侵權行為損害賠償
臺灣高雄地方法院(民事),智字,97年度,2號
KSDV,97,智,2,20091214,2

臺灣高雄地方法院民事判決　　　　　　　　 97年度智字第2號
原　　　告　南茂科技股份有限公司
法定代理人　乙○○
訴訟代理人　黃福雄律師
複代理人　　李傑儀律師
被　　　告　華東科技股份有限公司
　　　　　　　　　　　18號
法定代理人　甲○○
訴訟代理人　丙○○
　　　　　　盧俊誠律師
上列當事人間損害賠償等事件，經本院於民國98年11月16日言詞
辯論終結，判決如下：
主 文
原告之訴及假執行之聲請均駁回。
訴訟費用由原告負擔。
事實及理由
壹、原告主張：伊係中華民國發明專利第207627號（公告編號第 497236號）「SOC封裝過程」，以及發明專利第207525號（ 公告編號第511258號）「基板在晶片上之封裝過程」等二項 專利（下稱系爭二項專利）之專利權人，權利期間分別自民 國91年8 月1 日起至110 年8 月26日止、91年11月21日起至 110 年9 月16日止。系爭二項專利對外公告後，被告曾於91 年10月29日對於前述「SOC 封裝過程」專利方法申請異議， 並經經濟部智慧財產局於94年2 月16日以（94）智專三㈡ 04060 字第09420148740 號專利異議審定書認定異議不成立 ，而駁回其異議申請在案，顯見被告明知系爭二項專利之專 利範圍及專利權係屬伊享有之事實。然被告未經伊同意或授 權，竟擅自使用系爭二項專利方法為訴外人華東承啟科技股 份有限公司（下稱華東承啟公司）、南亞科技股份有限公司 （下稱南科公司）所生產之電腦記憶體模組產品代工封裝， 而故意不法侵害伊享有之系爭二項專利權。爰依專利法第56 條第2 項、第84條第1 項、第85條第1 項第2 款及第3 項規 定，請求被告加倍賠償損害，並排除前開侵害，賠償金額依 被告94、95年度因使用前述專利方法代工生產球型陣列半導 體封裝所得利益新台幣（下同）424,258,560 元之3 倍即1, 272,775,680 元計算，惟僅先一部請求15,000,000元。並聲 明：㈠被告應給付原告15,000,000元及自96年8 月10日起按 法定利率計算之遲延利息。㈡被告不得使用系爭二項專利為 任何半導體產品封裝之行為。㈢就前揭㈠項聲明願供擔保， 請准宣告假執行。




貳、被告則以：系爭二項專利實係利用他人已有且公開之先前技 術所申請，並不具有進步性，而伊已於96年9 月17日就系爭 二項專利分別向智慧財產局提起舉發案；又伊就電腦記憶體 模組產品之封測方法係由美國Tessera 公司依其所有之「 semiconductor chip Assembles with a Fan-in Leads」「 semiconductor chip package with center contacts 」及 「Method of Matching a Connection Component on a Semiconductor Chip with Adhesives 」等專利授權所實施 ，是伊之封測方法並未落入系爭二項專利之申請專利範圍內 。且伊僅係南科公司、華東承啟公司所生產電腦記憶體模組 產品之眾多代工封裝廠之一，原告所取得之產品是否為伊所 代工封測，即有疑義。且原告委請之鑑定機構徒以產品為據 ，未鑑定產品之裝造過程，即論斷該產品係依照系爭二項方 法發明專利所實施，實不符鑑定程序之要求，自不足採。又 原告就損害金額之計算係屬推測之詞，並無實據可憑等語， 資為抗辯，並聲明：㈠原告之訴駁回。㈡如受不利判決，願 供擔保請准宣告免為假執行。
參、兩造爭執及不爭執事項：
㈠不爭執事項：
1.原告係系爭二項專利之專利權人，權利期間分別自91年8 月 1 日起至110 年8 月26日止、91年11月21日起至110 年9 月 16日止。
2.系爭二項專利對外公告後，被告曾於91年10月29日對於其中 「SOC 封裝過程」專利方法申請異議，並經經濟部智慧財產 局於94年2 月16日以（94）智專三㈡04060 字第0942014874 0 號專利異議審定書認定異議不成立，而駁回其異議申請及 訴願在案。
