電源供應不 穩定，如此高電壓脈衝在很短的時間持續干擾液晶顯示驅 動器，則液晶顯示驅動器內部暫存器將失去保持（hold） 資料的能力，將改變暫存器的資料值，液晶顯示上的顯示 展出功能失敗（見本院卷第67至69頁之系爭專利說明書中 【先前技術】）。是以系爭專利係一種防止驅動器靜電放
電之方法，目的在解決人體放電或環境對驅動器所產生的 靜電放電問題，在第一電源供應線和第二電源供應線中間 段各設置一第一螺旋線段與第二螺旋線段再接入邏輯區塊 ，俾藉透過該螺旋線段所產生的額外電感阻止驅動器內電 流的突然變化，因此，當人體放電或環境對驅動器所產生 的靜電放電期間，能夠保持驅動器內部電壓的水準于受高 電壓脈衝持續攻擊幾個毫微秒後（見本院卷第69頁之系爭 專利說明書中【發明內容】）。
⒉系爭專利之申請專利範圍共4 項，其中第1 項為獨立項， 其餘為附屬項（見本院卷第73頁之發明專利說明書）。申 請專利範圍第1 項：「一種防止驅動器靜電放電之方法， 係現行驅動器內具有一邏輯區塊，而該邏輯區塊接有一第 一電源供應線（VDD ）和第二電源供應線（VSS ），對外 連接電源，本發明係一種用於第一電源供應線和第二電源 供應線之間防止靜電放電的方法；其特徵在於：第一電源 供應線和第二電源供應線之中間段各設置一第一螺旋線段 與第二螺旋線段；同時設一儲存電容於邏輯區塊內，而該 儲存電容耦接於上述第一電源供應線和第二電源供應線間 於與邏輯區塊內元件耦接之前；俾藉透過第一螺旋線段與 第二螺旋線段所產生的額外電感來阻止驅動器內電流的突 然變化。」（相關圖式見附圖1 ）
㈢被告所提之引證案（我國87年10月21日公告之第343386號「 元件充電模式靜電放電防護電路」發明專利案，見本院卷第 24至54頁）：
⒈引證案為一種元件充電模式靜電放電之防護電路，包括一 做在晶片上的電感，連接於一靜電放電防護元件與一輸入 級電路的閘級之間，該電感提供了一電壓降的效用，一限 制電流的效用，以及一時間延遲的效用，因而可以有效地 防止元件充電模式之靜電放電電流自輸入級的閘極放電而 出。該電感又能與一般常用的輸入靜電放電防護電路共用 而達到全方位的靜電放電防護，能夠同時防護人體放電模 式、機器放電模式，以及元件充電放電模式之三種靜電放 電對積體電路的破壞。該電感能夠用金屬線或多晶矽線以 方形迴旋結構實現在互補式金氧半積體電路之晶片上，並 可放置在積體電路打線用墊片的正下方以節省積體電路之 佈局面積（見本院卷第25頁之引證案專利說明書中【中文 發明摘要】）。
⒉引證案之申請專利範圍共11項，其中第1 、8 項為獨立項 ，其餘為附屬項。申請專利範圍第1 項：「一種積體電路 晶片，具有一元件充電模式之靜電放電防護電路，該積體
電路晶片包含：一輸入墊片；一第一級靜電放電防護元件 ，連接於該輸入墊片與一VSS 電源線之間；一第二級靜電 放電防護元件，與該第一級靜電放電防護元件並聯，連接 於該輸入墊片與該VSS 電源線之間；一內部電路，連接於 一VDD 電源線與該VSS 電源線之間；及一晶片上的電感器 ，串接於該第二級靜電放電防護元件與該內部電路之間。 」（見本院卷第41至42頁。相關圖式見附圖2 ） ㈣系爭專利申請專利範圍第1 項：
