臺北高等行政法院判決 九十年度訴字第四六八三號
原 告 義隆電子股份有限公司
代 表 人 甲○○董事長
訴訟代理人 戊○○
林秋琴律師（兼送達代收人）
沈士喨律師
右 一 人
複 代理 人 陳世寬律師
被 告 經濟部智慧財產局
代 表 人 蔡練生（局長）住同右
訴訟代理人 丁○○
參 加 人 乙○○
訴訟代理人 馮博生律師
蕭富山律師
丙○○
右當事人間因新型專利異議事件，原告不服經濟部中華民國九十年五月三日經（九０
）訴字第０九００六三０九一一０號訴願決定，提起行政訴訟，並經本院裁定命參加
人獨立參加被告之訴訟。本院判決如左：
主 文
原告之訴駁回。
訴訟費用由原告負擔。
事 實
一、事實概要：緣原告前於民國（下同）八十三年十一月九日以「寬工作電壓唯讀記 憶體控制構造」向被告之前身經濟部中央標準局申請新型專利，經該局編為第0 0000000號（下稱系爭案）審查，准予專利。公告期間，參加人以其有違 專利法第九十八條第一項第一款及第二項，不符新型專利要件之規定，對之提起 異議，案經被告審查，認有違專利法第九十八條第二項之規定，乃於八十九年十 月十六日以（八九）智專三（二）０二０二二字第０八九八九００一七三八號專 利異議審定書為「異議成立，應不予專利」之處分。原告不服，提起訴願，經遭 駁回，遂提起本件行政訴訟。
二、兩造聲明：
㈠原告聲明求為判決：訴願決定及原處分均撤銷。 ㈡被告及參加人聲明求為判決：駁回原告之訴。三、兩造之爭點：
系爭案是否係運用申請前既有之技術或知識，而為熟習該項技術者所能輕易完成 且未能增進功效，而不具進步性？
甲、原告主張之理由：
茲簡述本創作，異議證據二及異議證據三的內容： ㈠本創作所申請的是一種「寬工作電壓唯讀記憶體構造」，其技術手段係藉由一電
壓偵測電路偵測記憶體之電源電壓，以控制字元線降壓電路及位元線降壓電路分 別對記憶體內的字元線及位元線進行降壓，其目的及功效係為使工作電壓能夠加 寬，使記憶體能夠在不同的工作電壓下工作。 ㈡異議證據二係西元一九九四年三月八日公告之美國第0000000號專利案， 是一種感測放大器電路，其技術手段係藉由在記憶體內部的位元線上設置一組過 度電荷偵測電路，在位元線上的電荷超過一正常值時，予以放電；其目的及功效 在避免位元線被過分充電，使感測放大器能夠高速操作。 ㈢異議證據三為西元一九八四年十月公開之「A High Performance 1 Mbit EPROM 」論文摘頁影本資料。所揭露的只是一個感測放大器，其中未說明其技術手段， 也未說明其達成之功效。
本案之主要爭點在於異議證據二之偵測對象及達成功效，然查被告機關及訴願機 關於此之認知論斷皆有重大疏失，導致結論錯誤，顯然違法不當！茲說明如下， ㈠被告機關審查不一致：
⒈前述「偵測對象」乃本案主要爭點之一，然而，被告機關先在其原處分書中指稱 「異議證據二．．．其由過度電荷偵測裝置偵測電源電位（即意謂供電電壓）超 過一正常值．．．」，而後卻又於訴願答辯書中另稱「異議證據二之過度電荷偵 測電路如其圖13A、B所示．．．其所測者亦為位元線之供電電壓（事實上係位元 線之電壓）Va．．．」，（請注意，電源電位與位元線電壓乃是不同的標的）。 換言之，被告機關的審查顯然前後不一致，且從其理由前後不一的事實，可以看 出被告機關顯然對於異議證據二及本案之技術內容並不了解，因而說詞前後不一 。
⒉被告機關在其異議審定書中並沒有指出異議證據二與系爭案之功效，也沒有將二 者之功效加以比較便逕稱系爭案未能增進功效，未具進步性，其審定理由顯然毫 無事實根據。而後，被告機關在訴願答辯時又指稱異議證據二之功效與系爭案相 同，亦可使工作電壓加寬。然而，事實上異議證據二在其說明書清楚的說明其目 的功效在避免位元線被過分充電，使感測放大器能夠高速操作，整篇說明書中皆 未提及使工作電壓加寬。換言之，被告機關指異議證據二能夠達成系爭案加寬工 作電壓之功效乙節顯屬無據。
㈡被告機關與訴願機關之審定書及決定書之錯誤： 從前揭理由，可知被告機關及訴願機關並未了解異議證據及系爭案之技術內容及 所達成之功效，因此其所為之審定書及決定書有誤謬之處，茲說明如下： ⒈異議證據二與系爭案所偵測的對象不同：
原告須先強調，偵測的對象係異議證據二與系爭案在技術手段上的重要差異，系 爭案所偵測的是供電電壓，所謂的供電電壓指的是電源電壓，而被告機關於異議 審定書指稱異議證據二係偵測電源電位乃是對於異議證據二有所誤解，事實上， 異議證據二所偵測的是其位元線上的過度電荷，並非電源電位，這在原告所提出 的訴願理由已充份的說明。而後，被告機關在訴願答辯時，又改稱異議證據二所 測者亦為位元線之供電電壓Va，在技術手段與系爭案相同。這種說法存在兩個嚴 重的錯誤，一則被告機關至今仍然未能明察系爭案偵測的對象是電源電壓，與異 議證據二不同。二則事實上熟習該項技藝之人士皆了解，異議證據二上的電壓Va
