排除侵害專利權
智慧財產法院(民事),民專訴字,98年度,10號
IPCV,98,民專訴,10,20090908,3

智慧財產法院民事判決
98年度民專訴字第10號
原 告 美商科林研發公司（Lam Research orp.）
法定代理人 甲○○○○○ ○○
訴訟代理人 林秋琴律師
陳彥希律師
王仁君律師
林哲誠律師
複 代 理人 范銘祥律師
被 告 新加坡商丙○○○○○○有限公司
兼 上 一人
法定代理人 乙○○（Micha
被 告 丙○○○○○○( 上海) 有限公司
兼 上 一人
法定代理人 丁○○
共 同
訴訟代理人 范曉玲律師
汪家倩律師
王孟如律師
複 代 理人 戊○○
上列當事人間排除侵害專利權事件，本院於98年8 月18日言詞辯
論終結，判決如下：
主 文
原告之訴及假執行之聲請均駁回。
訴訟費用由原告負擔。
事實及理由
壹、程序方面：
一、按訴狀送達後，原告不得將原訴變更或追加他訴，但請求之 基礎事實同一、擴張或減縮應受判決事項之聲明，或不甚礙 被告之防禦及訴訟之終結者，不在此限，民事訴訟法第255 條第1 項第2 款、第3 款及第7 款分別定有明文。查原告於 民國98年6 月3 日具狀追加乙○○、丙○○○○○○（上海 ）有限公司（即AdvancedMi cro-Fabrication Equipment Inc.，下稱大陸中微公司）及丁○○為被告，係基於同一基 礎事實之追加，不甚礙被告之防禦及訴訟之終結，揆諸前開 說明，應予准許；另原告於起訴時聲明：「一、被告就型號 為「Primo D-RIE 」之電漿蝕刻機或其他一切侵害原告中華 民國第136706號或第126873號發明專利之物品，不得自行或 使他人直接或間接為製造、販賣、販賣之要約、使用或為上 述目的而進口或其他一切相關之侵權行為，及不得使用發明



第126873號專利之方法，及使用、為販賣之要約、販賣或為 上述目的而進口該方法直接製成之物品。」，嗣於98年6 月 9 日具狀減縮聲明為：「一、被告新加坡商丙○○○○○○ 有限公司、乙○○、丙○○○○○○( 上海) 有限公司及丁 ○○不得自行或使他人直接或間接為製造、販賣、販賣之要 約、使用或為上述目的而進口型號為「Primo D-RIE 」之電 漿蝕刻機或其他一切侵害原告中華民國第136706號發明專利 之物品，或為其他一切相關侵害前述專利之行為。」揆諸前 開說明，自應認原告所為訴之減縮係屬合法，應予准許。二、本件原告公司為美國公司，被告新加坡商丙○○○○○○有 限公司（下稱新加坡商中微公司）為新加坡公司，另被告大 陸中微公司則為大陸公司，被告丁○○具有美國國籍，故本 件具有涉外因素，原告主張被告侵害其專利權而起訴請求排 除及防止侵害，為私法爭訟，故本件乃為涉外民事事件，自 應適用涉外民事法律適用法及臺灣地區與大陸地區人民關係 條例以定本件之管轄及準據法。按「因侵權行為涉訟者，得 由行為地之法院管轄，為民事訴訟法第15條第1 項所明定。 所謂行為地，凡為一部實行行為或其一部行為結果發生之地 皆屬之。」（最高法院56年度台抗字第369 號判例要旨參照 ），涉外民事法律適用法並未就法院之管轄予以規定，惟原 告主張侵權行為地在我國境內，自應類推適用我國民事訴訟 法第15條第1 項規定，由我國法院管轄。依智慧財產法院組 織法第3 條第1 款、智慧財產案件審理法第7 條規定，本院 就此涉外私法專利侵害事件自有管轄權。又關於由侵權行為 而生之債，依侵權行為地法，但中華民國法律不認為侵權行 為者，不適用之。涉外民事法律適用法第9 條及臺灣地區與 大陸地區人民關係條例第50條均定有明文。故關於涉外侵權 行為之準據法，應適用「侵權行為地」及「法庭地法」，本 件原告主張被告之侵權行為係發生在我國境內，依上開規定 ，本件涉外事件之準據法，應依中華民國之法律。貳、實體方面：
