臺北高等行政法院判決
95年度訴字第2346號
原 告 日月光半導體製造股份有限公司
代 表 人 甲○○
訴訟代理人 陳森豐律師
被 告 經濟部智慧財產局
代 表 人 蔡練生（局長）住同上
訴訟代理人 丙○○
參 加 人 乙○○
訴訟代理人 丁○○專利代理人
上列當事人間因發明專利異議事件，原告不服經濟部中華民國95
年5 月12 日 經訴字第09506167990 號訴願決定，提起行政訴訟
，經本院命參加人獨立參加訴訟，本院判決如下：
主 文
原告之訴駁回。
訴訟費用由原告負擔。
事 實
一、事實概要：
原告前於90年3 月9 日以「具有倒角之晶片及其製程」向被 告申請發明專利，經其編為第00000000號審查，嗣原告於91 年7 月18日修正專利說明書，並修正發明名稱為「具有倒角 之晶片」（下稱系爭案），被告依該修正本審查，准予專利 。公告期間，參加人以其違反核准審定時專利法第20條第1 項第1 款及第2 項規定，不符發明專利要件，對之提起異議 ，案經被告審查，於94年9 月27日以（94）智專三( 二)040 66字第09420887320 號專利異議審定書為「異議成立，應不 予專利」之處分。原告不服，提起訴願，經遭駁回，遂向本 院提起行政訴訟。
二、兩造聲明：
㈠原告聲明：
1.訴願決定及原處分均撤銷。
2.訴訟費用由被告負擔。
㈡被告聲明：
1.駁回原告之訴。
2.訴訟費用由原告負擔。
㈢參加人聲明：
1.駁回原告之訴。
2.訴訟費用由原告負擔。
三、兩造之爭點：
系爭案是否有違核准審定時專利法第20條第2 項之規定，不 符發明專利要件，而應予以撤銷？
㈠原告主張之理由：
1.本件訴願駁回決定之理由，不僅未就原告所提之主張、立 論加以駁斥或提出任何說明，卻僅是完全照抄、沿用原處 分機關之處分理由，並且其推理邏輯簡單跳躍、理由構成 亦有違專利審查基準之規定：
⑴本件訴願理由雖以「系爭案乃為熟悉該項技術者運用引 證2 （1993年12月10日公開之日本特開平0-000000號「 半導体裝置」專利案）之晶片倒角結構與引證3 （1998 年8 月11日公告之美國第0000000 號「SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT HAVING A PLURALITY OF SEMICON DUCTOR CHIPS」專利案之封裝結構之技術加以組合所能 輕易完成」為由，否定系爭案之進步性，惟該訴願決定 理由卻僅完全照抄、沿用原處分之理由構成，並且完全 未予說明何以引證2 與引證3 可以做如此的組合，以獲 得系爭案之技術特徵，其不僅無視原告於訴願書中所力 陳之組合先前技藝以否准專利申請案之限制與法理，亦 顯然有悖於專利審查基準之要求。
⑵凡一發明之內涵必皆根基於利用現有之技術加以組合或 應用，其是否具備進步性之關鍵在於其組合是否屬「輕 易完成」，或是此領域之人士是否「可輕易組合成」此 專利發明而定，並非一專利案之內容可以分別見諸於不 同文獻，即可認定其乃屬可輕易完成：
①依被告頒佈之專利審查基準第1-2-20頁，故判斷發明 之進步性時，雖然可以組合先前技術來為之，但判斷 的重點並非在於其是否有組合先前技術的事實，而是 其組合先前技術的過程，以熟習該項技術者而言，是 否為可以輕易完成。
②蓋以最近的創新研究「TRIZ發明理論簡說」為例，其 研究內容即明白指出90% 以上我們所面對的問題，都 可以透過現存既有的其他領域的知識來獲得。簡言之 ，所謂的創新、發明幾乎都是或可以根源於現有既存 的技術來加以組合、應用而獲得，因此，如果對一發 明之技術內容，可以其各部分之特徵乃散見於不同之 先前技藝文獻，即認其不具進步性，則將無任何發明 可以取得專利，因此，前揭專利審查基準第1-2-20頁 中關於文獻組合之注意事項(1) 中乃明白表示：「應 假設熟習該項技術者，如遭遇申請專利發明所欲解決 之問題時，是否能輕易組合所引證之文獻之技術內容
