。
⒎第查，系爭案修正前之申請專利範圍第1項為：一種晶片 封裝結構，至少包括：a.一印刷電路基板，該印刷電路基 板包括一圖案化線路結構體及1絕緣結構體，該圖案化線 路結構體交錯於該絕緣結構體之間；b.複數個導腳，排列 於該印刷電路基板的邊緣，並與該印刷電路基板電性連接 ；c.至少一晶片，該晶片固定於該印電路基板上，並與該 印刷電路基板電性連接；以及d.一封裝材料，包覆該晶片 、該印刷電路基板、該些導腳靠近該印刷電路基板的部份 ，e.其特徵在於，該絕緣結構體係由高分子聚合物所形成 。簡言之，系爭案修正前之申請專利範圍第1項共包括a. b.c.d.e等五個限制要件。至系爭案修正後之申請專利範 圍第1項，則為：一種晶片封裝結構，至少包括：a.e.一 印刷電路基板，該印刷電路基板包括一圖案化線路結構體 及一絕緣結構體，該圖案化線路結構體交錯於該絕緣結構 體之間，其中該絕緣結構體係由高分子聚合物所形成；b. 複數個導腳，排列於該印刷電路基板的邊緣，並與該印刷 電路基板電性連接；c.至少一晶片，該晶片固定於該印電 路基板上，並與該印刷電路基板電性連接；f.一被動元件 ，配置於該印刷電路基板及該些導腳其中之一，並與其電 性連接；以及d.一封裝材料，包覆該晶片、該印刷電路基 板、該些導腳靠近該印刷電路基板的部份及該被動元件。 簡言之，系爭案修正後之申請專利範圍第1項共包括a.b.c .d.e.f.等六個限制要件，亦即，其是由修正前之獨立項 申請專利範圍第1項與第6項附屬項申請專利範圍合併，以 形成一新的獨立項，本屬專利審查基準中所列示的限縮申 請專利範圍態樣之一，自為法所認許。綜合言之，參加人 於91年10月25日對系爭案所為之申請專利範圍修正，其內 容皆為專利說明書（申請專利範圍）原所記載、包括的範 圍，自然沒有超出原專利說明書所記載範疇，而非變更申 請案之實質；並且，該等申請專利範圍的修正乃是增加一 個限制要件f，而屬申請專利範圍的減縮，自無申請專利 範圍擴張之情事。參加人此申請專利範圍之修正本為法之 所允，原告指陳被告准予修正之決定顯有裁量權之濫用， 實屬無據。
⒏申請專利範圍的描述，因不同技術領域間之技術特色有所 不同，所需求之描述或理解方式亦有所別，故而產生多種 不同之描述、撰寫類型。在此之吉普森式申請專利範圍（ Jepson-type claim），係於申請權利範圍前言描述一已 知之裝置或製程的所有要件或部分要件，其後始以「其改
良之部分在於」或「其特徵在於」等轉折連接詞，特別指 出其改良之技術所在。承上述，所謂吉普森式申請專利範 圍乃允許將申請專利發明中所包含的屬於先前技術的限制 要件利用前言（preamble）來表示，然而，這樣一個記載 系爭案的相關先前技術或背景的申請專利範圍前言，是否 應該也屬於該申請專利範圍的其中一個限制要件？首先以 專利先進國家美國專利司法實務為例，在Rowe v.Dror1案 中，美國聯邦巡迴上訴法院就明白指出：「吉普森式申請 專利範圍的前言，不僅是定義申請專利發明的來龍去脈， 也是定義申請專利發明的專利權範圍的憑藉（when this form is employed, the claim preamble defines not only the context of the claimed invention, but also its scope.）」；因此，該申請專利發明所定義、 包含的是其申請專利範圍前言與其所改良部分的整體的組 合（the claimed invention consists of the preamble in combination with the improvement.）。