侵害專利權有關財產權爭議等
智慧財產法院(民事),民專訴字,99年度,60號
IPCV,99,民專訴,60,20140320,4

壓Vin 低於4.75V 時，已經屬於非正常工作範圍，而會進 入輸入低壓鎖定狀態（Input Under Voltage Lockout,簡 稱UVLO），並關閉TA2190產品運作以避免異常之輸入電壓 Vin 。依工研院鑑定報告顯示，於短線短路時，電感電流 IL開始逐漸下降至0 ，實係肇因於輸入電壓Vin 太低，而 讓TA2190產品進入前述輸入低壓鎖定狀態(UVLO)，與流經 TA2190產品高側通電晶體之電流是否發生過電流情形完全 無關。況且，TA2190產品在輸入低壓鎖定狀態(UVLO)時， 其中之高側通電晶體與低側通電晶體均關閉，並非關閉高 側通電晶體且導通低側通電晶體。是以，於短線短路時， TA2190產品之運作根本不會產生系爭專利所指之「偵測超 過該高側通裝置的一高電流限制的一個過電流情況」、「 鎖定該高側通裝置並開啟低側通裝置」。
⑵於長線短路時，TA2190產品之SW點電壓Vsw 開始下降（即 代表輸入電壓Vin 開始下降），而電感電流開始上升，當 TA2190產品監測到高側通裝置之電流超過該預設值之過電 流次數「連續」且「不間斷」地達到所設定之累計總次數 後，才會關閉高側通裝置使電感電流充分下降，且直到TA 2190產品FB端點的電壓Vfb 值低於0.4 伏特後，才關閉低 側通裝置，該結果與被告所辯一致。至於為何鑑定報告6 個波型圖超過之過電流次數均不同，是因為產品規格書記 載須在4.75V 下產品才是正常運作，而鑑定操作時輸入電 壓是3.2V及3.7V所致，另工研院鑑定之產品為工程試樣品 ，並非完美產品，才會導致次數不同。
（四）系爭專利有得撤銷之原因：
１、引證2 可證系爭專利更正後申請專利範圍第14項不具新穎 性與進步性：
引證2 係一種同步整流降壓型DC - DC 轉換器暨其控制電 路，其具有高側通裝置1 、低側通裝置2 、電感3 及一電 流偵測計算裝置204 。當高側通裝置1 開啟而低側通裝置 2 關閉時，流經高側通裝置1 之電流會流經電感3 ，進而 由電流偵測計算裝置204 感應出流經高側通裝置1 之電流 量大小。反之，當高側通裝置1 關閉而低側通裝置2 開啟 時，流經低側通裝置2 之電流會流經電感3 ，進而由電流 偵測計算裝置204 感應出流經低側通裝置2 之電流量大小 。而電流比較器203 則將電流偵測計算裝置204 偵測到的 電流信號S204與一過電流信號S202兩者進行比較。另外信 號S208係控制驅動器211 用以開啟或關閉高側通裝置1 ， 而信號S210係控制驅動器212 用以開啟或關閉低側通裝置 2 。當電流比較器203 將電流偵測計算裝置204 偵測到的



電流信號S204與過電流信號S202兩者進行比較，而偵測到 流經高側通裝置1 之電流發生過電流情形時（即電流信號 S204大於或等於過電流信號S202），信號S208由高電位變 成低電位進而關閉高側通裝置1 ，另外信號S210由低電位 變成高電位進而開啟低側通裝置2 ，之後當電流信號S204 低於一第二電流限制時，意謂流經低側通裝置2 之電流下 降至低於第二電流限制，信號S210由高電位變成低電位進 而關閉低側通裝置2 。由上可知，系爭專利更正後申請專 利範圍第14項所載之整體發明已經引證2 所揭露而喪失新 穎性。縱認其全部技術特徵未為引證2 所揭露，然亦為熟 知技藝之人利用引證2 相關說明或圖示所得輕易完成，故 亦喪失進步性。
２、引證5 可證系爭專利更正後申請專利範圍第14項喪失新穎 性與進步性：