，以解決該問題。」。
③關於組合先前技藝之內容來主張一發明是屬於輕易完 成，國內法令實務中僅專利審查基準第1-2-20頁中有 抽象規定，然而，如何判斷其組合是否屬輕易完成， 卻未有進一步之說明。依據先進國家之專利實務以及 從實際進行發明、研發的過程來看，用以論據一專利 案不具進步性的先前技藝組合，其等必須是與該發明 有一定程度的相關連，而足以誘使發明人會去參考， 才能當作是相關的證據來認定一發明不具進步性，其 理由正如前述「TRIZ發明理論簡說」所稱，90% 以上 我們所面對的技術問題，都可以透過現存既有的其他 領域的知識來獲得，因此，美國專利實務在判斷一發 明專利性的時候，也限定先前技術必須是與該發明所 欲解決之問題目的相關連，足以誘使發明人加以參考 之先前技藝，才可用以組合性地否定該發明之專利性 ，因為，只有與系爭專利發明有一定關連的先前技術 ，發明人在創作其發明時才可能將其列入參考。簡言 之，如果一先前技術與一發明，既無相同的發明目的 ，或是並非為解決相關的技術問題，其自不足以吸引 發明人在研發過程中去參酌此等先前技藝，因此自然 不能天馬行空、毫無限制的以現存世界中的所有各別 技術特徵，來組合此一發明，並據以認定其不具進步 性，此等觀點，不僅為科學創新所必然之理，亦為我 國前揭專利審查基準不得有「後見之明」與前述美國 專利實務所支持。
⑶引證2 、引證3 之發明目的、所要解決的技術問題，皆 與系爭案南轅北轍、不相關連，熟習此領域之技藝人士 ，為解決系爭案所針對之技術問題，並沒有任何誘因去 參酌引證2 、3 ，如何能謂可以「輕易組合」引證2 、 3 ，以獲得系爭案之發明：
①引證2 之導角其形狀、特徵以及其技術原理皆與系爭 案有所不同，甚至互相違背，自無可能參酌或以組合 引證2 之技術來獲得系爭專利，原告茲謹詳細說明如 下：
系爭案發明主要在於解決IC晶片透過黏附材料，例 如環氧樹脂或銀膠，貼附於基板上時，通常會使塗 佈的黏著材料超出晶片的邊緣並攀附至晶片的主動 表面上，而污染IC晶片主動表面的技術問題。系爭 案乃係利用在晶片上緣形成倒角，使晶片背面之黏 附材料無法沿著晶片之週邊往上攀附延伸而污染晶
片主動表面（參系爭案之圖示，第3 圖、第4 圖） ，而為確實避免黏附材料透過表面張力之作用而沿 著晶片邊緣往上攀附到晶片主動表面，晶片之倒角 必然不能是圓滑、曲面的，而必須是具有稜角的形 狀以間隔晶片之週邊與其主動表面。
反觀引證2 之技術，其目的乃在解決IC晶片與其包 覆之封膠樹脂，在IC封裝過程中，因為樹脂與IC晶 片之材質不同，會因不同之物理條件例如溫度，使 封膠材料與IC晶片形成不同程度之熱漲冷縮，而產 生應力集中，從而使封裝體破裂之問題，因此，引 證2 發明係藉施加C 形或R 形倒角（C 或R 形導角 乃指讓切割形成之處為曲面）於IC晶片上表面之週 邊，來免除或分散封膠樹脂接觸IC晶片上表面之週 邊所產生之應力集中，因此，其切割晶片之轉動刀 具5 （dicer ）亦係呈C 形或R 形倒角之形狀，使 得在進行晶圓切割時，沿著切割線，可以形成C 形 或R 形倒角在晶圓上之IC晶片1 上表面之週邊。詳 言之，引證2 主要係藉將晶片上緣之角落尖端平滑 化（切割處係呈C 或R 形的曲面，參其圖1 、圖2 ），而減輕或避免應力集中之現象，引證2 之C或R 形之倒角曲面，不僅與系爭案之倒角必須是具有稜 角的形狀以間隔晶片之週邊與其主動表面有所不同 ，並且以引證2 之C 或R 形之倒角曲面，由於其平 滑柔曲，根本完全無法阻擋或避免半導體裝置中， 黏附材料透過表面張力之作用而沿著晶片邊緣往上 攀附到晶片主動表面的現象，此乃人所熟知之一般 技術原理。