詳言之，一 個「吉普森式申請專利範圍」其實與一個「組合式申請專 利範圍」是一樣的，申請專利範圍前言裡所包含的步驟或 限制要件，都應該當作是申請專利範圍所包括的限制要件 （The Jepson form of claim is to be considered a combination claim. The preamble of this form of claim is considered to positively and clearly include all the elements or steps recited therein as a part of the claimed combination.參附件1， United States Patent and Trademark Office, Manual of Patent Examination Procedure Section 608.01（m ）（6th ed. Rev. Sept. 1995））。不僅美國專利司法 實務如此認定，即便被告亦持相同的見解與看法。在專利 侵害鑑定基準中即明白指出：「吉普森式請求項前言所載 事項，一般雖屬於公知事項或上位概念，但既已載於請求 項中，而構成專利範圍的前言部分或限制條件，則不論其 為公知事項，自應納為構成本專利案要旨之一部分，併同 特徵部分成為請求項技術範圍之判斷依據。」此等說明雖 是規定在專利侵害鑑定基準中，然而，被告肯認吉普森式 申請專利範圍之前言，亦屬於其構成本專利案要旨之一部 分，而成為專利案整體構成的一部分限制條件，則是不爭 的事實。基此，在判斷系爭案相較先前技術是否具有專利 進步性時，自亦應以包含吉普森式申請專利範圍之前言在 內的所有專利限制條件，來加以整體考量。
⒐一專利案之進步性判斷，依世界各國所肯認之專利審查原
則，進步性專利要件之判斷應以申請專利範圍整體來觀之 （as a whole），不得將其申請專利之發明所載之技術內 容加以片段、肢解來加以分析（參，Hybritech Inc.v.Mo loclonal Antibodies, Inc., 802 F. 2d 1367, 231USPQ 81（Fed. Cir. 1986）；In re Paulsen, 30 F.3d1475, 1482, 31 USPQ 2d 1671（Fed. Cir. 1994）），蓋如得 將一發明之技術內容予以拆解分析，則因審查委員在了解 技術內容後，容易對申請專利之發明為過低之評價，致常 有事後諸葛之後見之明（hindsight），此般審查原則規 定，在專利審查基準中，亦有相應的明文規定：「進行專 利審查時應依熟習該項技術者之觀點、申請當時之技術水 平作客觀判斷，而不得基於因知悉申請專利發明中既有之 內容或說明，而對申請專利之發明有後見之明的過低評價 。」而此一專利審查原則，不論是對吉普森式申請專利範 圍或是組合式申請專利範圍皆為相同之理。
⒑原告認參加人自承引證四所揭露者為球格陣列式封裝（BG A），而其基板材質可以是高分子聚合物或陶瓷，以及引 證六所揭露為球格陣列式封裝（BGA）及針格陣列式封裝 （PGA）的基板，而其基板材質為高分子聚合物組成的積 層壓合板，因此，系爭案不具專利性的事實至為明顯。惟 查，正如原處分認引證四、五、六、七之晶片封裝結構皆 與系爭案不同，故該等異議證據不能證明系爭案不具新穎 性，並且該引證二至七皆未慮及基板與封裝材料熱膨脹係 數的差異性，因此，也難稱系爭案不具進步性。更清楚地 講，引證四與六其封裝結構，其基板未如系爭案的情形， 是與導線架結合，並且其膠體封裝亦僅限在基板的一部份 ；反觀，系爭案的封裝結構，其基板是與導線架結合，而 且，在封裝時，整個基板是埋在封裝體內，因此，其所面 臨的基板與封裝材料的熱應力形變問題，也不相同。原告 以引證四、六中截然不同的封裝結構，擷取其部分特點， 來主張系爭案不具專利性，顯然是主觀的後見之明，而不 可採。
