，由系爭專利說明書第12頁第5 行至第9 行、第17頁 第12行至第16行、第10頁第23行可知第一電極22為遮 光體，且第一電極22之材質為金屬。一般常見的電極 材料有氧化銦錫(ITO) 、氧化銦鋅(IZO) 、ZnO 、 SnO2、In2O3 等材料形成的透明電極，以及鉑、金、 鈀、銦、鋁、鎂、銀等材料形成的金屬電極，且原告 亦自承「透明電極之透光率極高（接近100%）」（見 本院卷三第130 頁），足認透明電極仍有部分光線無 法穿透而形成遮光狀態，況且，由被告所提之「ITO 透明導電薄膜：從發展與應用到製備與分析」之圖十 所示（見本院卷三第173 頁背面），可知一般氧化銦 錫所形成的透明電極其穿透率為75％至90％左右，顯 見透明電極亦非均為百分之百透光，而有部分透光之 態樣，是透明電極自為系爭專利「可遮光之金屬」（ 指部分或完全遮光之金屬）之用語所涵蓋，是以原告 上開所述，要無足採。
⑸請求項7 「設於GaAs層或GaP 層之上」用語應解釋為「 （經粗糙面化之第二主面係）設於GaAs層或GaP 層之表 面上」：
①就系爭專利103 年更正本請求項7 「設於GaAs層或Ga P 層之上」之用語，原告主張應解釋為「（經粗糙面 化之第二主面係）設於GaAs層或GaP 層之表面上」（ 見本院卷三第129 頁背面），被告主張應解釋為「半 導體層積體（之經粗糙面化之面）下方設有GaAs層或 GaP 層（見本院卷三第118頁）。
②查依系爭專利說明書第8 頁第4 行至第19行揭露之「 若使半導體層6 與由金屬構成之反射層25作直接接觸 時，由於無法獲得良好的歐母接觸，因此於半導體層 6 與反射層25之間設有以降低此兩者間之阻抗為目的 之接觸層12。亦即，接觸層12係接鄰於設在半導體層 6 之第一主面（光取出面）之相反側的第二主面。… …接觸層12與反射層25之界面中至少與第一電極22對 向之一部分係經此粗糙面化處理」，系爭專利說明書 第9 頁第4 行至第12行揭露之「於接觸層12之經粗糙 面化的面，形成有第一金屬層14」，系爭專利說明書 第19頁第12行至第17行揭露之「透明電極層33經粗糙 面化後…透明電極層33之粗糙面形狀，透明電極層33 與第一金屬層14之界面係具有凹凸之界面」，以及搭 配圖式第1 、5 至7 、16、23、27圖可知，半導體層 6 與金屬層直接接觸時，因為晶格匹配較差，而無法
有較佳的歐姆接觸，所以一般會在半導體層6 與金屬 層間設有接觸層12、32（即GaAs層或GaP 層），為達 到系爭專利之散亂反射目的，則在反射層25之第一金 屬層14界面係具有凹凸之界面，由此可知系爭專利請 求項7 之「…..之上」僅是單純的描述在GaAs層或 GaP 層的表面上經粗糙化，故系爭專利請求項7 之「 前述經粗糙面化之面係設於GaAs層或GaP 層之上」用 語應解釋為「（經粗糙面化之第二主面係）設於GaAs 層或GaP 層之表面上」。
③被告雖稱：依系爭專利說明書圖7 實施例，可知「設 於GaAs層或GaP 層之上」應解釋為「前述經粗糙化之 面下方設有GaAs層或GaP 層」（見本院卷三第118 頁 ）。惟查，系爭專利請求項7 為請求項6 之附屬項， 故其所載「前述經粗糙面化之面係設於GaAs層或GaP 層之上」中「前述經粗糙面化之面」自應為請求項6 所稱之「半導體層積體之（前述）第二主面」，復依 系爭專利說明書之揭示，半導體層積體之第二主面係 指位於發光層與第一主面（光取出面）相對之另一面 的表面（亦即：若光取出面為半導體層積體之上表面 ，第二主面即為半導體層積體之下表面），換言之， 申請專利請求項7 項僅係進一步界定「半導體層積體 之第二主面所位於之層為GaAs層或GaP 層」（另根據 說明書之揭示，可知所指GaAs層或GaP 層可為接觸層 ），因此其僅指「設於GaAs層或GaP 層之表面」，並 非如被告所稱僅限於系爭專利說明書圖7 之態樣，是 被告上開所述並不足採。