國際上專利制度先進之國家，例如美國，在判斷發 明進步性而參考先前技藝時，有所謂之「teach away」之概念，亦即，如果一先前技藝其所教導、 揭示之技術明顯無法達到系爭專利之發明目的時， 該等先前技藝則不足（原告漏載“不足”二字）論 究該系爭專利不具進步性，如上所述，引證2 雖似 有相類系爭案之外觀（引證2 之IC晶片上緣切割有 凹陷），然引證2 一則其目的是為避免IC晶片之應 力集中現象所引起之晶片破壞，而與系爭案為解決 IC晶片被黏附材料污染之問題有所不同；再者，被 告所謂引證2 之「倒角」，其實是C 或R 形之曲面 ，其形狀必須平滑柔曲，才可達到避免應力集中的 現象，而與系爭案之倒角必須是具有稜角的形狀以
間隔晶片之週邊與其主動表面截然不同；第三，引 證2 由於其所謂之「倒角」是C 或R 形之曲面，因 此在半導體裝置中，黏附材料透過表面張力之作用 而沿著晶片邊緣往上攀附時，順著此柔順曲面剛好 可以攀附而上到IC晶片之主動表面，完全無法達到 系爭案之發明目的。因此，即便引證2 在晶片上亦 有所謂之凹陷或倒角，其作用、功能乃是與系爭案 完全不同。
綜上，引證2 之發明目的與系爭案為解決IC晶片被 黏附材料污染之問題自不會加以參酌。並且，引證 2 所謂之「倒角」，其實是C 或R 形之平滑柔曲的 曲面，也與系爭案具有稜角的形狀之倒角以間隔晶 片之週邊與其主動表面，截然不同。尤有甚者，引 證2 由於其「倒角」是C 或R 形之曲面，而無法阻 止黏附材料透過表面張力而往上攀附污染晶片主動 表面。凡此皆足證引證2 不足以論究系爭案不具進 步性。
②引證3 是為解決多晶片封裝時，不同晶片間在封裝過 程中互相擠壓所造成的破壞問題，此與系爭案要解決 之問題點：「避免在將晶片黏附於承載器（例如基板 或導線架）時，黏著材料因為表面張力的作用，而沿 著晶片邊緣而往上攀附，致污染晶片表面之問題」亦 完全無涉。
③如前所述，作為一個用以核駁一發明進步性的先前技 術，必須是與該發明有一定程度的關連，以誘使或可 合理地認定發明人可以期待地會參考到此等先前技術 方可，並非天南地北、無所設限的在現在世界中既存 的知識皆可用以拼湊、組合一發明，而以事後之明的 方式謂其不具進步性。引證2 及引證3 之發明目的、 所要解決的技術問題，皆與系爭案南轅北轍、不相關 連，為解決系爭案所面臨之技術問題，正常而言，熟 習此技術領域之人士，並不會也不可期待其會去參考 引證2 及3 。
2.綜上所述，引證2 與引證3 在發明目的、解決的技術問題 上皆與系爭案完全不同，亦皆與系爭案在所解決的技術問 題上不相關連，正常而言，熟習此技術領域之人士，並不 會也不具期待可能性其會去參考引證2 與引證3 。則原處 分以引證2 與引證3 為基礎來拼湊、組合系爭案之發明， 而有違前揭專利審查基準：「判斷一發明是否具備進步性 要件，其依據之技術水平或標準，應以熟習該項技術者之
觀點，作客觀之判斷」之要求，原處分（審查人員）在得 知發明之技術內容後，以主觀的角度作後見之明的評價， 其違法不當，至為顯然。
㈡被告主張之理由：