參考引證5 第12圖，其揭露一種同步Buck型DC/DC 交換模 式電壓調節器，其包含一高側通裝置Q1及一低側通裝置Q2 （詳引證5 說明書中第9 欄第38行至第10欄第26行）。其 中第12圖內比較器300 用以偵測高側通裝置Q1之電流是否 超過電流限制302(即Ilim1)，而當高側通裝置Q1之電流超 過電流限制302(即Ilim1)時，第12圖之控制單元（包含元 件292 、294 、與正反器304 ）將使高側通裝置Q1關閉及 低側通裝置Q2導通，直到該低側通裝置Q2之電流到達一第 二電流限制298(即Ilim2)為止（詳引證5 說明書中第9 欄 第38行至第10欄第26行）。另依據系爭專利所對應之美國 專利第7,714,558 號之申請過程資料，亦足以證明引證5 第12圖暨相關說明已揭露系爭專利更正後申請專利範圍第 14項之整體發明而喪失新穎性。縱認其全部技術特徵未為 引證5 所揭露，然亦為熟知技藝之人利用引證5 相關說明 或圖示所得輕易完成，故亦喪失進步性。
３、引證1 前案部分與引證4 組合可證系爭專利更正後申請專 利範圍第14項不具進步性：
⑴引證1 所揭露先前技術第1 圖，是習知的降壓電源轉換器 ，並具有一高側通裝置14 (PMOS) 及一低側通裝置16(NMO S)，而兩者係以同步技術進行開啟或關閉，即高側通裝置 14關閉時，會開啟低側通裝置16（第1 欄第32至35行）。 第1 圖裝置是用以確認流經高側通裝置14之電感電流是否 超過電流限制值以及是否開始作用以保護電感34（第1 欄 第37至39行），當流經高側通裝置14之電感電流超過電流 限制值時，便將高側通裝置14關閉（第1 欄第60至62行） ，並依據同步技術進而開啟低側通裝置16。再參考第1 圖



對應之電流限制狀態圖第2 圖，最初，電流限制保護電路 重置於步驟202 ，在步驟204 處開啟高側通裝置14，之後 確認流經高側通裝置14的電流是否超過限制值，若偵測到 超過限制值，步驟208 指示關閉高側通裝置14，且依據同 步技術，同時開啟低側通裝置16。
⑵引證4 第2 圖係一種同步DC-DC 電源轉換器裝置，其中高 側通裝置與低側通裝置是交錯開啟之模式，藉由DRVH信號 控制的高側通裝置M1開啟時，以DRVL信號控制的低側通裝 置M2便關閉；而當藉由DRVH信號控制的高側通裝置M1關閉 時，以DRVL信號控制的低側通裝置M2則開啟（參引證4說 明書第2 圖以及第3 欄第13至18行）。再參引證4 說明書 第3 圖中之C 、D 以及第4 欄第38至43行之說明，當高側 通裝置M1關閉而低側通裝置M2開啟時，此為discharge 階 段使DRVH信號為低電位而控制高側通裝置M1關閉（即低側 通裝置M2開啟），一直到低側通裝置M2之ISENSE電流值到 達一第二電流限制ILIMIT2 為止，此時DRVH信號則為高電 位而控制高側通裝置M1開啟（即低側通裝置M2關閉）。 ⑶系爭專利更正後申請專利範圍第14項之所有技術特徵已為 引證1 所揭示之先前技術及引證4 之組合所揭露，自喪失 進步性。
４、引證2 、3 、4 組合可證系爭專利更正後申請專利範圍第 14項不具進步性：
引證3 揭示一種電流偵測電路，其具有一高側通裝置P1及 一低側通裝置N1。其第1 圖顯示的是使用電流偵測電路而 設計的過電流保護電路之配置，第2 圖則顯示流經電感之 電流IL與A 點電壓之信號圖。當高側通裝置P1開啟而低側 通裝置N1關閉時，流經高側通裝置P1之電流（即電流IL） 會流經電感L1，此時A 點電壓為+Vdd。反之，當高側通裝 置P1關閉而低側通裝置N1開啟時，流經低側通裝置N1之電 流（即電流IL）會流經電感L1，此時A 點電壓則為-Vdd。 參考第2 圖可知，當流經高側通裝置P1之電流（即電流IL ）高過一限制值，高側通裝置P1關閉而低側通裝置N1開啟 ；反之，當電流IL到達第二電流限制時，進而使高側通裝 置P1開啟，低側通裝置N1關閉。而引證2 、4 所揭露之技 術特徵業如前述，是引證2 、3 、4 之組合可證明系爭專 利更正後申請專利範圍第14項不具進步性。
（五）並聲明：⑴原告之訴及其假執行之聲請均駁回。⑵訴訟費 用由原告負擔。⑶如受不利益判決，被告願供擔保，請准 宣告免假執行。
