臺北高等行政法院判決
94年度訴字第1934號
原 告 甲○○
訴訟代理人 丁○○專利代理人
乙○○兼送達代收
被 告 經濟部智慧財產局
代 表 人 蔡練生（局長）
訴訟代理人 戊○○
參 加 人 日月光半導體製造股份有限公司
代 表 人 丙○○（董事長）
訴訟代理人 陳森豐律師
上列當事人間因新型專利異議事件，原告不服經濟部中華民國94
年4 月29日經訴字第09406126980 號訴願決定，提起行政訴訟，
經本院命參加人獨立參加訴訟，本院判決如下：
主 文
原告之訴駁回。
訴訟費用由原告負擔。
事 實
一、事實概要：
參加人於民國90年6 月26日以「具多層焊墊的封裝結構」（ 下稱系爭案）向被告申請新型專利，經其編為第00000000號 審查，准予專利。公告期間，原告以其違反系爭案核准審定 時專利法第98條第1 項第1 款及第2 項規定，對之提起異議 。案經被告審查，為異議不成立之處分。原告不服，乃向經 濟部提起訴願，經遭訴願決定駁回，遂向本院提起行政訴訟 。
二、兩造聲明：
㈠原告聲明：
1.訴願決定及原處分均撤銷。
2.被告應就系爭案為異議成立之處分。
3.訴訟費用由被告負擔。
㈡被告聲明：
1.駁回原告之訴。
2.訴訟費用由原告負擔。
㈢參加人聲明：
1.駁回原告之訴。
2.訴訟費用由原告負擔。
三、兩造之爭點：系爭案是否有違核准審定時專利法第98條第1 項第1 款及第2 項之規定，而不符新型專利要件？
㈠原告主張之理由：
1.原處分理由（五）並未詳究系爭案與1997年1 月28日公開 之日本特開平9-27512 號「半導體裝置」專利案（下稱引 證1）及2000 年4 月7 日公開之日本特開0000-000000號「 半導體裝置」專利案（下引證3）之實質技術內容，忽視系 爭案所揭示者係為既有技術及知識之簡單運用，而為熟習 此項技藝人士所能輕易完成者：
⑴系爭案申請專利範圍第1 項所揭示之封裝結構之圖式係可 參閱其專利說明書第4 圖。同樣地，比對系爭案專利說明 書第2 圖所自承之習知技術，並參照系爭案第2 圖所自承 之習知技術，或引證1 之第5 （b）、6、7 、8 及9 圖可 知，有關於該申請專利範圍第1 項中所述之基板、晶片、 第一焊墊層、第二焊墊層、第三焊墊層、第一焊墊、第二 焊墊、第三焊墊、第一接觸端、第二接觸端等之元件及設 置俱為習知之技術，故系爭案申請專利範圍第1 項之技術 特徵僅在於「該第一導線係與該第二導線交叉設置」，藉 以達到「該第一導線與該第三導線之間的距離拉開，且該 第一導線、第二導線及第三導線之高度約略相等」之功效 。
⑵引證3 之第2 圖已明確揭露出在晶片3 上之焊墊（5-1） 、（5-2）係藉由交叉設置之導線（6-1）、（6-2）而電 性連接至接觸端（1b），如此對應於任一熟悉該項技術者 均知，原本相鄰約略呈平行排列之複數導線中，當其中兩 條導線呈現交叉設置時，對應於該呈現交叉設置之導線相 鄰側之導線而言，自然拉開彼此間之距離，進而得以提供 呈交叉設置導線兩側之其餘導線具有較大之設置空間，可 與該交叉導線形成同樣弧形與弧高，是以系爭案之技術特 徵，自然得為熟悉該項技術者輕易結合引證3 所揭示之「 交叉導線技術」，以及引證1 或系爭案所自承之先前技術 （第2 圖）等揭示「晶片具有第一至第三焊墊層與基板具 有第一、第二接觸端之技術」等內容而達成，故不具進步 性。
⑶況按系爭案專利說明書第8 頁第15至25行所述：「由於 Tri- Tier Pad 產品銲線時線群較一般BGA 產品多，其弧 形的呈現也會較一般BGA 高；當導線的弧高增加時，就容 易在成型時遭受模流沖激而變形，並與相鄰導線碰觸而形 成短路，影響封裝良率（Yield）。 因此，在佈線時必須 將各焊墊層的線群分別維持在約略相等的高度... 方可有 效控制封裝結構的整體高度…方可有效控制封裝結構的整 體高度」。故明顯可知，系爭案申請專利範圍第1 項之技