⒈有關電感設置位置，系爭專利申請專利範圍第1 項之第一 電源供應線（VDD ）與第二電源供應線（VSS ）之中間段 分別設置第一螺旋線段與第二螺旋線段，藉第一螺旋線段 與第二螺旋線段所產生的額外電感來阻止驅動器內電流的 突然變化；以及設置儲存電容於邏輯區塊內，用以當人體 放電或環境對驅動器所產生的靜電放電期間，能夠保持驅 動器內部電壓的水準於於受高電壓脈衝持續攻擊幾個毫微 秒後，第一和第二電源供應線將不會有上下彈跳脈衝通過 而使其電壓差產生非預期之交叉反轉。而引證案揭示將電 感器設置於輸入墊片與輸入級電路的閘極之間，可以限制 元件充電模式之靜電放電電流自輸入級電路的閘極流出。 ⒉是以系爭專利與引證案之電感器設置位置並不相同，亦即 系爭專利係第一電源供應線與第二電源供應線之中間段各 設置一第一螺旋線段與第二螺旋線段；引證案之方形迴旋 結構連接於輸入墊片與輸入級電路的閘極之間。此設置之 差異使欲限制靜電放電電流之方向有別，系爭專利係為阻 止外部靜電電流流入驅動器，引證案則為阻止內部之靜電 放電電流流經輸入級電路至輸入墊片放電。
⒊然系爭專利申請專利範圍第1 項係藉透過第一螺旋線段與 第二螺旋線段所產生之額外電感以阻止驅動器內電流之突 然變化。而引證案說明書第13頁倒數第5 行至倒數第2行 已揭示：「電感器的電路特性是VL=L‧(di/dt) ，也就是 說如果一流經電感器的電流有非常快速地劇烈變化會在電 感器的兩端感應出一極高的電壓降。因此，電感器上的電 流是不能夠瞬間地做變化的。」（見本院卷第36頁），且 由於外部靜電放電電流是經由電源線（VDD 、VSS ）流入 驅動器內部進行放電，因此將電感設置於外部靜電放電電 流經過的電源線（VDD 、VSS ），可以使電感阻止外部靜 電放電電流流入驅動器內部進行放電，並產生阻止驅動器 內電流突然變化的功效。是以系爭專利申請專利範圍第1 項，相較於引證案，並未產生無法預期之功效。 ⒋原告主張引證案無法達到防止外部靜電放電云云，惟查引
證案說明書第13頁第14至16行揭示「... 。該輸入級靜電 放電防護電路（400 、500 ）能夠提供有效的靜電放電防 護以防止人體放電模式與機器放電模式的靜電放電對積體 電路的損傷。... 」（見本院卷第36頁），並參照圖8（ 如附圖2 所示），當外部靜電電流流入至VSS 電源線時， 輸入級靜電放電防護電路（400 、500 ）可以限制跨在輸 入級（100 ）之閘極氧化層（600 ）的電壓，因此防止人 體放電模式與機器放電模式之外部靜電放電電流對閘極氧 化層（600 ）之損傷，並排放大部分靜電電流。故原告此 部分主張要無足取。
⒌原告另主張引證案所欲解決之問題不同於系爭專利，且無 直接或者隱含電感可設置於電源線云云。惟查： ⑴引證案係為改良傳統的靜電放電防護電路無法提供有效 的元件充電模式之靜電放電防護措施，且無法有效地防 範元件充電模式靜電放電對深次微米積體電路產品的破 壞，引證案利用一做在晶片上的電感器，連接在需要被 保護的輸出／入級與墊片之間。利用電感器的電路特性 ，使元件充電模式之靜電放電電流流過電感，抑制靜電 放電的瞬間電流峰值，而有效大幅降低跨在輸出／入級 之閘極氧化層（600 ）的電壓，有效防護人體放電模式 、機器放電模式以及元件充電模式之靜電放電對積體電 路造成之損傷（見本院卷第32 至35 頁之引證案專利說 明書中【發明說明】）。而系爭專利係一種防止驅動器 靜電放電之方法，在第一電源供應線和第二電源供應線 中間段各設置一第一螺旋線段與第二螺旋線段再接入邏 輯區塊，俾藉透過該螺旋線段所產生的額外電感阻止驅 動器內電流的突然變化，因此，系爭專利之創作目的在 解決人體放電或環境對驅動器所產生的靜電放電問題。 故二者之創作目的並無二致。