⒒判斷一發明是否具有專利進步性要件，必須對該發明的整 體技術內容來加以觀察，此為台灣與諸多專利先進國家所 一致肯認的專利審查原則，已如上述。雖然，專利審查基 準中規定，在判斷進步性時，可以組合兩件以上的不同文 獻來判斷發明的進步性，然而同基準中也明白指出，於判 斷發明是否能輕易完成時，「…惟其組合，以熟習該項技 術者於申請當時（若有主張優先權者，則只有效優先權日 ），所能輕易完成者為限。」至何謂所能輕易完成，同基
準文獻組合應注意事項言明：「組合所需之文獻為不同之 文獻者，其數量越多，通常視為非能輕易完成。」原告所 執以否定系爭案進步性的先前技術必須多達七、八個，且 無一先前技術是真正可以證明揭露系爭案發明整體的技術 內容及其因此所可解決的技術問題，系爭案具進步性已經 不言可喻。再者，原告指陳系爭案已經先前技術的揭露而 喪失專利要件的論點，完全是將系爭案的內容一一分解， 再一一找尋相對應的先前技術以支持其說，此一方法顯然 有違發明應整體觀之的基本原則。
⒓為充實參加人的論證，茲謹再舉專利先進國家對一先前技 術是否可據以認定一專利申請案不具專利要件的操作方法 ，以供參酌。在判斷一先前技術文獻是否對一嗣後申請專 利之發明構成佔先（anticipation），而使該發明不具新 穎性，可以下列方法為之：將該先前技術文獻視為其乃發 生或存在於該發明之後時，並加以判斷該先前技術文獻是 否會落入該發明之專利權範圍內而構成專利侵權。如果會 構成專利侵權，則該等先前技術文獻即可被認為佔先該申 請專利之發明；反之，如果不構成專利侵權，則該等先前 技術文獻即不能使該申請專利之發明喪失新穎性。原因在 於，先前技術只有真正具備系爭案的專利技術特徵，才會 在將其存在時間點擬制的延後之後，會對系爭案構成侵權 者，反之，如果一先前技術將他擬制是存在於系爭案之後 ，如仍不會構成侵權，也可以證明該先前技術不具備系爭 案的技術特徵，而至多僅可稱是揭露系爭案的某一小部分 ，如此，當然不能據以認定此一先前技術使系爭案喪失專 利要件。而查原告所執之所有先前技術，包括原告指稱參 加人在異議中自承的引證四與六，以上述方法加以檢驗， 皆不具備系爭案的技術特徵，自然也不足以論證系爭案不 具專利要件。
理 由
一、系爭案申請日為90年3月20日，被告於91年2月21日審定准予 專利，則系爭案有無應不予專利之情形，自應以該核准審定 時所適用之90年10月24日修正公布之專利法為斷。按凡利用 自然法則之技術思想之高度創作，而可供產業上利用者，得 依系爭專利核准審定時專利法第19條暨第20條第1項之規定 申請取得發明專利。惟其發明如係運用申請前既有之技術或 知識，而為熟習該項技術者所能輕易完成時，仍不得依法申 請取得發明專利，復為同法第20條第2項所明定。系爭案於 91年10月25日修正申請專利範圍，與91年3月21日之審定公 告本比較，因未變更實質，且屬申請專利範圍過廣，經被告
准予修正，並依修正本審查本件異議案。故本件應以修正後 之申請專利範圍作為審究之依據。依系爭案修正後之專利說 明書之記載，其申請專利範圍為：
⒈一種晶片封裝結構，至少包括：
一印刷電路基板，該印刷電路基板包括一圖案化線路結構體及 一絕緣結構體，該圖案化線路結構體交錯於該絕緣結構體之間 ，其中該絕緣結構體係由高分子聚合物所形成；複數個導腳， 排列於該印刷電路基板的邊緣，並與該印刷電路基板電性連接 ；至少一晶片，該晶片固定於該印電路基板上，並與該印刷電 路基板電性連接；以及一封裝材料，包覆該晶片、該印刷電路 基板、該些導腳靠近該印刷電路基板的部分及該被動元件。⒉如申請專利範圍第1項所述之晶片封裝結構，其中該晶片係藉 由打線的方式與該印刷電路基板電性連接。
⒊如申請專利範圍第1項所述之晶片封裝結構，其中該晶片係藉 由覆晶的方式與該印刷電路基板電性連接。