　3.被告係南科公司、華東承啟公司所生產電腦記憶體模　組產 品之代工封裝廠之一。
㈡爭執事項：
1.被告為南科公司、華東承啟公司生產之電腦記憶體模組產品 所為之代工封裝方法，有無落入系爭二項專利權之申請專利 範圍內？
　2.被告是否明知系爭二項專利權之申請專利範圍，而故意侵害 　原告之專利權？
3.若被告侵害原告享有之系爭二項專利權，原告之損害金額應 如何計算？又若被告係故意為之，其應賠償之金額為何？肆、本院之判斷：
一、按智慧財產案件審理法已於96年3 月28日經以總統華總一義 字第0960035700號令公布，並經司法院於97年5 月6 日以院



台廳行一字第0970009972號令發布定97年7 月1 日施行。而 依該法第37條第1 項第1 款規定，於該法施行前已繫屬於地 方法院及高等法院之智慧財產民事事件，其法院管轄及審理 程序應依其進行程度，由該法院依該法所定程序終結之，其 已依法定程序進行之訴訟程序，其效力不受影響。本件係屬 於智慧財產案件審理法施行前已繫屬於地方法院之智慧財產 民事案件，依上開法條規定，即應由本院依其進行程度，依 智慧財產案件審理法所定程序終結之，合先敘明。二、原告固主張被告就如起訴狀內之附表編號1 至4 之產品（本 院卷一第9 頁）為代工封裝所使用之專利方法，已不法侵害 其專利，惟被告否認該等產品為其公司產品。經查，本院函 詢南科公司上開編號2 、4 產品是否均為該公司委託被告代 工封裝，該公司回覆以：「關於鈞院函詢如附件所示之電腦 記憶體產品（下稱函詢產品），陳報人僅就鈞院揭示之「電 腦記憶體品牌名稱」與「記憶體標號」等函詢產品外觀資訊 （下稱資訊）進行形式判斷，經查該兩項函詢產品均非由陳 報人委託華東科技股份有限公司代工封裝之電腦記憶體產品 。再者，縱使該等函詢產品依據前揭資訊判斷結果係屬陳報 人委託華東代工封裝之產品，惟因市場上曾有冒稱陳報人名 義製造之電腦記憶體產品且時有所聞，因此僅就外觀判斷尚 無法確定函詢產品確為陳報人製造之產品。」等語（本院卷 三第206-207 頁）。職是之故，上開編號1 至4 產品是否確 係由被告代工封裝，殊有可疑。
三、次按當事人主張或抗辯智慧財產權有應撤銷、廢止之原因者 ，法院應就其主張或抗辯有無理由自為判斷；前項情形，法 院認有撤銷、廢止之原因時，智慧財產權人於該民事訴訟中 不得對於他造主張權利，智慧財產案件審理法第16條第1 項 、第2 項定有明文。經查，上開編號1 至4 產品是否確係由 被告代工封裝，固有疑義，已如前述，縱為被告所代工封裝 者，本件原告起訴主張被告就南科公司、華東承啟公司所生 產之電腦記憶體模組產品代工封裝侵害原告系爭專利，惟因 被告對於原告系爭專利主張有專利權無效之事由，並提出相 關引證為據。是本件被告既先另就系爭專利之有效性為抗辯 ，揆諸前揭法條規定意旨，自應先就此部分爭議為釐清，蓋 倘原告系爭專利確有無效事由，則原告據系爭無效專利請求 被告賠償損害，即無須進一步探究。反之，若原告系爭專利 並無被告所述存有無效之事由，即應進一步審究被告所製造 生產之電腦記憶體模組之系爭記憶體產品是否確有侵害原告 系爭專利權之事實，以及原告因此所受之損害若干？因此， 系爭專利之有效性既為本件侵權行為損害賠償請求之前提要



件，自有先予論究之必要。
四、關於發明專利第207627號專利是否不具新穎性或進步性而無 效部分：
㈠系爭「SOC 封裝過程」專利申請日為90年8 月27日，經智慧 財產局91年7 月2 日審定並准予專利，且於91年8 月1 日公 告，故其專利權是否有應撤銷、廢止之原因，自應以核准處 分時所適用之90年10月24日修正公布之專利法規定為斷。 ㈡系爭「SOC 封裝過程」專利之發明特徵為一種SOC (Substra te-On-Chip) 封裝過程係在基板之上表面披覆一層兩階段特 性〔two stage 〕具有溶劑之熱固性混合物，然後，加熱基 板，以除去溶劑，使熱固性混合物形成無溶劑之黏著乾膜， 避免在黏晶時覆蓋晶片之焊墊，並有利於SOC 封裝之加工。 ㈢系爭「SOC 封裝過程」專利申請專利範圍： 上揭專利申請專利範圍共計8 項，其中第1 項為獨立項，其 餘為附屬項，其內容為：