三、被告高金榮部分：




其未陳述任何答辯理由，僅聲明：⑴原告之訴及其假執行之 聲請均駁回。⑵訴訟費用由原告負擔。⑶如受不利益判決， 被告願供擔保，請准宣告免假執行。
四、原告主張被告侵害其系爭專利權，惟為被告所否認，並以前 詞置辯，是以本件爭點厥為：⑴系爭TA2190產品是否為宣鈦 公司所製造？宣鈦公司就上開產品是否有販賣、為販賣之要 約之行為？⑵系爭專利更正後申請專利範圍第14項應如何解 釋？⑶系爭TA2190產品是否落入系爭專利更正後申請專利範 圍第14項之範圍？⑷被告所提引證是否足以證明系爭專利更 正後申請專利範圍第14項不具新穎性、進步性？⑸本件損害 賠償金額應如何計算？⑹原告請求命被告排除、防止侵害， 是否有據？
五、本院之判斷：
（一）原告曾於99年4 月19日更正系爭專利申請專利範圍，經智 慧局於101 年1 月19日准予更正並依法公告在案等情，有 101 年1 月19日（101 ）智專三（二）04099 字第101200 64560 號函附卷可參（見本院卷㈡第434 至436 頁、卷㈣ 第284 頁），而本件系爭專利更正後申請專利範圍共計18 項，其中第1 、4 、14項為獨立項，其餘為直接或間接依 附於獨立項之附屬項。原告主張系爭產品侵害系爭專利更 正後申請專利範圍第14項，是本件僅就該項為論述，合先 敘明。
（二）系爭專利之技術內容：
１、一實施例中，提供一裝置。該裝置包含一高側通裝置。該 裝置亦包含一低側通裝置，該低側通裝置與該高側通裝置 串聯耦合。該裝置另外包含耦合至該高側通裝置及該低側 通裝置之一控制模組。該控制模組係耦合至該高側通裝置 及該低側通裝置以控制該高側通裝置及該低側通裝置。另 外，該裝置包含與該高側通裝置及該低側通裝置串連耦合 之一第一電阻器。再者，該裝置包含與該第一電阻器並聯 耦合之一第一比較器。該第一比較器具有對應一第一電流 限制之一門檻電壓輸入差分，該第一比較器之一輸出係耦 合至該控制模組。再者，該裝置包含耦合至該高側通裝置 電流感測作為電壓之一第二比較器。該第二比較器具有對 應第二電流限制之一門檻電壓輸入差分。該第二比較器之 一輸出係耦合至該控制模組。該第二電流限制高於該第一 電流限制。同時，該控制模組可回應該第一比較器輸出來 操作鎖定該高側通裝置，直到重設信號被接收為止，且回 應該第二比較器來操作鎖定該高側通裝置, 直到低電流信 號被接收為止（見本院卷㈠第32頁系爭專利說明書中文發



明摘要）。其主要示意圖如附圖一所示。
２、系爭專利更正後申請專利範圍第14項為「一種具有一高側 通裝置及一低側通裝置之DC/DC 交換模式電壓調節器，包 含:一用於偵測超過該高側通裝置的一高電流限制的一過 電流情況之裝置；及若偵測到該過電流情況，則鎖定高側 通裝置並開啟低側通裝置，直到達到該低側通裝置上之一 第二電流限制為止之裝置」。
（三）系爭產品之技術內容：
原告所提之系爭TA2190產品，係一種500kHz同步降壓DC／ DC直流- 直流轉換器，提供輸入電壓範圍從4.75V 到21V ，以及額定輸出電流為3A。產品照片如附圖二所示。（四）申請專利範圍用語之解釋：
１、兩造對於系爭專利更正後申請專利範圍第14項係以手段功 能用語撰寫乙節，並不爭執（見本院卷㈣第325 頁），惟 對於該申請專利範圍應如何解釋有爭議，因申請專利範圍 解釋為法律問題，並無辯論主義之適用，是本院應依職權 為判斷，不受兩造主張之拘束，合先敘明。
２、按申請專利範圍中物之技術特徵以手段功能用語，或方法 之技術特徵以步驟功能用語表示時，其必須為複數技術特 徵組合之發明。於解釋申請專利範圍時，應包含發明說明 中所敘述對應於該功能之結構、材料或動作及其均等範圍 ，而其均等範圍應以該發明所屬技術領域中具有通常知識 者不會產生疑義之範圍為限。系爭專利申請專利範圍第14 項中以手段功能用語表示之物之技術特徵為「一用於偵測 超過該高側通裝置的一高電流限制的一過電流情況之裝置 」及「若偵測到該過電流情況，則鎖定高側通裝置並開啟 低側通裝置，直到達到該低側通裝置上之一第二電流限制 為止之裝置」，故上述技術特徵之解釋應包含發明說明中 所敘述對應於該功能之結構、材料及其均等範圍，而非以 其所載之功能為申請專利範圍。經查：