是位元線上的電壓，Vcc才是供電電壓，從來沒有所謂的「位元線之供電電壓」 一詞。而訴願機關竟然也未能察覺前述如此明顯之錯誤，顯見被告機關及訴願機 關對於異議證據二及系爭案的技術領域皆未能全盤了解。 從前揭之說明，當可輕易了解，事實上異議證據二偵測的是位元線上的過度電荷 ，本創作偵測的是電源電壓，二者所偵測的對象具有相當明顯的差異。 ⒉被告機關指異議證據二與系爭案同樣能夠加寬工作電壓，乃是毫無根據且錯誤的 推測：
異議證據二其說明書清楚地指明其目的及功效在於在避免位元線被過分充電，使 感測放大器能夠高速操作，從未提及能夠如系爭案加寬工作電壓，換言之，被告 機關指異議證二能夠加寬工作電壓之見解有誤。主要原因在於，系爭案能夠加寬 工作電壓係因為在工作電壓過高時，對於字元線及位元線具有降壓的機制，而能 夠繼續工作。而異議證據二只是在討論在位元線上對過度電荷進行處理，從未提 及字元線降壓，因此，若其工作電壓過大時，其字元線需要降壓卻沒有存在降壓 的電路，必定使得記憶體無法正常工作。換言之，被告機關於訴願答辯時指稱異 議證據亦能夠如系爭案使工作電壓加寬，乃是完全錯誤的說法。如此明顯錯誤的 說法，訴願機關卻仍予採納，更突顯被告機關與訴願機關對於異議證據二及系爭 案之技術領域未能明瞭。
⒊異議證據三只是揭露一個感測放大器，無從證明系爭案不具進步性： 如原告前於訴願理由第十至十一頁所陳明者，異議證據三第六四八頁係討論感測 放大器（Sense Amplifier），並非電壓偵測電路（Voltage detector），二者 乃是不同的元件。而被告機關竟因為在異議證據三有個比較器，而系爭案申請專 利範圍第二項載明電壓偵測電路可由比較器構成，便指系爭案係運用申請前既有 之技術，完全忽略系爭案之電壓偵測電路的應用領域，比較對象，其達成之功效 等等。若只因為有習知的元件，不論應用之方式，產生之功效，都認為運用申請 前既有之技術即不准予專利，此種邏輯顯屬謬誤。 ⒋被告機關引用之資料違反專利法第九十八條第二項之規定： 專利法第九十八條第二項之規定為：「運用申請前既有之技術或知識．．．」則 不予專利，換言之，被告機關引用的證據其公開日期必須是在系爭案申請之前。 然而，被告機關於其異議審定書及其訴願答辯書皆違反該條規定，其所為之審定 顯然違法，茲說明如后：請參見被告機關及訴願機關的審定書及決定書係以「系 爭案之字元線降壓技術與（系爭案）該位元線之內容完全相同」，進而指稱系爭 案係運用申請前既有之技術，換言之，被告機關及訴願機關事實上並沒有證據可 以證明系爭案之字元線降壓為習知技術，其理由竟然是以系爭案的創新內容，反 過來指本案係運用申請前既有之技術，這種判斷方式完全不符專利法第九十八條 第二項之規定。
㈢被告機關之異議審定書及訴願機關之訴願決定書所載之理由，皆不成立： 經過前述之說明，應可了解，被告機關之異議審定書及訴願機關之決定書所載之 各項理由事實上皆不成立。換言之，被告機關與訴願機關已沒有理由證明系爭案 不具進步性。因此，被告機關之異議審定及訴願機關之決定應予撤銷，本案應准 予專利。
從專利法第九十八條之規定論述系爭案具有進步性之事實： 按專利法第九十八條第二項規定，倘新型係運用申請前既有之技術或知識，而為 熟習該項技術者所能輕易完成且未能增進功效時，方不能取得新型專利。換言之 ，如果一專利案具有增進功效之事實，即當然具有進步性。 查，系爭案之專利說明書已清楚說明其具有加寬記憶體之工作電壓的功效。而由 前揭說明，亦可了解異議證據二的功效事實上只是維持記憶體內部的感測放大器 高速操作，並無法加寬記憶體之工作電壓。換言之，系爭案當然具有增進功效之 事實，因此，依專利法第九十八條第二項之規定，系爭案當然具有進步性。從前 述說明當可了解系爭案事實上並未違反專利法第九十八條第二項的規定，因此， 原處分所為「異議成立」之審定顯係基於錯誤之認知所導致之錯誤結論，理當撤 銷。
另查系爭案申請專利範圍第二至九項乃分別直接依附於第一項獨立項，今既然如 前述該第一項獨立項業具可專利性，則相關之第二至九項附屬項自亦備具可專利 性，當無疑義。
被告機關及參加人指異議證據二與系爭案同樣可在工作電壓過高時降壓而加寬工 作電壓，可達到相同之目的與功效，乃違背事實之錯誤推測（請參原證四圖例解 說）：