㈢系爭專利與系爭產品之技術內容：
⒈系爭專利之技術內容：
⑴系爭專利創作之主要目的，在「本發明之半導體發光元 件11係具備：包含發光層8 、用來取出從發光層8 所釋 出之光之第一主面，以及設於第一主面之另一側之第二 主面的半導體層積體6 ；設於半導體層積體6 之前述第 一主面之上的電極22；具導電性及對發光層8 所釋出之 光之反射性，並設於半導體層積體6 之第二主面側的反 射層25；於反射層25之半導體層積體6 的第二主面側至 少與電極22對向之部分形成有凹凸。」（見本院卷一第 29頁系爭專利說明書中文摘要）其主要示意圖如附圖一 所示。
⑵原告主張系爭產品侵害系爭專利103 年更正本請求項1 、3至7 ，上開請求項內容如下：
①第1 項：一種半導體發光元件，其特徵為具備：包含 發光層、用來取出從前述發光層所釋出之光之第一主 面、以及設於前述第一主面之另一側之第二主面的半 導體層積體；設於前述半導體層積體之前述第一主面 上的第一電極，其係由可遮光之金屬所構成；具導電 性及對前述發光層所釋出之光之反射性，且設於前述 半導體層積體之前述第二主面側的反射層，其中前述 反射層係由第一金屬層及第二金屬層經層積並藉由擴 散接合接合所構成；於前述反射層之至少與前述電極 對向之一部分形成有凹凸。
②第2 項：（刪除）。
③第3 項：如申請專利範圍第1 項所記載之半導體發光 元件，其中，進一步具備選擇性設於前述半導體層積 體之前述第二主面與前述反射層之間的絕緣膜，其中 前述絕緣膜係選擇性設於前述反射層之該一部分外的 其它部分。
④第4 項：如申請專利範圍第3 項所記載之半導體發光 元件，其中，前述絕緣膜之折射率係比前述半導體層 積體之折射率小。
⑤第5 項：如申請專利範圍第3 項所記載之半導體發光 元件，其中，前述絕緣膜係從由氧化矽、氮化矽、以 及氮氧化矽構成之群中所選擇的任一個。
⑥第6 項：如申請專利範圍第1 項所記載之半導體發光 元件，其中，前述半導體層積體之前述第二主面係經 粗糙面化。
⑦第7 項：如申請專利範圍第6 項所記載之半導體發光 元件，其中，前述經粗糙面化之面係設於GaAs層或Ga P 層之上。
⒉系爭產品之技術內容：
⑴原告主張附表1 所示產品侵害系爭專利，而被告並不否 認附表1 所示之產品間，涉及本件系爭專利有關之技術 特徵，該等產品均相同，因此僅以一項產品與系爭專利 進行侵權比對即可（見本院卷三第4 頁），是本件以 T14RMM產品（下稱系爭產品1 ）作為系爭產品之代表與 系爭專利進行侵權比對分析。
⑵原證10為原告對系爭產品1 進行檢測之檢驗報告（見本 院卷一第111 至144 頁），惟被告否認原證10之真實性 ，經查：
①被告雖辯稱：原證10第18圖之驗證方法無法確認金屬 反射層係由金材料所形成，亦或是反向工程過程中之
污染物云云。惟查，原證10圖14係未經過機械層移除 電極以及化學蝕刻移除半導體層的SEM 影像，其僅是 針對系爭產品1 的縱向切割，在切割過程中，由於半 導體層尚未被移除，金屬層不可能向上污染半導體層 以形成凹凸；再者，由原證10圖29之系爭產品剖面 SEM 影像可知，反射層(Au)與磊晶層（Epitaxial layers）間具有凹凸，而在其它處並無凹凸的結構， 更可以證明凹凸結構為製程過程中形成的而非反向工 程過程中之污染物；末者，由原證10圖17或18之EDS 圖可知，在反射層的位置測到金成份，再由原告針對 不同位置所做的原證73圖17至22之TEM 檢測更可以進 一步證明系爭產品1 凹凸的成份為金、鋅、鎵、磷（ 見本院卷四第165 至167 背面），足見在不同的凹凸 或反射層的位置處均量測到金成份，若如被告所稱金 材料係污染物，應僅會限於一處，顯見被告所謂系爭 產品檢驗到的金成分係遭汙染所致云云，並不足採。 ②被告又稱：原證10圖20中央圓形電極上方有暈狀色塊 ，而原證10圖12則無此暈狀色塊，原證10圖20之真偽 不明云云。惟查，原證10圖14之剖面為原證10圖12虛 線處，亦即表示原證10圖12是未經過機械層移除（移 除電極）以及化學蝕刻（移除半導體層）的上視圖， 而原證10圖20則為經過前述還原工程後的上視圖，但 由於中央的電極有殘存的情事而有暈狀色塊，且原證 10圖20之目的於檢視接觸孔是否有凹凸，中央的電極 是否有殘存則不影響接觸孔位置有凹凸的結果，是以 ，被告上開所指要無足採。
③被告又謂：原證10圖4 與圖14之中央圓形電極前後尺 寸不一，中央圓形電極之外部粗糙部份為外物污染云 云。惟查，原證10圖14係為圖12黃色虛線之剖面圖， 除了中央圓形電極外還跨越中央電極向外延伸的指狀 電極（如附圖二所示），超過100um 之粗糙部分應為 指狀電極而非外物污染，是以，被告上開所述亦不可 採。
綜上，被告所稱原證10所揭露之資訊係於檢測期間遭外 來物污染所致云云並不足採，是本件自得以原證10所示 之照片、圖片作為系爭產品1 之技術內容與系爭專利進 行侵權比對，又系爭產品1與附表1所示之其他43項產品 間之技術特徵均相同，已如前述，本件既以系爭產品1 代表所有系爭產品，則以下有關侵權之比對，即以系爭 產品稱之，而不再特別指為系爭產品1。
⑶系爭產品為LED 產品，該LED 具有半導體層積層A 、n 電極(Au)以及反射層（Reflecting metal-layer），其 中半導體層積層A 包含n 型接觸層（n-contact layer ）、主動層（Active layer）以及p 型接觸層（ p-contact layer ），該半導體層積層A 之上側有第一 主面，以及該半導體層積層A 之下側有第二主面，第一 主面上有n 電極(Au)，第二主面側有反射層（ Reflecting metal-layer），且在反射層（Reflecting metal-layer）表面有凹凸（其照片如附圖三所示）。 ㈣侵權比對分析：
⒈按除法規有特別規定外，程序從新實體從舊為適用法規之 原則，亦即權利義務本體之發生及其內容如何，均應適用 行為時或事實發生時所施行法律之規定（91年度台上字第 1411號判決參照）。又按專利法分別曾於99年8 月25日修 正公布、99年9 月12日施行（下稱99年專利法）；100 年 12月21日修正公布、102 年1 月1 日施行（下稱100 年專 利法）；102 年6 月11日修正公布、自公布日施行（下稱 102 年專利法）；103 年1 月22日修正、103 年3 月24日 施行（即現行專利法）。本件原告主張被告等侵害其專利 權之行為係自98年10月1 日起至今（見本院卷一第6 背面 至7 頁），是本件被告是否侵害原告專利權，自應依其各 次侵權行為時間分別適用該時期之法律，合先敘明。 ⒉系爭產品落入系爭專利103年更正本請求項1之範圍： ⑴系爭產品落入系爭專利103 年更正本請求項1 之文義範 圍：
①經解析系爭專利103 年更正本請求項1 與系爭產品， 可分別解析為5個要件，均如附表2 所示。
②經比對系爭專利103 年更正本請求項1 與系爭產品之 各要件：
要件1A特徵：由原證10之相關圖式可知，系爭產品 係為LED ，故從系爭產品可以讀取到系爭專利103 年更正本請求項1 之要件1A特徵。