一、原告起訴主張，其為中華民國第136706號「電漿反應器中之 多孔的電漿密封環」發明專利（下稱系爭專利）之專利權人 。新加坡商中微公司為被告大陸中微公司在新加坡所設立之 海外據點，專事半導體設備銷售及售後支援服務。被告新加 坡商中微公司業經我國主管機關認許並成立分公司經登記在 案，以負責在我國之業務而以國內之半導體製造商或晶圓廠 為其行銷、業務及服務之對象。至於被告大陸中微公司則主 要負責設備之開發、製造及出口，其負責人即大陸中微公司 董事長兼CEO 丁○○（Gerald YIN）及若干高層人員，並曾



任職於原告公司。原告頃由自身市場部門所收集及由業界所 獲悉之資訊得知，大陸中微公司未經原告之同意或授權，為 圖一己不法之利益，竟剽竊使用原告所有之上開系爭專利之 「電漿反應器中之多孔的電漿密封環」技術，而運用於其所 製造型號為「Primo D-RIE 」之電漿蝕刻機（下稱系爭設備 ）上，除公開於其網站上陳列、銷售上開侵權之系爭設備外 ，並私下提供系爭設備之技術簡報等行銷資料予其潛在之目 標客戶（即相關國內半導體製造商或晶圓廠）等。經查，被 告新加坡商中微公司為販賣、販賣之要約及使用等目的已進 口至少二部型號Primo D-RIE 之系爭設備，分別於97年4 月 間將一部系爭設備引入第三人台灣積體電路製造股份有限公 司（下稱台積電公司）位於新竹科學工業園區新竹市○○○ 路8 號，即台積電公司總部及晶圓12廠內，現正進行機器試 車及調整階段中；嗣被告又於97年8 月間將另一部系爭設備 引入第三人華邦電子股份有限公司（下稱華邦公司）位於中 部科學工業園區台中縣大雅鄉○○○路8 號晶圓6B廠現址之 N08E廠區內，現正進行機器試車調整階段並已為部分試產。 就後者被告新加坡商中微公司進口系爭設備並引入第三人華 邦公司現正使用中而構成侵害系爭專利之事實，業經原告向 本院聲請保全證據，經97年度民全字第47號裁定准予保全證 據，並於97年12月19日赴第三人華邦公司晶圓6B廠實施保全 證據取得系爭蝕刻機照片圖檔之記憶卡壹件、原告（即保全 證據聲請人）所委任技術專家於保全現場手寫記錄紙貳張及 第三人華邦公司自行提出系爭設備維修手冊壹頁。就系爭設 備與原告系爭專利進行分析比對，系爭設備業已落入系爭專 利以「電漿處理反應器」為標的之請求項第1 、2 、3 、4 、6 、7 、8 、9 、11、12、14、19、20、21及23項而構成 專利侵害，此有國立中山大學出具專利侵害鑑定報告可稽。 而上述關於系爭設備之解析，除有前揭實施保全證據所取得 證據資料結果可資為憑外，另有被告中國商中微公司以Adva nced Micro-Fabrication Equipment Inc.Asia 公司之名義 ，就系爭設備之結構向美國專利商標局提出第US2008/00114 24號（下稱第424 號案），及第US2007/0085483號（下稱第 483 號案）等專利案，依上開美國專利申請案所揭露之內容 ，可知系爭設備確實大致與上述相關人二件美國專利申請案 所揭示電漿蝕刻機之實施例（例如第424 號案之第3 圖及第 4 圖之結構，及例如第483 號案第9 圖至第10圖或第11 圖 至第12圖）相同，而落入原告系爭專利上開請求項。據上， 本件被告等確有販賣、為販賣之要約、使用及為上述目的而 進口系爭設備及其他侵害系爭專利之物品，而侵害原告之專



利權，該等行為已構成專利法第56條第1 項及第2 項之違反 ，爰依專利法第84條第1 項中段及後段之規定請求排除及防 止其侵害。爰聲明求為判決被告新加坡商中微公司、乙○○ 、大陸中微公司及丁○○不得自行或使他人直接或間接為製 造、販賣、販賣之要約、使用或為上述目的而進口型號為「 Primo D-RIE 」之電漿蝕刻機或其他一切侵害原告中華民國 第136706號發明專利之物品，或為其他一切相關侵害前述專 利之行為；並願供擔保請准宣告假執行。