㈠系爭案如申請專利範圍第一項獨立項所明顯界定者，能夠加寬工作電壓主要係因 為在工作電壓過高時，對於字元線及位元線皆具有降壓的機制，方能繼續工作， 反觀異議證據二，其事實上只是討論在位元線上對過度電荷進行釋放處理（按過 度電荷釋放處理不同於降壓處理，容後詳陳），但從未提及字元線降壓，因此， 若其工作電壓過大時，其字元線未經降壓處理，必定使得記憶體無法正常工作， 當然無法達成系爭案所欲之加寬工作電壓目的與功效。此一事實非常明顯，不容 置疑，被告機關於此顯然失察而為錯誤推測，殊屬不當。 ㈡系爭案加寬工作電壓之機制可適用於使用單一工作電壓之具有不同線寬製程之唯 讀記憶體，可增進使用便利性，而證據二技術則無法達成。按唯讀記憶體主要包 含記憶胞陣列 (memory cell array)及其他相關電路兩部分，其中記憶胞陣列目 前以較細之線寬製程製造，以增加記憶胞容量，以一種具有0.35微米製程製作的 記憶胞陣列並具有0.5微米製程製作的其他相關電路之唯讀記憶體為例，其中 0.35微米製程之工作電壓約為3.3伏特，而0.5微米製程之工作電壓為5伏特，所 使用之單一電壓為5伏特。一般0.35微米製程製作的記憶胞陣列，其工作電壓為 3.3伏特，理論上最高不能超過3.8伏特。如果接5伏特的工作電壓，則一般0.35 微米製程製作的記憶胞陣列便無法使用，但是使用系爭案揭露技術的0.35微米製 程的記憶胞陣列，仍然可以繼續使用，因為在送進記憶胞陣列之前，對字元線及 位元線的電壓皆先降壓為3伏特。若使用證據二之技術，其根本沒有提及字元線 降壓，在工作電壓為5伏特時，0.35微米製程的記憶胞陣列便無法使用，除非另 提供3伏特之工作電壓供0.35微米製程的記憶胞陣列，如此使用上較不便利，因 此證據二無法達成如同系爭案可適用於使用單一工作電壓之具有不同線寬製程之 唯讀記憶體以增進使用便利性之功效增進。
㈢如原告先前已陳明者，異議證據二其說明書及圖式清楚地描述其目的及功效在於
在避免位元線被過分充電，使感測放大器能夠高速操作，從未明確提及或教示如 同系爭案所欲之加寬工作電壓目的及功效，且事實上如前述第㈠及㈡點所陳並無 法達如同系爭案所欲之加寬工作電壓目的及功效。進一步言，系爭案係加寬工作 電壓的範圍，但從未提及如何加速感測放大器，反之，異議證據二則獲得高速感 測放大器，卻從不涉及工作電壓，並未偵測電源電壓（工作電壓、供電電壓）， 亦未改變字元線的供電電壓，因此，其適用的電源電壓必須是固定不可變的，不 可能被加寬，且異議證據二第三欄第四十至四十五行自陳其所處理的過度電荷係 來自雜訊 (noise)，而非其他的原因，因此亦與工作電壓範圍的加寬無關，甚至 異議證據二第三欄第三十至三十五行也已經說明其僅適用於位元線電壓的微小變 化。是以，二者的起因、原理以及因此而產生的改良動機皆明顯不同，故異議證 據二及系爭案二者在目的、功效上互不相關、互不包含或重疊，而被告機關指稱 證據二能夠如同系爭案加寬工作電壓之見解顯屬錯誤推測，且參加人稱「異議證 據二雖指出其發明目的之係在於避免位元線被過分充電，使感測放大器能夠高速 操作，然該項說明並不代表其為異議證據二之唯一目的或唯一揭示，換言之，只 要異議證據二已皆示或教示系爭案之技術特徵，即可證明系爭案不具有可專利性 ，至於異議證據二是否特別地將該技術列為其發明目的之一，係異議證據二本身 之撰寫方式問題，和本異議案之審查無涉」云云，殊屬不當推測。 系爭案整體技術手段在諸多方面不同於異議證據二，而被告機關及參加人皆有誤 察推論：
㈠系爭案偵測供電電壓（工作電壓），不同於異議證據二偵測位元線電壓： 按供電電壓同時影響字元線及位元線的電壓，因此決定記憶體電晶體是否能夠正 常工作，系爭案說明書第四頁第十五至二十行即指出，記憶體無法適用於較高工 作電壓操作的理由在於：工作電壓必須小於臨界電壓值，以避免電晶體無法完全 開路之漏電問題；以及電晶體之洩極電壓必須小於接面崩潰電壓，以避免造成接 面漏電之不良現象。因此，系爭案為確保在高供電電壓下，記憶體仍然能夠正常 常操作，必須同時對字元線及位元線施予降壓，使電晶體仍在額定電壓下工作。 另一方面，異議證據二其位元線如果被過度充電，則是導致速度變慢，而非影響 電晶體的工作電壓範圍。如果將異議證據二的記憶體連接較高的供電電壓，不論 其位元線上的釋放電路是否發生作用，其記憶體電晶體都將因為字元線電壓過高 而不能正常工作。被告機關雖承認異議證據二的位元線電壓Va不是電源電壓Vcc ，卻以位元線電壓Va與供電電壓Vcc係相關聯為由，而謂異議證據二與系爭案的技 術相同，參加人亦持此看法，此項理由毫無實質內容可言，明顯違背專利審查應 就實質之技術內容予以審查的原則。按，一電路使用一供電電壓，該電路中的任 一電壓當然與該供電電壓有所關聯，被告機關既然認為異議證據二的位元線電壓 Va與供電電壓Vcc之間的關聯可以證明系爭案不具進步性，則須說明此關聯之技 術內容為何，以及為何因此得證系爭案不具進步性之理由。然而被告機關卻完全 未說明其所謂的關聯是指如何的技術內容，故，藉此指系爭案不具進步性的理由 即缺乏根據。質言之，僅以電路中的某一電壓與供電電壓係相關聯便論斷一申請 案不具進步性，如同未事實質審查，如此一來則所有的發明或創作皆不可能具有 進步性。事實上位元線電壓Va與供電電壓Vcc之間的關聯有可能正是發明或創作