術特徵在「該第一導線係與該第二導線交叉設置」，藉以 達到「該第一導線與該第三導線之間的距離拉開，且該第 一導線、第二導線及第三導線之高度約略相等」之功效， 確已為引證案及系爭案所自承之先前技術所揭示，因此， 系爭案之技術內容不僅為熟悉該項技術者所可輕易思及， 同時亦不具新功效或功效增進之處。故系爭案所欲解決之 習知技術問題點仍係與引證3 相同，均係可用以預防導線 受模流沖擊而發生變形、短路，故亦再次說明系爭案不具 專利性。
⑷再者，被告於原處分亦自承：「證據三（即引證3）顯示 晶片之相鄰兩焊墊5-1 、5-2 以互相交叉之導線6-1及6-2 耦接同接觸端1b」，故面對系爭案第2 圖所遭遇之習知技 術問題者，自可由熟悉該項技術者結合引證3 所揭示之內 容而輕易思及完成系爭案之技術內容，且未能增進功效。 2.原處分理由（六）未詳究系爭案與引證1 、1994年10月25 日公告之美國第5,359,227號「LEAD FRAMEASSEMBLY AND METOHD FOR WIRING SAME」專利案（下稱引證2）及2000 年2 月29日公告之美國第6,031,281號「SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE HAVING DUMMY BONDING WIRES 」專利案（下稱引證4）之 實質技術內容，忽視系 爭案所揭之技術內容實相同於前開引證案，且其所請求之 標的甚不明確，明顯涵蓋習用技術，極不合理： ⑴系爭案申請專利範圍第8 項所述之內容與原申請之專利範 圍完全相同，並未進行任何修正，且其所揭示之封裝結構 之圖式係可參閱其專利說明書第4 圖所示。比對系爭案專 利說明書第2 圖中所自承之習知技術，其亦揭示出有基板 205 ；配置於該基板205 上之晶片21，該晶片側邊處配置 有彼此相鄰之第一焊墊層、第二焊墊層及第三焊墊層210 ，220 ，230 ，該第一焊墊層包括第一焊墊225 及第二焊 墊226 ，其中，該第二焊墊226 係與該第一焊墊225 相鄰 ；第一接觸端27，配置於該基板205 上並藉長導線257 與 該第一焊墊225 耦接；以及第二接觸端25，配置於該基板 205 上並藉一短導線265 與該第二焊墊226 耦接。故相較 系爭案申請專利範圍第8 項所揭示之技術內容及系爭案所 自承之習知技術而言，其唯一之差異點，即系爭案之技術 特徵僅在於該：「導線形成八字型結構」，且系爭案申請 專利範圍第1 項雖有界定距離拉開與高度相等的技術內容 ，但於系爭案申請專利範圍第8 項沒有相同的限制，所以 系爭案申請專利範圍第8 項特徵只有打線以八字型方式構 成。又系爭案申請專利範圍第8 項並沒有強調導線高度或
交叉設置的特徵。再者，按引證1 之第5 （b）、6 、7、 8 及9 圖及原處分理由（四）：「證據一（即引證1）為 一半導體裝置，其中之基板上設有第一、第二、及第三接 觸端，設置在基板上之晶片亦配置有複數相鄰之第一、第 二及第三焊墊，上述之第一、第二及第三接觸端分別以高 度不同之第一、第二及第三導線耦接第一、第二及第三焊 墊」所自承者，有關所自承者，有關基板、晶片、第一至 第三焊墊層、以及第一與第二接觸端等元件，早為習知技 術內容，因此，系爭案申請專利範圍第8 項所述之主要技 術特徵僅在於：「導線形成八字型結構」，故無參加人於 答辯理由中所述曲解系爭案之技術特徵所在。