二、被告則以被告新加坡商中微公司登記設立於開曼群島，為跨 國性之集團企業，以新加坡商中微公司為總公司，大陸中微 公司乃設於上海負責研發製造之生產據點，受新加坡總公司 指揮控制，被告新加坡商中微公司非大陸中微公司之海外據 點。而被告丁○○早在18年前，即西元1991年即已自原告公 司離職，斷無可能以此推論被告新加坡商中微公司之技術與 原告有任何關連。原告追加乙○○及丁○○為被告之理由， 無非係以伊等分別為新加坡商中微公司及大陸中微公司之負 責人，從而宣稱依公司法第23條第2 項及民法第185 條規定 ，應與其他被告連帶負損害賠償責任，惟依公司法第23條第 2 項及民法第185 條之規定，其適用範圍僅限於損害賠償責 任，而不適用於侵害排除及防止之請求。又系爭設備之相關 業務均由新加坡商中微公司負責處理，完全為法人行為而與 自然人無關，故原告僅需列新加坡商中微公司為被告請求侵 害排除及防止即足保障其權益，被告丁○○及乙○○從未、 亦不可能以其個人身分從事系爭設備任何相關業務，縱使因 而勝訴取得執行名義，對於藉由強制執行排除「系爭設備」 於台灣市場外（即原告本件起訴所請求之排除及防止侵害） ，毫無任何助益，故將二位公司代表人列為被告，實無權利 保護必要。系爭專利申請專利範圍第1 項之技術特徵多數皆 為西元1996年1 月23日公開之日本公開第特開平8-20879 號 「電漿處理裝置」專利（被證13號）及西元1998年6 月26日 公開之日本公開第特開平10-172792 號「電漿處理裝置」專 利（被證16號）所揭露，不具新穎性。唯一技術特徵未見於 前載先前技術為「多孔的電漿密封環，配置在下電極的外周 圍的外側，該多孔的電漿密封環上表面是配置在基板上表面 的下方，並架構以電接地於該處理過程中」，然任擇西元19 93年5 月11日公開之美國公告第5210466 號「VHF/UHFreact or system 」專利（被證14號），或西元1998年6 月30日公 開之美國公告第5772833 號「Plasma etching apparatus」 專利（被證15號）結合說明書中所載之先前技術，其仍為所 屬技術領域中具有通常技術者即能輕易完成者。又「系爭專



利」其餘請求項所有技術特徵，為所屬技術領域中具有通常 知識者，均可藉由以下之組合得輕易完成，不具進步性：請 求項2 之技術特徵，以「被證33號」與「被證17號」組合， 或以「被證17號」、「被證33號」、「被證36號」擇一與「 被證13號」組合；請求項3 所載之技術特徵，以「被證33號 」與「被證17號」組合，或以「被證15號」、「被證16號」 、「被證20號」、「被證33號」、「被證36號」或系爭專利 所載之先前技術任擇其一與「被證13號」組合；請求項4 所 載之技術特徵，以「被證33號」與「被證17號」組合，或以 「被證16號」、「被證20號」、「被證17號」、「被證33號 」、「被證36號」、系爭專利所載之先前技術任擇其一與「 被證13號」組合；請求項6 所載之技術特徵，以「被證33號 」與「被證17號」組合，或以「被證16號」、「被證20號」 、「被證17號」、「被證33號」、「被證36號」任擇其一與 「被證13號」組合；請求項7 所載之技術特徵，以「被證33 號」與「被證17號」組合，或將「被證16號」與「被證13號 」組合；請求項8 所載之技術特徵，以「被證33號」與「被 證17號」組合，或「被證33號」與「被證13號」組合；請求 項9 之技術特徵，以「被證33號」與「被證17號」組合，或 以系爭專利所載之先前技術或「被證16號」擇一，與「被證 14號」或「被證15號」擇一組合；請求項11所載之技術特徵 ，以「被證36號」與「被證17號」組合；請求項12之技術特 徵，以「被證38號」與「被證13號」之組合，或「被證33號 」與「被證13號」之組合；請求項14所載之技術特徵，以「 被證33號」與「被證17號」組合，或將「被證14號」、「被 證15號」擇一與系爭專利所載之先前技術組合；請求項19所 載之技術特徵，以「被證33號」與「被證17號」，或「被證 33號」、「被證37號」擇一與「被證13號」組合；請求項20 所載之技術特徵，以「被證33號」與「被證17號」組合，或 「被證33號」與「被證13號」組合；請求項23之技術特徵， 以「被證33號」與「被證17號」組合，或「被證33號」與「 被證13號」之組合。