1.一種SOC封裝過程，其步驟為：
a)提供一基板，該基板具有一上表面、一下表面及連通上 下表面之通孔。
b)在基板之上表面形成一層兩階段特性[two stage] 具有 溶劑之熱固性混合物。
c)去除溶劑，使熱固性混合物形成無溶劑之黏著乾膜。 d)提供至少一晶片，晶片具有一主動面及複數個在主動面 之焊墊，其中晶片之主動面係接觸基板之上表面且晶片 之焊墊係位置對應於基板之通孔。
e)施壓加熱基板與晶片，使上述無溶劑之黏著乾膜固化並 結合晶片與基板。
f)經由通孔打線電性連接晶片之焊墊至基板。 g)形成一封膠材於該基板之通孔處。
2.如申請專利範圍第1 項中所述之SOC 封裝過程，其係以網 版印刷方法形成一層熱固性混合物。
3.如申請專利範圍第1 項中所述之SOC 封裝過程，其係以印 刷[painting]、噴塗[spraying]、旋塗[spinning]或浸染 [dipping] 方法形成一層熱固性混合物。 4.如申請專利範圍第1 項中所述之SOC 封裝過程，其在「形 成封膠材」之步驟後，另包含有：接植複數個焊球於基板 之下表面。
5.如申請專利範圍第1 項中所述之SOC 封裝過程，其中係以 壓模方式形成該封膠材。
6.如申請專利範圍第5 項中所述之SOC 封裝過程，其中該封 膠材係密封晶片。




7.如申請專利範圍第1 項中所述之SOC 封裝過程，其中係以 加熱或真空乾燥方式去除溶劑。
8.如申請專利範圍第1 項中所述之SOC 去裝過程，其中在e) 步驟之施壓加熱溫度係高於c)步驟之溫度。
㈣被告抗辯上揭專利不具新穎性或進步性，提出下列證據： 證據1 ：2001年02月20日公告之美國專利US0000000 號（即 被證53之附件27）。
證據2 ：2000年01月25日公告之美國專利US0000000 號（即 被證53之附件28）。
證據3 ：1997年01月03日公告之美國專利US0000000 號（即 被證53之附件29）。
證據4 ：1991年07月09日公告之美國專利US0000000 號（即 被證53之附件30）。
證據5 ：2000年04月11日公告之美國專利US0000000 號（即 被證53之附件31）。
證據6 ：1998年11月24日公告之美國專利US0000000 號（即 被證53之附件32）。
證據7 ：1992年09月15日公告之美國專利US0000000 號（即 被證53之附件33）。
證據8 ：2000年04月04日公告之美國專利US0000000 號（即 被證53之附件34）。
證據9 ：2000年10月17日公告之美國專利US0000000 號（即 被證53之附件35）。
證據10：系爭專利權人對系爭專利主張專利權之網頁資料（ 即被證53之附件36）。
證據11：經2008年11月13日公證並印出之美國創意材料公司 （Creative Materials Incorporated）網頁資料（ http://www. creative materials.com）之產品材 料特性（data sheet）公開資訊，包含編號119-14 （資料修訂日1998/7/22 ）、118-34（資料修訂日 1998/7/22 ）、及120-15（資料修訂日1998/9/21 ）之影本（即被證53之附件37）。
證據12：1983年10月25日公告之美國專利US0000000 號（即 被證53之附件38）。
證據13：1999年10月26日公告之美國專利US0000000 號（即 被證53之附件39）。
證據14：原告另一中華民國專利申請案00000000號（TWI288 959 ）（即被證53之附件40）。
證據15：原告另一中華民國專利申請案00000000號（TW5318 70）（即被證53之附件41）。