⑵又系爭案於其申請專利範圍及專利說明書之全篇內容中俱 未交待究竟任兩條導線之兩端開口距離應為多大才構成八 字型？難道說任兩條導線不平行者即為八字型？即為侵害 系爭案之專利？惟任一具普通物理知識人士均知，線乃由 無數點所構成，而構成任兩條線之無數點之間只要有任一 點之距離彼此不相等，即便是最小的距離，就微觀而言， 此二條線必不平行，亦即勢必呈現所謂「八字型」結構。 現今半導體封裝產業中，在進行導線製程時，由於受制於 實際機具精度之限制，絕不可能形成完全平行之兩導線， 而勢必會造成導線之兩端略呈八字型，如此，是否即為落 入系爭案之權利標的中？亦即構成權利侵害？若是，實有 違社會公平正義原則；若否，則說明系爭案之權利範圍過 大，嚴重侵害社會整體利益。
⑶再者，按引證1 之第1 圖即明確繪示出配置在基板上之晶 片設有複數焊墊2a，2b，2c，該焊墊2a，2b，2c係可藉由 長導線4a而與基板第一接觸端3a電性連接，以及藉由短導 線4c 而 與基板第二接觸端3c電性連接。其中之長、短導 線4a，4b，4c即明顯呈現出「八字型」配置，而此完全揭 示出系爭案於申請專利範圍第8 項之技術特徵。 ⑷況按引證1 之第1 圖，引證2 之第1 、第5 圖、引證3 之 第2 、第4 、第6 、第7 圖，以及引證4 之第1 、第3 、 第8 、第9 、第11、第14、第16圖等，均係顯示出導線呈 現出八字型之結構型態，故系爭案之不具專利性。 ⑸依修正前專利法第98條第2 項所謂熟習該項技術者，係指 虛擬成於申請專利當時具有該新型所屬技術領域之技術常 識，能運用研究、開發等一般技術性手段（指依據既有之 技術或知識之基礎，經由邏輯分析、推理或試驗而得之技 術手段），以發揮一般創作能力，例如選擇材料或變更設 計等，並將當時該新型所屬技術領域之技術水準，化為其
本身之知識者而言。復依專利審查基準第2-2-18頁【判斷 方式】所述：「判斷是否能輕易完成時，准予將二件或二 件以上不同文獻之全部內容或其各該文獻之部分內容、或 同一文獻之各不同部分內容相互組合；准予先前技術（ prior art）之 各片斷部相互組合。」、第2-3-7 頁第1 行至第10行：「申請專利範圍中之請求項，其種類可劃分 為獨立項及附屬項... 申請人應從新型說明中所揭示之新 型，依自己之判斷，於申請專利範圍之獨立項中，記載其 所欲申請專利之新型，以便明確的表示其所欲申請專利之 新型」，以及第2-3-12頁第2 行至第5 行所述：「一獨立 項所載事項，必須具備整體性之技術思想，若一獨立項所 載事項尚未能具備整體性之技術思想者，即違反專利法施 行細則第16條第2 項之規定」可知，專利權範圍係以申請 專利範圍所記載者為準。是本件對於熟悉該系爭案所自承 之習知技術者而言，由於引證1 至4 均為晶片與基板間之 打線連結技術，其自可輕易結合系爭案中所自承之習知技 術以及引證案所揭示之導線呈現八字型設置而輕易完成系 爭案之技術內容，故系爭案不具專利性。再者，依專利審 查基準第2-2-19頁【先前技術之組合部分應注意事項】指 出：「『產生某一新功效』，係指申請專利之新型，其物 品之形狀、構造或裝置之創作，對熟習該項技術者而言， 非能輕易的可憑據先前技術、或經由邏輯分析、推理或試 驗而完成者；『增進某種功效』，係指申請專利之新型， 其物品之形狀構造或裝置之改良，在效果上克服先前技術 中存在的問題點，具備好用或實用之條件者... 」。惟按 系爭案專利說明書第9 頁第13至15行所述：「導線265 與 導線257 形成圖示般的八字型結構，以增加兩導線之間的 距離，如此一來，導線265 與導線257 就可以相同的高度 進行佈線，而不會互相短路」可知，系爭案所述之「增加 兩導線之間的距離」功效，乃係單純藉由引證案中已揭示 之將原二平行設置導線之一端間隔加大而形成八字型結構 來達成，此乃為熟習該項技術者可輕易的憑據如引證1 至 4 等先前技術、或經由邏輯分析、推理或試驗而完成者， 實不具功效特點。且就原習知複數平行設置之導線而言（ 如系爭案第2 圖所示），如依系爭案之技術手段將其中二 根導線設計成八字型結構，而使該二導線間隔加大避免接 觸短路時（如系爭案第4 圖所示），雖可增加該交叉導線 與一側導線之距離，但相對地，不亦造成鄰設於該二導線 旁之導線，相對間隔該二導線之距離縮短，如此反而更容 易造成鄰設於該二導線旁之導線與該二導線發生接觸短路