⑵外部靜電放電電流係經由電源線（VDD 、VSS ）流入驅 動器內部進行放電，因此所屬技術領域中具有通常知識 者藉由引證案所揭示之電感器可限制靜電放電電流通過 之技術特徵之教示，即能輕易將電感設置於外部靜電放 電電流經過之電源線（VDD 、VSS ），而使電感阻止外 部靜電放電電流流入驅動器內部進行放電，並阻止驅動 器內電流突然變化，而完成系爭專利申請專利範圍第1 項之技術特徵。
⒍綜上，引證案之技術內容，足以教示靜電放電防護電路設 計之技術領域中有通常知識之人，依據系爭專利92年9 月 23日申請當時之技術水準，輕易完成系爭專利申請專利範
圍第1 項，且系爭專利申請專利範圍第1 項，相較於引證 案，並未產生無法預期之功效，故系爭專利申請專利範圍 第1 項不具進步性。
㈤雖系爭專利之獨立項（即申請專利範圍第1 項）的技術特徵 已為引證案所揭露，而不具進步性，然由於依附於獨立項之 各附屬項（即申請專利範圍第2 至4 項）具有所依附之第1 項以外之技術特徵，未必不具進步性，仍應再就各附屬項之 附屬特徵作進一步之審查，此即逐項審查之原則。 ㈥系爭專利申請專利範圍第2 項部分：
⒈系爭專利申請專利範圍第2 項為依附於第1 項獨立項之附 屬項，除包含第1 項所有之技術特徵之外，第2 項進一步 限縮界定其中「該儲存電容可設置於邏輯區塊外。」（見 本院卷第73頁）。
⒉引證案足以證明系爭專利申請專利範圍第1 項不具進步性 ，已於前述。另第2 項附屬技術特徵所揭示儲存電容之設 置位置，可使第一和第二電源供應線將不會有上下彈跳脈 衝通過而使其電壓差產生非預期之交叉反轉，此乃為電容 於電路中之基本功能，係屬習知技術。綜上，系爭專利申 請專利範圍第2 項為所屬技術領域中具有通常知識者，依 引證案及習知技術所能輕易完成，故系爭專利申請專利範 圍第2 項不具進步性。
㈦系爭專利申請專利範圍第3 項部分：
⒈系爭專利申請專利範圍第3 項為依附於第1 項獨立項之附 屬項，除包含第1 項所有之技術特徵之外，第3 項進一步 限縮界定其中「該第一螺旋線段與第二螺旋線段之電感值 為1nH （nano-Henry，毫微亨）至2nH 間」（見本院卷第 73頁）。
⒉引證案足以證明系爭專利申請專利範圍第1 項不具進步性 ，已於前述。另第3 項附屬技術特徵所界定之電感值範圍 ，係為經由其欲提供防護之外部靜電放電模式之電流波形 ，以及電感器之電路原理之普通計算即能得知。關於該電 感值之界定，系爭專利說明書並未記載其如何選定或有何 不可預期之功效（見本院卷第70至71頁之系爭專利說明書 中【實施方式】）。經本院於準備程序時命原告說明本請 求項所界定之電感值範圍是否可經由電感與電壓電流、電 容與電壓間的電路關係式計算而得？相較先前技術而言， 系爭專利是否產生不可預期的功效？（見本院卷第102 頁 ），原告僅表明相關設定係考慮晶片接腳接地線的阻抗， 而取一適當值等語（見本院卷第102 頁），並於99年5 月 27日具狀陳稱：雖系爭專利說明書並未交代數值部分，而
申請專利範圍第3 項所界定的數值，係經過種種考量與晶 片整體電路電路結構，並進行計算或模擬所得知，並未有 相關規定必須詳載如何選定此數值，且此數值僅為系爭專 利之其一實施方式的適值等語（見本院卷第132 頁）。是 以難認系爭專利申請專利範圍第3 項所界定之電感值範圍 有何不可預期之功效。
⒊綜上，系爭專利申請專利範圍第3 項為所屬技術領域中具 有通常知識者，依引證案及習知技術所能輕易完成，故系 爭專利申請專利範圍第3 項不具進步性。
㈧系爭專利申請專利範圍第4 項部分：