1.系爭案所揭示為一種具有倒角晶片，適於貼附於一晶片座 表面，該具有倒角晶片係以一黏著材料貼附於該晶片座表 面，該具有倒角晶片包括：一主動表面，該主動表面之邊 緣具有一倒角；以及一背面，該背面藉由該黏著材料貼附 於該晶片座表面，且該黏著材料佈滿該背面至該具有倒角 晶片邊緣，藉由該倒角之邊緣阻礙該黏著材料往上攀附而 超過該倒角之邊緣。引證2 之圖1 及圖2 所揭示利具有傾 斜角度之切刀5 、6 進行晶圓切割，使形成有晶片於切割 後主動表面上形成倒角1a、1b，以及引證3 所揭示為半導 體裝置90A 係在導線架上彼此堆疊複數個半導體晶片11A 、11B 、11C 、12A 、12B 、12C ，並利用複數條導線3A 、3B、3C、4A、4B、4C以電性連接該些晶片之主動表面與 該導線架之導腳5 ，藉由封裝材料以包覆晶片及導線，系 爭案所揭示技術特徵，熟悉該項技術者可藉由引證2 所揭 示之晶片倒角結構結合引證3 所揭示封裝結構輕易思及而 完成，難謂系爭案具有進步性。
2.系爭案各該附屬項或為界定該倒角與該主動表面之夾角角 度為30度至60度及45度；或為界定黏著材料為環氧樹脂及 銀膠，分別為熟習該項技術者藉由引證2 改變切刀傾斜角 度及引證3 封裝結構所能輕易完成，故系爭案各該附屬項 亦均不具進步性。
㈢參加人主張之理由：
1.依據系爭案審定當時專利法第20條第2 項有關「進步性」 之規定意旨，故申請專利之發明為運用申請當日之前既有 之技術或知識以完成者，如該發明為熟習該項技術者之一 般技術知識所能輕易完成者，即不具進步性。關於專利法 前條項規定之解釋，參閱專利審查基準第1-2-19頁所述， 則明顯可知，就其有關「進步性」之規定中，於進步性判 斷中能否組合運用先前既有之技術或知識而輕易完成系爭 專利內容，並非以發明目的及所要解決的技術問題是否一 致為必要條件，是以原告所述並不足採。
2.再者，參閱專利審查基準第1-2-19及1-2-20頁「判斷進步 性之基本原則」之第3 點，故申請專利之發明若為習知技 術之結合或選用( 依據發明所屬技術領域及申請專利當時 之技術水準) ，且該等習知技術之組合與選用並無待克服 之困難點，則應視為熟習該項技術所能輕易完成而不具專
利要件之進步性。是以，就引證2 及引證3 而言，其均與 系爭案同為半導體封裝之技術領域，且該引證2之申請日 為1992年5 月22日，引證3之申請日為1996年5 月25日， 相對於系爭案申請專利當時( 申請日2001年3 月9 日) ， 早為習用已知之技術水準。因此，對於熟悉該項技術者而 言，本可運用引證2 之晶片倒角結構與引證3 之封裝結構 之技術並加以結合而無須克服任何困難度，即可輕易完成 系爭案之內容，再次說明系爭案不具進步性。
3.我國專利審查基準第1-2-20頁關於文獻組合之注意事項內 容，其重點應為：當遭遇申請專利發明所欲解決的問題時 ，對於熟習該項技術者(亦即申請專利當時知道該發明所 屬技術領域之既有技術及知識之人，其可依據既有之技術 或知識之基礎，經由邏輯分析、推理或試驗而得之技術手 段，並發揮一般創作能力，使當時該發明所屬技術領域之 技術水準，化為其本身之知識的人) ，能否輕易組合( 不 能超越熟習該項技術者所可預期的技術上的一般發展，且 單單可由先行技術推論而組合者) 所引證之文獻之技術內 容來解決問題，而非探究用以論究系爭案不具專利要件之 引證文獻與系爭申請專利發明是否須同為解決相同的技術 問題。