問題，亦何來功效增進之處。
⑹再者，被告雖於訴願答辯書之理由三辯稱：「中國字之『 八』字，其中間口之角度很明顯在45度到90度角之間，一 般寫法約在60度角左右；故系爭案各獨立項界定之『八字 形』之應用領域亦是明確具體者」，惟依前開專利審查準 可知，，被告所辯稱之「八」字之中間開口角度係「45～ 90度間」、「一般寫法約在60度角左右」，係全為被告之 說詞，且其認定之角度關係明顯與系爭案第4 圖所繪示之 圖示不符。系爭案完全未於其全篇說明書及申請專利範圍 中提及該「八」字之中間開口角度範圍。且實際上，於進 行該「八」字之書寫時，其中間開口角度之小大實係因人 而異，系爭案亦未於其說明書中明確指出其開口角度之小 大。故系爭案於其申請專利範圍中所界定之「八字形」實 乃為模糊且不明確之界定，且其技術特徵確為引證案中揭 示，而被告竟未詳予審酌，明顯有違修正前專利法規定。 ㈡被告主張之理由：
1.引證1之圖5b、6、7、8中之焊墊2a、2b、2c實際上分別屬 於不同之三個焊墊層，而系爭案申請專利範圍第8 項獨立 項中界定之第一焊墊及第二焊墊則是同屬第一焊墊層，例 如系爭案圖4 中之焊墊225 與226 ，而焊墊225 係以長導 線耦接第一接觸端257 ，焊墊226 則以短導線耦接第二接 觸端265 ；系爭案圖4 中已明確顯示該長、短兩導線形成 一八字形，其夾角由圖4 可看出約30度左右。引證1 中之 焊墊2a、2b、2c既然已不屬於同一焊墊層者，當然不會具 有系爭案申請專利範圍第8 項獨立項之技術特徵及其對應 之功效增進者。原告之誤解起因於其不了解系爭案申請專 利範圍第8 項獨立項之實質技術特徵，而引證1 中之不同 長短導線4a、4b、4c均在同一方向上延伸，亦更進一步可 用以肯定其與系爭案申請專利範圍第8 項獨立項係不相同 技術之事實。此外，引證1 第1 圖從3A、3B、3C個別拉到 2A、2B、2C，與系爭案從晶片上拉到基板上對應上並不相 同。又引證2 之第2 圖及第5 圖中之同一焊墊層中相鄰焊 墊之導線實際上長度相近，且近乎平行，顯然並非八字形 。此外，引證3第1圖係針對特殊需求的點採用交叉的方式 ，且引證3之第2、4、6、7圖中所有之導線長度均相近，且 相鄰焊墊之導線之長度更加相近且近乎相互平行；引證4諸 多圖式所示之導線亦是如此，故均不足以證明系爭案申請 專利範圍第8項獨立項不具新穎性或進步性。
2.引證3 之第2 圖中之焊墊5-1 、5-2 僅有兩個相鄰焊墊， 實質上並無系爭案中關鍵之位於同一焊墊層之第三焊墊，
亦無系爭案中之第三導線。在構成要件上，引證3 並不具 有系爭案申請專利範圍第1 項獨立項之技術特徵及其對應 之功效增進者，難謂系爭案申請專利範圍第1項獨立項不具 進步性。
㈢參加人之聲明：
1.系爭案申請專利範圍第8 項之技術特徵僅在於：「導線形 成八字形結構」，其乃是建立在「... ，一第一接觸端， 配置於該基板上並藉一長導線與該第一焊墊耦接；以及一 第二接觸端，配置於該基板上並藉一短導線與該第二焊墊 耦接」等技術條件之下的技術特徵，也唯有在此等條件之 下，可以使得晶片與基板銲墊上連接的導線，不論是長導 線或是短導線，都可以用相同的高度來佈線，卻不會有互 相短路的問題，而改善積體電路因接腳、導線愈來愈多所 導致的體積擴大的問題。而引證1 第1 圖長短導線4a、4b 、4c配置，已經呈現系爭案所主張的「導線形成八字形結 構」。實則，引證1 所揭示者係具有第一、第二、第三焊 墊層之晶片，其焊墊層包括複數焊墊2a，2b，2c，然後透 過長導線4a或短導線4c，而共同的與基板上的接觸端3a、 3b、3c等電性連接。