精神之所在，必須就實質內容予以分析，始能辨別其是否符合專利要件。 ㈡系爭案之降壓處理，不同於異議證據二之釋放電荷處理： 系爭案係在高供電電壓時利用降壓技術以保持供給記憶體電晶體的電壓在其額定 範圍內，因而確保該電晶體可以正常工作。而異議證據二則是釋放位元線電容 (BIT LINE CAPACITANCE)上的過度電荷 (excess charge)，以避免過度電荷延緩 感測速度（請參其第三欄第三十六至三十九行及第七圖）。被告機關行政訴訟答 辯書理由第一項指異議證據二之目的係為確保位元線電壓在正常值，以獲得寬工 作電壓之功效，乃是違背記憶體電路原理的重大錯誤。異議證據二的特點係在排 除過度電荷，而引起此問題的原理和電晶體的工作電壓無關，被告機關因為不瞭 解此電路的原理，而混淆釋放過度電荷與工作電壓的降壓兩種技術，以致於行政 訴訟答辯書理由第三項錯誤指稱異議證據二之過度電荷放電裝置相同於系爭案之 位元線降壓電路，且參加人亦誤認異議證據二直接降低位元線電壓之技術手段優 於系爭案，又誤指異議證據二包括電壓降壓電路。事實上異議證據二在其說明書 中一直強調是在釋放過度電荷，即使其釋放元件也是使用「過度電荷釋放電路 (EXCESS CHARGE DISCHARGING CIRCUIT)」（即被告機關所指「過度電荷放電裝 置」）（第11A圖）一詞，而不使用「降壓電路」一詞（因為降壓在電子電路中 有特別的涵義與技術）。縱使不熟習記憶體電路者，從異議證據二本身的說明， 應該也可以瞭解異議證據二所關切的問題及其技術原理，被告機關及參加人顯然 未仔細閱讀異議證據二的說明書，才會導致如此重大的錯誤。 ㈢系爭案同時針對位元線及字元線之降壓，不同於異議證據二僅涉及位元線之過度 電荷釋放：
按字元線與位元線在記憶體的操作中居於完全不同的角色，如異議證據二中所述 ，位元線電容的過度電荷會導致速度變慢，但是字元線卻沒有這項問題。異議證 據二的改良電路係針對位元線電容上的過度電荷而來，但是字元線並沒有相同的 問題存在。既然異議證據二未揭露字元線降壓電路，即表示字元線降壓電路與異 議證據二的目的及技術內容無關，或者異議證據二未思及此項技術而因此缺少該 項技術所能達成之功效。因此，被告機關雖承認異議證據二缺少字元線降壓電路 ，卻以字元線降壓技術與位元線降壓技術完全相同為由，而謂系爭案不具進步性 ，此項理由缺乏根據，明顯違背專利審查之客觀及引用文獻的原則。被告機關欲 將異議證據二的位元線相關電路複製到字元線上，必須字元線與位元線在技術上 完全等效，否則即屬變更異議證據二的實質內容，如此將脫離異議證據二之技術 內容，不再是可供引用之先前技術。同理，參加人指稱「被異議案（即系爭案） 之字元線降壓電路只是複製異議證據二所教示之位元線降壓電路，且將該複製後 之字元線降壓電路放置於眾所周知之字元線連接位置上，其自然為熟習該項技術 者在接受異議證據二之教示後所能輕易解決之問題」云云自亦屬錯誤推論。 依專利法第九十八條第二項規定，倘新型係運用申請前既有之技術或知識，而為 熟習該項技術者所能輕易完成且未能增進功效時，方不能取得新型專利。自前述 陳明可知，異議證據二非但功效上未能達成如系爭案申請專利範圍第一項獨立項 ，而且技術手段上亦與系爭案申請專利範圍第一項獨立項有實質重大差異，確難 以對系爭案申請專利範圍第一項獨立項構成任何具體教示作用，故系爭案申請專
利範圍第一項獨立項絕無運用申請前既有之技術或知識，而為熟習該項技術者所 能輕易完成且未能增進功效之情事，而完全符合核准時專利法第九十八條第二項 有關進步性要件之規定，實昭昭甚明。
異議證據三中之感測放大器不同於系爭案之電壓偵測電路，且該感測放大器所揭 比較器及異議證據二圖13C所揭比較器不能影響系爭案之進步性： 按異議證據三第六四八頁所討論之感測放大器（Sense Amplifier），無論從名 稱或構成要件觀之，皆不同於系爭案之電壓偵測電路（Voltage detector） ，二者是不同之電路。再者，系爭案申請專利範圍第二項附屬項並非單獨主張電 壓偵測電路可由比較器構成，其乃依附於申請專利範圍第一項獨立項之整體架構 ，而如前述者，該第一項獨立項整體架構相較於異議證據二業具進步性，故依附 於該第一項獨立項之該第二項附屬項整體架構當不受異議證據三感測放大器所揭 比較器與異議證據二圖13C所揭比較器之影響，而自亦具進步性。 