4.引證2 中所載之『C 面取加工』、『R 面取加工』，非原 告所稱之C 形或R 形的倒角( 曲面倒角) 加工，而事實上 『C 面取加工』係為『倒角加工』，『R 面取加工』係為 『倒圓角加工』，其中英文字母C 係為『chamfer(倒角) 』之簡寫，而英文字母R 則為『round(倒圓角) 』之簡寫 ，非原告所稱之C 形或R 形倒角。是以，引證2 中所載之 C 面取加工，即為系爭案中所稱之倒角加工，而一般所謂 之倒角即如原告所述係具有稜角( 兩條線之間是以通過直 線連接的) ；相對地，R 面取加工則為倒圓角加工，係為 光滑的( 兩條線之間是光滑過渡的) ，此係為機械切割技 術者所熟知之技術內容，故所謂C 面取加工之側面與頂面 間係呈現為稜形，而R 面取加工才為圓滑形。況且，引證 2 之圖1 所顯示之倒角形成本為稜形，而圖2 才為圓曲面 ，非原告所稱之皆為圓曲狀。因此，引證2確已明確揭示 出系爭案在晶片邊緣形成具稜形之倒角結構之技術內容。 5.系爭案之技術特徵確為熟習該項技術者所能輕易完成，此 亦為原告所自承：
原告於補充理由狀中所載：「C 或R 形之倒角曲面，由於 其平滑柔曲，根本完全無法阻擋或避免半導體裝置中，黏 附材料透過表面張力之作用而沿著晶片邊緣往上攀附到晶
片主動表面的現象，此乃人所熟知之一般技術原理」。相 對的，當倒角非呈曲面時，即可阻擋或避免半導體裝置中 ，黏附材料透過表面張力之作用而沿著晶片邊緣往上攀附 到晶片主動表面的現象，此亦為人所熟知之一般技術原理 。亦即，系爭案申請專利範圍第1 項之技術特徵，本即為 人所熟知之一般技術原理。因此，在引證2 揭示出具稜形 倒角(chamfer) 之晶片，及引證3(如其第13圖) 揭示出將 晶片111 透過一黏著材料171 黏著於導線架晶片座101 等 技術內容，本可為熟知一般技術原理之人輕易結合引證2 及引證3 之內容而思及完成系爭案所稱「藉由該倒角之邊 緣阻礙該黏著材料往上攀附而超過該倒角之邊緣」之特徵 ，而令系爭案不具進步性。
6.系爭案申請專利範圍所揭示之技術內容，確已為引證案等 習知技術所揭示而不具進步性：
系爭案申請專利範圍之主要技術特徵依原告所述係在「藉 由黏附材料貼附於晶片座表面，且該黏著材料佈滿該晶片 背面至該具有倒角晶片邊緣，藉由該倒角之邊緣阻礙該黏 著材料往上攀附而超過該倒角之邊緣」。惟系爭案專利說 明書第3 、4 頁及其圖式第1 圖中已自承：「第1 圖係為 一種習知封裝結構的剖面圖。如第1 圖所示，首先提供一 承載器，例如導線架，用以承載晶片104 …承載器具有數 個導腳( 未示出) 與一晶片座106 。晶片104 係藉由黏著 材料102 以其背面貼附於晶片座106 上。當晶片104 黏附 於晶片座106 時，通常會先在晶片座106 欲黏附晶片104 的貼附區域110內塗上黏著材料102 ，然後將晶片104 的 背面貼附其上…為確保晶片104 與該貼附區域110 之間佈 滿黏著材料102 ，通常會使塗佈的黏著材料102 超出晶片 104 的邊緣，如第1 圖102a所示」。亦即系爭案所自承之 習知技術已揭示出：「藉由黏附材料貼附於晶片座表面， 且該黏著材料佈滿該晶片背面至該晶片邊緣」。況且，引 證3 亦已揭示晶片透過一黏著材料接置於晶片座上。再者 ，引證2 已揭示用以接置於晶片座上之晶片邊緣形成導角 結構，因此，該系爭案申請專利範圍中之特徵，確已為引 證2 、3 及系爭案所自承之習知技術所揭示，本可由熟悉 該項技術者輕易結合引證2 、3 及系爭案所自承之習知技 術而輕易完成，實不具進步性。
7.對於熟習該項技術者如遭遇系爭案所欲解決的問題時，本 可輕易組合引證案等習知技術內容而解決該問題： 系爭案所欲解決之問題係為：晶片透過黏著材料而貼附於 晶片座時，通常會使塗佈的黏著材料超出晶片的邊緣並攀