另被證13可證明系爭專利請求項第1、7 、9 、11、21項不具新穎性。綜上，系爭專利之申請專利範 圍第1 、2 、3 、4 、6 、7 、8 、9 、11、12、14、19、 20、21及23項，其專利範圍均屬「申請前已見於刊物或已公 開使用者」或「有相同之發明或新型申請在先並經核准專利 者」而不具新穎性；或「為所屬技術領域中具有通常知識者 依申請前之先前技術所能輕易完成」而不具進步性，分別依 據系爭專利審定核准時專利法第20條第1 項第1 款、第2 款 或同條第2 項規定，不得取得發明專利。為此，被告新加坡



商中微公司已依現行專利法第67條規定向經濟部智慧財產局 申請舉發。系爭專利為「中華民國」發明第136706號專利， 針對系爭專利有效與否之判斷，應依我國專利法、專利審查 基準、及專利審查實務為據，與其他國家專利無涉，原告自 不得依據美國專利內容主張系爭專利任何一項請求項為有效 ，原告所提原證44號，係一外國教授針對一美國專利出具之 意見書，與系爭專利之有效性無涉，且該外國教授亦非本案 適當之證據方法。系爭專利係將第一及第二射頻電源分別接 於電漿蝕刻設備反應室內之上、下電極，係屬西元1990年代 左右之技術水準；反觀待鑑定物乃將第一及第二射頻電源均 接於「下電極」，此是西元2004年後由被告新加坡商中微公 司開發成功之配置方式。兩者技術水準落差約達10年，完全 不可能適用均等原則，原證11號之專利侵害鑑定報告居然不 知反應室內射頻電源配置演進歷史，錯誤判斷系爭專利與待 鑑定物品不同電源配置乃「均等」，足知撰寫該份鑑定報告 者根本未具備電漿蝕刻領域專業知識，鑑定報告內容明顯錯 誤，不得採為侵權之依據。系爭專利屬中華民國專利，則其 效力當然僅及於我國境內，而被告大陸中微半導體公司在我 國境內根本沒有任何商業活動，更遑論在我國境內有何專利 法第56條所稱之「製造」、「販賣」、「為販賣之要約」、 「使用」或「進口」侵權產品之行為；原告主張系爭侵權機 器乃由大陸中微半導體公司所製造並「出口」，進而宣稱該 等「出口」行為乃「販賣行為之一部分」，從而構成我國專 利權之侵害，顯將專利法所未規範或禁止之「出口」行為， 硬是扭曲成「販賣」行為，不但違反「屬地原則」，且更形 同賦予專利權人享有於其他國家排除該他人「出口」之權利 ，顯然創設了專利法所無之權能。被告新加坡商中微公司長 期花費大量成本、人力研究開發系爭系爭設備，若因假執行 而致被告於判決確定前無法繼續產銷系爭設備，勢將使被告 新加坡商中微公司無法即時進入市場，從而長期投入之鉅額 研發成本將無法回收，顯將遭受鉅額之損害；而包括原告在 內之其他競爭者得藉由產銷相類似設備，取代被告於半導體 電漿蝕刻設備市場之地位。是以，若於判決確定前禁止被告 產銷系爭設備，將造成被告經營事業之重大障礙，而對被告 產生不能回復之損害。準此，原告假執行之聲請，依民事訴 訟法第391 條規定，應予駁回。並聲明求為判決駁回原告之 訴及假執行之聲請，如受不利判決，請准供擔保免為假執行 。
三、兩造不爭執之事實：
㈠、原告為系爭我國第136706號「電漿反應器中之多孔的電漿密



封環」發明專利之專利權人。
㈡、被告新加坡商中微公司進口二部型號Primo D-RIE 之系爭電 漿蝕刻機設備，分別於97年4 月間按裝於第三人台積電公司 位於新竹科學工業園區新竹市○○○路8 號，即台積電公司 總部及晶圓12廠內，及於97年8 月間安裝於第三人華邦公司 位於中部科學工業園區台中縣大雅鄉○○○路8 號晶圓6B廠 現址之N08E廠區內。
四、本件兩造主要爭點為：
㈠、原告系爭專利申請專利範圍第 1、2、3、4、6、7、8、9、 11、12、14、19、20、21及23項，是否不具專利有效性而有 撤銷之原因？
㈡、被告進口之系爭設備是否落入原告系爭專利申請專利範圍第 1、2、3、4、6、7、8、9、11、12、14、19、20、21 及 23 項？