關於參加人所指「原告竟然將原審定理由扭曲為以被異議案（即系爭案）之創新 內容否定系爭案之進步性，其實屬不知所云，亦顯見原告之理由均為狡辯之詞， 不足採信」云云，按原告於起訴狀主要係強調，原審定書並未具體指出系爭案如 何運用申請前既有之技術，這種判斷方式當然不符專利法第九十八條第二項「運 用申請前既有之技術或知識．．．」要件之規定，應無不當。 至於參加人稱「系爭案之揭示無法讓熟悉該項技術人士得具以實施」云云，按參 加人其異議理由第六至七頁第二點即已為相同指稱，而被告機關原處分審定書僅 就進步性論究，並未質疑是否可實施，此顯示被告機關當已肯認系爭案之可實施 性，且訴願決定機關於此亦持肯定意見，故參加人前述指稱實為無理由者。更何 況，對照參加人一再指稱系爭案為熟習該項技術者在接受異議證據之教示後所能 輕易完成者之論斷，其所稱系爭案無法讓熟悉該項技術人士得具以實施之論點即 無法成立，蓋兩者顯然互相矛盾，由此可見參加人所言皆屬似是而非，不值採信 。
綜前論陳，異議證據二、三實皆不具佐證系爭案不具進步性之證據力，而被告機 關及訴願機關率皆疏於究明此等事實，以致造成違法不當之行政行為，殊有可議 之處。請准判決如訴之聲明，俾維應有權益。
乙、被告主張之理由：
異議證據二、三中之感測放大器皆如系爭案，係運用於唯讀記憶體，其中該證據 二之目的亦為確保位元線電壓在正常值，以獲寬工作電壓之功效，原告理由一、 二所指皆不確實。
該證據二之過度電荷偵測電路如其圖13A、13B所示，非常明確其所測者為位元線 之供電電壓Va，雖非該Vcc，但該Va與該Vcc係相關聯者。而相對於系爭案之電壓 偵測電路及位元線降壓電路等之籠統方塊圖，最重要者乃該證據二完全可達到相 同之目的與功效。
該證據二中之過度電荷放電裝置相同於系爭案中之位元線降壓電路，且亦可在工 作電壓過高時降壓而加寬工作電壓，該證據二雖未提及字元線降壓，但該字元線 之降壓技術完全相同，系爭案將相同之降壓技術亦運用於字元線，確為熟習該項 技術者所能輕易完成且未能增進功效，不具進步性，原審定係根據系爭案申請前
之該證據二、三而判斷，完全符合第九十八條第二項規定。 異議證據三中之感測放大器亦如系爭案係運用在唯讀記憶體，且其第六四八頁亦 揭示含一參考電壓於比較器之運用。何況該證據二之圖13C亦揭露其Va與一參考 電壓之比較，而於超過一正常值時由一過度電荷放電裝置使電壓回復至正常值， 完全可證明系爭案為運用申請前既有之技術或知識。 綜上所述，被告原處分並無違法，請駁回原告之訴。丙、參加人主張之理由：
原告所述之「異議證據二之偵測對象不同於系爭案，不足證明系爭案不具可專利 性」云云，實屬謬誤：
㈠異議證據二之偵測對象為位元線之供電電壓，雖不同於系爭案之供電電壓，然本 案之爭點係在於判斷系爭案是否具有進步性，而非判斷系爭案是否具有新穎性。 偵測對象不同或僅能代表系爭案具有新穎性，卻無法證明系爭案具有進步性，原 告之理由顯無根據。
㈡系爭案與異議證據二在標的、技術手段以及目的、功效上皆無不同 ⒈標的：系爭案乃涉及寬工作電壓之唯讀記憶體控制構造，異議證據二亦屬涉及寬 工作電壓之唯讀記憶體控制構造，兩者係屬同一技術領域，並無不同。 ⒉技術手段：系爭案係偵測供電電壓，若供電電壓大於一參考值時，則發出控制訊 號至位元線降壓電路以進行降壓作業。異議證據二係直接偵測位元線電壓，若位 元線電壓大於一參考值時，則直接在位元線降壓電路上進行降壓作業。由於供電 電壓和位元線電壓係呈正相關之電壓波動關係，兩者在實質意義上並無不同。更 重要的是，系爭案係利用降低位元線電壓而達成寬工作電壓之目的，相對於此， 異議證據二係直接偵測位元線電壓且直接降低位元線電壓，而非如系爭案係偵測 供電電壓且間接降低位元線電壓，因此異議證據二之技術手段更優於系爭案，系 爭案顯無進步性可言。
⒊目的、功效：系爭案與異議證據二皆係運用上開實質相同之技術手段，達成寬工 作電壓之目的及功效，兩者並無不同，足證系爭案不具有進步性。 原告所述之「異議證據二僅在避免位元線被過度充電，使感測放大器能高速操作 ，其不能產生使工作電壓加寬之功效」云云，實屬謬誤： ㈠任何一篇文獻均可能有一個以上的發明目的。異議證據二雖指出其發明目的之一 係在於避免位元線被過度充電，使感測放大器能高速操作，然該項說明並不代表 其為異議證據二之唯一目的，或異議證據二之唯一揭示。依專利法第九十八條第 二項規定「新型係運用申請前既有之技術或知識，而為熟悉該項技術者所能輕易 完成且未能增進功效時，仍不得依本法申請取得新型專利」，該項條文所述之「 申請前既有之技術或知識」係指引證案之揭示內容，而和引證案之目的無涉。此 外，依專利審查基準第二─二─十八頁之規定「判斷新型專利之進步性時，准予 將先前技術之全部內容、部分內容或片斷部相互組合」，其所述之「部分內容或 片斷部」亦顯然係指引證案之揭示內容，而非引證案之目的。換言之，只要異議 證據二已揭示或教示系爭案之技術特徵，即可證明系爭案不具有可專利性。至於 異議證據二是否特別地將該技術特徵列為其發明目的之一，係異議證據二本身之 撰寫方式問題，和本案之審查無涉。