附至晶片主動表面上，而污染晶片主動表面。惟如同原告 所述，系爭案之解決技術手段係在：「系爭案乃係利用在 晶片上緣形成倒角，使晶片背面之黏附材料無法沿著晶片 之週邊往上攀附延伸而污染晶片主動面，而為確實避免黏 附材料透過表面張力之作用而沿著晶片邊緣往上攀附到晶 片主動表面，晶片之倒角必然不能是圓滑、曲面的，而必 須是具有稜角的形狀以間隔晶片之週邊及其主動表面」。 亦即系爭案欲解決習知問題之技術手段僅是將：『具倒角 之晶片取代原先不具倒角之晶片而黏附於晶片座上』，而 此本即為引證2所揭示之技術手段。況且，原告於補充理 由狀中自承：「C 或R 形之倒角曲面，由於其平滑柔曲， 根本完全無法阻擋或避免半導體裝置中，黏附材料透過表 面張力之作用而沿著晶片邊緣往上攀附到晶片主動表面的 現象，此乃人所熟知之一般技術原理」。亦即，熟悉一般 技術原理者本即知，當採用具有非呈曲面倒角之晶片，即 可阻擋或避免半導體裝置中，黏附材料透過表面張力之作 用而沿著晶片邊緣往上攀附到晶片主動表面的現象。因此 ，綜前所述，對於熟習該項技術者，如遭遇系爭案所欲解 決有關塗佈的黏著材料超出晶片的邊緣並攀附至晶片主動 表面上，本可藉由一般邏輯分析、推理而以引證2所揭示 具稜形倒角之晶片，來間隔晶片之週邊及其主動表面，阻 止黏附材料透過表面張力之作用而沿著晶片邊緣往上攀附 到晶片主動表面，以輕易解決該問題。
理 由
一、系爭案申請日為90年3月9日，被告於91年8月14日審定准予 專利，則系爭案有無應不予專利之情形，自應以核准審定時 之90年10月24日修正公布之專利法為斷。按凡利用自然法則 之技術思想之高度創作，而可供產業上利用者，得依法申請 取得發明專利，固為前揭專利法第19條暨第20條第1 項前段 所規定。惟其發明如「係運用申請前既有之技術或知識，而 為熟習該項技術者所能輕易完成時」，仍不得依法申請取得 發明專利，復為同法第20條第2 項所明定。系爭案於92年3 月6 日修正申請專利範圍，經被告審核認與審定公告本相較 ，未變更實質，且為申請專利範圍過廣之修正，符合90年10 月24日修正公布之專利法第44條之1 第4 項第1 款之規定而 依修正本審查。因此，本件應依修正後之申請專利範圍審究 。
二、依卷附專利說明書之記載，其申請專利範圍為：1.一種具有倒角晶片，適於貼附於一晶片座表面，該具有倒角晶 片係以一黏著材料貼附於該晶片座表面，該具有倒角晶片包括
：一主動表面，該主動表面之邊緣具有一倒角；以及一背面， 該背面藉由該黏著材料貼附於該晶片座表面，且該黏著材料佈 滿該背面至該具有倒角晶片邊緣，藉由該倒角之邊緣阻礙該黏 著材料往上攀附而超過該倒角之邊緣。
2.如申請專利範圍第1 項所述之具有倒角晶片，其中該倒角與該 主動表面之夾角介於30度~60 度。
3.如申請專利範圍第1 項所述之具有倒角晶片，其中該倒角與該 主動表面之夾角為45度。
4.如申請專利範圍第1 項所述之具有倒角晶片，其中該黏著材料 包括環氧樹脂。
5.如申請專利範圍第1 項所述之具有倒角晶片，其中該黏著材料 包括銀膠。
6.一種半導體封裝，包括：一承載器，該承載器具有一晶片座及 複數個接點；一晶片，配置於該晶片座表面，該晶片具有一主 動表面及對應的一背面，該主動表面之邊緣具有一倒角；一黏 著材料，該晶片之該背面藉由該黏著材料貼附於該晶片座表面 ，且該黏著材料佈滿該背面至該晶片之邊緣，藉由該倒角之邊 緣阻礙該黏著材料往上攀附而超過該倒角之邊緣；複數條導線 ，分別電性連接該些接點及該晶片之該主動表面；以及一封裝 材料，包覆該晶片及該晶片與該承載器連接的部分。7.如申請專利範圍第6 項所述之半導體封裝，其中該倒角與該主 動表面之夾角介於30度~60 度。
8.如申請專利範圍第6 項所述之半導體封裝，其中該倒角與該主 動表面之夾角為45度。
9.如申請專利範圍第6 項所述之半導體封裝，其中該黏著材料包 括環氧樹脂。
10.如申請專利範圍第6 項所述之半導體封裝，其中該黏著材料 包括銀膠。