⑴系爭專利第5 圖及說明書第13至14頁記載「流經電晶體12 0 之電流可使用感測電阻器505(與電晶體120 串聯) ，比 較器515 ，及Schmitt 觸發比較器540 來測量。比較器54 0 亦接收為輸入電晶體550 之輸出，其被電壓Vilimit+ X 偏壓。電流源545 完成此元件之偏壓電路。因此，當流經 感測電阻器505 之電流產生超過電晶體550 偏壓之一電壓 時，比較器540 可設定( 或重設) 正反器520 。此促使關 閉對負載110 之電流供應」（見本院卷㈠第37、43頁）， 第5 圖之實施例係由電阻器505 及比較器515 所組成之電 路結構偵測流經該高側通裝置（電晶體120 ）之電流，並



由Schmitt 觸發比較器540 、電流源545 及電晶體550 所 組成之電路結構判斷是否為超過該高側通裝置的一高電流 限制的一過電流情況，因此系爭專利更正後申請專利範圍 第14項所載「偵測超過該高側通裝置的一高電流限制的一 過電流情況」之功能應對應由電阻器505 、比較器515 、 Schmitt 觸發比較器540 、電流源545 及電晶體550 所組 成之電路結構。
⑵系爭專利說明書第14頁記載「當流經感測電阻器505 之電 流產生超過電晶體550 偏壓之一電壓時，比較器540 可設 定（或重設）正反器520 。此促使關閉對負載110 之電流 供應。同樣地，當電流被充分下降時，此可經由比較器53 0 ，例如使用感測電阻器510 及被耦合至負載110 之輸出 節點來感測。因此，比較器530可被重設（或設定） 正反 器520 ，使一般操作得以繼續」（見本院卷㈠第37頁背面 ），足見由電阻器510 、比較器530 及被耦合至負載110 之輸出節點所組成之電路結構用以判斷是否達到該低側通 裝置上之一第二電流限制，而正反器520 用以鎖定高側通 裝置（電晶體120 ）並開啟低側通裝置（電晶體140 ）， 因此系爭專利更正後申請專利範圍第14項所載「若偵測到 該過電流情況，則鎖定高側通裝置並開啟低側通裝置，直 到達到該低側通裝置上之一第二電流限制為止」之功能應 對應由電阻器510 、比較器530 、被耦合至負載110 之輸 出節點及正反器520 所組成之電路結構。
⑶綜上所陳，系爭專利更正後申請專利範圍第14項之發明對 應第5 圖之實施例，其中「偵測超過該高側通裝置的一高 電流限制的一過電流情況之裝置」對應由電阻器505 、比 較器515 、Schmitt 觸發比較器540 、電流源545 及電晶 體550 所組成之電路結構及其均等範圍，其中「若偵測到 該過電流情況，則鎖定高側通裝置並開啟低側通裝置，直 到達到該低側通裝置上之一第二電流限制為止之裝置」對 應由電阻器510 、比較器530 、被耦合至負載110 之輸出 節點及正反器520 所組成之電路結構及其均等範圍。 ⑷至系爭專利說明書及圖式中雖包含有第4 、7 、8 圖所示 與結構相關之實施例，然系爭專利上開申請專利範圍已限 定該裝置須用於偵測「高側通裝置」之電流，故： ①系爭專利第4 圖及說明書第13頁記載「比較器435 可感 測來自被與功率電晶體140 串聯之電阻器440 之電流， 及提供對正反器445 之一組輸入……當過電流情況被偵 測到時，正反器445 之輸出係使140 開啟而使電晶體12 0 關閉」（見本院卷㈠第37、42頁背面），第4 圖之實



施例係由電阻器440 及比較器435 所構成之結構偵測是 否為超過一高電流限制的一過電流情況，但由電阻器44 0 及比較器435 所構成之結構係偵測低側通裝置（電晶 體140 ）之電流，故系爭專利更正後申請專利範圍第14 項所載「偵測超過該高側通裝置的一高電流限制的一過 電流情況」之功能並無法對應系爭專利說明書第4 圖及 相關發明說明中所敘述之結構、材料。