詳言之，引證1 乃是以晶片上內、中 、外三層的焊墊層與基板上同一層的接觸端連接；相對而 言，系爭案所界定之長導線與短導線則係形成於晶片同一 焊墊層上之兩相鄰銲墊，並與基板上的內、中、外不同接 觸端電性連接。系爭案乃是以晶片上同一層的焊墊層與基 板上內、中、外三層的接觸端連接。值得注意的是，引證1 完全沒有揭示、教示或暗示同一焊墊層上之兩相鄰焊墊可 連接到基板上不同層之接觸端，由此可知，引證1 與系爭 案二者間的結構完全不同，其面臨之技術問題點自然也不 相同。且引證1 的佈線不是、亦不能達到系爭案之技術特 徵可以使得晶片與基板間的長、短導線維持等高，並據以 縮小IC體積的目的。至引證4 亦與引證1 的情形相類，皆 未揭露系爭案的整體技術特徵，而只是局部佈線外觀上的 相似。又引證案有些只有2 個相鄰焊墊，而系爭案有3 個 以上的相鄰焊墊。
2.系爭案申請專利範圍第1項之技術特徵僅在於：「該第一導 線係與第二導線交叉設置」，其乃是建立在「... ，一第 一接觸端，配置於該基板上，該第一接觸端係藉一第三導 線與該第三焊墊耦接；以及一第二接觸端，配置於該基板 上，該第二接觸端係藉一第一導線與該第一焊墊耦接並藉 一第二導線與該第二焊墊耦接，」等技術條件之下的技術 特徵。蓋晶片側邊處的第一焊墊層，其所包括的第一焊墊
、第二焊墊及第三焊墊係相鄰設置，且該第一焊墊與第二 焊墊係連接到同一個接觸端（第二接觸端），因此其等不 會有短路、互相電性干擾的考量，因此可以使第一焊墊與 第二焊墊交叉設置，並同時拉開其等與連接到第一接觸端 之第三銲墊的距離，而不至於輕易因為互相接觸而短路， 故可以使得晶片與第一、第二、第三銲墊所連接的導線， 不論是長導線或是短導線，都可以用相同的高度來佈線， 而改善積體電路因接腳、導線愈來愈多所導致的體積擴大 的問題。而引證3 第2 圖6-1 、6-2 已明確揭露出系爭案 所界定：「該第一導線係與第二導線交叉設置」，不僅原 告簡化、曲解系爭案申請專利範圍第1 項的技術特徵，且 引證3 並無如系爭案所述之技術限制「晶片側邊處配置有 彼此相鄰之一第一焊墊層、一第二焊墊層及一第三焊墊層 」、「第一焊墊層包括一相鄰的第一焊墊、一第二焊墊及 一第三焊墊」、以及「第一導線、第二導線及第三導線之 高度約略相等」，因此引證3 第2 圖6-1 、6-2 雖然是交 叉連接到同一銲墊，卻無法也不能達到系爭案所界定之在 「使第一焊墊與第二焊墊交叉設置的同時，可以拉開其等 與連接到第一接觸端之第三銲墊的距離，使得第三銲墊不 會輕易與第一焊墊或第二焊墊接觸，而可以利用同一高度 導線卻又能避免造成短路」的技術特點。且按引證3 專利 說明書之說明，其交叉之導線6-1 及6-2 乃係用以強化導 線之支撐力以防止變形，其目的並非如系爭案所述係用以 加大導線間之間距，以使不同長度的長短導線可以用約略 等高的高度來打線，故引證3 與系爭案不僅整體結構不同 ，達到的技術功能有別，所要解決的技術問題亦自始有別 ，原告所言引證3 已揭露系爭案申請專利範圍第1 項的技 術特徵實無依據。
3.綜上，透過系爭案申請專利範圍第1 項及第8 項（整體的 技術特徵），可以使得晶片與基板銲墊上連接的導線，不 論是長導線或是短導線，都可以用相同的高度來佈線，卻 不會有互相短路的問題，而改善積體電路因接腳、導線愈 來愈多所導致的體積擴大的問題。蓋習知的半導體封裝結 構，在晶片銲墊愈趨多層，以及基板上接觸墊擴增到多層 時，在進行導線佈線時，為避免晶片運作時各信號間的互 相干擾，必須讓各導線保持一定的距離，因此，習知平行 的打線、佈線是以短導線先進行，並且長導線的佈線是高 於短導線的佈線，由於長、短導線並非居於同一高度（為 避免相互干擾短路），因此，也平白的增加了半導體封裝 結構的體積，而不利現今電子元件輕薄短小的需求，而系