要件1B特徵：由原證10之圖14至16可知（見本院卷 一第125 至126 頁），系爭產品為LED 具有半導體 層積層A ，該半導體層積層A 包含n 型接觸層（ n-contact layer ）、主動層（Active layer）以 及p 型接觸層（p-contact layer ），該半導體層 積層A 之上側有取出主動層所釋出之光的第一主面 ，半導體層積層A 之下側有第二主面，故從系爭產 品可以讀取到系爭專利103 年更正本請求項1 之要
件1B特徵。
要件1C特徵：由原證10之圖16可知（見本院卷一第 126 頁），系爭產品半導體層積層A 的第一主面上 有n 電極(Au)，n 電極之材質為不透明的Au，故從 系爭產品可以讀取到系爭專利103 年更正本請求項 1 之要件1C特徵。
要件1D特徵：由原證10之圖17可知（見本院卷一第 127 頁），系爭產品半導體層積層A 的第二主面側 有反射層（Reflecting metal- layer ），由SEM EDS 光譜可知該反射層之材質為金(Au)，該反射層 具導電性且可反射由主動層所釋出的光，由原證10 之圖23可知（見本院卷一第133頁），反射層（ Reflecting metal- layer ）係經高倍率TEM 後， 由TEM 截面可觀察到孔隙（void）而可知反射層（ Reflecting metal-layer）係由2 個金屬層接合構 成，故從系爭產品可以讀取到系爭專利103 年更正 本請求項1之要件1D特徵。
要件1E特徵：系爭專利請求項1 有關「電極對向」 、「凹凸」用語應解釋為「面對電極之面」、「凹 陷和凸起」，先予敘明。由原證10之圖19、20可知 （見本院卷一第129 至130 頁），系爭產品一部分 的反射層（Reflecting metal- layer ）表面形成 有凹凸，該反射層（Reflecting metal-layer）設 置於n 電極的另一側，故從系爭產品可以讀取到系 爭專利103 年更正本請求項1 之要件1E特徵。 ③綜上，系爭專利103 年更正本請求項1 之要件A 至E 可被系爭產品所讀取，故系爭產品落入系爭專利103 年更正本請求項1 之文義範圍。
④被告雖辯稱：原證10之圖17、19所示之凹凸實際上位 於與n 電極正對向n 電極遮蔽之反射層部分以外的其 他部分，其並未文義讀取系爭專利請求項1 要件E 之 文義，且原證10圖10b 之剖面示意圖與實際以掃描電 子顯微鏡SEM 拍攝之圖14、16、17、19明顯不符云云 。惟查，系爭專利請求項1 之「電極對向」係指「面 對電極之面」，並不限於電極正下方，業如前述，是 被告以系爭產品之反射層非位於電極正下方而主張不 為系爭專利要件E 之文義所讀取，顯不足採。再者， 原證10圖10b 僅為示意圖（見本院卷一第122 頁）， 係在說明半導體層積層A 、n 型接觸層（n -contact layer ）、主動層（Active layer) 、p 型接觸層、
n 電極以及反射層（Reflecting metal-layer）等相 對位置關係，原證10之圖14至17 、19 、20、23至25 、28、29、31等圖始為系爭產品以SEM 所觀察到的實 際照片，而使用SEM 所觀察到實際產品的照片可文義 讀取到系爭專利請求項1 所有要件，已如前述，被告 以示意圖作為系爭產品不為系爭專利請求項1 文義讀 取之證據，顯不足採。