㈢、苟被告進口之系爭設備落原告上開系爭專利申請專利範圍， 原告聲明請求部分是應予准許？
五、經查：
㈠、按「當事人主張或抗辯智慧財產權有應撤銷、廢止之原因者 ，法院應就其主張或抗辯有無理由自為判斷，不適用民事訴 訟法、行政訴訟法、商標法、專利法、植物品種及種苗法或 其他法律有關停止訴訟程序之規定。前項情形，法院認有撤 銷、廢止之原因時，智慧財產權人於該民事訴訟中不得對於 他造主張權利。」、「智慧財產民事及刑事訴訟中，當事人 主張或抗辯智慧財產權有應撤銷、廢止之原因，且影響民事 及刑事裁判之結果者，法院應於判決理由中，就其主張或抗 辯認定之，不得逕以智慧財產權尚未經撤銷或廢止，作為不 採其主張或抗辯之理由；亦不得以關於該爭點，已提起行政 爭訟程序，尚未終結為理由，裁定停止訴訟程序。」，智慧 財產案件審理法第16條及智慧財產案件審理細則第28條第1 項亦有規定。本件被上訴人既於本件審理中抗辯上訴人系爭 專利有應撤銷之原因存在，揆諸上開說明本院即應自行認定 系爭專利有應撤銷之原因存在。又依系爭專利核准公告（90 年6 月23日）時之專利法（民國83年1 月21日修正公布之專 利法）第20條第1 項規定：「凡可供產業上利用之發明，無 下列情事之一者，得依本法申請取得發明專利：一、申請前 已見於刊物或已公開使用者。…」同條第2 項規定：「發明 係運用申請前既有之技術或知識，而為熟習該項技術所能輕 易完成且未能增進功效時，雖無前項所列情事，仍不得依本 法申請取得發明專利。」，若有上開事由存在，即構成專利 權撤銷之事由。




㈡、系爭專利之技術內容：
1.系爭專利之先前技術：
系爭專利說明書圖2 解說習知電漿處理反應器，描述具有處 理室壁102 的平行板反應器100 ，處理室壁12具有連接至接 地或浮接之選擇，上電極104 是連接至具有第一射頻頻率之 第一射頻電力源106 ，上電極104 包含有數個氣體分配通孔 105 。然而，這些氣體分配通孔可選擇性地或另外配置在例 如處理室側壁的其它位置，氣體分配通孔105 容許處理氣體 通過進入處理室中。上電極104 是由上罩108 所圍繞，然而 上罩108 是可選擇且可省略的，下電極110 是連接至具有第 二射頻頻率之第二射頻電力源112 。集中環116 圍繞著下電 極110 ，且是由例如氧化鋁的陶瓷材料製成。集中環116 傾 向於朝向基板特別地在基板的周圍使電漿集中，以改善蝕刻 的均勻性。矽環防止基板114 受到集中環116 的氧化鋁或陶 瓷材料之污染。鐵氟龍罩120 刻畫出處理室壁102 的內部， 包含有同心環124 與空間126 的密封環122 圍繞者鐵氟龍罩 20內的處理室，密封環122 容許氣體漏出並自通口128 排出 ，密封環122 是浮接且以絕緣材料製成。電漿130 是藉由上 電極104 、基板114 、集中環116 、矽環118 、及密封環12 2 產生於處理過程中且受限於處理室內。距離132 可藉由上 下移動上電極104 有所改變，上電極向上移動以使基板114 配置在下電極110 上，而向下移動以處理基板114 ，距離13 2 在處理過程中保持預設距離。高度調整是藉由使用螺栓直 線致動器( 未顯示) 予以達成，其使處理室的上部向上或向 下移動（其圖式如附圖一所示）。
2.系爭專利技術分析：
系爭專利是關於一種用以處理基板之半導體用電漿處理反應 器裝置，此裝置包含處理室。此裝置另包含上電極與下電極 ，上電極是架構以連接至具有第一射頻頻率的第一射頻電力 源，下電極是架構以連接至具有第二射頻頻率的第二射頻電 力源，而第二射頻頻率是低於第一射頻頻率。此裝置另包含 絕緣罩，其標示出處理室的內部，絕緣罩是架構以便在處理 過程中電浮接。此裝置另包含多孔的電漿密封環，其配置在 下電極的外周圍的外側，此多孔的電漿密封環是配置在基板 上表面的下方，並在處理過程中電接地。系爭專利之主要技 術特徵為絕緣罩是架構為電浮接，以防止電漿免於經由處理 室而接地（說明書第18頁第2 至3 行），多孔的電漿密封環 係接地使電子自處理室中移除，因此降低電漿的密度（說明 書第15頁第3 至5 行）。系爭專利說明書第15頁第18行起有 描述「多孔的電漿密封環內側的穿孔最好具有使副產品氣體