證據16：2001年3 月13日公告之美國專利US0000000 號（即 被證60）。
茲將被告抗辯上揭專利不具新穎性或進步性之爭點整理如附 表一所示。
㈤附表一爭點1上揭專利是否不具新穎性部分： 1.查證據2 係2000年1 月25日公告之美國專利US0000000 號， 雖揭示有使用所謂「兩階段特性」的黏膠作為導線架與晶片 之黏著層，在該黏膠塗施在晶片之主動面或導線架之引腳接 指之後並在該導線架與晶片貼合之前，一中階固化步驟可被 使用，該黏膠能為B-stage 或部分熟化，但並未揭示於導線 架與晶片貼合之前要將B-stage 黏膠形成無溶劑之黏著乾膜 ，證據2 於第6 欄第4-7 行所揭示之「如果採用一乾燥型黏 膠，該黏膠應完全烘烤乾以去除溶劑。」係於後烘烤步驟（ post curing step），該步驟係在導線架與晶片貼合之後， 因此很明顯證據2 並未揭示上揭專利申請專利範圍第1 項於 貼合晶片與基板前先去除溶劑，使熱固性混合物形成無溶劑 之黏著乾膜之技術特徵。證據2 所揭示之結構係使導線架與 晶片貼合，與上揭專利申請專利範圍第1 項係使晶片與基板 貼合兩者結構亦明顯不同。綜合上述，證據2 並無法證明上 揭專利申請專利範圍第1 項不具新穎性。
2.上揭專利申請專利範圍第2 、3 及7 項為第1 項之附屬項， 附屬項包含其獨立項第1 項所述之構成，並進一步為限制或 附加，證據2 既無法證明上揭專利申請專利範圍第1 項違反 專利法第20條第1 項第1 款而不具新穎性，自亦無法證明上 揭專利申請專利範圍第2 、3 及7 項違反專利法第20條第1 項第1 款而不具新穎性。
㈥附表一爭點2上揭專利是否不具進步性部分： 1.證據5 係2000年04月11日公告之美國專利US0000000 號，其 揭示一種BGA 的封裝方法，被告指出證據5 第7 欄第30-61 行揭示BGA 封裝件62之之製造方法步驟1 至12。第6 欄第8- 12行揭示晶片設置開口86允許該晶片16設置通過其中，並以 一黏膠層72直接接合至該基板56，該黏膠層72能包含一種填 充環氧物、一無填充環氧物、一丙烯酸或一聚亞醯胺材料。 第6 欄第64至66行另揭示封膠樹脂能包含一使用壓模過程形 成所需形狀之鄰甲酚基環氧物，之後利用烤箱熟化之。證據 2 係2000年01月25日公告之美國專利US0000000 號，其揭示 一種聯接導線架至晶片之方法，證據2 第5 欄第20-26 行揭 示該黏膠16可以是液態或膏狀混合物，具有反應單體或聚合 物或稀釋樹脂，該黏膠16可為兩特性化學混合物。一是固化 型包含溶劑之單體或中階聚合物與填料。二是乾燥型包含溶



劑之聚合樹脂（預烤）與填料。此外，該黏膠16亦可為該兩 種型態之組合。此外證據2 第5 欄第49-65 行揭示在該黏膠 塗施在晶片之主動面或導線架之引腳接指之後並在該導線架 與晶片貼合之前，一中階固化步驟可被使用，該黏膠能為 B-stage 或部分熟化。之後，該導線架與晶片貼合是使用任 何習知方法例如施加壓力，如有需要可進行一後烘烤步驟， 該液態黏膠層可藉由紫外光（UV）、紅外光（IR）、或傳統 或溫度帶烘爐被固化或乾燥。另證據2 第6 欄第4-7 行揭示 如果採用一乾燥型黏膠，該黏膠應完全烘烤乾以去除溶劑。 如果採一急速（快速）固化環氧物，則應使用一溫度帶烘爐 。證據12係1983年10月25日公告之美國專利US0000000 號， 揭示一種無溶劑之UV可乾燥性B-Stage Expoxy黏膠，證據12 第1 欄第5-13行中揭示在可B-stage 化樹脂的標準化流程中 ，以加熱方式蒸發溶劑以在基板上行成一乾膜（dry coating ）（相當於B-stage ），再以加熱方式使樹脂流動 ，以做為一黏膠。如再更多的熱（additional heat ），則 樹脂將成為永久性固體。