⑤被告復辯稱：系爭產品之反射層之材質為包含Ga、P （磷）原子與Au金屬之合金，因磷為非金屬且具吸光 性，且合金層會增加吸光率，自不落入系爭專利103 年更正本請求項1 「反射層」之文義範圍云云。惟查 ，系爭專利103 年更正本請求項1 「反射層」僅界定 為「反射層係由第一金屬層及第二金屬層經層積並藉 由擴散接合接合所構成」，並未限定「金屬層」須「 百分之百」由金屬所構成，被告既不否認系爭產品之 反射層上有Au金屬，自應落入系爭專利請求項1 「反 射層」之文義。再者，縱使系爭產品之反射層如被告 所指係由合金所構成，然發明所屬技術領域中具有通 常知識者均知光經過界面則會穿透與反射，其中穿透 包含被原子所吸收等現象，反射包含散射等現象，既 然在半導體層與反射層間具有界面，則所謂「合金會 增加吸光率」不代表「合金不能造成光反射」，自難 以此認為系爭產品反射層係由合金組合，即無法達到 系爭專利103 年更正本請求項1 反射層欲造成光反射 之功效。再由原告所提之原證79第21頁之AFM'SEM 及 NFP 等分析結果可知（見本院卷五第157 頁背面）， 凹凸上方具有較強的光亮度，而沒有凹凸則呈現較弱 的光強度，是以系爭產品並無關於被告所述之光被吸 收導致光變弱之情事，因此，被告上開所辯均無足取 。
⑥本件無逆均等論之適用：
被告雖辯稱：系爭產品反射層上之凹凸係因熱製程造 成之擴散形成，且係為形成歐姆接觸層之用，就手段 、功能或結果上，均實質不同於系爭專利之凹凸，故 本件有逆均等論之適用云云。惟查，依被告所提之SE M 影像圖（見本院卷四第227 頁背面上圖、第231 頁 背面中圖，即被告答辯八狀第6 頁上圖、第14頁中圖 ），兩者均有擴散現象，然而兩圖之量測位置一者為 「凹凸處」，另一者為「無凹凸處」，惟兩處擴散現 象一致，此足證系爭產品上之凹凸與擴散現象兩者間
不具直接或相當因果關係。再者，若系爭產品上之凹 凸係製造過程中自然形成之「擴散現象」，其凹凸的 形狀應為平滑起伏，且依熱力學第三定律：「當一系 統達到穩定平衡時，熵（其物理意義為亂度）趨向最 大值」，簡言之，其亂度會趨向最大，擴散會無規則 的朝四面八方進行，然觀之附圖四所示被告所提之 SEM 檢測圖（見本院卷四第23 1頁背面，即被告答辯 八狀第14頁），系爭產品之凹凸高度變化大，且其形 狀為尖銳山峰狀，此與「擴散現象」所形成的凹凸形 狀不同，足見系爭產品之「凹凸」非為元件製程中所 伴隨之自然現象，而係刻意製作所形成之產物，是被 告以此主張兩者技術手段不同而有逆均等論之適用云 云，要無足取。
⒊系爭產品落入系爭專利103年更正本請求項3之範圍： ⑴系爭專利103 年更正本請求項3 依附於請求項1 ，進一 步限定：「其中，進一步具備選擇性設於前述半導體層 積體之前述第二主面與前述反射層之間的絕緣膜」（編 為要件G ）、「其中前述絕緣膜係選擇性設於前述反射 層之該一部份外的其它部分」（編為要件H ）。經查， 由原證10圖24可知（見本院卷一第134 頁），絕緣層設 置於半導體層積層A 與反射層（Reflecting metal- layer ）間，且該絕緣層係設置於部分反射層（ Reflecting metal-layer）上，因此，系爭產品可分別 讀取到系爭專利103 年更正本請求項3 要件G 、H 之技 術特徵。
⑵系爭專利103 年更正本請求項3 既為依附於請求項1 之 附屬項而包含請求項1 要件A 至E 技術特徵，而系爭產 品可文義讀取系爭專利103 年更正本請求項1 要件A 至 E 技術特徵已如前述，復參以系爭產品亦可讀取到系爭 專利103 年更正本請求項3 要件G 、H 之技術特徵，準 此，系爭產品自落入系爭專利103 年更正本請求項3 之 文義範圍。
⒋系爭產品落入系爭專利103年更正本請求項4之範圍： ⑴系爭專利103 年更正本請求項4 依附於請求項3 ，進一 步限定：「其中，前述絕緣膜之折射率係比前述半導體 層積體之折射率小」（編為要件I ）。經查，由原證10 圖31可知，接觸層之材料為GaP ，由原證10圖28可知（ 見本院卷一第139 頁），絕緣膜之材料為氧化矽，由原 證10圖25c 可知（見本院卷一第137 頁），SiO 之折射 率比氧化矽GaP 之折射率低，因此系爭產品可讀取到系