11.一種半導體封裝，包括：一承載器，該承載器具有一晶片座 及複數個接點；複數個晶片，彼此堆疊配置於該晶片座表面 ，每一該些晶片具有一主動表面及對應的一背面，其中該主 動表面之邊緣具有一倒角；一黏著材料，分別配置於相鄰之 該些晶片之間，及位於底部之該晶片與該晶片座之間，該黏 著材料佈滿該些晶片之該些背面至該些晶片邊緣，藉由該倒 角之邊緣阻礙該黏著材料往上攀附而超過該倒角之邊緣；複 數條導線，分別電性連接該些接點及該些晶片之該些主動表 面；以及一封裝材料，包覆該些晶片及該些晶片與該承載器 連接的部分。
12.如申請專利範圍第11項所述之半導體封裝，其中該倒角與對 應之該主動表面之夾角介於30度~60 度。
13.如申請專利範圍第11項所述之半導體封裝，其中該倒角與對 應之該主動表面之夾角介於45度。
14.如申請專利範圍第11項所述之半導體封裝，其中該黏著材料 包括環氧樹脂。
15.如申請專利範圍第11項所述之半導體封裝，其中該黏著材料 包括銀膠。
三、參加人所提異議證據計有：附件2及6為2002年5月17日公開 之日本特開0000-000000號「半導体裝置」專利案及其說明 書部分摘譯本（即引證1）；附件3為1993年12月10日公開之 日本特開平0-000000號「半導体裝置」專利案（即引證2） ；附件4為1998年8月11日公告之美國第0000000號「 SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT HAVING A PLURALITY OF SEMICONDUCTOR CHIPS」專利案（即引證3）；附件5為89 年1月24日申請、90年10月1日審定公告之第00000000號「多 晶片封裝構造」發明專利案（即引證4）。參加人異議理由 係以引證1 至引證4 主張系爭案有違前揭專利法第20條第1 項第1 款及第2 項之規定。經查，引證1 及引證4 公開日期 在系爭案申請日之後，非屬系爭案申請前已公開之技術，不 能作為系爭案不具新穎性或進步性之依據，應先敘明。四、系爭案係針對半導體封裝製程，習知晶片之貼附步驟係利用 黏著材料將晶片黏附於承載器上，並通常需確定晶片與承載 器貼附區域之間完全塗滿黏著材料並且使黏著層達到足夠厚 度，但由於黏著材料需要超出晶片邊緣，因此超出晶片的黏 著材料會藉由表面張力的作用而沿著晶片的側面慢慢往上攀 附，甚至累積到晶片的主動表面，造成晶片的污染。系爭案 係提供一種具有倒角的晶片，包括一主動表面及一背面，其 中主動表面之邊緣具有一倒角，而背面則藉由黏著材料貼附 於晶片座的表面上。系爭案係籍由晶片主動表面之邊緣具有 一倒角之設計，使黏著材料沿晶片的側邊往上攀附超越倒角 與主動表面接合的邊緣之表面張力作用不足，以達到防止黏 著材料污染晶片之主動表面的目的。經查，引證2 係一半導 體裝置之發明，其係於以樹脂3 封裝IC晶片1 ，將IC晶片的 上面周圍施以C 倒角加工或R 倒角加工，以防足發生樹脂裂 縫，從而防止導線的斷線。引證2 之圖1 及圖2 已揭示具有 傾斜角度之切刀進行晶圓切割，使形成有晶片於切割後主動 表面上形成倒角，其中圖1 係直線倒角，圖2 則係曲線倒角 ；引證3 所揭示半導體裝置係在導線架上彼此堆疊複數個半 導體晶片，並利用複數條導線以電性連接該些晶片之主動表 面與該導線架之導腳，藉由封裝材料以包覆晶片及導線。系 爭案與引證2 及3 相較，系爭案申請專利範圍第1 項所揭示