②系爭專利第7 圖及說明書第14至15頁記載「第7 圖描繪 用於第1 圖DC/DC 電壓調節器輸出之電流過載保護裝置 之另一替代實施例。系統700 包含一電源供應，控制邏 輯及一電流監視器。電源供應模組710 係於控制邏輯73 0 控制下供應電源至負載720 。電流監視器740 監視對 負載720 之電流供應，並於過電流情況存在時岔斷控制 邏輯730 以關閉電源供應710 」（見本院卷㈠第37頁背 面至38頁、第44頁），第7 圖之實施例係由電流監視器 740 監視對負載720 之電流供應，但對負載720 之電流 供應並不等同於流經高側通裝置之電流，亦即該電流監 視器740 並非監視高側通裝置之電流；且「電流監視器 740 」僅為功能敘述，發明說明中並無「電流監視器74 0 」的細部結構，所屬技術領域中具有通常知識者依發 明說明之內容無法瞭解對應系爭專利更正後申請專利範 圍第14項中所載之功能的結構、材料。故系爭專利更正 後申請專利範圍第14項所載「偵測超過該高側通裝置的 一高電流限制的一過電流情況」之功能並無法對應系爭 專利第7 圖及相關發明說明中所敘述之結構、材料。 ③系爭專利第8 圖及說明書第15頁記載「處理800 係以操 作模組810 處之電路作為開始。電路之電流負載係被監 視於模組820 處。若電流尚未超過第一限制，則該電路 繼續操作於模組810 處。若電流超過第一限制，則該電 流被棘輪下降於模組840 處。該電路接著繼續操作於模 組850 處。於模組860 處決定高電流限制是否已被超過 。若否，則該電路繼續操作於模組810 處。若該高電流 限制被超過，則模組870 處之暫時關閉發生直到電流負 載下降至可接受位準為止」（見本院卷㈠第38、44頁） ，第8 圖之實施例係由模組860 監視電流負載，但電流 負載並不等同於流經高側通裝置之電流，亦即該模組86 0 並非監視高側通裝置之電流；且「模組860 」僅為功 能敘述，發明說明中並無「模組860 」的細部結構，所 屬技術領域中具有通常知識者依發明說明之內容無法瞭 解對應系爭專利更正後申請專利範圍第14項中所載之功



能的結構、材料。故系爭專利更正後申請專利範圍第14 項所載「偵測超過該高側通裝置的一高電流限制的一過 電流情況」之功能並無法對應系爭專利第8 圖及相關發 明說明中所敘述之結構、材料。
３、再按，發明說明書及申請專利範圍中之同一用語理應具有 相同意涵，故解釋申請專利範圍時，以說明書所載各實施 例對同一用語之解釋理應一致，因此解釋「高電流限制」 、「過電流情況」及「第二電流限制」之用語時，說明書 中所載實施例均可作為解釋申請專利範圍之依據。經查： ⑴「高電流限制」應解釋為「高於習知第一電流限制之高電 流限制」：
①參照系爭專利說明書圖2 、圖6 及說明書第14頁第15至 20 行 記載「第6 圖描繪第4 圖實施例中之電流棘輪效 應。電流上升至Ilimit，接著被棘輪下來。若裝置被以 過高頻率操作，則電流可增加至Ilimit+X。在此，裝置 可被關閉（藉由關閉高通電晶體120 及開啟低通電晶體 140 ）直到電流下降至可接受位準為止（可藉由低電流 值定義）」（見本院卷㈠第37頁背面、第41頁背面、第 43頁背面），另說明書第15頁第21至24行記載「一實施 例中，此係藉由使用1.7A之第一電流限制及2.2A之高電 流限制來達成。因此，若電流超過1.7A，則系統被正常 關閉。若電流超過2.2A，則系統被關閉直到電流下降至 低值為止」（見本院卷㈠第38頁），可知高電流限制 (Ilimit+X )高於第一電流限制(Ilim it) ，因此「高 電流限制」應解釋為「高於習知第一電流限制之高電流 限制」。