2.證據5 揭示一種BGA 之封裝方法，與上揭專利一樣皆屬於SO C 之封裝方法，參見第7 欄第30-61 行揭示BGA 封裝件之製 造方法步驟1 至12以及圖6A及6B，但其中使用之黏膠並未揭 示包含溶劑以增加黏膠之流動性，亦未揭示黏膠於塗覆基板 後且基板未黏結至晶片前，該連黏膠須先去除溶劑，使熱固 性混合物形成無溶劑之黏著乾膜之技術特徵。而證據2 揭示 有使用所謂「兩階段特性」的黏膠作為導線架與晶片之黏著 層，在該黏膠塗施在晶片之主動面或導線架之引腳接指之後 並在該導線架與晶片貼合之前，一中階固化步驟可被使用， 該黏膠能為B-stage 或部分熟化，但並未揭示於導線架與晶 片貼合之前要將B-stage 黏膠形成無溶劑之黏著乾膜，證據 2 於第6 欄第4-7 行所揭示之「如果採用一乾燥型黏膠，該 黏膠應完全烘烤乾以去除溶劑。」係於後烘烤步驟（post curing step ），該步驟係在導線架與晶片貼合之後，因此 很明顯證據2 並未揭示上揭專利申請專利範圍第1 項於貼合 晶片與基板前先去除溶劑，使熱固性混合物形成無溶劑之黏 著乾膜之技術特徵。此外，證據2 所揭示之結構係使導線架 與晶片貼合，與上揭專利申請專利範圍第1 項係使晶片與基 板貼合兩者結構亦有所不同。惟查，證據12揭示一種無溶劑 之UV可乾燥性B-Stage Expoxy黏膠，證據12第1 欄第5-13中 揭示在可B-stage 化樹脂的標準化流程中，以加熱方式蒸發 溶劑以在基板上行成一乾膜（dry coating ）（相當於 B-stage ），再以加熱方式使樹脂流動，以做為一黏膠，如



再更進一步加熱，則樹脂將成為永久性固體。此外，證據2 第5 欄第57行至61行中亦已揭示「施加壓力」使導線架與晶 片貼合。因此，熟悉該項技術者可輕易結合證據5 、證據2 及證據12而完成上揭專利申請專利範圍第1 項之技術內容， 因此結合證據5 、證據2 及證據12可證明上揭專利申請專利 範圍第1 項不具進步性。
3.申請專利範圍第2 項為第1 項之附屬項，其附加之技術特徵 為「其係以網板印刷方法形成一層熱固性混合物」，查除前 述證據5 、證據2 及證據12之結合特徵外，證據2 第4 欄第 51至64行已經揭示該具「兩階段特性」的黏膠可以網板印刷 、滾印、噴塗、鋼板等方式塗佈。因此結合證據5 、證據2 及證據12亦可證明上揭專利申請專利範圍第4 項不具進步性 。
4.申請專利範圍第3 項為第1 項之附屬項，其附加之技術特徵 為「其係以印刷[painting]、噴塗[spraying]、旋塗 [spinning]或浸染[dipping] 方法形成一層熱固性混合物」 ，查除前述證據5 、證據2 及證據12之結合特徵外，證據2 第4 欄第51至64行已經揭示該具「兩階段特性」的黏膠可以 網板印刷、滾印、噴塗、鋼板等方式塗佈。因此結合證據5 、證據2 及證據12亦可證明上揭專利申請專利範圍第4 項不 具進步性。
5.申請專利範圍第4 項為第1 項之附屬項，其附加之技術特徵 為「其在「形成封膠材」之步驟後，另包含有接植複數個焊 球於基板之下表面」，查除前述證據5 、證據2 及證據12之 結合特徵外，證據5 第7 欄第30至61行及圖6A及6B揭示在形 成封膠樹脂90之步驟11之後，於步驟12中，可設置複數個銲 球88於該基板56之接求墊82，因此結合證據5 、證據2 及證 據12亦可證明上揭專利申請專利範圍第4 項不具進步性。 6.申請專利範圍第5 項為第1 項之附屬項，其附加之技術特徵 為「其中係以壓模方式形成該封膠材」，查除前述證據5 、 證據2 及證據12之結合特徵外，證據5 於第7 欄第29-64 之 步驟11可參考第6 欄第62至67行以及圖6B，揭示以壓模方式 形成一封膠材（90）及其頂部封膠（92），因此結合證據5 、證據2 及證據12亦可證明上揭專利申請專利範圍第5 項不 具進步性。
7.申請專利範圍第6 項為第5 項之附屬項，其附加之技術特徵 為「其中該封膠材係密封晶片」，查除前述證據5 、證據2 及證據12之結合特徵外，證據5 於第7 欄第29-64 之步驟11 及參考第6 欄第62至67行以及圖6B及圖7 揭示該封膠材（90 ）係密封晶片（16），因此結合證據5 、證據2 及證據12亦