爭專利103 年更正本請求項4 要件I 之「其中，前述絕 緣膜之折射率係比前述半導體層積體之折射率小」技術 特徵。
⑵系爭專利103 年更正本請求項4 既為依附於請求項3 之 附屬項而包含請求項3 要件A 至E 、G 至H 技術特徵， 而系爭產品可文義讀取系爭專利103 年更正本請求項3 要件A 至E 、G 至H 技術特徵已如前述，復參以系爭產 品亦可讀取到系爭專利103 年更正本請求項4 要件I 之 技術特徵，準此，系爭產品自落入系爭專利103 年更正 本請求項4 之文義範圍。
⒌系爭產品落入系爭專利103年更正本請求項5之範圍： ⑴系爭專利103 年更正本請求項5 依附於請求項3 ，進一 步限定：「其中，前述絕緣膜係從由氧化矽、氮化矽、 以及氮氧化矽構成之群中所選擇的任一個」（編為要件 J ）。經查，由原證10圖28可知（見本院卷一第139 頁 ），絕緣膜之材料為氧化矽，因此系爭產品可讀取到系 爭專利103 年更正本請求項5 要件J 之「其中，前述絕 緣膜係從由氧化矽、氮化矽、以及氮氧化矽構成之群中 所選擇的任一個」技術特徵。
⑵系爭專利103 年更正本請求項5 既為依附於請求項3 之 附屬項而包含請求項3 要件A 至E 、G 至H 技術特徵， 而系爭產品可文義讀取系爭專利103 年更正本請求項3 要件A 至E 、G 至H 技術特徵已如前述，復參以系爭產 品亦可讀取到系爭專利103 年更正本請求項5 要件J 之 技術特徵，準此，系爭產品自落入系爭專利103 年更正 本請求項5 之文義範圍。
⒍系爭產品落入系爭專利103年更正本請求項6之範圍： ⑴系爭專利103 年更正本請求項6 依附於請求項1 ，進一 步限定：「其中，前述半導體層積體之前述第二主面係 經粗糙面化」（編為要件K ）。經查，由原證10圖29可 知（見本院卷一第140 頁），半導體層積層A 之下側的 第二主面有粗糙面，因此系爭產品可讀取到系爭專利10 3 年更正本請求項6 要件K 之「其中，前述半導體層積 體之前述第二主面係經粗糙面化」技術特徵。
⑵系爭專利103 年更正本請求項6 既為依附於請求項1 之 附屬項而包含請求項1 要件A 至E 技術特徵，而系爭產 品可文義讀取系爭專利103 年更正本請求項1 要件A 至 E 技術特徵已如前述，復參以系爭產品亦可讀取到系爭 專利103 年更正本請求項6 要件K 之技術特徵，準此， 系爭產品自落入系爭專利103 年更正本請求項6 之文義
範圍。
⒎系爭產品落入系爭專利103年更正本請求項7之範圍： ⑴系爭專利103 年更正本請求項7 依附於請求項6 ，進一 步限定：「其中，前述經粗糙面化之面係設於GaAs層或 GaP 層之上」（編為要件L ）。經查，由原證10圖31可 知（見本院卷一第142 頁），半導體層積層A 之下側的 第二主面2 的粗糙面之材料為GaP ，因此，系爭產品可 讀取到系爭專利103 年更正本請求項7 要件L 「其中， 前述經粗糙面化之面係設於GaAs層或GaP 層之上」技術 特徵。
⑵系爭專利103 年更正本請求項7 既為依附於請求項6 之 附屬項而包含請求項6 要件A 至E 、K 技術特徵，而系 爭產品可文義讀取系爭專利103 年更正本請求項6要件A 至E 、K 技術特徵已如前述，復參以系爭產品亦可讀取 到系爭專利103 年更正本請求項7 要件L 之技術特徵， 準此，系爭產品自落入系爭專利103 年更正本請求項7 之文義範圍。
⒏本件並無先前技術阻卻之適用：