②被告雖稱「高電流限制」可被設定為各種電流位準云云 ，然按「對於申請專利範圍之用語，若專利權人在發明 說明中創造新的用語（如科技術語）或賦予既有用語新 的意義，而該用語的文義明確時，應以該文義解釋申請 專利範圍」（參專利侵害鑑定要點第35頁），因「高電 流限制」於系爭專利中為一特定用語，故解釋「高電流 限制」時應當審酌系爭專利發明說明及圖式，而由系爭 專利圖2 、圖6 及說明書內容可知高電流限制係高於第 一電流限制，是被告上開解釋並不足採。
⑵「過電流情況」應解釋為「電流超過該高側通裝置的一高 電流限制（高於習知第一電流限制）的某一種特定情況」 ：
①按專利權範圍主要取決於申請專利範圍中之文字，若申 請專利範圍中之記載內容明確時，應以其所載之文字意



義及該發明所屬技術領域中具有通常知識者所認知或瞭 解該文字在相關技術中通常所總括的範圍予以解釋。系 爭專利更正後申請專利範圍第14項記載「... 超過該高 側通裝置的一高電流限制的一過電流情況」，其文義已 明確表示流過高側通裝置的電流須「超過」一高電流限 制才為一過電流情況，且為該發明所屬技術領域中具有 通常知識者所得認知或暸解之範圍，自無解釋為包涵「 達到」高電流限制在內，原告主張過電流之解釋應包含 「達到」高電流限制云云，並不足採。
②再者，被告雖以系爭專利第4 、5 圖相關內容主張系爭 專利係以比較器435 、比較器540 進行過電流之比較， 只要電流超過一高電流限制一次即成立過電流情況云云 ，惟系爭專利說明書尚包含第7 圖之實施例，其係以電 流監視器740 監視負載之電流供應，並於過電流情況存 在時岔斷控制邏輯730 以關閉電源供應710 ，系爭專利 第7 圖並未限定判斷過電流情況之方式，而系爭專利僅 以上位用語「過電流情況」界定流經高側通裝置之電流 超過一高電流限制的情形，故「過電流情況」當然包含 超過高電流限制多次的情況，被告上開主張並不足取。 ⑶「第二電流限制」應解釋為「經設定以在過電流情況發生 時，用以判定低側通裝置上之電流是否已被充分下降之一 種電流限制」：
參照系爭專利圖6 及說明書第14頁第15至20行所載「第6 圖描繪第4 圖實施例中之電流棘輪效應。電流上升至Ilim it，接著被棘輪下來。若裝置被以過高頻率操作，則電流 可增加至Ilimit+X。在此，裝置可被關閉（藉由關閉高通 電晶體120 及開啟低通電晶體140 ）直到電流下降至可接 受位準為止（可藉由低電流值定義）」（見本院卷㈠第43 頁背面、第37頁背面）。由此可知，當高側通裝置鎖定， 低側通裝置開啟時，電流值持續下降至一低電流值（參照 第6 圖所示），且此低電流值顯然必須是低於第一電流限 制值。據此，「第二電流限制」即是在過電流情況發生時 ，用以判定低側通裝置上之電流是否已被充分下降之一種 電流限制，且第二電流限制之電流值須小於第一電流限制 之電流值，故「第二電流限制」應解釋為「經設定以在過 電流情況發生時，用以判定低側通裝置上之電流是否已被 充分下降之一種電流限制」。
（五）解析系爭專利與系爭產品之技術特徵：
系爭專利更正後申請專利範圍第14項可解析為3 個要件， 分別為要件A「一種具有一高側通裝置及一低側通裝置之



DC/DC 交換模式電壓調節器，包含: 」、要件B 「一用於 偵測超過該高側通裝置的一高電流限制的一過電流情況之 裝置; 」、要件C 「及若偵測到該過電流情況，則鎖定高 側通裝置並開啟低側通裝置，直到達到該低側通裝置上之 一第二電流限制為止之裝置」；經對應系爭專利上開要件 解析系爭產品技術特徵，亦可解析為3 個要件，分別為要 件a 「一種具有一高側電晶體及一低側電晶體之DC/DC 交 換模式電壓調節器，包括；」、要件b 「一用於偵測超過 該高側電晶體的一第一電流限制的一過電流情況裝置；」 、要件c 「及若偵測到該過電流情況，則鎖定該高側電晶 體並開啟該低側電晶體，直到達到該過電流的情況解除之 裝置」。以上詳如附表所示。
（六）系爭TA2190產品未落入系爭專利更正後申請專利範圍第14 項之文義範圍：
１、要件A：