可證明上揭專利申請專利範圍第6 項不具進步性。 8.申請專利範圍第7 項為第1 項之附屬項，其附加之技術特徵 為「其中係以加熱或真空乾燥方式去除溶劑」，查除前述證 據5 、證據2 及證據12之結合特徵外，證據12第1 欄第5-13 行中已揭示在可B- stage化樹脂的標準化流程中，以加熱方 式蒸發溶劑以在基板上行成一乾膜，因此結合證據5 、證據 2 及證據12亦可證明上揭專利申請專利範圍第7 項不具進步 性。
9.申請專利範圍第8 項為第1 項之附屬項，其附加之技術特徵 為「其中在e)步驟之施壓加熱溫度係高於c)步驟之溫度」， 查除前述證據5 、證據2 及證據12之結合特徵外，證據12於 第1 欄第5-13行中揭示在可B-stage 化樹脂的標準化流程中 ，以加熱方式蒸發溶劑以在基板上行成一乾膜（dry coating ）（相當於B-stage ），再以加熱方式使樹脂流動 ，以做為一黏膠，如再更多的熱（additional heat ），則 樹脂將成為永久性固體，熟悉該項技術者由此揭示可輕易完 成上揭專利申請專利範圍第8 項之技術內容，即於上揭專利 申請專利範圍第1 項之步驟e)使無溶劑之黏著乾膜固化並結 合晶片與基板時，施壓加熱溫度係高於c)步驟之溫度，因此 結合證據5 、證據2 及證據12亦可證明上揭專利申請專利範 圍第8 項違反專利法第20條第2 項不具進步性。 10.綜合上述，結合證據5 、證據2 及證據12可證明上揭專利申 請專利範圍第1 至8 項違反專利法第20條第2 項而不具進步 性。
㈦附表一爭點3上揭專利是否不具進步性部分： 1.證據1 係2001年02月20日公告之美國專利US0000000 號，其 為一種晶片及尺寸級之封裝方法，證據1 之圖2 、圖3、 發 明說明及申請專利範圍第1 項等處揭示一種SOC （ Substrate-On-Chip ）之封裝方法，該申請專利範圍第1項 揭示之步驟為：（a ）提供一基板，該基板具有一導電表面 、及一非導電表面具可供單一或多個晶片置放區域，該晶片 置放區具有單一或多個通孔；（b ）在晶片放置區域塗敷熱 塑性黏著層至特定厚度；（c ）放置半導體晶片在每個晶片 置放區域，使得該晶片主動面與熱塑性黏著層接觸，且該晶 片主動面上複數個焊墊係位置對應至基板通孔；（d ）在特 定壓力下對基板及晶片加熱至特定溫度經過一定時間；（e ）經由通孔打線電性連接晶片之焊墊至基板；（f ）在晶片 放置區及通孔形成具非導電樹脂之保護層；（g ）在基板導 電面上設置複數個球焊墊陣列。證據2 係2000年01月25日公 告之美國專利US0000000 號，其揭示一種聯接導線架至晶片



之方法，被告指出證據2 第5欄 第20-26 行揭示該黏膠16可 以是液態或膏狀混合物，具有反應單體或聚合物或稀釋樹脂 ，該黏膠16可為兩特性化學混合物。一是固化型包含溶劑之 單體或中階聚合物與填料。二是乾燥型包含溶劑之聚合樹脂 （預烤）與填料。此外，該黏膠16亦可為該兩種型態之組合 。此外證據2 第5欄 第49-65 行揭示在該黏膠塗施在晶片之 主動面或導線架之引腳接指之後並在該導線架與晶片貼合之 前，一中階固化步驟可被使用，該黏膠能為B-stage 或部分 熟化。之後，該導線架與晶片貼合是使用任何習知方法例如 施加壓力，如有需要可進行一後烘烤步驟，該液態黏膠層可 藉由紫外光（UV）、紅外光（IR）、或傳統或溫度帶烘爐被 固化或乾燥。另證據2 第6 欄第4-7 行揭示如果採用一乾燥 型黏膠，該黏膠應完全烘烤乾以去除溶劑。如果採一急速（ 快速）固化環氧物，則應使用一溫度帶烘爐。證據12係1983 年10月25日公告之美國專利US0000000 號，揭示一種無溶劑 之UV可乾燥性B-Stage Expoxy黏膠，證據12第1欄 第5-13行 中揭示在可B-stage 化樹脂的標準化流程中，以加熱方式蒸 發溶劑以在基板上行成一乾膜（dry coating ）（相當於 B-stage ），再以加熱方式使樹脂流動，以做為一黏膠。如 再更多的熱（additional heat ），則樹脂將成為永久性固 體。