㈡異議證據二在其發明摘要處已明白指出：該案係一偵測放大器電路，用於唯讀記 憶體，包括一電壓偵測電路及一電壓降壓電路。該案依據電壓偵測電路之控制而 對於高於預定參考值之電壓訊號實施降壓作業以將位元線電壓降壓；反之，則不 實施降壓。此等設計特徵在異議證據二之圖11、圖13A和圖13B亦已明顯揭示。再 者，異議證據二之申請專利範圍第一項更明定其係用於非揮發性記憶體之偵測放 大器電路，包含電壓偵測裝置及位元線降壓裝置。因此，異議證據二已揭示系爭 案之技術特徵，足可證明系爭案不具有可專利性。 原告所述之「異議證據二僅提及位元線降壓電路，未提及字元線降壓電路，不足 以證明系爭案不具有可專利性」云云，實屬謬誤： ㈠本案之爭點係在於判斷系爭案是否具有進步性，而非判斷其是否具有新穎性。異 議證據二未提及字元線降壓電路或僅能代表系爭案具有新穎性，卻無法證明其具 有進步性，原告之理由顯無根據。
㈡系爭案專利說明書第一圖內已自承習知之記憶體均包含位元線及字元線，此並非 系爭案之創作。而由系爭案申請專利範圍第一項可看出，系爭案之位元線降壓電 路和字元線降壓電路係具有相同之結構。換言之，熟悉該項技術人士早已知悉習 知之記憶體均包含位元線及字元線，且在大多數情形下，連接至位元線之控制電 路和連接至字元線之控制電路僅為設置位置不同，兩者仍具有相同或相似之結構 ，因此熟悉該項技術人士在接受異議證據二之教示後，自然會將異議證據二之位 元線降壓電路亦同樣應用於字元線上。依專利審查基準第二─二─十八頁之規定 「判斷新型是否能輕易完成時，應假設熟習該項技術者，如遭遇申請專利之新型 所欲解決之問題時，是否能輕易組合所引證文獻之技術內容，以解決問題」。如 前所述，系爭案之位元線降壓電路等同於異議證據二所教示之位元線降壓電路， 而系爭案之字元線降壓電路只是複製異議證據二所教示之位元線降壓電路，且將 該複製後之字元線降壓電路放置於眾所周知之字元線連接位置上，其自然為熟習 該項技術者在接受異議證據二之教示後所能輕易解決之問題，乃屬顯而易知。換 言之，系爭案自不具有進步性。
原告所述之「異議證據三之感測放大器並非電壓偵測電路」云云，實屬謬誤： 異議證據三之圖6已揭示使用包含參考電壓之比較器，且應用於和系爭案相同之 記憶體技術領域中；異議證據二之圖13C亦揭示在記憶體中使用包含參考電壓之 比較器；而系爭案專利說明書第八頁已自承其電壓偵測電路之實際構造可採用數 位比較器構成。因此前述三者均為相同之結構，異議證據二和異議證據三之感測 放大器即為系爭案之電壓偵測電路，原告之理由顯無根據。 原告所述之「被告機關引用之資料違反專利法第九十八條第二項之規定」云云， 實屬謬誤：
綜上所述，系爭案之電壓偵測電路已為異議證據二和異議證據三所揭示，系爭案 之位元線降壓電路已為異議證據二所揭示，而系爭案之字元線降壓電路只是複製 異議證據二所教示之位元線降壓電路，且將該複製後之字元線降壓電路放置於眾 所周知之字元線連接位置，亦未產生特殊之功效，自然不具有進步性。原告竟然 將原審定理由扭曲為以系爭案之創新內容否定系爭案之進步性，其實屬不知所云 ，亦顯見原告之理由均為狡辯之詞，不足採信。
系爭案之揭示無法讓熟悉該項技術人士得具以實施： ㈠系爭案已自承其創作僅在於說明書之第二圖，而在第二圖內又自承預充電電路、 位元線、字元線和控制用電晶體並非其創作。因此第二圖內僅剩電壓偵測電路、 位元線降壓電路和字元線降壓電路三個方塊為其創作。正如被告機關之行政訴訟 答辯書所述，系爭案之專利說明書僅提供該電壓偵測電路、位元線降壓電路和字 元線降壓電路之籠統方塊圖，且又籠統地交待該電壓偵測電路係由習知之數位比 較器構成，該位元線降壓電路和字元線降壓電路係由習知之電子切換開關和降壓 迴路構成。然，該三個方塊內沒有具體實施例，到底如何利用習知元件以完成， 亦沒有任何圖式說明。因此系爭案之揭示無法讓熟悉該項技術人士得具以實施， 亦無從證明系爭案是否具有其所述之功效。