通過之尺寸，而不需將過度的要求寄託在泵裝置上。同時， 穿孔必須具有使電漿受限於前述容積的尺寸。此降低了可造 成污染與射頻的不協調之未受限可能性，然而，卻使蝕刻率 與蝕刻均勻性最大化。較佳地，多孔的電漿密封環應具有效 數量的穿孔以使副產品氣體排出，並實質地使電漿受限。穿 孔是未受限於任何特別的形狀，且可以是圓形、溝槽、同中 心或類似的圖案。」（其圖式如付圖二所示）。㈢、系爭專利申請專利範圍（原告主張受侵害之請求項）： 1.一種用以處理基板之半導體用電漿處理反應器，包含：處理 室；上電極，架構以連接至具有第一射頻頻率的第一射頻電 力源；下電極，架構以連接至具有第二射頻頻率的第二射頻 電力源，而第二射頻頻率是低於第一射頻頻率；絕緣罩，刻 畫出該處理室的內部，該絕緣罩是架構以電浮接於處理過程 中；及多孔的電漿密封環，配置在下電極的外周圍的外側， 該多孔的電漿密封環上表面是配置在基板上表面的下方，並 架構以電接地於該處理過程中。
2.如申請專利範圍第1 項之電漿處理反應器，另包含集中環， 其配置在該下電極的該外周圍，並鄰接該多孔的電漿密封環 。
3.如申請專利範圍第1 項之電漿處理反應器，其中該上與下電 極之間的距離是可調整的。
4.如申請專利範圍第1 項之電漿處理反應器，其中該上電極包 含有數個氣體分配通孔。
6.如申請專利範圍第1 項之電漿處理反應器，其中該下電極代 表靜電夾頭。
7.如申請專利範圍第1 項之電漿處理反應器，其中該第二頻率 約為2MHz。
8.如申請專利範圍第1 項之電漿處理反應器，其中該上與下電 極之間的距離是可調整在0.5 與2 吋之間。
9.如申請專利範圍第1 項之電漿處理反應器，其中該絕緣罩是 在該處理過程中以藉由存在於該處理室內的電漿實質抗蝕之 材料形成。
11.如申請專利範圍第1 項之電漿處理反應器，其中該多孔的電 漿密封環的外直徑是大於該絕緣罩的內直徑。
12.如申請專利範圍第1 項之電漿處理反應器，其中該多孔的電 漿密封環具有約1/4 至2 吋之間的厚度。
14.如申請專利範圍第1 項之電漿處理反應器，其中該多孔的電 漿密封環具有數個穿孔，其架構以使來自該處理過程的副產 品氣體通過，同時使電漿實質地受限於至少由該絕緣罩、該 基板及該多孔的電漿密封環所界定的容積。




19.如申請專利範圍第 14 項之電漿處理反應器，其中該多孔的 電漿密封環的穿孔是同心環穿孔。
20.如申請專利範圍第 19 項之電漿處理反應器，其中數個鄰接 的該同心環穿孔之間的空隙分隔有約 1/32 至 1/8 吋。 21.如申請專利範圍第1 項之電漿處理反應器，其中該多孔的電 漿密封環上表面是配置在該基板上表面的下方小於4 吋的位 置。
23.如申請專利範圍第1 項之電漿處理反應器，其中該多孔的電 漿密封環的開口區域百分比約為50% 。
㈣、被告抗辯證據之分析：
1.被證13即西元1996年1 月23日公開之日本公開第特開平8-20 879 號「電漿處理裝置」專利之技術分析：
參閱被證27（被告所提被證13之中譯文）說明書第【0001】 段揭示本發明係關於一種電漿處理裝置，其將兩個高頻電力 施加於兩種電極使電漿產生，以對基板進行蝕刻處理或形成 薄膜等。說明書第【0002】段揭示這裡所謂的電漿處理裝置 包含：能夠吸真空的真空室、設於真空室之上方的複數枚上 部電極、設於真空式的下方的下部電極、將第一高頻電力供 給至上部電極的第一高頻電源、將第二高頻電力給予下部電 極的第二高頻電源、將待製程電漿的氣體導入此腔室的氣體 導入機構、將待處理晶圓（基板）運入及運出此腔室的班搬 送裝置、將真空室吸成真空的真空的排氣裝置，及設於腔室 之開口部的閘極閥。說明書第【0003】段揭示真空室1 接地 。腔室因為是金屬製，因此必須與電漿是電絕緣。是故，藉 由溶射於腔室內壁可全面性地形成氧化鋁的絕緣層。說明書 第【0004】段第5 至6 行揭示第一高頻是10MHz~120 MHz ， 例如使用54.24 MHz 。說明書第【0006】段第4 至6 行揭示 第二高頻是1MHz~50 MHz ，例如使用13.56MHz。說明書第【 0016】段揭示「與圖1 相同…。於於下部電極21大致同樣高 度處係設置有接地的衝切金屬件（punching metal）26。因 在該金屬件26的下方有真空排氣裝置的抽出口，所以將有孔 的金屬板安裝於此處以使氣體通過。因為這是接地電位，所 以電漿被封存於這上方的空間。」（其圖式如附圖三所示） 。