系爭TA2190產品為一DC/DC 交換模式電壓調節器，且依該 產品規格書第3 頁之圖1 繪示該DC/DC 交換模式電壓調節 器具有一高側電晶體(High-Side MOSFET)及一低側電晶體 (L ow-Side MOSFET) ，其中該高側電晶體及低側電晶體 係為導通裝置，故從系爭TA2190產品可以讀取系爭專利要 件A「 一種具有一高側通裝置及一低側通裝置之DC/DC 交 換模式電壓調節器」之文義，被告對此亦不爭執。 ２、要件B：
⑴查系爭產品TA2190產品規格書第6 頁右欄「過電流保護」 ( Over Current Protection) 記載「當電感電流峰值達 到電流限制臨界值時，輸出電壓開始下降直到FB電壓低於 參考值之30% 為止」（見本院卷㈠第298 頁背面），再參 諸工研院之鑑定報告，其中圖16、圖17、圖19、圖20、圖 22 及 圖23為系爭產品於輸出端短路前後之量測波形圖（ 見本院卷㈣外置之工研院鑑定報告第21至26頁），圖中之 粉紅色線表示系爭產品之電感電流IL1 之量測波形，系爭 產品於輸出端短路後，該電感電流IL1 振盪上升，並在超 過一電流值之後以直接而無振盪的方式下降，由上可知， 系爭產品確實有一過電流保護機制，在電感電流達到一電 流限制臨界值之過電流情況下啟動過電流保護機制。惟系 爭專利第6 圖描繪「電流上升至Ilimit（對應習知第一電 流限制），接著棘輪下來。若裝置被以過高頻率操作，則 電流可增加至Ilimit+X（對應高電流限制）」，故系爭專 利除了習知第一電流限制外，尚有一高於習知第一電流限 制之高電流限制，然觀之工研院鑑定報告上開6 個量測圖



所示，電感電流IL1 上升至一電流限制臨界值後，關閉高 側電晶體以使電感電流下降，但該電感電流未再上升超過 該電流限制臨界值，足見系爭產品僅有1 個電流限制，且 該電流限制臨界值即為系爭專利中所稱之第一電流限制， 因此系爭產品並未如同系爭專利具有一高電流限制，系爭 產品所謂「過電流保護」乃是在電感電流達到「第一電流 限制之過電流情況」下啟動的過電流保護機制，準此，系 爭產品自無「偵測超過該高側電晶體的『一高電流限制的 一過電流情況』」之功能之裝置，而無法讀取系爭專利要 件B「 一用於偵測超過該高側通裝置的一高電流限制的一 過電流情況之裝置」之文義。
⑵至原告稱：由系爭產品規格書可知系爭產品「由COMP電壓 所設定之值」即對應於系爭專利之「第一電流限制」，系 爭產品之該「電流限制臨界值」即對應於系爭專利之「高 電流限制」，其有關「Over Current Protection 」之記 載即可認系爭產品確實有系爭專利之過電流保護裝置云云 ，惟查，系爭產品規格書第6 頁左欄「Control Loop」所 載「在正常操作下，內部時脈啟動PWM 循環，高側通裝置 開啟且保持開啟，直到其電流達到由COMP電壓所設定之值 為止，當高側通裝置關閉時，其保持關閉直到下一個時脈 循環開始」（見本院卷㈠第298 頁背面），該段落乃描述 「在正常操作下」之情況，說明系爭產品是判斷高側通裝 置的電流是否達到COMP電壓所設定之電流值以控制PWM （ 脈衝寬度調變）訊號的工作週期（duty cycle），高側通 裝置保持開啟的時間即對應PWM 訊號的工作週期，因此系 爭產品「由COMP電壓所設定之值」並非對應於系爭專利之 「第一電流限制」；再者，依系爭產品規格書第6 頁右欄 有關「Over Current Protection 」之記載，雖可認系爭 產品確實有一過電流保護機制，但由系爭產品規格書所載 內容僅能得知系爭產品有一個電流限制用於過電流保護， 並無記載有另一電流限制，應認系爭產品之該「電流限制 臨界值」實為對應於系爭專利之「第一電流限制」，原告 上開所稱並不足採。
⑶再者，本院開庭時闡明原告應說明鑑定報告量測圖中系爭 產品之第一電流限制與高電流限制位於何處，原告稱：每 一張圖前面穩定規則震盪的峰點連起來的那條線就是第一 電流限制，每一張圖在短路時電感電流的峰點就是高電流 限制云云（見本院卷㈣第428 頁）。惟查，鑑定報告第17 頁第1 至2 段記載「正常操作時，SW點電壓為VIN 時，代 表高側通MOSFET導通且低側通MOSFET關閉；SW為0V時，代