⒋如申請專利範圍第1項所述之晶片封裝結構，其中該些導腳係 藉由複數個凸塊與該印刷電路基板電性連接，而該些凸塊的材 質係選自於由錫鉛合金、導電膠所組成的族群中之一種材質。⒌如申請專利範圍第1項所述之晶片封裝結構，其中該絕緣結構 體之材質係選自於由玻璃環氧基樹脂、雙順丁烯二酸醯亞胺– 三氮雜苯、環氧樹脂及聚亞醯胺所組成之族群中的一種材質。⒍如申請專利範圍第1項所述之晶片封裝結構，其中該些導腳與 該印刷電路基板的接合方式，係先藉由網板印刷的方式將複數 個凸塊置於該印刷電路基板上，再透過迴焊的方式，將該些導 腳與該些凸塊接合。
二、引證一係第00000000號「複傳輸基板之覆晶封裝半導體」新 型專利案，引證一於90年8月21日審定公告，晚於系爭案申 請日，並非系爭案申請前習知之技術內容，尚不能以引證一 論究系爭案不具進步性。又引證一係一種複傳輸基板之覆晶 封裝半導體，其主要包含一第一晶片、一第二晶片、一基板 、一導線架及一封膠體。引證一之技術結構與系爭案第1項 有關「該印刷電路基板包括一圖案化線路結構體（332）及 一絕緣結構體（334），該圖案化線路結構體（332）交錯於 該絕緣結構體（334）之間，其中該絕緣結構體（334）係由 高分子聚合物所形成」特徵不同，尚不能由引證一直接推導 出系爭案之申請專利範圍全部之技術內容，兩案實質技術手 段不同，引證一不足以證明系爭案不具新穎性。原告僅以引 證一之說明書及圖式中已明確揭示前揭第0000000號美國專 利使用高分子聚合物作為絕緣材料之技術特徵，認熟習該項 技術者可由引證一所載明之內容而直接推導系爭案在基板中
使用高分子聚合物作為絕緣材料之技術特徵，即主張系爭案 違反新穎性或擬制新穎性之相關規定，並非可採。三、引證二係美國第0000000號專利案，引證三係美國第0000000 號專利案，引證四係第00000000號「具中介層的高密度焊墊 陣列積體電路構裝」新型專利案，引證五係美國第0000000 號專利案，引證六係美國第0000000號專利案引證七係1994 年2月8日公告之美國第0000000號專利案。雖然引證二之第 二圖及引證三之第二、四、五、七圖與其說明，皆未揭露如 系爭案之基板包括圖案化線路結構體及由高分子聚合物形成 之絕緣結構體。引證四之第一承載層由可曝光顯影介電材質 或可撓性印刷電路板形成，第二層承載基板為強化型有機基 板或陶瓷基板，引證五之基板材質為陶瓷，引證四、五、六 及七之晶片封裝結構皆與系爭案不同，引證二至七尚不能證 明系爭案不具新穎性。
四、但查，系爭案依其專利說明書之記載，雖包括一印刷電路基 板、複數個導腳、至少一晶片、及被動元件等，惟系爭案之 改進技術特徵部分僅在於印刷電路基板之絕緣體係由高分子 聚合物所形成（系爭案修正前之申請專利範圍撰寫方式係採 「吉普森式請求項」（Jepson Type Claim），其已載明技 術改良部分在於絕緣結構體係由高分子聚合物所形成，至於 其餘印刷電路基板、複數個導腳、至少一晶片、一封裝材料 等均屬前言之習知技術）。雖然修正後申請專利範圍未載明 結構特徵在於絕緣結構體係由高分子聚合物所形成部分，並 加入被動元件之記載，但其嗣後加入被動元件之記載，由系 爭案之第一圖，同時配合參閱其專利說明書第3頁第3段中載 明：「請參照第一圖，其繪示習知多晶片模組封裝之剖面示 意圖。一封裝體100係由多個晶片120、一導線架、多個被動 元件150及一封裝材料160所組成…被動元件150置於導腳140 上，被動元件150之電性接點（未繪示）可以與導腳140電性 連接」，已可得知在晶片封裝結構中設置被動元件，係屬系 爭案申請前之習知技術。又因修正前後之實質結構特徵並未 變更，故被告始准予變更，因此修正後之改進結構特徵仍係 在於絕緣結構體係由高分子聚合物所形成部分，亦可以認定 ，此並為參加人所不爭執（94年6月22日準備程序筆錄參照 ）。