爭案就是為解決此等問題所提出的解決方案。原告指稱： ⑴系爭案申請專利範圍第1 項之主要技術特徵僅在於：「 提供導線成交叉設置」；⑵系爭案申請專利範圍第8 項之 主要技術特徵僅在於：「提供導線成八字形設置」。顯然 曲解簡化系爭案的技術特徵，不僅無視於前述系爭案申請 專利範圍整體技術方案的記載，有違申請專利範圍應該整 體觀之的專利要求。同時，原告所謂的：「系爭案僅是提 供導線成交叉或八字形設置」，更無法解釋系爭案所可以 達到簡化打線程序（使長短導線等高），以及使半導體封 裝結構體積縮小的功效增進。
4.引證案皆與系爭案有所不同，已如前述，該等證據既不能 達到系爭案所要達到的功效，也無法解決既有的技術問題 ，僅是外觀上局部的近似，無視申請專利範圍應該整體觀 之的專利要求。原告雖又以進步性之觀點來質疑系爭案專 利性，惟按修正前專利法第98條第2 項規定可知，關於新 型的進步性要求，必須是其既為熟習該項技術者所能輕易 完成，同時也未能增進功效時，才不具備進步性要件，如 果一新型確有功效之增進，縱其屬熟習該項技術者所能輕 易完成，仍得取得新型專利，此為系爭案核准審定時所適 用專利法關於新型與發明專利進步性之要求區別。本件系 爭案其整體的封裝結構設計，在晶片上的相鄰銲墊間與基 板上的不同層接觸端（內、外、中）相連時，透過長、短 導線間的不同配置（交叉或八字形），可以與遠近接觸端 電性相接的長短導線，可以用約略等高的高度來佈線，從 而達到縮小晶片體積的目的，卻又可避免導線過度接近所 引起的短路。就功效增進而言，以系爭案的打線方式已具 有功效的增進，符合新型專利的進步性之要求。 理 由
一、系爭案係於90年6月26日申請專利，被告於91年6月7日審定 准予專利，則系爭案有無應不予專利之原因，應以核准審定 時所適用之自90年10月24日修正公布之專利法為斷。次按凡 對物品之形狀、構造或裝置之創作或改良，而可供產業上利 用者，得依法申請取得新型專利，固為系爭案核准審定時專 利法第97條暨第98條第1項所明定。惟同法第98條第1項第1 款、第2項分別規定：「凡可供產業上利用之新型，無下列 情事之一者，得依本法申請取得新型專利：一、申請前已見 於刊物或已公開使用者。…。」「（第2項）新型係運用申 請前既有之技術或知識，而為熟習該項技術者所能輕易完成 且未能增進功效時，雖無前項所列情事，仍不得依本法申請 取得新型專利。」
二、系爭案於92年1月15日申請修正申請專利範圍，被告認未變 更實質，且為申請專利範圍過廣的修正，經准予修正並據以 審查。因此，本件應依修正後之申請專利範圍審究，應先敍 明。依卷附新型專利說明書之記載，系爭案係： 1.一種具多層焊墊的封裝結構 ，包括：一基板；一晶片，配 置於該基板上，該晶片具一晶片側邊，且該晶片側邊處配置 有彼此相鄰之一第一焊墊層、一第二焊墊層及一第三焊墊層 ，該第一焊墊層包括一第一焊墊、一第二焊墊及一第三焊墊 ，其中，該第一焊墊分別與該第二焊墊及該第三焊墊相鄰設 置；一第一接觸端，配置於該基板上，該第一接觸端係藉一 第三導線與該第三焊墊耦接；以及一第二接觸端，配置於該 基板上，該第二接觸端係藉一第一導線與該第一焊墊耦接並 藉一第二導線與該第二焊墊耦接，其中，該第一導線係與該 第二導線交叉設置，藉以使得該第一導線與該第三導線之間 的距離拉開，且該第一導線、第二導線及第三導線之高度約 略相等。
2.如申請專利範圍第1 項所述之具多層焊墊的封裝結構，其中 該第一焊墊層係一外焊墊層。
3.如申請專利範圍第2 項所述之具多層焊墊的封裝結構，其中 該第一導線、該第二導線與該第三導線之弧高均介於3 密爾 (mil) 至4.5密爾之間。
4.如申請專利範圍第1 項所述之具多層焊墊的封裝結構，其中 該第一焊墊層係一中央焊墊層。
5.如申請專利範圍第4 項所述之具多層焊墊的封裝結構，其中 該第一導線、該第二導線與該第三導線之弧高均介於6.5 密 爾至8.5 密爾之間。