⒈系爭專利申請專利範圍第4 項為依附於第1 項獨立項之附 屬項，除包含第1 項所有之技術特徵之外，第4 項進一步 限縮界定其中「該儲存電容之靜電容量為0.5nF （nano-F arady ，毫微法）至1nF 間。」（見本院卷第73頁）。 ⒉引證案足以證明系爭專利申請專利範圍第1 項不具進步性 ，已於前述。另第4 項附屬技術特徵所界定之靜電容量範 圍，係為經由其欲鎖定第一與第二電源供應線間的電壓差 ，以及電容之電路原理之普通計算即能得知，乃為習知技 術。關於該靜電容量之界定，系爭專利說明書並未記載其 如何選定或有何不可預期之功效（見本院卷第70至71頁之 系爭專利說明書中【實施方式】）。經本院於準備程序時 命原告說明本請求項所界定之電容量範圍是否可經由電感 與電壓電流、電容與電壓間的電路關係式計算而得？相較 先前技術而言，系爭專利是否產生不可預期的功效？（見 本院卷第102 頁），原告僅表明相關設定係考慮晶片接腳 接地線的阻抗，而取一適當值等語（見本院卷第102 頁） ，並於99年5 月27日具狀陳稱：雖系爭專利說明書並未交 代數值部分，而申請專利範圍第4 項所界定的數值，係經 過種種考量與晶片整體電路電路結構，並進行計算或模擬 所得知，並未有相關規定必須詳載如何選定此數值，且此 數值僅為系爭專利之其一實施方式的適值等語（見本院卷 第132 頁）。是以難認系爭專利申請專利範圍第4 項所界 定之靜電容量範圍有何不可預期之功效。
⒊綜上，系爭專利申請專利範圍第4 項為所屬技術領域中具 有通常知識者，依引證案及習知技術所能輕易完成，故系 爭專利申請專利範圍第4 項不具進步性。
六、從而，經整體技術特徵比對，系爭專利之主要技術特徵已為 引證案及習知電學知識所揭示，而為所屬示靜電放電防護電 路設計之技術領域中具有通常知識者顯能輕易完成者，不具 有進步性。故被告以系爭專利有違專利法第22條第4 項規定
，而為「不予專利」之處分，雖就系爭專利申請專利範圍第 3 項、第4 項是否不具進步性部分，原處分第5 頁倒數第6 行至倒數第2 行僅稱：「請求項3 、4 為進一步限定請求項 1 第一、二螺旋線段之電感值及儲存電容之靜電容量值，請 求項1 已見於引證案所揭示已於前述，綜上，請求項1 至4 為所屬技術領域中具有通常知識者依申請前之先前技術所能 輕易完成。」（見本院卷第61頁），並未針對申請專利範圍 第3 、4 項之整體技術特徵作進一步之審查，有違逐項審查 之原則，顯有未洽，惟申請專利範圍第3 、4 項所限定之附 屬技術特徵，確為依電學有關電感器、電容之電路原理之普 通計算即能得知，而屬習知技術，復經本院當庭命兩造就此 陳述意見（見本院卷第102 至103 頁），故原處分此部分瑕 疵尚不影響結論之判斷，訴願決定未予指摘，予以維持，結 論尚無不合。原告主張前詞，聲請撤銷訴願決定及原處分， 並命被告作成系爭專利申請案應予專利之審定，為無理由， 應予駁回。
七、本件事證已明，兩造其餘主張或答辯，已與本院判決結果無 涉，爰毋庸一一論列，併此敘明。
據上論結，本件原告之訴為無理由，依智慧財產案件審理法第1條，行政訴訟法第98條第1 項前段，判決如主文。中 華 民 國 99 年 7 月 1 日 智慧財產法院第二庭
審判長法 官 陳國成
法 官 曾啟謀
法 官 蔡惠如
以上正本係照原本作成。
如不服本判決，應於送達後20日內，向本院提出上訴狀並表明上訴理由（須按他造人數附繕本）。
如於本判決宣示後送達前提起上訴者，應於判決送達後20日內補提上訴理由書（須按他造人數附繕本）。
中 華 民 國 99 年 7 月 1 日 書記官 林佳蘋
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