五、而引證六之第二圖及其說明書第5欄第36～39行並明確揭露 出「一剖面所顯示之銅線壓合板21係包括一樹脂板，且該樹 脂板二表面皆佈有銅箔」。引證七說明書第4欄第40 ～43行 已說明「適用於基板之材料宜為環氧樹脂、聚亞醯胺樹脂、 …較宜者為雙順丁烯二酸醯亞胺-3氮雜苯（BT）樹脂…其它
適用材料為玻璃環氧樹脂…」。雖然引證六為球格陣列式封 裝（BGA）及針格陣列式封裝（PGA）的基板，引證七的封裝 結構是焊墊陣列半導體裝置（pad array semiconductor device），而系爭案則是屬於堆疊型半導體晶片封裝結構（ stacked chip package device），彼此之晶片結構不同。 但系爭案結構特徵既僅在於絕緣結構體係由高分子聚合物所 形成部分，用以改進習知陶瓷基板與封裝材料抗熱應力差的 問題。依原告於訴願時所提出全華科技圖書股份有限公司出 版之「增層、多層印刷電路板技術」第1-7頁所列之「多層 印刷電路板時期的動向」可知，早在1963年即已開始生產環 氧樹脂多層板；1969年開始實用聚亞醯胺（polyimide）、 玻璃質基板；1975年開始製造聚亞醯胺多層板。原告另於審 理中提出「全華科技圖書股份有限公司」出版之「高密度多 層電路板技術」第8-2頁中述及：「早期的BGA封裝以陶瓷基 板為主，由於陶瓷基板與主機板之間熱膨脹係數相差較大， 因此基板尺寸會受到限制，如果改環氧樹酯基板時由於熱膨 脹係數相差較小，這個問題會變得較不明顯」。可見利用環 氧樹酯基板取代陶瓷基板來減少熱應力之產生，已為習知解 決熱應力問題之技術。而系爭案改進習知技術部分既在印刷 電路基板中使用高分子聚合物（例如，玻璃環氧基樹脂、環 氧樹脂、聚亞醯胺等）作為絕緣結構體」，由上述引證六、 引證七及文獻上已載明在基板上使用高分子聚合物之習知事 實，且利用環氧樹酯基板取代陶瓷基板來減少熱應力之產生 ，已為習知解決熱應力問題產生之方法，則系爭案將高分子 聚合物的材質使用於系爭案之絕緣結構體，以增加封裝體抗 熱應力，應屬熟習該項技術者應用前述習知技術所可輕易完 成。尚不能以彼此之晶片結構不同，即認使用高分子聚合物 作為絕緣結構體具有進步性。
六、至於系爭案獨立項除絕緣結構體係由高分子聚合物所形成以 外構件及其組成均屬習知技術，而附屬項有關晶片電性連接 方式、導腳藉由複數個凸塊與該印刷電路基板電性連接，而 該些凸塊的材質之界定、絕緣結構體之材質之界定導腳與該 印刷電路基板的接合方式等，均係就習知構件組成或材質之 細部描述，亦不具突出之技術特徵或顯著之功效之增進，亦 不能以該等附屬特徵主張具有進步性。
七、從而被告以系爭案並無違反核准時專利法第20條第1項第2項 之規定而為異議不成立之處分，於法尚有未洽。訴願決定未 加指摘而予維持，亦非妥適。且本件依上述說明，系爭案不 具進步性，事證已臻明確，原告請求撤銷訴願決定及原處分 ，並命被告就系爭異議案應為異議成立之處分，為有理由，
應予准許。
八、參加人於言詞辯論終結後，另於94年8月12日補提答辯（三 ）狀，除與言詞辯論終結前已提出相同之主張事實理由，本 院已予論斷如前所述外，其餘於言詞辯論後始提出之事實主 張，爰不加以審酌，應併敍明。
據上論結，本件原告之訴為有理由，爰依行政訴訟法第98條第3項前段，判決如主文。
中 華 民 國 94 年 8 月 18 日 第一庭審判長法 官 姜素娥
法 官 吳東都
法 官 陳國成
上為正本係照原本作成。
如不服本判決，應於送達後20日內向本院提出上訴狀並表明上訴理由，如於本判決宣示後送達前提起上訴者，應於判決送達後20日內補提上訴理由書（須按他造人數附繕本）。中 華 民 國 94 年 8 月 19 日 書記官 王英傑
, 台灣公司情報網
, 台灣公司情報網
, 台灣公司情報網