6.如申請專利範圍第1 項所述之具多層焊墊的封裝結構，其中 該第一焊墊層係一內焊墊層。
7.如申請專利範圍第6 項所述之具多層焊墊的封裝結構，其中 該第一導線、該第二導線與該第三導線之弧高均介於13密爾 至15密爾之間。
8.一種具多層焊墊的封裝結構，包括：一基板；一晶片，配置 於該基板上，該晶片具一晶片側邊，且該晶片側邊處配置有 彼此相鄰之一第一焊墊層、一第二焊墊層及一第三焊墊層， 該第一焊墊層包括一第一焊墊及一第二焊墊，其中，該第二 焊墊係與該第一焊墊相鄰；一第一接觸端，配置於該基板上 並藉一長導線與該第一焊墊耦接；以及一第二接觸端，配置 於該基板上並藉一短導線與該第二焊墊耦接，其中，該短導 線係與該長導線形成一八字型結構。
9.如申請專利範圍第8項所述之具多層焊墊的封裝結構，其中
該第一焊墊層係一外焊墊層。
10.如申請專利範圍第9 項所述之具多層焊墊的封裝結構，其中 該短導線與該長導線之弧高均介於3 密爾至4.5 密爾之間。 11.如申請專利範圍第8 項所述之具多層焊墊的封裝結構，其中 該第一焊墊層係一中央焊墊層。
12.如申請專利範圍第11項所述之具多層焊墊的封裝結構，其中 該短導線與該長導線之弧高均介於6.5 密爾至8.5 密爾之間 。
13.如申請專利範圍第8 項所述之具多層焊墊的封裝結構，其中 該第一焊墊層係一內焊墊層。
14.如申請專利範圍第13項所述之具多層焊墊的封裝結構，其中 該短導線與該長導線之弧高均介於13密爾至15密爾之間。三、系爭案係一種具多層焊墊的封裝結構，可包括基板、晶片、 第一接觸端及第二接觸端，晶片與接觸端均配置於基板上， 晶片之側邊處配置有相鄰的第一焊墊及第二焊墊，其中，第 一接觸端可藉第一導線及第二導線分別耦接至第一焊墊及第 二焊墊，佈線時，可將兩導線交叉設置，以增加其與鄰近導 線間的距離。再者，晶片之側邊處亦可包括相鄰的第三焊墊 與第四焊墊，第三焊墊藉短導線與第一接觸端耦接，第四焊 墊藉長導線與第二接觸端耦接，佈線時，可將此長、短導線 調整為八字型結構，以增加兩導線間的距離。因此，系爭案 係於佈線時，將兩導線交叉設置，以增加其與鄰近導線間的 距離，或將長、短導線調整為八字型結構，以增加兩導線間 的距離，以達到降低多層焊墊的封裝結構中各線群的高度， 提高封裝良率。異議理由係主張引證1、2之組合或引證1、2 、3 之組合可證明系爭案申請專利範圍第1 項不具進步性； 引證3 可證明系爭案申請專利範圍第1 項不具新穎性；引證 4 可證明系爭案申請專利範圍第8 項不具新穎性；引證1 、 2 、4 之組合可證明系爭案申請專利範圍第8 項不具進步性 等語。
四、引證1係1997年1月28日公開之日本特開平9-27512號「半導 體裝置」專利案，引證2係1994年10月25日公告之美國第 5,359,227號「LEAD FRAMEASSEMBLY AND METOHD FOR WIRING SAME」專利案，引證3係2000年4月7日公開之日本特開 0000-000000號「半導體裝置」專利案，引證4係2000年2 月 29日公告之美國第6,031,281號「SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE HAVING DUMMY BONDING WIRES」專利案。 引證1為一半導體裝置，其中之基板上設有第1、第2及第3接 觸端，設置在基板上之晶片亦配置有複數相鄰之第1、第2及 第3焊墊，上述之第1、第2及第3接觸端分別以高度不同之第