被告辯稱本件有先前技術阻卻之適用，無非係以「The Morphology and Microstructure of Thin-Film GaAs on Mo Substrates 」（中譯：GaAs（砷化鎵）薄膜於Mo（鉬 ）基板之型態學與微結構）一文為據。經查，先前技術阻 卻係指待鑑定對象與某一先前技術相同，或雖不完全相同 ，但為該先前技術與所屬技術領域中之通常知識的簡單組 合，因此先前技術阻卻抗辯應以「單一先前技術」或「單 一先前技術與所屬技術領域中之通常知識的簡單組合」為 之，尚不得以多份先前技術文件之組合為依據。本件觀之 上開文章（見本院卷三第105 至107 頁），內容僅為探討 以有機金屬化學氣相沈積（MOCVD ），在不同溫度下將砷 化鎵材料沈積於鉬基板上，砷化鎵生長之型態與微結構， 其中根本無任何關於系爭專利所請之半導體發光元件中諸 如「半導體層積體（含其中之發光層）」、「反射層（含 由二金屬擴散接合所構成，以及其上之凹凸）」、「第一 電極」等構件之揭示，換言之，被證17只是探討以特定方 式（MOCVD ），於不同溫度下，將砷化鎵材料沈積於鉬基 板上，砷化鎵生長之型態及微結構，與系爭專利所請半導 體發光元件之發明整體無實質關聯，準此，單憑該先前技 術文獻，並不足以證明系爭專利103 年更正本請求項1 、 3 至7 有先前技術阻卻之適用。
⒐本件無法證明有先使用之事實：
被告主張系爭產品於系爭專利申請前已有先使用之事實， 固據提出被證13至15之電子郵件影本、PO、收據、收貨單 等為證（見本院卷三第99至104 頁）。惟查，被告已於其 2008年年報第51頁第2 個表格中，揭露其已於2008年完成 「改善AlInGaP MS LED晶粒亮度及信賴」，且於2009年截 至3 月底，已將「AlInGaP MS LED晶粒亮度提升到400mcd 以上」，並於第70頁中述及「將再投入新台幣共500 萬元 整，以持續進行『MS紅/ 黃光產品持續改善』之研發」（ 見本院卷三第51至53頁），是縱如被告所稱其於2005年已 有型號為MS系列之產品，且縱該等產品與2008年後之MS系 列產品型號相同，然上開年報已可認兩者之技術特徵有異 ，被告空言辯稱僅採用之基板不同云云，顯不足採。況且 ，相同型號未必可證明即有相同之技術特徵，被告所提上 開資料僅有型號而無任何有關產品技術特徵之記載，實無 從比對該等資料上所載之產品技術特徵與本件系爭專利技 術特徵是否相同，自難以此即認本件有先使用之事實，被 告上開置辯，顯不足採。
⒑小結：系爭產品落入系爭專利103 年更正本請求項1 、3 至7 之專利權範圍，而侵害系爭專利，惟被告抗辯系爭專 利有應撤銷事由存在，是以下續為系爭專利有效性之判斷 。
㈤有效性分析：
⒈查系爭專利係於95年10月3 日申請，經審定核准專利後， 於98年10月1 日公告等情，有系爭專利專利公報附卷可參 （見本院卷一第17頁），因此，系爭專利有無撤銷之原因 ，應以核准審定時即92年2 月6 日修正公布、93 年7月1 日施行之專利法為斷（下稱93年專利法）。
⒉按利用自然法則之技術思想之創作，且可供產業上利用之 發明，得依93年專利法第21條、第22條第1 項規定申請取 得發明專利。復按發明為申請前已見於刊物或已公開使用 者，或為其所屬技術領域中具有通常知識者依申請前之先 前技術所能輕易完成時，不得依同法申請取得發明專利， 同法第22條第1項第1款、第4 項定有明文。 ⒊本件引證案之說明：
⑴被證1 之技術內容（見本院卷二第56至97頁）： ①被證1 為92年4 月11日公告之我國第527848號「發光 元件及使用該發光元件之顯示裝置與照明裝置」專利 案，其公告日係早於系爭專利優先權日（94年10月28 日），可為系爭專利之先前技術。
②被證1 係一種發光元件，其至少具備有發光領域之發