2.被證14即西元1993年5 月11日公開之美國公告第5210466 號 「VHF/UHFreact or system」專利之技術分析： 被證14第1 圖揭示一種電漿處理系統，第2 圖揭示圖1 反應 室中具傳輸線結構，其中該岐管屏蔽配置在陰極32C 的外圍 之外側且岐管屏蔽24上表面是配置在晶圓15上表面之下方， 說明書第6 欄第1 至5 行記載「岐管屏蔽24介於真空岐管23



及電漿腔室33之間並且提供一導電路徑於腔室壁12及傳輸線 結構32的外部導體320 之間」。說明書第10欄第15至19行揭 示「介於反應腔室外殼12底部與匹配網路箱間35頂部之間之 環狀電極64係耦合至匹配網路31及外部導體320 至相同電位 ，例如系統接地。」（其圖式如附圖四所示）。 3.被證15即西元1998年6 月30日公開之美國公告第5772833 號 「Plasma etching apparatus」專利專利之技術分析： 被證15揭示一種電漿蝕刻裝置，說明書第6 欄第7 至10行揭 示「複數個穿孔構成環構件17整個周邊」，圖1 顯示該環構 件之電性係為接地。（其圖式如附圖五所示）。 4.被證16即西元1998年6 月26日公開之日本公開第特開平10-1 72792 號「電漿處理裝置」專利之技術分析： 被證16之圖1 揭示一種電漿處理裝置100 ，係用以處理晶圓 W ，該電漿蝕刻裝置包含處理室04，說明書第[0041]段記載 「因此，當從第二高頻電源154 經由第二匹配器152 、給電 棒16及給電部材126 對上部電極124 施加規定的電漿產生用 高頻電力，該高頻電力例如是0.5 至4KW ，而且為13.56 至 100MHz，較佳為27.12 MHz 」Hz（該第二高頻電源154 即為 系專利之「第一射頻的第一射頻電力源」），被證16之圖1 以及說明書第[0034]段揭示「於載台106 上，經由兼作給電 路徑的升降軸116 及第一匹配器120 而連接著第一高頻電源 122 ，及由從第一高頻電源及升降軸116 對載台106 施加1 至5KW 之功率，頻率為380 至2MHz，較佳為800KHz之偏壓」 （該第一高頻電源122 即為系專利之「第二射頻的第二射頻 電力源」），其中第一高頻電源122 之頻率係低於第二高頻 電源154 之頻率。被證16圖1 及證據7 說明書第[0081]段揭 示「暴露於電漿處理室104 側壁部，亦即從伸出部102a遍及 上部電極124 外周部的面係由第一屏蔽部材160 所覆蓋。該 第一屏蔽部材160 是由介電材料例如石英所組合，縱方向上 的傑面略成反L 字形，並且以上述規定面密接的方式配製程 略環形」（可知石英為絕緣材料，其係可絕緣電漿以防止電 漿免於經由處理室壁而接地可導出第一屏蔽部材160 是架構 為電浮接）。（其圖式如附圖六所示）。
5.被證17即西元1997年1 月21日公開之美國公告第5595627 號 「Plasma etching method 」專利之技術分析： 被證17揭示一種電漿蝕刻裝置包含一排氣環25，其係由鋁構 成，被置在載台24周圍。說明書第4 欄第5 至8 行揭示「多 數孔洞25a 以相同間格構成排氣環25使得放電室14a 連接輔 助室」。說明書第4 欄第49至50行揭示「上部電極40、處理 腔室16之邊壁以及排氣環25接地」。（其圖式如附圖七所示



）。