2.查證據1 雖亦揭示一種SOC 之封裝方法，但其使用之黏膠乃 係不含溶劑之「熱塑性」黏膠（見證據1 第3 欄第21- 26行 、申請專利範圍），與系爭專利申請專利範圍第1 項「具有 溶劑之熱固性混合物」完全不同，因此其操作步驟亦隨之不 同。而證據2 揭示有使用所謂「兩階段特性」的黏膠作為導 線架與晶片之黏著層，在該黏膠塗施在晶片之主動面或導線 架之引腳接指之後並在該導線架與晶片貼合之前，一中階固 化步驟可被使用，該黏膠能為B-stage 或部分熟化，但並未 揭示於導線架與晶片貼合之前要將B-stage 黏膠形成無溶劑 之黏著乾膜，證據2 於第6 欄第4-7 行所揭示之「如果採用 一乾燥型黏膠，該黏膠應完全烘烤乾以去除溶劑。」係於後 烘烤步驟（post curing step），該步驟係在導線架與晶片 貼合之後，因此很明顯證據2 並未揭示系爭專利申請專利範 圍第1 項於貼合晶片與基板前先去除溶劑，使熱固性混合物 形成無溶劑之黏著乾膜之技術特徵。此外，證據2 所揭示之 結構係使導線架與晶片貼合，與系爭專利申請專利範圍第1 項係使晶片與基板貼合兩者結構亦有所不同。惟查，證據12 揭示一種無溶劑之UV可乾燥性B-Stage Expoxy黏膠，證據12 第1 欄第5-13中揭示在可B-stage 化樹脂的標準化流程中，



以加熱方式蒸發溶劑以在基板上行成一乾膜（dry coating ）（相當於B-stage ），再以加熱方式使樹脂流動，以做為 一黏膠，如再更進一步加熱，則樹脂將成為永久性固體。此 外，證據1 之步驟（d ）已揭示在特定壓力下對基板及晶片 加熱至特定溫度經過一定時間，同樣特徵在證據2 第5 欄第 57行至61行中亦已揭示「施加壓力」使導線架與晶片貼合。 因此，熟悉該項技術者可輕易結合證據1 、證據2 及證據12 而完成系爭專利申請專利範圍第1 項之技術內容，故結合證 據1 、證據2 及證據12可證明上揭專利申請專利範圍第1 項 不具進步性。
3.申請專利範圍第2 項為第1 項之附屬項，其附加之技術特徵 為「其係以網板印刷方法形成一層熱固性混合物」，查除前 述證據1 、證據2 及證據12之結合特徵外，證據2 第4 欄第 51至64行已經揭示該具「兩階段特性」的黏膠可以網板印刷 、滾印、噴塗、鋼板等方式塗佈。因此結合證據1 、證據2 及證據12亦可證明上揭專利申請專利範圍第2 項不具進步性 。
4.申請專利範圍第3 項為第1 項之附屬項，其附加之技術特徵 為「其係以印刷[painting]、噴塗[spraying]、旋塗 [spinning]或浸染[dipping] 方法形成一層熱固性混合物」 ，查除前述證據1 、證據2 及證據12之結合特徵外，證據2 第4 欄第51至64行已經揭示該具「兩階段特性」的黏膠可以 網板印刷、滾印、噴塗、鋼板等方式塗佈。因此結合證據1 、證據2 及證據12亦可證明上揭專利申請專利範圍第3 項不 具進步性。
5.申請專利範圍第4 項為第1 項之附屬項，其附加之技術特徵 為「其在「形成封膠材」之步驟後，另包含有：接植複數個 焊球於基板之下表面」，查除前述證據1 、證據2 及證據12 之結合特徵外，證據1 之申請專利範圍第1 項之步驟（g ） 已揭示在基板導電面上設置複數個球焊墊陣列之特徵。因此 結合證據1 、證據2 及證據12亦可證明上揭專利申請專利範 圍第4 項不具進步性。
6.申請專利範圍第7 項為第1 項之附屬項，其附加之技術特徵 為「其中係以加熱或真空乾燥方式去除溶劑」，查除前述證 據1 、證據2 及證據12之結合特徵外，證據12第1 欄第5-13 行中已揭示在可B- stage化樹脂的標準化流程中，以加熱方 式蒸發溶劑以在基板上行成一乾膜，因此結合證據1 、證據 2 及證據12亦可證明上揭專利申請專利範圍第7 項不具進步 性。