光層，以及反射前述發光領域發出之光的反射層的積 層構造，從與前述發光領域隔離之光抽出面抽出前述 發光領域發出的光，而前述反射層之一部分存在著光 散射部。其主要示意圖如附圖五所示。
⑵被證4 之技術內容（見本院卷二第141至155頁）： ①被證4 為94年1 月1 日公開之我國第200501444A號「 具平面式全方位反射器之發光二極體」專利案，其公 開日係早於系爭專利優先權日（94年10月28日），可 為系爭專利之先前技術。
②被證4 係一種高萃光效率之發光二極體(LED) ，係其 有一反射之子裝置，以及形成該發光二極體之一方法 。其中一發光區被設置於一頂接觸點與一導體支撐座 之間，並延展出該頂接觸點下方之一區域之外。還有 一全方位反射器被設置於該發光區與該導體支撐座之 間。在一實施例中，該反射器具有一或多個導電接觸 點，係設置於對應於該頂接觸點下方之外之一區域。 在一實施例中，該反射器包括具有一折射係數介於約 1.10到2.25間之一介電層、延展過該反射器之接觸點 、以及一反射導電膜。絕緣低折射率區383 ，可包括 一電性絕緣物質，例如說二氧化矽(SiO2)或氮化矽( Si3N4)，具有一折射係數介於約1.10到2.25間。其主 要示意圖如附圖六所示。
⑶被證5 之技術內容（見本院卷一第156至170頁）： ①被證5 為94年6 月16日公開之我國第200520266A號「 半導體發光元件及其製造方法」專利案，其公開日係 早於系爭專利優先權日（94年10月28日），可為系爭 專利之先前技術。
②被證5 係一種半導體發光元件(1) 具有半導體區域(2 ) ，而該半導體區域(2) 包括：n 型半導體層(15)、 和活性層(16)、和p 型半導體層(17)、和第1 、第2 及第3 輔助層(13)、(14)(18)、和歐姆接觸層(19)。 在半導體區域(2) 具有光取出面功能之一邊主面(11) 的中央，連接陰極電極(8) 。在半導體區域(2) 的另 一邊主面(12)，介著具有導電性的光透過膜(3) 與金 屬光反射膜(4) 結合。在金屬光反射膜(4) 上，介著 第1 及第2 接合金屬層(5)(6)，與矽支持基板(7) 結 合。矽支持基板(7) 上連接有陽極電極(9) 。光透過 膜(3) 得以抑制金屬光反射膜(4) 和半導體區域(2 ) 之間的合金化。藉此構成，金屬光反射膜(4) 的反射 率可保持優良，且陰極電極(8) 和陽極電極(9) 之間
的順向電壓可降低。其主要示意圖如附圖七所示。 ⑷被證7 之技術內容（見本院卷二第279至293頁）： ①被證7 為93年9 月16日公開之我國第200418208A號「 發光元件及發光元件之製造方法」專利案，其公開日 係早於系爭專利優先權日（94年10月28日），可為系 爭專利之先前技術。
②被證7 揭示發光元件100 中，係以具有發光層部24之 化合物半導體層的第一主表面作為光取出面，在該化 合物半導體的第二主表面側，透過具有反射面之主金 屬層10結合元件基板7 而構成；該反射面係使來自該 發光層部24之光往該光取出面側反射，其特徵在於： 該元件基板7 係以導電型為p 型之Si基板所構成，且 在該元件基板7 之主金屬層側10之主表面正上方形成 以Al為主成分之接觸層31。藉此提供：在具有透過金 屬層使發光層部與元件基板貼合之構造之發光元件中 ，具有良好之導電性之發光元件及其製造方法。其主 要示意圖如附圖八所示。
⑸被證10之技術內容（見本院卷三第75至92頁）： ①被證10為94年4 月1 日公告之我國第I230472 號「半 導體發光元件及其製造方法」專利案，其公告日係早
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