6.被證33即西元1998年9 月30日公開之歐洲公告第867913A1號 「Plasma processing system and plasma processing method 」專利之技術分析：
被證33揭示一種電漿處理裝置，其說明書第12欄第23至25行 揭示「第一圖為一處理室其為一真空室」，第14欄第43至50 行揭示「上電極20藉由一匹配盒2 （自動阻抗匹配裝置）連 接至提供一高頻源之高頻電源供應器28。再者，上電極20藉 由濾波器29接地。此濾波器29設定對於高頻電源供應器28之 頻率具有一高阻抗之頻率特性，高頻電源供應器28係供應至 上電極20」，說明書第15欄第18-23 行揭示「用於產生電漿 的一高頻電源之頻率施予至上電極20設定在20-300 MHz，且 較佳地在40-150 MHz之範圍。再者，選擇頻率在工業用頻率 13.56 MHz 的整數倍較有幫助。」其中，高頻電源供應器28 即為「具有第一射頻頻率的第一射頻電力源」。說明書第14 欄第52行至第15欄第3 行記載「另一方面，下電極30（30A ，30B ）藉由一匹配盒37（自動阻抗匹配裝置）連接至提供 偏壓電源之偏壓電源供應器38，再者，下電極30藉由濾波器 39接地。此濾波器對於下電極30的偏壓電源供應器38具有一 高阻抗之頻率特性，以及對於上電極30的高頻電源供應器28 之頻率具有一低阻抗之頻率特性」，說明書第15欄第23-26 行記載「施予至下電極的偏壓電源之頻率較佳地為300KHz或 高於或低於該上電極頻率的1/4 」，其中，偏壓電源供應器 38即為「具有第二射頻頻率的第二射頻電力源」。被證33圖 1 所揭示電漿處理裝置及說明書第14欄第5-8 行揭示記載「 處理腔室內腔壁覆蓋13、上電極覆蓋26以及下電極覆蓋34係 由對於電漿具有高阻值之材料構成」。被證33說明書第13欄 第55行至第14欄第5 行記載「處理室10之內部牆表面係藉由 處理室內腔覆蓋13覆蓋以防止處理室之內部金屬部分暴露在 電漿中。上電極20、上電極絕緣罩21、下電極30以及下電極 絕緣罩31（應為誤繕成81）之個別表面藉由一上電極覆蓋26 及下電極覆蓋34而覆蓋，個別防止其暴露於電漿中」，熟習 該項技術者可直接且無歧異知悉「藉由處理室內腔覆蓋13覆 蓋以防止處理室之內部金屬部分暴露在電漿中」可導出「內 腔覆蓋13是架構為電浮接」之特徵。被證33號之圖1 所揭示 電漿處理裝置以及「被證33號」說明書第14欄第22-36 行記 載「進一步，處理室10提供一電漿散佈防止構件16，其係設 置在該腔室內之下電極周圍。此電漿散佈防止構件16具有一 結構以防止電漿散佈，同時維持其傳導性夠小至真空排氣。 藉由此結構之防備，因此防止電漿散佈至處理室10之下部分



或進入真空排氣系統12（此已揭示系爭專利將店漿密封環並 接地之技術特徵），於腔室中之兩電極間之電漿密度可增加 ，因此改善例如蝕刻率之蝕刻特性。再者，由於其真空排氣 導通程度保證夠小，低的處理壓力維持在處理室10內。」（ 其圖式如附圖八所示）。
7.被證36即西元1996年12月24日公開之日本公開特開平8-3398 95號「電漿處理裝置」專利之技術分析：
被證36說明書[ 目的] 揭示「將在處理容器內所產生的電漿 封入在預定場所，使得為了引起高密度的電漿而設在處理容 器內的石英構件受到保護，免於因電漿而起之侵蝕，達成石 英構件之耐用期間的提升，並且可進行穩定的電漿處理。」 。被證36之圖3 所示之電漿處理裝置以及說明書[ 構成] 記 載「在上部電極2 的外周部係被嵌入有石英製環狀遮蔽環25 ，在下部電極3 上之晶圓W 的周邊部設有石英製環狀聚焦環 19。在該等石英製環之面對電漿的面設置氧化鋁系陶瓷層20 、26，係相較於石英，對電漿具有更高耐蝕性之構件。」。 被證3 說明書第[0007]段揭示「該電漿蝕刻裝置係由：由鋁 等成形為圓筒狀的腔室（處理容器）1 、在該腔室1 內面對 面配設的上部電極（第一電極）2 與下部電極（第二電極） 3 所構成。」。被證36說明書第[0013]段揭示「此外，前述