7.申請專利範圍第8 項為第1 項之附屬項，其附加之技術特徵



為「其中在e)步驟之施壓加熱溫度係高於c)步驟之溫度」， 查除前述證據1 、證據2 及證據12之結合特徵外，證據12於 第1 欄第5-13行中揭示在可B-stage 化樹脂的標準化流程中 ，以加熱方式蒸發溶劑以在基板上行成一乾膜（dry coating ）（相當於B-stage ），再以加熱方式使樹脂流動 ，以做為一黏膠，如再更多的熱（additional heat ），則 樹脂將成為永久性固體，熟悉該項技術者由此揭示可輕易完 成系爭專利申請專利範圍第8 項之技術內容，即於系爭專利 申請專利範圍第1 項之步驟e)使無溶劑之黏著乾膜固化並結 合晶片與基板時，施壓加熱溫度係高於c)步驟之溫度，因此 結合證據1 、證據2 及證據12亦可證明上揭專利申請專利範 圍第8 項違反專利法第20條第2 項不具進步性。 8.綜合上述，結合證據1 、證據2 及證據12可證明上揭專利申 請專利範圍第1-4 至7-8 項違反專利法第20條第2 項而不具 進步性。
㈧附表一爭點4上揭專利是否不具進步性部分： 1.被告所引用上揭專利之先前技術，係指上揭專利說明書中之 第1 圖及第2 圖，及於第4 頁（先前技術）所載內容。經查 ，上揭專利說明書第1 圖及第2 圖，及於第4 頁（先前技術 ）所載內容即係證據1 （2001年02月20日公告之美國專利 US0000000 號）。因此爭點4 與爭點3 等同。 2.理由同爭點3 ，結合上揭專利所記載之先前技術（即證據1 ）、證據2 及證據12可證明上揭專利申請專利範圍第1-4 至 7-8 項違反專利法第20條第2 項而不具進步性。 ㈨附表一爭點5上揭專利是否不具進步性部分： 1.查證據5 揭示一種BGA 之封裝方法，與上揭專利一樣皆屬於 SOC 之封裝方法，參見第7 欄第30-61 行揭示BGA 封裝件之 製造方法步驟1 至12以及圖6A及6B，其雖揭示一種BGA 之封 裝方法，但其中使用之黏膠並未揭示包含溶劑以增加黏膠之 流動性，亦未揭示黏膠於塗覆基板後且基板未黏結至晶片前 ，該連黏膠須先去除溶劑，使熱固性混合物形成無溶劑之黏 著乾膜之技術特徵，與上揭專利申請專利範圍第1 項之技術 特徵及步驟明顯不同。而證據7 雖揭示該服貼底層140 可由 一部份熟化的"B-stage" 矽膠彈性體組成，在層138 組合之 後，經由加熱此一部份熟化物質可更完全熟化，促使該彈性 體固定層138 與晶片表面，但證據7 並未揭示該服貼底層包 含溶劑以增加流動性，亦未揭示該服貼底層於塗覆晶片後且 未黏結至頂層前，該服貼底層須先去除溶劑，使熱固性混合 物形成無溶劑之黏著乾膜之技術特徵，與上揭專利申請專利 範圍第1 項之技術特徵及步驟明顯不同，此外，證據7 之服



貼底層之主要功用與上揭專利申請專利範圍第1 項之黏膠亦 有所不同，證據7 之服貼底層上下表面另施覆有黏膠做為黏 結固定之用，另外證據7 之結構與上揭專利申請專利範圍第 1 項之貼合晶片至基板於結構及步驟皆明顯有異。綜合上述 ，結合證據5 及證據7 並無法證明上揭專利申請專利範圍第 1 項不具進步性。
2.上揭專利申請專利範圍第4-6 項為第1 項之附屬項，附屬項 包含其獨立項第1 項所述之構成，並進一步為限制或附加， 結合證據5 及證據7 既無法證明上揭專利申請專利範圍第1 項違反專利法第20條第2 項而不具進步性，自亦無法證明上 揭專利申請專利範圍第4-6 項違反專利法第20條第2 項而不 具進步性。
㈩附表一爭點6上揭專利是否不具進步性部分： 1.查證據5 雖揭示一種BGA 之封裝方法，但其中使用之黏膠 並未揭示包含溶劑以增加黏膠之流動性，亦未揭示黏膠於塗 覆基板後且基板未黏結至晶片前，該連黏膠須先去除溶劑， 使熱固性混合物形成無溶劑之黏著乾膜之技術特徵，與上揭 專利申請專利範圍第1 項之技術特徵及步驟明顯不同。而證 據6 並未揭示所使用黏膠於貼合引腳接指14與該半導體裝置 34 前 須先預烤至B-satge ，亦未揭示包含溶劑以增加黏膠