該具有倒角晶片係以一黏著材料貼附於該晶片座表面及該晶 片之主動表面具有倒角結構分別雖未見於引證2 及3 ，引證 2 或引證3 不能證明系爭案不具新穎性。惟經由引證2 之圖 1 已揭示於半導體裝置中具有傾斜角度之切刀進行晶圓切割 ，使形成有晶片於切割後主動表面上形成直線倒角之技術內 容，則熟習該項技術者可藉由引證2 之晶片倒角結構結合引 證3 之封裝結構輕易完成系爭案申請專利範圍第1 項之技術 內容，自難謂具進步性。
五、原告雖主張引證2、引證3之發明目的、所要解決的技術問題 ，與系爭案南轅北轍、不相關連，引證2 之導角其形狀、特 徵以及其技術原理皆與系爭案有所不同，甚至互相違背，自 無可能參酌或以組合引證2 之技術來獲得系爭專利，熟習此 領域之技藝人士，為解決系爭案所針對之技術問題，並沒有 任何誘因去參酌引證2 、3 ，如何能謂可以「輕易組合」引 證2 、3 ，以獲得系爭案之發明等等。但查，系爭案面臨黏 著材料需要超出晶片邊緣，惟超出晶片的黏著材料會藉由表 面張力的作用而沿著晶片的側面慢慢往上攀附，甚至累積到 晶片的主動表面，造成晶片的污染之問題時，由於倒角之設 計可阻擋或避免半導體裝置中，黏附材料透過表面張力之作 用而沿著晶片邊緣往上攀附到晶片主動表面的現象。則基於 引證2 於半導體裝置領域已揭露晶片可施以直線型倒角之習 知技術，該項技術領域具有通常知識者藉由一般邏輯分析、 推理而以引證2 所揭示具直線倒角之晶片，應用於半導體之 封裝領域，而與引證3 之技術內容組合，自屬可輕易完成。 原告主張對於熟習該項技術者，不能輕易組合引證2 、引證 3 之技術內容一節，並非可採。
六、系爭案申請專利範圍第6項揭示一種半導體封裝，包括：一 承載器，該承載器具有一晶片座及複數個接點；一晶片，配 置於該晶片座表面，該晶片具有一主動表面及對應的一背面 ，該主動表面之邊緣具有一倒角；一黏著材料，該晶片之該 背面藉由該黏著材料貼附於該晶片座表面，且該黏著材料佈 滿該背面至該晶片之邊緣；複數條導線，分別電性連接該些 接點及該晶片之該主動表面；以及一封裝材料，包覆該晶片 及該晶片與該承載器連接的部分。引證2及引證3雖未全部揭 示系爭案申請專利範圍第6項之全部技術內容，不能證明其 不具新穎性，但其主要仍在藉由該倒角之邊緣阻礙該黏著材 料往上攀附而超過該倒角之邊緣之技術特徵，依前述第1項 申請專利範圍論述之同一理由，此亦為結合引證2圖1已揭示 於半導體裝置中具有傾斜角度之切刀進行晶圓切割，使形成 有晶片於切割後主動表面上形成直線倒角之技術內容，與引
證3之封裝結構所能輕易完成，亦不具進步性。七、系爭案申請專利範圍第11項所揭示之承載器、複數個具有倒 角之晶片彼此堆疊配置並以一黏著材料貼附於該晶片座表面 及該晶片之主動表面具有倒角結構，分別未見於引證2及3中 ，固具新穎性，惟其所界定半導體封裝，包括：一承載器， 該承載器具有一晶片座及複數個接點；複數個晶片，彼此堆 疊配置於該晶片座表面，每一該些晶片具有一主動表面及對 應的一背面，其中該主動表面之邊緣具有一倒角；一黏著材 料，分別配置於相鄰之該些晶片之間，及位於底部之該晶片 與該晶片座之間，該黏著材料佈滿該些晶片之該些背面至該 些晶片邊緣；複數條導線，分別電性連接該些接點及該些晶 片之該些主動表面；以及一封裝材料，包覆該些晶片及該些 晶片與該承載器連接的部分。主要仍在上述倒角之設計，藉 由該倒角之邊緣阻礙該黏著材料往上攀附而超過該倒角之邊 緣。依前述第1項申請專利範圍論述之同一理由，此亦為結 合引證2圖1已揭示於半導體裝置中具有傾斜角度之切刀進行 晶圓切割，使形成有晶片於切割後主動表面上形成直線倒角 之技術內容，與引證3之封裝結構所能輕易完成，亦不具進 步性。
八、另系爭案申請專利範圍第2項界定第1項具有倒角晶片，其中
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