1、第2及第3導線耦接第1、第2及第3焊墊；引證2為一導線 架組合，其中顯示晶片之不同焊墊分別以高度不同之導線耦 接至基板上之接觸端。相較之下，引證1及2之組合並未揭示 系爭案申請專利範圍第1項之第1及第2導線交叉設置，亦不 具有系爭案申請專利範圍第1項對應可加大第1及第3導線之 間距，並使第1、第2及第3導線約略等高之功效，故引證1及 2之組合不足以證明系爭案申請專利範圍第1項不具進步性。五、引證3為一半導體裝置，其中顯示晶片之相鄰兩焊墊5-1、5- 2以互相交叉之導線6-1及6-2耦接同一接觸端。相較之下， 其相鄰之兩焊墊附近並無系爭案申請專利範圍第1項中與其 相鄰之第3焊墊及第3導線，故引證3無法證明系爭案申請專 利範圍第1項不具新穎性。且其交叉之導線6-1及6-2係用以 強化導線之支撐力以防止變形，並非如系爭案申請專利範圍 第1項係用以加大第1與第3導線之間距，並使各導線約略等 高者，故引證1、2及3之組合仍不足以證明系爭案申請專利 範圍第1項不具進步性。引證4為一具有虛設銲接線之半導體 IC，其中已顯示焊線130e與134係以成八字形方式分別由焊 墊112e及116耦接至接觸端124e，兩焊墊連接至同一接觸端 。但引證4其兩焊墊連接至同一接觸端，與系爭案申請專利 範圍第8項之兩焊墊分別連接至不同接觸端有所不同，引證4 無法證明系爭案申請專利範圍第8項不具新穎性；且焊線134 之設置係用以減少銲線130e於封裝注入成型時所受之外力， 其實質之構形及所產生之功效均與系爭案申請專利範圍第8 項不同，故引證4與引證1、2相關技術之組合仍不足以證明 系爭案申請專利範圍第8項不具進步性，均據原審定載明在 卷，核無不合。
六、原告雖主張引證3之第2圖已明確揭露出在晶片3上之焊墊（ 5-1）、（5-2）係藉由交叉設置之導線（6-1）、（6-2）而 電性連接至接觸端（1b），如此對應於任一熟悉該項技術者 均知，原本相鄰約略呈平行排列之複數導線中，當其中兩條 導線呈現交叉設置時，對應於該呈現交叉設置之導線相鄰側 之導線而言，自然拉開彼此間之距離，進而得以提供呈交叉 設置導線兩側之其餘導線具有較大之設置空間，可與該交叉 導線形成同樣弧形與弧高等等。但查，引證3並無如系爭案 所述之技術限制「晶片側邊處配置有彼此相鄰之一第一焊墊 層、一第二焊墊層及一第三焊墊層」、「第一焊墊層包括一 相鄰的第一焊墊、一第二焊墊及一第三焊墊」、以及「第一 導線、第二導線及第三導線之高度約略相等」。因此，引證 3第2圖6-1、6-2雖然是交叉連接到同一銲墊，但並不能達到 系爭案所界定在「使第一焊墊與第二焊墊交叉設置的同時，
可以拉開其等與連接到第一接觸端之第三銲墊的距離，使得 第三銲墊不會輕易與第一焊墊或第二焊墊接觸，而可以利用 同一高度導線卻又能避免造成短路」的技術特點。又引證3 專利說明書之說明，其交叉之導線6-1及6-2乃係用以強化導 線之支撐力以防止變形，其目的並非如系爭案所述係用以加 大導線間之間距，以使不同長度的長短導線可以用約略等高 的高度來打線，故引證3與系爭案整體結構不同，尚不能認 由引證3 揭示或教示之內容可與其他引證結合，輕易思及系 爭案申請專利範圍第1 項之技術特徵。
七、原告雖再主張引證1之第1圖即明確繪示出配置在基板上之晶 片設有複數焊墊2a，2b，2c，該焊墊2a，2b，2c係可藉由長 導線4a而與基板第一接觸端3a電性連接，以及藉由短導線4c 而與基板第二接觸端3c電性連接。其中之長、短導線4a，4b ，4c即明顯呈現出「八字型」配置，而此完全揭示出系爭案 於申請專利範圍第8項之技術特徵。系爭案所述之「增加兩 導線之間的距離」功效，乃係單純藉由引證案中已揭示之將 原二平行設置導線之一端間隔加大而形成八字型結構來達成 ，此乃為熟習該項技術者可輕易的憑據如引證1至4等先前技 術、或經由邏輯分析、推理或試驗而完成者，實不具功效特 點。且引證1之第1圖，引證2之第1、第5圖、引證3之第2、
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