㈡參加人強烈質疑系爭案之可實施性。按異議證據二內係完整地交待其工作原理、 電路結構和功效增進原因，且附有共十五張完整之電路圖、系統圖、電路偏壓曲 線及時序圖，因此熟悉該項技術者可因異議證據二之教示而得知其內容。反觀系 爭案，竟然只有一張圖式，上面畫了三個籠統又不知所云的方塊，沒有進一步之 附圖，沒有針對該三個方塊之具體實施例，說明書內容又都充斥許多描述不清楚 之用語（請參考參加人所提之異議理由書），對於熟悉該項技術者如何能據以實 施？系爭案又如何能證明其所述之功效？實令人質疑。 ㈢系爭案既然不能完整地交待其技術實施上之關鍵，無法由熟悉該項技術人士得具 以實施，則系爭案即缺乏予以專利之必要，原處分書及原訴願決定不予其專利亦 無違誤之處。
綜上所陳，原告所為爭執論點皆無理由，而原處分書及原訴願決定於法並無違法 不當之處。為此，狀請 鈞院明鑑，迅賜判決駁回原告之訴，用維法紀。 理 由
一、本件被告之代表人原為陳明邦，九十一年九月九日變更為蔡練生，茲由其具狀聲 明承受訴訟，核無不合，應予准許，先為敍明。二、按凡對物品之形狀、構造或裝置之創作或改良，而可供產業上利用者，得依法申 請取得新型專利，為專利法第九十七條暨第九十八條第一項所明定。故其新型如 「係運用申請前既有之技術或知識，而為熟習該項技術者所能輕易完成且未能增 進功效時」，雖無欠缺新穎性之情事，仍不得申請取得新型專利，復為同法第九 十八條第二項所明定。
三、本件系爭第00000000號「寬工作電壓唯讀記憶體控制構造」新型專利案 ，包括：一電壓偵測電路，有一與電源連接之偵測輸入端及一控制輸出端，可偵 測供電電壓，並與一參考工作電壓比較，以送出一表示高或低電壓之控制訊號； 一字元線降壓電路，為串接在唯讀記憶體之各字元線輸入端上及有一與前述控制 訊號連接之降壓控制端，可依據該控制訊號之電位高低對送入唯讀記憶體各字元 線端點訊號進行降壓或不進行降壓，以確保送入至唯讀記憶體之訊號電壓為低於 記憶體臨界電壓；及一位元線降壓電路，為串接在唯讀記憶體之位元線端與預充 電線路之間及有一與前述控制訊號連接之降壓控制端，可依據該控制訊號之電位 高對送入唯讀記憶體位元線端點進行降壓或不進行降壓，以確保送入至唯讀記憶 體之各電晶體洩極電壓為低於接面崩潰電壓值；構成一種可視供電電壓之變化而
藉對各輸入訊號進行降壓與否，使各輸入至唯讀記憶體內之各訊號維持在額定電 壓範圍內者。參加人所提異議證據計有：異議證據二係西元一九九四年三月八日 公告之美國第0000000號專利案及異議證據三為西元一九八四年十月公開 之「A High Performance 1 Mbit EPROM」論文摘頁影本資料。被告機關以異議 證據二係由過度電荷偵測裝置偵測電源電位超過一正常值，而由一過度電荷放電 裝置使該電位回復至正常值，與系爭案由電壓偵測電路偵測供電電壓，而於該電 壓高時由降壓電路進行降壓等技術手段相同；系爭案於電壓偵測電路以一參考工 作電壓與供電電壓比較，並為異議證據三第六四八頁所揭示，又系爭案中之多段 電壓比較、多段降壓、省電模式等全為附屬項，且皆無具體之技術內容，可知系 爭案除習知位元線之降壓外，又以相同之技術作字元線之降壓，為運用申請前既 有之技術與知識，乃熟習該項技術者所能輕易完成，並未增進功效，不具進步性 ，乃認系爭案有違首揭專利法第九十八條第二項之規定，為本件異議成立之處分 。原告不服，主張異議證據二係在改良感測放大器偵測位元線電壓，進而使位元 線的電壓恢復正常值，以維持高速操作；與系爭案係偵測供電電壓，於傳統之唯 讀記憶體增加一組控制構造，以確保送入至唯讀記憶體之各電晶體洩極電壓為低 於接面崩潰電壓值，進而使工作電壓的範圍能夠加寬，二者所偵測對象、內容及 技術手段不同；況異議證據三第六四八頁，並無「以參考工作電壓與供電電壓比 較」的技術描述，被告機關所為之認定理由與事實不符，異議證據二、三實皆不 具佐證系爭案不具進步性之證據力，原處分應予撤銷云云。四、經查㈠異議證據二之過度電荷偵測電路如其圖13A、B所示，亦包含電壓判斷電路 24 a，其所測者亦為位元線之供電電壓Va，圖13C顯示該Va與一參考電壓比較， 而於超過一正常值時由一過度電荷放電裝置使電壓回復至正常值，亦如系爭案可 使工作電壓加寬，故異議證據二在技術手段與達成之功效皆與系爭案相同。㈡又 異議證據二中之過度電荷放電裝置相同於系爭案中之位元線降壓電路，且亦可在 工作電壓過高時降壓而加寬工作電壓，該證據二雖未提及字元線降壓，但該字元 線之降壓技術完全相同，系爭案將相同之降壓技術亦運用於字元線，確為熟習該 項技術者所能輕易完成且未能增進功效，不具進步性。㈢另系爭案於電壓偵測電 路以一參考工作電壓與供電電壓比較，全為文字上之敍述，其說明書中並無任何 具體之電路構造，顯然亦自認該電路之本身為習知技術，且異議證據三中之感測 放大器亦如系爭案係運用在唯讀記憶體，且其第六四八頁亦揭示含一參考電壓於 比較器之運用。而系爭案申請專利範圍第二項則僅指定其電壓偵測電路可由比較 器構成。