表高側通MOSFET關閉且低側通MOSFET導通……在短路保護 機制開始後……」，已說明6 個量測圖中之前面穩定期間 為「正常操作時」，短路保護機制尚未開始，所以應非如 原告所述在前面穩定規則震盪期間電感電流IL1 即達到第 一電流限制而進入過電流保護機制。次查，依鑑定報告6 個量測圖中SW電壓( 紅色線) 及電感電流IL1(粉紅色線) 之量測波形所示，於前面穩定期間，當SW電壓為高位準( 高側電晶體導通且低側電晶體關閉) 時電感電流IL1 上升 ，當SW電壓為低位準（高側電晶體關閉且低側電晶體導通 ）時電感電流IL1 下降，再由系爭產品規格書圖1 及第6 頁左欄「Control Loop」段落可知，系爭產品在正常操作 下，係以PWM 訊號控制高側電晶體及低側電晶體之導通與 關閉，因此在前開量測圖之前面穩定期間，系爭產品之高 側電晶體及低側電晶體是依PWM 訊號正常切換，並非電感 電流IL1 達到第一電流限制而進入過電流保護機制使電感 電流IL1 下降。次查，鑑定報告之圖16、圖19及圖22分別 代表負載電流為0A、1A及2A之量測波形圖，於前面穩定期 間，可見電感電流IL1 分別於0A、1A及2A附近振盪，若如 原告所述「前面穩定規則震盪的峰點連起來的那條線就是 第一電流限制」，豈非系爭產品在負載電流為0A、1A及2A 時，第一電流限制分別位於0A、1A及2A附近，亦即第一電 流限制將隨著負載電流增加而跟著增加，如此第一電流限 制將無法限制電流，過電流保護機制也將無任何保護作用 可言；尤有甚者，若依原告所述，則鑑定報告之圖16顯示 系爭產品在負載電流為0A時，電感電流IL1 已達原告所稱 之第一電流限制，如此一來，系爭產品將在任何負載情況 都處在過電流保護機制下，實有違經驗法則。綜上所述， 原告所述實非可採。
３、要件C ：
如前所述，系爭產品之過電流情況乃是指電感電流達到「 第一電流限制」，系爭產品並未如同系爭專利偵測超過該 高側通裝置的一「高電流限制」的一過電流情況，因此系 爭產品並無「若偵測到該過電流情況，則鎖定高側通裝置 並開啟低側通裝置」功能之裝置。又系爭產品規格書圖2 及第6 頁右欄「Over Current Protection 」所載「當電 感電流峰值達到電流限制臨界值時，輸出電壓開始下降直 到FB電壓低於參考值之30% 為止」（見本院卷㈠第297 頁 背面、第298 頁背面），系爭產品是判斷輸出電壓VOUT經 電阻R1及R2分壓後之FB電壓是否低於參考值之30% ，但系 爭專利是以電阻器510 、比較器530 及被耦合至負載110



之輸出節點所組成之電路結構（發明說明中對應於系爭專 利更正後申請專利範圍第14項「直到達到該低側通裝置上 之一第二電流限制為止」功能之結構）判斷是否達到該低 側通裝置上之一第二電流限制，兩者解除過電流保護所採 用的電子元件及其連接方式並不相同。準此，系爭產品無 法讀取系爭專利要件C 「若偵測到該過電流情況，則鎖定 高側通裝置並開啟低側通裝置，直到達到該低側通裝置上 之一第二電流限制為止之裝置」之文義。
（七）系爭TA2190產品未落入系爭專利更正後申請專利範圍第14 項之均等範圍：
１、要件B 之均等比對：
就功能而言，系爭產品係在電感電流達到一電流限制臨界 值（習知第一電流限制）之過電流情況下啟動過電流保護 機制，並未如同系爭專利具有一高於習知第一電流限制之 高電流限制，故系爭產品不具偵測超過該高側電晶體的「 一高電流限制的一過電流情況」之功能；就技術手段而言 ，因系爭產品並無對應系爭專利要件B 之功能，當然不具 與系爭專利實質相同的技術手段；就結果而言。因系爭產 品並無對應系爭專利要件B 之功能、不具實質相同的技術 手段，當然無法產生與系爭專利實質相同的結果。據上，