又系爭案之字元線降壓之技術內容與該位元線之內容完全相同，故系爭 案與異議證據二及三在電壓偵測等於唯讀記憶體之運用技術領域上仍屬相同，系 爭案確係運用申請前既有之技術與知識，且未能增進功效，不具進步性。㈣異議 證據二之圖13C亦揭露其Va與一參考電壓之比較，而於超過一正常值時由一過度 電荷放電裝置使電壓回復至正常值，完全可證明系爭案為運用申請前既有之技術 或知識。異議證據二、三中之感測放大器皆如系爭案，係運用於唯讀記憶體，其 中該證據二之目的亦為確保位元線電壓在正常值，以獲寬工作電壓之功效。㈤異 議證據二之偵測對象為位元線之供電電壓，雖不同於系爭案之供電電壓，然本案 之爭點係在於判斷系爭案是否具有進步性，而非判斷系爭案是否具有新穎性。偵
測對象不同僅能代表系爭案具有新穎性，卻無法證明系爭案具有進步性。㈥系爭 案乃涉及寬工作電壓之唯讀記憶體控制構造，異議證據二亦屬涉及寬工作電壓之 唯讀記憶體控制構造，兩者係屬同一技術領域，並無不同。系爭案係偵測供電電 壓，若供電電壓大於一參考值時，則發出控制訊號至位元線降壓電路以進行降壓 作業。異議證據二係直接偵測位元線電壓，若位元線電壓大於一參考值時，則直 接在位元線降壓電路上進行降壓作業。由於供電電壓和位元線電壓係呈正相關之 電壓波動關係，兩者在實質意義上並無不同。即兩者皆係運用上開實質相同之技 術手段，達成寬工作電壓之目的及功效，並無不同。且系爭案係利用降低位元線 電壓而達成寬工作電壓之目的，相對於此，異議證據二係直接偵測位元線電壓且 直接降低位元線電壓，而非如系爭案係偵測供電電壓且間接降低位元線電壓，因 此系爭案之技術手段並未優於異議證據二之技術手段，尚無進步性可言。㈦異議 證據二僅提及位元線降壓電路，未提及字元線降壓電路，僅能代表系爭案具有新 穎性，卻無法證明系爭案具有進步性。蓋異議證據二在其發明摘要處已明白指出 ：該案係一偵測放大器電路，用於唯讀記憶體，包括一電壓偵測電路及一電壓降 壓電路。該案依據電壓偵測電路之控制而對於高於預定參考值之電壓訊號實施降 壓作業以將位元線電壓降壓；反之，則不實施降壓。此等設計特徵在異議證據二 之圖11、圖13A和圖13B亦已明顯揭示。再者，異議證據二之申請專利範圍第一項 更明定其係用於非揮發性記憶體之偵測放大器電路，包含電壓偵測裝置及位元線 降壓裝置。而系爭案專利說明書第一圖內已自承習知之記憶體均包含位元線及字 元線，此並非系爭案之創作。再由系爭案申請專利範圍第一項可看出，系爭案之 位元線降壓電路和字元線降壓電路係具有相同之結構。換言之，熟悉該項技術人 士早已知悉習知之記憶體均包含位元線及字元線，且在大多數情形下，連接至位 元線之控制電路和連接至字元線之控制電路僅為設置位置不同，兩者仍具有相同 或相似之結構，異議證據二已揭示系爭案之技術特徵，因此熟悉該項技術人士在 接受異議證據二之教示後，自然會將異議證據二之位元線降壓電路亦同樣應用於 字元線上。依專利審查基準第二─二─十八頁之規定「判斷新型是否能輕易完成 時，應假設熟習該項技術者，如遭遇申請專利之新型所欲解決之問題時，是否能 輕易組合所引證文獻之技術內容，以解決問題」。如前所述，系爭案之位元線降 壓電路等同於異議證據二所教示之位元線降壓電路，而系爭案之字元線降壓電路 只是複製異議證據二所教示之位元線降壓電路，且將該複製後之字元線降壓電路 放置於眾所周知之字元線連接位置上，其自然為熟習該項技術者在接受異議證據 二之教示後所能輕易解決之問題，系爭案即不具有進步性。至於原告其他起訴理 由，已據被告及參加人詳細答辯如事實欄所載，與本院見解相同，爰予引用，併 此敍明。
五、綜上所述，異議證據二及三足以證明系爭案係屬利用申請前既有之技術或知識， 而為熟習該項技術者所能輕易完成且未能增進功效者，不符合專利法第九十八條 第二項規定之進步性要件。從而，被告機關所為本件異議成立，應不予專利之處 分，揆諸首揭法條之規定，洵無不合，訴願決定予以維持，亦無違誤，原告起訴 意旨，仍執前詞及個人主觀之見解，請求撤銷訴願決定及原處分，為無理由，應 予駁回。
據上論結，本件原告之訴為無理由，爰依行政訴訟法第九十八條第三項前段，判決如主文。
中 華 民 國 九十一 年 十 月 二十四 日 臺北高等行政法院 第三庭
審判長 法 官 姜素娥
法 官 陳國成 法 官 林文舟右為正本係照原本作成。
如不服本判決，應於送達後二十日內，向本院提出上訴狀並表明上訴理由，如於本判決宣示後送達前提起上訴者，應於判決送達後二十日內補提上訴理由書（須按他造人數附繕本）。
中 華 民 國 九十一 年 十 月 二十四 日 書記官 余淑芬
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